|
Опрос
|
реклама
Самое интересное в новостях
Главные события прошедшей недели. Выпуск 9
Наступает последний месяц 2007 года, а значит, близится время для подведения предварительных итогов, и поэтому главной темой сегодняшнего выпуска сделаем обзор аналитических отчетов за прошедший неполный год. И, разумеется, основное внимание уделим рынку интегральных микросхем, на котором присутствуют такие производители, как Intel, Samsung, Toshiba, Sony, AMD, и др. То есть все те компании, которые являются главными действующими лицами в сфере информационных технологий на протяжении всего года. Среди наиболее успешных компаний выделим Intel, Sony, Toshiba и Qualcomm, а вот неудачниками прошедших месяцев стали AMD и Freescale. Теперь поговорим немного подробнее о состоянии рынка.
Конец 2007 года, по всей видимости, ознаменует собой укрепление позиций компании Intel, как лидирующего производителя интегральных микросхем, в частности, центральных процессоров, микросхем памяти, системной логики, микроконтроллеров и пр. По сравнению с 2006 годом прибыль компании может вырасти на 7,7% - с $31,54 млрд до $33,94 млрд, что составляет 12,5% всего рынка полупроводников. Во многом этот успех обусловлен неудачей главного Intel-конкурента на рынке процессоров, компании AMD. Последняя, в связи с долгим выходом в продажу своей новой архитектуры Barcelona и отсутствием достойного ответа на решения Intel Core, потеряла завоеванные ранее позиции на рынке процессоров. Если учесть, что AMD специализируется именно в этой области, то вполне логично выглядит и потеря позиций на мировом рынке интегральных микросхем. Самое главное, что компания по итогам года вполне может опуститься во второй десяток ведущих чипмейкеров, заняв в итоге лишь одиннадцатое место. Рыночные показатели компании следующие: снижение дохода сразу на 22,8% - с $7,5 млрд до $5,79 млрд. Отметим, что AMD не войдет в Top-10 чипмейкеров впервые за несколько последних лет, так что можно смело говорить о крайне неудачном в финансовом плане периоде.
Заметно успешнее действовали в 2007 году компании Sony и Toshiba, которые смогли увеличить свою прибыль сразу на 56,8% и 24,1% соответственно. Благодаря этому Sony смогла подняться с четырнадцатого на восьмое место, а Toshiba вытеснила из тройки лидеров Texas Instrument. Аналитики отмечают, что главной причиной успеха двух японских чипмейкеров является активное продвижение на рынке игровых консолей нового поколения – PlayStation 3. Ведь обе компании являются основными поставщиками микросхем для PS3, в том числе и процессоров Cell, «сердца» приставки нового поколения. Если принять во внимание не очень успешные продажи PS3 на мировом рынке, которые явно ниже планируемых компанией Sony, то можно утверждать, что в следующем году, в случае повышения внимания покупателей к «третьей» PlayStation, прибыль Sony и Toshiba может еще возрасти.
Интересен и успех компании Qualcomm, рыночная доля которой увеличится на 23,7%, и позволит производителю переместиться с шестнадцатого места в 2006 году на двенадцатое. Это достижение напрямую связано с выпуском полупроводниковой продукции для рынка мобильных аппаратов, в том числе микроконтроллеров для телефонов третьего поколения (3G), которые значительно прибавили в популярности в уходящем году. А вот компания Freescale Semiconductor, также поставляющая микросхемы для мобильных телефонов, в отличие от Qualcomm, наоборот, потерпела поражение, потеряв 10,7% своей прибыли. По итогам года производитель может опуститься с девятого на четырнадцатое место в списке ведущих чипмейкеров. И здесь не обошлось без другого неудачника, но уже на рынке мобильных телефонов.
Как известно, основным покупателем продукции Freescale Semiconductor является американский производитель мобильных телефонов – компания Motorola. Однако у нее последней год явно не задался – она уже лишилась звания второго по величине мирового поставщика телефонных аппаратов, уступив его южнокорейской Samsung. Более того, Motorola до сих пор не может на равных бороться с основными конкурентами – рыночная доля компании в третьем квартале 2007 года снова снизилась – на этот раз до 13,1%. Если сравнивать с аналогичным периодом 2006 года, когда компания владела 20,7% всего рынка мобильных аппаратов, то очевиден значительный регресс, и необходимость в срочном порядке менять ситуацию с поставками новых продуктов на мировой рынок. Факт неудачи одного из ведущих производителей мобильных телефонов, который привел к заметному снижению финансовых показателей его партнера, показывает, насколько взаимосвязаны все действующие лица в IT-секторе мировой экономики, и неудача лидера, пусть даже и занимающего специфическую нишу на рынке, может привести к серьезным проблемам для компаний-партнеров.
Однако можно найти много примеров и успешных партнерских отношений, и наиболее показательным в этом плане является совместная деятельность компаний Toshiba и NEC Electronics, направленная на разработку технологии изготовления интегральных микросхем нового поколения. На этой неделе указанные компании официально объявили о продолжении сотрудничества, при этом новой задачей обеих сторон является разработка техпроцесса изготовления 32-нм LSI-систем (больших интегральных микросхем (БИС), Large-Scale Integration). Обе компании с февраля 2006 года работают над 45-нм техпроцессом, и уже достигли значительных успехов – Toshiba пообещала начать поставки инженерных образцов 45-нм устройств во втором квартале 2008 года, а NEC начнет поставки аналогичных продуктов немного позднее – в декабре следующего года. Массовое производство 45-нм микросхем, согласно прогнозам Toshiba и NEC, стартует в 2009 году.
Рассуждая о перспективах производителей интегральных микросхем, нельзя не сказать о юбилее основного компонента современной электроники – транзистора, которому исполнилось ровно шестьдесят лет. Первый транзистор был изготовлен в 1947 году тремя учеными – блестящим теоретиком Джоном Бардином (John Bardeen), гениальным экспериментатором Уолтером Браттейном (Walter Brattain) и руководителем проекта Уильямом Шокли (William Shockley). Именно им принадлежит заслуга в создании первого точечного германиевого транзистора – к кристаллу германия, полупроводнику с электронной проводимостью, точечным контактом подключались два бронзовых проводника с примесью фосфора. При помощи коротких импульсов тока исследователи смогли добиться диффузии фосфора из проводников в кристалл германия, тем самым создавая в приконтактной области полупроводника зоны с так называемой дырочной проводимостью. Результатом стало формирование необходимой для ученых p-n-p-структуры, которая и является основой прибора. Первый транзистор разрабатывался в качестве замены вакуумным трубкам, причем среди сильных его сторон создатели отмечали относительно простую структуру устройства, что означало и простоту в изготовлении, стабильность в работе, а также практически неограниченный ресурс.
- Обсудить материал в конференции Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
|