Компания Nikon решила расширить программу отзыва цифровых зеркальных камер D750, первоначально объявленную в июле 2015 года в связи с обнаруженным дефектом затвора, из-за которого в некоторых участках снимка может наблюдаться затемнение.

Изначально отзыв касался зеркальных камер D750, изготовленных в октябре и ноябре 2014 года. После этого в феврале 2016 года компания объявила о расширении программы отзыва, добавив фотоаппараты, изготовленные в период с декабря 2014 года по июнь 2015 года.

Как впоследствии оказалось, дефект имеется у гораздо большего количества камер D750. В вышедшем на днях пресс-релизе Nikon сообщается, что дальнейшее рассмотрение вопроса показало: такая же проблема может возникнуть и с камерами D750, выпущенными с июля по сентябрь 2014 года и с июля 2015 года по сентябрь 2016 года.

Поэтому любой зеркальный аппарат D750, изготовленный в период с июля 2014 года по сентябрь 2016 года, желательно отправить для бесплатного осмотра и ремонта его затвора.

Серийный номер камеры указан на нижней части её корпуса. Владельцам Nikon D750 необходимо ввести серийный номер своей камеры на сайте Nikon, чтобы определить, включен ли этот аппарат в программу отзыва.

В современных цифровых камерах используются два основных типа затвора — рулонный (Rolling Shutter) и глобальный (Global Shutter). В рулонном варианте данные считываются построчно из верхней части датчика до нижней, а побочным эффектом такого метода является перекос вертикальных линий на изображении и другие артефакты, если объект передвигается быстро. Рулонный затвор чаще используется с КМОП-сенсорами. Глобальный затвор отличается тем, что данные считываются сразу и сенсор сбрасывается до следующей экспозиции. Этот затвор чаще используется с ПЗС-сенсорами. И хотя обычные пользователи в большинстве случаев разницы не заметят, но в профессиональном сегменте при съёмке на высоких скоростях эта разница может играть большую роль.

Поэтому разработка бельгийской компании CMOSIS нацелена на профессиональный сегмент, включая автоматизированные системы мониторинга, системы машинного зрения, видеосъёмку. Свой новый среднеформатный сенсор CMV50000 разработчики назвали первым 48-Мп КМОП-сенсором с полнокадровым переносом. Новинка включает 7920 × 6002 пикселя диаметром 4,6 мкм каждый. В сенсоре используется запатентованная восьмитранзисторная пиксельная архитектура, обеспечивающая низкий уровень шума и высокую эффективность электронного затвора. Полнокадровый перенос гарантирует, что изображения перемещающихся на высокой скорости объектов не будут подвержены дисторсии. Отмечается поддержка HDR.

Сенсор включает 22 12-разрядных LVDS-подканалов, каждый из которых работает на скорости до 830 Мбит/с. Это обеспечивает возможность съёмки на полном разрешении (по сути, 8K) со скоростью 30 кадров в секунду и с 12-битным цветом.

Монохромная версия уже доступна заказчикам, а полноцветный вариант поступит в продажу до конца года. Цена новинки составила 3,45 тыс. евро.

Перспективы у оптоэлектроники есть, и немалые. Но её внедрение тормозит отсутствие многих необходимых элементов, аналоги которых имеются в традиционной кремниевой электронике. Но прогресс понемногу идёт. Так, группа исследователей из Швейцарской высшей технической школы Цюриха (ETH Zurich) под руководством профессора Юрга Лютольда (Juerg Leuthold) смогла создать самый маленький в мире оптический затвор или, как его ещё можно назвать, «выключатель». Габариты устройства настолько малы, что меньше даже длины волны коммутируемого им светового потока.

Сам по себе затвор настолько мал, что к нему уже применимы атомарные габариты; в сущности, система может использовать в качестве активного элемента единственный атом серебра, расположенный между серебряной и платиновой подложками. При подаче напряжения атом (или несколько) перекрывает оптический канал, при снятии —  напротив, освобождает. Напоминаем, вся система гораздо меньше самого тонкого лазерного луча, но может работать со световыми волнами привычных параметров, а значит, вполне применима в разрабатываемых ныне оптоэлектронных схемах. Разработчики с полным правом называют своё детище «наномодулятором».

Конечно, речь идёт не о свете в привычном понимании этого слова, а о плазмонах — структурах, возникающих, когда свет передаёт свою энергию электронам внешнего атомарного слоя металлической поверхности, заставляя их вибрировать с частотой используемого света. Метод пока несовершенен, исследователи планируют улучшить литографический процесс получения подобных плазмонных затворов. Имеющиеся образцы хотя и работают при комнатных температурах, но их скорость переключения оставляет желать лучшего: пока речь идёт о мегагерцах или сотнях килогерц. Учёные надеются достичь гигагерцевого диапазона, а впоследствии достигнуть и терагерцевого барьера.

На мероприятии International Solid-State Circuits Conference команда ученых из Европы представила первый в мире гибкий микропроцессор, изготовленный на базе органических полупроводников. Невзирая на то, что производительность платы сравнима по своим показателям с процессорами 1970-х годов, потенциал гибкого электронного чипа трудно переоценить.

Почему же гибкий процессор появился на свет только теперь? Причина в том, что органические транзисторы имеют серьезные сложности с согласованным переключением, и для эффективной их работы авторы проекта добавили в транзисторы дополнительные затворы, которые, среди прочего, не позволяют им переключаться самопроизвольно. Новый органический чип включает в себя 4000 транзисторов, по сравнению с традиционными процессорами с сотнями миллиардов транзисторов, это число ничтожно.

Производительность его оставляет желать лучшего, на проведенных тестах процессор показал всего шесть инструкций в секунду. Однако, коль скоро начало положено, это число теперь будет возрастать.

Материалы по теме:

• Проблемы чипсетов для Sandy Bridge не повлияют на NVIDIA;
• OEM-сегмент получил двухъядерный Core i5-2390T;
• Процессоры AMD переведут на 32-нм нормы ко второй четверти 2012 года?.

Источник:

• slashgear.com

Японские инженеры компании Toshiba Corporation добились уникального достижения в деле изготовления интегральных микросхем нового поколения. Им удалось разработать технологию формирования затворов и промежуточного слоя с высокой подвижностью носителей заряда, что позволит в будущем создавать полевые транзисторы MOSFET с уникальными свойствами. На сегодняшний день в подавляющем большинстве случаев при изготовлении интегральных микросхем для формирования каналов транзисторов используется кремний. Однако при дальнейшей миниатюризации транзисторов применение этого полупроводника окажется затруднительным, а в дальнейшем – и вовсе невозможным. В качестве альтернативы кремнию уже давно рассматривается германий, обладающий большей подвижностью носителей заряда, и обеспечивающий достаточный ток при миниатюризации микросхем. Но его применение сопряжено со значительными технологическими трудностями, особенно при проектировании больших интегральных микросхем. Инженеры японской компании Toshiba смогли преодолеть трудности, связанные с применением германия для проектирования интегральных микросхем. Главной идеей становится использование соединения стронция и германия SrGex, играющего роль промежуточного слоя между каналом транзистора и диэлектриком. Не менее важной оказывается разработка технологии, позволяющей формировать тончайший слой SrGex, что крайне необходимо для изготовления микросхем с применением 16-нм или даже более точного техпроцесса. Отметим, что толщина слоя составляет всего 0,5 нм, то есть его толщина – всего несколько атомов. Технология формирования промежуточного слоя выглядит следующим образом. На германий, разогретый в высоком вакууме, осаждается слой стронция толщиной всего в десять атомов, а затем сверху наносится слой диэлектрика (в данном случае это LaAlO3). После этого вся структура отпускается (охлаждается) в нейтральной азотной атмосфере. Конечный результат этих манипуляций – формирование тончайшего промежуточного слоя SrGex между диэлектриком и германиевым каналом. Подобная модификация полевых транзисторов позволяет добиваться впечатляющих характеристик – например, вдвое возрастает подвижность носителей заряда по сравнению с аналогичным типом транзисторов, но построенных на основе кремния. Второе достижение – возможность создания больших интегральных микросхем с использованием прецизионных технологий – 16-нм техпроцесса. Материалы по теме: - IT-Байки: За миллиард лет до стирания памяти;
- IT-байки: На ближних подступах к эре графеновой электроники;
- Быть ли 450-мм кремниевым пластинам?.

Современные компактные цифровые камеры «поголовно» оснащаются электронными затворами, то есть, попросту включается/отключается процесс считывания информации с сенсора изображения. Важным достоинством такой конструкции является простота, а значит и невысокая стоимость, и компактность – обычный механический затвор оказывается слишком большим. Но у каждого решения есть и свои недостатки, одним из которых для электронных затворов становится искажения изображений. Вот почему для «топовых» фотокомпактов желательно физическое блокирование количества падающего на фотосенсор света. Помочь решить эту проблему призвана новинка южнокорейской компании Samsung – механический MEMS-затвор, разработанный специально для компактных фотоаппаратов. Конструкция устройств очень интересна – в качестве шторки используются тридцать шесть элементов, имеющих веерообразную форму. Угол между двумя боковыми гранями элементов составляет 10 градусов, то есть, тридцать шесть элементов, расположенные друг около друга, составляют полный круг. Один конец каждого элемента присоединен к общему электроду. Необходимо отметить, что элементы при отсутствии напряжения загнуты назад – в этом случае затвор открыт и свет беспрепятственно попадает на фотосенсор. Однако дело меняется при приложении напряжения 30 Вольт – генерируется электростатическое поле, заставляющее элементы распрямиться и перекрыть доступ света к сенсору. В этом случае затвор оказывается в закрытом состоянии. Надо сказать, что изогнутая форма «затворных» элементов достигается путем изготовления их из двух тонких разнородных пленок, например, алюминия и нитрида кремния. В результате их соединения друг с другом в структуре образуется внутреннее напряжение, которое и выгибает элементы. Варьируя толщины пленок инженеры могут добиться нужного угла наклона и результирующей силы, изгибающей элементы – это позволяет точно рассчитать значение приложенного электрического напряжения для закрытия затвора, и позволяет организовать серийное изготовление MEMS-затворов. Как мы уже сказали, одним из основных требований, которые предъявляются к затворам для компактных камер, являются габаритные размеры устройств. В данном случае инженеры Samsung постарались на славу – диаметр микроэлектромеханического затвора составляет всего 2,2 мм. Такое устройство вполне поместится в корпусе фотокомпакта и даже мобильного телефона. Материалы по теме: - IT-байки: Наноструны – ключ к искусственному обонянию?;
- Техника оригами позволяет создавать трехмерные микроустройства;
- Freescale выпустила MEMS-акселерометр для портативных устройств.