В концерне «Радиоэлектронные технологии» (КРЭТ) сообщили о том, что в России начаты испытания передового электромагнитного оружия в условиях полигона.

Речь идёт о так называемой СВЧ-пушке. Её задача заключается в выведении из строя электронных узлов техники и систем вооружения противника.

Комплекс формирует электромагнитное излучение сверхвысокой частоты. Такой электромагнитный «выстрел» позволяет на расстоянии «сжигать» электронику противника — скажем, блоки самонаведения ракет.

В настоящее время ведётся активное тестирование СВЧ-пушки. «Испытания проводятся постоянно и в лабораторных условиях, и на полигонах», приводит ТАСС слова Владимира Михеева, советника первого заместителя гендиректора КРЭТ.

Предполагается, что электромагнитное оружие войдёт в арсенал российских беспилотных самолётов шестого поколения. Кроме того, такими системами могут оснащаться и наземные машины.

Отмечается также, что в нашей стране ведутся работы над специализированными средствами, обеспечивающими защиту от электромагнитного оружия. Такие системы позволят военной технике нормально функционировать даже в случае воздействия вражеской СВЧ-пушки. 

Объединённая приборостроительная корпорация (ОПК) объявила о разработке нового поколения отечественных электронных компонентов, предназначенных для применения в передающей аппаратуре радиолокационных станций (РЛС).

Российские специалисты создали один из самых мощных на отечественном рынке СВЧ-транзисторов. Изделие выполнено по LDMOS-технологии и обладает выходной мощностью, в несколько раз превосходящей аналоги.

Увеличенная мощность СВЧ-транзистора позволит существенно повысить дальность действия РЛС. Разработка по своим характеристикам не уступает мировым аналогам и призвана заменить транзисторы прошлого поколения в военной аппаратуре и на гражданском рынке.

В частности, разработка имеет большой потенциал в медицине и может применяться как элемент аппаратуры микроволновой терапии. Решение может использоваться при разработке современного авиационного оборудования. Кроме того, достижение будет востребовано в научной сфере.

Использование LDMOS-технологии позволяет реализовать наиболее высокий уровень таких параметров, как линейность, усиление, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надёжность. На сегодняшний день это одна из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств. 

В последние годы компании, выпускающие процессоры, сосредотачивают усилия скорее на увеличении количества ядер, чем на росте рабочей частоты чипов. Впрочем, это совсем не означает, что работы над созданием все более быстродействующих компонентов не ведутся. Так, компания Northrop Grumman заявила о разработке транзистора, частота работы которого может достигать 1 терагерц. Транзистор с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT) был создан на базе фосфида индия, способного обеспечить гораздо лучшие частотные характеристики, чем массово применяемые в полупроводниковом оборудовании кремниевые соединения. Справедливости ради необходимо отметить, что частота в 1 терагерц для созданного транзистора является теоретически максимально достижимой, а средние значения значительно меньше, хотя и они все еще на два порядка перекрывают показатели лучших на сегодняшний день кремниевых транзисторов, работающих в составе процессорных ядер. В ходе тестов компания продемонстрировала схему трехкаскадного малошумящего усилителя миллиметрового диапазона, работающего на частоте 350 ГГц с коэффициентом усиления более чем 15 дБ. Кроме того, прикладное применение разработанного сверхскоростного транзистора весьма ограничено, и его разработчики не предусматривают использование своего детища в качестве основы для нового поколения процессоров. Планируется, что помимо применения в военном оборудовании, новый HEMT-транзистор сможет выступать компонентом устройств атмосферного мониторинга, датчикам которых необходимо работать на частотах от 80 ГГц до 250 ГГц. Еще одна потенциальная область для использования HEMT-транзисторов – трансмиттеры беспроводных интерфейсов HDTV, где требуется поддержка частоты 60 ГГц. Согласно заявлению Northrop Grumman, за счет небольшого количества выпускаемой продукции компания может удовлетворить заказы, используя собственные производственные мощности. Утверждается, что для изготовления транзисторов используются 35-нм нормы производства. Вместе с тем, сообщает компания, несмотря на самые передовые характеристики изделия, его себестоимость остается относительно низкой, поскольку стоимость необходимого производственного оборудования куда меньше, чем, например, расходы, связанные со строительством заводов по производству процессоров. Материалы по теме: - Транзисторы Fujitsu: 100 лет при T=200°C;
- IDF Fall 2006: R&D брифинг.