Теги → спецификации
Быстрый переход

Смартфон Xiaomi Mi 8 Youth получит 6,26-дюймовый экран с вырезом вверху

В Сети появились сведения о новой версии флагманского смартфона Xiaomi Mi 8 SE, вышедшего в мае этого года и ставшего первым мобильным устройством, оснащённым чипсетом Qualcomm Snapdragon 710. Многие полагали, что это будет «облегчённый» вариант, который пополнит семейство Mi 8, однако, судя по слухам, к нему присоединится модель с довольно крупным экраном.

Первые спецификации готовящегося к анонсу устройства были опубликованы в социальной сети Weibo. Смартфон под названием Xiaomi Mi 8 Youth (возможно, Mi 8X) будет иметь 6,26-дюймовый дисплей и чипсет Qualcomm Snapdragon 710.

Разрешение экрана смартфона равно 2280 × 1080 точек, что означает соотношение сторон 19: 9 и наличие в верхней части выреза для фронтальной камеры и различных датчиков. На борту смартфона имеется 6 Гбайт оперативной памяти и, скорее всего, 64 Гбайт флеш-памяти.

Xiaomi Mi 8 SE

Xiaomi Mi 8 SE

Mi 8 Youth получил двойную тыльную камеру с основным 12-Мп сенсором. Разрешение вспомогательного сенсора может составлять 2 или 5 Мп. Фронтальная камера использует 24-Мп сенсор, что означает нацеленность нового смартфона на молодых людей, которые любят заниматься съёмкой селфи.

Ёмкость батареи равна 3350 мА·ч, и поскольку в смартфоне установлен чипсет Snapdragon 710, список возможностей аппарата наверняка включает поддержку технологии быстрой зарядки Quick Charge 3.0. Хотя операционная система в перечне не указана, можно с уверенностью предположить, что смартфон будет поставляться с предустановленной программной оболочкой MIUI 9.6, основанной на Android Oreo.

Презентация Xiaomi Mi 8 Youth, как ожидается, состоится 18–19 сентября 2018 г.

Объявлены характеристики смартфона Bluboo S3 с батареей на 8300 мА·ч

По мере развития технологий производства аккумуляторных батарей и быстрой зарядки производители смартфонов стремятся всё больше увеличить их ёмкость. Рост ёмкости батареи в итоге приводит к увеличению толщины смартфона. К тому же растёт вес мобильного устройства. Вместе с тем демонстрировавшийся на выставке MWC 2018 смартфон Bluboo S3 отличается относительно совершенным балансом между ёмкостью батареи, составляющей 8300 мА·ч, и его ощущением в руке.

Компания официально раскрыла спецификации новинки. Смартфон Bluboo S3 оснащён 6-дюймовым дисплеем производства Sharp с соотношением сторон 18:9, основанным на технологии In-Cell. Главной особенностью аппарата является батарея ёмкостью 8500 мА·ч, поддерживающая технологию быстрой зарядки MTK PE 3.0 (12 В / 2 A). Зарядка телефона c 0 до 100 % занимает всего 2,5 часа. При умеренном использовании продолжительность автономной работы устройства от одного заряда составит не менее 6 дней.

Несмотря на мощную батарею толщина металлического корпуса смартфона равна всего 12 мм. Для сравнения, у смартфона Ulefone Power3 с батареей ёмкостью 6030 мА·ч толщина корпуса равна 10 мм. Bluboo S3 превосходит его по ёмкости батареи на 40 %, хотя всего на 20 % толще. Для того, чтобы смартфон более удобно располагался в руке, его боковые грани со стороны тыльной панели имеют дугообразную форму.

В нижней части корпуса смартфона размещён симметричный порт USB Type-C с поддержкой функции OTG. Что более важно, поддержка функции обратной зарядки позволяет использовать Bluboo S3 в качестве внешнего аккумулятора.

Компания сообщила, что Bluboo S3 выйдет в следующем месяце, а его цена будет ниже $200. Более полную информацию о новинке можно получить по этой ссылке: www.bluboo.hk.

На сайте TENAA раскрыты спецификации двух версий смартфона Huawei Honor 7C

На сайте Китайского центра сертификации телекоммуникационного оборудования (TENAA) появилась информация о двух версиях нового смартфона: LND-TL40 и LND-TL30. Предполагается, что речь идёт о Huawei Honor 7C, который «засветился» в базе данных регулятора в начале февраля.

 

Судя по изображениям на сайте TENAA, смартфон Honor 7C получил металлический корпус со сканером отпечатков пальцев, размещённым на тыльной панели. Размеры корпуса равны 158,3 × 76,7 × 7,8 мм, вес — 164 г. Ожидается, что аппарат будет доступен в трёх цветовых вариантах: чёрном, золотистом и синем. Новинка отличается полноэкранным дизайном с диагональю дисплея 5,99 дюйма и разрешением 1440 × 720 точек, что соответствует формату HD+. Соотношение сторон экрана составляет 18:9.

Модель LND-TL30 имеет 3 Гбайт оперативной памяти и флеш-накопитель ёмкостью 32 Гбайт, тогда как версия LND-TL40 оснащена 4 Гбайт оперативной и 32 Гбайт флеш-памяти. Обе модели основаны на восьмиядерном процессоре с тактовой частотой 1,8 ГГц. Также сообщается о слоте для карт памяти microSD и батарее ёмкостью 2900 мА·ч.

 

Обе модели оснащены сдвоенными тыльными камерами с 13- и 20-Мп сенсорами и светодиодной вспышкой. Что касается фронтальной камеры, то у версии LND-TL30 камера основана на двух 8-Мп сенсорах, а у LND-TL40 — на одном. В качестве операционной системы в смартфоне используется Android 8.0 Oreo. С учётом того, что предшественник Honor 6C вышел в апреле 2017 года, можно предположить, что релиз Honor 7C состоится в апреле 2018 г.

Опубликованы спецификации UFS 3.0: флеш-память смартфонов удвоит скорость

Комитет JEDEC Solid State Technology Association опубликовал финальные спецификации стандарта Universal Flash Storage версии 3.0 (UFS). С момента принятия спецификаций UFS 2.1 прошло около двух лет (приняты в апреле 2016 года). Но на тот момент скорость обмена по шине UFS осталась без изменения. Версия UFS 2.0, принятая в начале октября 2013 года, предписывала скорость обмена по одной линии интерфейса на уровне 600 Мбайт/с. Всего шина UFS содержит две линии с последовательной передачей данных. Скорость интерфейса в такой конфигурации предполагала передачу данных на уровне 1,2 Гбайт/с. В версии UFS 3.0 скорость обмена увеличена до 11,6 Гбит/с на линию или до 2,4 Гбайт/с на обе линии интерфейса.

Шина UFS пока прописалась преимущественно во флагманских моделях смартфонов, хотя она также ориентирована на использование в персональных компьютерах (ноутбуках). Данный интерфейс занимает промежуточное положение между памятью eMMC и SSD-накопителями. Добавим, ориентация на мобильные устройства вылилась в то, что в качестве физического уровня доступа для интерфейса UFS выбрана сигнальная структура альянса MIPI (Mobile Industry Processor Interface). Если точнее, интерфейс UFS 3.0 опирается на версию MIPI M-PHY v4.1 и транспортный уровень MIPI UniProSM v1.8.

Стандарт UFS также описывает возможность использования съёмных карт памяти с этим интерфейсом или UFS Card Extension. Скорость обмена с картами памяти пока не повышена и использует физический уровень M-PHY HS-Gear3, хотя версия стандарта для карт расширения получила обновление до версии 1.1. Также номер увеличился у спецификаций UFS Host Controller Interface (UFSHCI) до версии 3.0. Сообщается, что внесённые в стандарт изменения упростят проектировщикам разработку контроллеров.

Карты памяти Samsung в формфакторе UFS (не совместимы с microSD)

Карты памяти Samsung в формфакторе UFS (не совместимы с microSD)

Отметим, что интерфейс UFS демонстрирует хорошее соотношение производительности к потреблению, что приобретает важность не только для носимой электроники, но также для автомобильной. Ожидается, что шина UFS окажется востребованной в автомобилях. В версии UFS 3.0 стандарта для этого предусмотрели два «автомобильных» нововведения. Во-первых, для контролеров предусмотрен расширенный рабочий температурный режим от −40 °C до 105 °C. Во-вторых, введён режим обновления команд, что призвано улучшить механизмы контроля концентраторов и способствовать улучшению надёжности в работе с данными.

Однокорпусные SSD Toshiba с шиной UFS 2.0

Однокорпусные SSD Toshiba с шиной UFS 2.1 для автомобильных систем

Разработка контроллеров с поддержкой спецификаций UFS 3.0 стартовала несколько месяцев назад. В коммерческих устройствах интерфейс UFS 3.0 обещает появиться к концу текущего года или в первой половине следующего года.

Обнародованы характеристики Core i7-8809G с GPU Radeon на борту

В ноябре мы довольно подробно разбирали готовящиеся процессоры Intel семейства Kaby Lake-G, предназначенные для производительных систем в сборе — в частности, NUC Hades Canyon и Hades Canyon VR. С первых дней нового года старшая модель Core i7-8809G уже пребывает в статусе серийного продукта: её характеристики появились на сайте компании Intel в разделе оверклокерских процессоров.

В нижеприведённом списке Core i7-8809G разместился между моделями LGA1151 (Coffee Lake-S) и LGA2066 (Kaby Lake-X). Это не имеет особого значения, поскольку, во-первых, в иерархии Intel Coffee Lake-S должны быть выше Kaby Lake-X, а во-вторых, сравнивать Core i7-8809G имеет смысл только с собратьями (Core i7-8705G) ввиду наличия у Kaby Lake-G производительного встроенного GPU, с которым не сравнится ни одно из ядер Intel HD Graphics.

В спецификации Core i7-8809G указан «целевой TDP» в 100 Вт — общий для вычислительных ядер и графической составляющей. От конкретного приложения будет зависеть «вклад» CPU и iGPU в общее тепловыделение. Например, в играх можно ожидать соотношения 1:2 (33,3 и 66,7 Вт).

По совокупности характеристик x86-составляющая процессора с индексом 8809G весьма напоминает мобильный процессор Core i7-7920HQ. Посудите сами: количество ядер и потоков обработки данных у обоих чипов равняется 4 и 8 шт. соответственно, номинальная частота составляет 3,1 ГГц, объём кеш-памяти третьего уровня — 8 Мбайт. Кроме того, оба CPU содержат интегрированную графику Intel HD 630 (у Core i7-8809G она дополняет основную Radeon RX Vega M GH) и двухканальный контроллер оперативной памяти DDR4-2400.

Спецификация процессора Core i7-7920HQ

Спецификация процессора Core i7-7920HQ (Kaby Lake-H)

Учитывая зависимость от тепловыделения графического ядра, блок x86-ядер может немного уступать Core i7-7920HQ в отдельных приложениях, но в целом стоит ориентироваться на уровень производительности последнего — это 800–900 очков в Cinebench R15 и 1200–1300 очков во встроенном бенчмарке утилиты Intel XTU. Ближайшим настольным аналогом Core i7-8809G является экономичный (35 Вт) процессор Core i7-7700T семейства Kaby Lake-S с номинальной частотой 2,9 ГГц и boost-частотой 3,8 ГГц.

Из названия «Radeon RX Vega M GH» следует, что кристалл графики AMD Radeon, взаимодействующий с памятью HBM2 (оба видны невооружённым глазом) и x86-составляющей процессора, относится к семейству Vega и, соответственно, пятому поколению GCN. Из более ранних сообщений следует, что RX Vega M GH оперирует 1536 потоковыми процессорами и 96 текстурными блоками, а объём буферной памяти HBM2 равен 4 Гбайт. С учётом увеличения пропускной способности памяти и значительного уменьшения задержек относительно дуэта Polaris 10 и микросхем GDDR5, можно предположить, что уровень производительности графической подсистемы процессора Core i7-8809G будет примерно соответствовать таковому у дискретной видеокарты AMD Radeon RX 570.

Прототип платы для NUC Hades Canyon (VR)

Прототип платы для NUC Hades Canyon (VR)

Расширенная спецификация модели с индексом 8809G на сайте intel.com пока не приводится.

Новый планшет Huawei MediaPad M5 засветился в сертификационных документах

В Сети появились сведения о новом планшете Huawei MediaPad M5, который пополнит серию M MediaPad китайского производителя. Согласно сертификационным документам Bluetooth SIG, компания перейдёт сразу к выпуску модели MediaPad M5, отказавшись от наименования MediaPad M4. Сообщается, что планшет получит номера моделей SHT-W09 и SHT-AL09.

Судя по просочившейся информации, Huawei MediaPad M5 получит 8,4-дюймовый дисплей с разрешением 2560 × 1600 точек.

Как указано в документах, планшет оснащён адаптером беспроводной связи Bluetooth 4.2 и работает под управлением операционной системы Android 8 Oreo. Ожидается, что в нём будет использоваться система на кристалле с восьмиядерным процессором Hisilicon Kirin 960. Для сравнения, существующий планшет MediaPad M3 предлагается с чипсетом Kirin 950.

Информации об остальных характеристиках нового планшета, таких как объём оперативной памяти и ёмкость флеш-накопителя, пока нет. Скорее всего, спецификации MediaPad M5 будут близки к характеристикам существующей модели, включая датчик отпечатков пальцев, поддержку LTE Cat 4 и, возможно, алюминиевый корпус, обработанный с использованием станков с ЧПУ.

Стоимость существующей модели MediaPad M3 составляет около $350. Примерно такую цену следует ждать и у MediaPad M5.

Из кареты в тыкву: привлекательность Radeon RX 560 тает на глазах

Грязные или, как минимум, странные маркетинговые приёмы использовала компания AMD для продвижения бюджетной видеокарты Radeon RX 560. В этом можно убедиться, проследив за характеристиками данного адаптера во времени. О пересмотре спецификации в худшую сторону первым сообщил ресурс Heise, и действительно — так скверно, как сейчас, параметры RX 560 ещё не выглядели.

Изначально самой невинной уловкой стала разная информация об объёме памяти Radeon RX 560 в день формального анонса (строго 4 Гбайт) и ближе к релизу (варианты с 2 и 4 Гбайт GDDR5). Подобное прежде встречалось в исполнении как «красных», так и «зелёных», и останавливаться на этом, наверное, не стоит.

Недавние изменения более существенны: вместо 16 вычислительных блоков (compute units, CU) теперь указано количество «16 или 14», количество потоковых процессоров в 1024 шт. изменено на «1024 или 896», количество текстурных блоков в 64 шт. теперь выглядит как «64 или 56», кроме того, гарантированная частота ядра снижена с 1175 до 1150 МГц.

Поскольку на странице Radeon RX 560 на gaming.radeon.com вовсе не упоминается модель RX 560D с 896 шейдерными и 56 текстурными блоками, можно сделать вывод, что «плавающие» прикладные характеристики — не её либо не только её атрибут. Также заметим, что пропускная способность памяти «до 7 Гбит/с» на контакт оставляет AIB-партнёрам AMD лазейку для дополнительного снижения производительности. Диапазон энергопотребления в 60–80 Вт и ряд других параметров указывались для Radeon RX 560 и прежде.

В условиях повышенного спроса на Radeon RX 580 и RX 570 со стороны добытчиков криптовалют многие поклонники AMD и Radeon Technologies Group останавливались на относительно доступных видеокартах RX 560, но теперь геймерам стоит быть особенно внимательными при выборе адаптеров данного класса — особенно тех, что привлекают своей дешевизной.

Напомним, что конфигурация GPU с 896 шейдерными блоками и 56 TMU была стандартной для одной из карт Radeon предыдущего поколения — RX 460 (чип Polaris 11), несмотря на физическое присутствие в составе последнего 1024 шейдерных блоков и 64 TMU, которые впоследствии были активированы у RX 560 (Polaris 21). Откат к «плавающему» количеству блоков вряд ли добавит популярности как RX 560, так и бренду AMD в целом.

Обнародована спецификация PCI Express 4.0

Организация PCI SIG, отвечающая за развитие основанных на шине PCI стандартов передачи данных, объявила о готовности финальной (версия 1.0) спецификации PCI Express 4.0.

Спецификация нынешнего стандарта PCI Express 3.0 была представлена около семи лет назад — в ноябре 2010 года. Интерфейс обладает пропускной способностью до 8 ГТ/с — гигатранзакций в секунду.

Стандарт PCI Express 4.0 предусматривает удвоение пропускной способности — до 16 ГТ/с. Это означает скорость на уровне 2 Гбайт/с для одной линии, в то время как слоты PCI Express 4.0 x16, предназначенные для графических карт, сверхскоростных SSD или сетевых контроллеров, смогут обеспечить скорость до 32 Гбайт/с.

Спецификация PCI Express 4.0 предполагает также ряд других улучшений, связанных с масштабируемостью, виртуализацией и пр. Подробную информацию можно найти здесь.

Между тем организация PCI SIG продолжает работу над стандартом PCI Express 5.0. Он предусматривает дальнейшее удвоение пропускной способности — до 32 ГТ/с. Сейчас готова редакция 0.3 этой спецификации, а её окончательный вариант планируется разработать ко второму кварталу 2019 года. 

Опубликована спецификация стандарта USB 3.2

Организация USB Implementers Forum (USB-IF) объявила о публикации спецификации стандарта USB 3.2 — высокоскоростного интерфейса для обмена данными между компьютерными и мобильными устройствами.

О подготовке стандарта USB 3.2 было объявлено минувшим летом. Новая спецификация по сравнению с USB 3.1 Gen 2 предусматривает удвоение максимально возможной скорости передачи данных — с 10 до 20 Гбит/с. Такой показатель будет доступен при использовании кабелей с разъёмами USB Type-C. Для сравнения: интерфейс Thunderbolt 3 с разъёмом USB Type-C обеспечивает пропускную способность до 40 Гбит/с.

Для достижения скорости в 20 Гбит/с по интерфейсу USB с поддержкой спецификации USB 3.2 приобретать новые кабели не потребуется. Однако важно отметить, что удвоение пропускной способности гарантируется только для сертифицированных кабелей USB Type-C.

Кабели USB Type-C с поддержкой USB 3.2 будут переводиться в двухканальный режим работы. Каждый из каналов обеспечит скорость в 5 или 10 Гбит/с. Таким образом, суммарная пропускная способность может составлять 10 или 20 Гбит/с.

Более подробно со спецификацией стандарта USB 3.2 можно ознакомиться здесь

USB 3.2 удвоит скорости обмена данными

Организация USB 3.0 Promoter Group, которая курирует разработки спецификаций стандарта USB 3.0, сообщила о значительном обновлении спецификаций одноимённого интерфейса. Рабочей группой организации подготовлен черновик спецификаций версии USB 3.2. Формальная публикация чистового варианта спецификаций ожидается в сентябре — в дни проведения мероприятия USB Developer Days 2017, где приглашённые смогут ознакомиться со всеми нововведениями. Главной особенностью версии USB 3.2 станет удвоение пропускной способности интерфейса.

В случае сертификации SuperSpeed USB скорость обмена данными будет увеличена с 5 Гбит/с до 10 Гбит/с, а при сертификации SuperSpeed USB 10 Гбит/с скорость обмена поднимется с 10 Гбит/с до 20 Гбит/с. Уточним, речь идёт о кабелях с разъёмами USB Type-C. Что важно, ощутить подъём скорости обмена смогут все пользователи, которые уже являются владельцами кабелей с соответствующей сертификацией. Иными словами, для удвоения скорости обмена по интерфейсу USB 3.0 с поддержкой спецификаций USB 3.2 новые сертифицированные кабели USB Type-C покупать не придётся. Обновления подразумевают, что гарантируется совместимость со всеми уже выпущенными кабелями USB Type-C. Увы, в продаже есть масса несертифицированных недорогих кабелей неизвестного происхождения, гарантировать работу которых на повышенных скоростях никто не будет.

Также следует понимать, что удвоение скорости обмена будет осуществимо только в том случае, если хост (концентратор) и устройство поддерживают спецификации USB 3.2. По всей видимости, разработчикам понадобится лишь обновить микрокод контролеров, где это будет возможным, поскольку в физический уровень стандарта USB 3.0 никаких изменений вноситься не будет. Предусмотрена лишь небольшая доработка концентраторов для поддержки нового режима обмена.

Строение кабеля USB Type-C (Belkin)

Строение кабеля USB Type-C (Belkin)

«Фишка» нововведения в том, что кабели USB Type-C с поддержкой USB 3.2 будут переводиться в двухканальный режим работы. Современные кабели USB Type-C с поддержкой USB 3.1 работают в одноканальном режиме, в которому данные передаются либо со скоростью 5 Гбит/с, либо 10 Гбит/с. Обмен происходит по тонкому коаксиальному кабелю. В «режиме» USB 3.2 кабель начнёт работать в двухканальном режиме, удваивая максимальную скорость обмена данными. Для этого в составе кабеля изначально был предусмотрен второй проводник, который до этого не использовался.

Ещё одним улучшением в спецификациях USB 3.2 станет режим быстрой зарядки аккумуляторов «USB Power Delivery». Детали о новых режимах разработчики обещают рассказать в сентябре на профильном мероприятии.

Замечена версия карты Radeon RX Vega с 16 Гбайт памяти HBM2

На 31 мая компания AMD запланировала большую пресс-конференцию в рамках выставки Computex 2017 (г. Тайбэй, Тайвань). В ходе неё, как поговаривают, будут представлены HEDT-платформа X399, включающая 16-ядерные процессоры Ryzen, и графические решения Radeon RX Vega. По последним данным, 14-нм чип Vega 10 даст жизнь трём графическим ускорителям — Nova, Eclipse и Core. Они будут различаться количеством активных потоковых процессоров, объёмом буферной памяти HBM2 и тактовыми частотами.

GPU Vega 10

Тем временем пишущая братия продолжает искать в Сети полные характеристики готовящихся high-end видеокарт AMD и результаты их тестирования. Коллегам VideoCardz удалось обнаружить в базе тестового приложения CompuBench запись о загадочном графическом адаптере «GFX900», который, несомненно, имеет отношение к Vega 10. Из внушительного перечня считанных параметров карты обращают на себя внимание количество мультипроцессорных кластеров, равное 64 шт. (по 64 шейдера в каждом — в сумме 4096 шт.) и объём буферной памяти в 16 978 542 592 байта или приблизительно 16 Гбайт. Последнее значение вдвое превышает спрогнозированное ранее (8 Гбайт в двух чипах HBM2 по 4 Гбайт). В соответствии с планами SK Hynix, которая не спешит выпускать 8-Гбайт микросхемы многослойной памяти, инженерам AMD придётся использовать четыре микросхемы HBM2 вместо двух. Это значительно повлияет на себестоимость и конечную цену Radeon RX Vega 16GB. В вышеупомянутой заметке о трёх моделях Radeon RX Vega данный продукт соответствует RX Vega Nova.

В таблице выше выделен ещё один параметр — CL_DEVICE_MAX_CLOCK_FREQUENCY, означающий максимальную тактовую частоту ядра видеокарты в режиме динамического разгона. Указанные 1600 МГц выглядят впечатляюще, с учётом скромного частотного потенциала Radeon RX 580 (до 1,5 ГГц с воздушным охлаждением) и, тем более, моделей Radeon RX 400. Надеемся, что 1,6 ГГц будут достижимы на большинстве экземпляров видеоадаптера без использования экстремальных средств охлаждения.

Во всей истории о Radeon RX Vega 16GB есть одно большое «но», а именно вероятность того, что под обозначением «GFX900» скрывается не настольный ускоритель, а специализированная карта Radeon Instinct MI25 для систем глубинного обучения. Однако даже если все новинки семейства RX Vega в итоге окажутся с объёмом памяти HBM2 не более 8 Гбайт, у AMD всё ещё останется пространство для манёвра, и 16-гигабайтная версия может увидеть свет в конце текущего или начале следующего года.

AMD Radeon Instinct

Первые спецификации Ryzen 3 1200 опубликованы ASRock

До сегодняшнего дня Advanced Micro Devices не раскрывала характеристики массовых процессоров серии Ryzen 3, но, как это часто бывает в наши дни, впереди паровоза оказалась компания ASRock — пожалуй, самый бесстрашный экспериментатор среди производителей системных плат. Этот производитель не только предлагает уникальные решения, но и часто идёт поперёк воли производителей процессоров.

В спецификациях системной платы AB350M-HDV в списке поддерживаемых процессоров оказался AMD Ryzen 3 1200. Из них можно узнать номер его модели: YD1200BBM4KAE, базовую тактовую частоту, составляющую 3,1 ГГц, объём кеша 2 Мбайт (речь явно идёт о кеше L2, который в базовом модуле Summit Ridge как раз и составляет по 512 Кбайт на ядро, соответственно на четыре ядра приходится 2 Мбайт), ревизию B1 и теплопакет 65 ватт. Поддерживается этот чип всеми версиями BIOS.

Схема отключения четырёх ядер в Ryzen 5

Схема отключения четырёх ядер в Ryzen 5

Неизвестными остаются следующие параметры: наличие активированной поддержки SMT и технологии динамического разгона AFR. Ожидается, что серия процессоров Ryzen 3 будет массово выпущена в продажу во второй половине текущего года. Обратит ли AMD внимание на то, что ASRock раскрыла большинство спецификаций ещё не выпущенного процессора? Вряд ли. Ничего особенного в них нет, а сама AMD в последнее время придерживается политики максимальной открытости и охотно идёт навстречу как пользователям, так и партнёрам — и по выпуску системных плат, и разработчикам игр.

Спецификации DDR5: некоторые подробности

Совсем недавно мы писали о том, что комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC), в числе прочего ответственный за разработку спецификаций новых поколений полупроводниковой памяти DRAM, планирует завершить подготовку стандарта DDR5 в 2018 году. Но DDR5 — это не просто более высокая скорость передачи данных в сравнении с DDR4, основным стандартом оперативной памяти сейчас. Это ещё и ряд новых технологий на стыке DRAM и энергонезависимой памяти; такое сочетание уже получило устоявшееся название NVDIMM, хотя текущие реализации далеки от идеала.

Технически объявленное «удвоение характеристик» означает создание чипов DDR5 ёмкостью 32 Гбит со скоростью передачи данных 4266‒6400 мегатранзакций в секунду на контакт. Если модули DDR5 сохранят разрядность шины 64 бита на модуль, это означает появление односторонних модулей DDR5-6400 ёмкостью 32 Гбайт со скоростью передачи данных 51,2 Гбайт/с. «Дружественный пользователю интерфейс» может означать новую, более удобную систему фиксации модуля в системной плате. На сегодня в этом плане сложно придумать что-то действительно новое, но, возможно, инженерам JEDEC удастся всех удивить.

JEDEC обещает решить и проблему падения эффективности подсистем памяти, которая в пересчёте на канал падает по мере увеличения количества каналов, но пока не известно, как именно это будет сделано. Более подробная информация ожидается на мероприятии Server Forum, которое состоится в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, и начнётся 19 июня. В числе планируемых к 2018 году стандартов относится и новое поколение энергонезависимых модулей памяти NVDIMM-P, которое не будет ограничено объёмом, диктуемым технологиями DRAM. Ёмкость таких модулей может достигать единиц терабайт, но при этом в жертву приносится латентность, составляющая сотни наносекунд.

Обсуждаются спецификации SATA 4.0

Сегодня стало известно, что Serial ATA International Organization, организация, ответственная за развитие и внедрение стандарта SATA, обсуждает возможность принятия спецификаций SATA 4.0, которые призваны сделать данный интерфейс, впервые представленный 7 января 2003 года, действительно соответствующим требованиям времени. Ведь если даже родственный ему интерфейс SAS на сегодня успешно достиг скоростей передачи данных на уровне 12 Гбит/с и способен работать в полнодуплексном режиме, эволюция SATA, по сути, остановилась на уровне 6 Гбит/с.

В этом раунде побеждает NVMe, но бой ещё не окончен!

В этом раунде побеждает NVMe, но бой ещё не окончен!

Как мы знаем, современные твердотельные накопители уже давно преодолели этот предел и Serial ATA является для них узким местом, но и у NVMe есть свои недостатки — в частности, современная системная плата имеет не больше одного-двух портов M.2, из которых только один может развивать скорости до 32 Гбит/с, в то время как портов SATA на одной плате может быть и 8, и 10. Теоретически, самая популярная на сегодня ревизия SATA 3.2 позволяет работать со скоростями до 16 Гбит/с и имеет поддержку современных SSD, на практике этот режим не используется.

SATA хорошо подходит для владельцев систем с большим количеством накопителей

SATA хорошо подходит для владельцев систем с большим количеством накопителей

Согласно имеющимся данным, в спецификации 4.0 интерфейс SATA должен сравняться возможностями со своим старшим собратом, SAS-4, спецификации которого также ещё не опубликованы и подразумевают скорость обмена данными до 22,5 Гбит/с. Получит SATA, наконец, и полнодуплексный режим, хотя сохранит механическую и электрическую совместимость с накопителями предыдущих ревизий. Точных сроков SATA-IO не называет, да и информацию можно отнести, скорее, к разряду слухов, но речь идёт о 2017 годе. Поддержат ли инициативу производители твердотельных накопителей или предпочтут вложиться в развитие инфраструктуры NVMe, сказать на данный момент трудно.

Спецификация оперативной памяти DDR5 будет готова в 2018 году

Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сообщил о том, что разработка стандарта оперативной памяти DDR5 (Double Data Rate 5) быстро продвигается вперёд.

HPE

HPE

Память DDR5 по сравнению с предыдущими реализациями предложит ряд преимуществ. Благодаря вдвое более высокой плотности микрочипов вырастет ёмкость модулей, а следовательно, увеличится объём ОЗУ в компьютерах и серверах.

Отмечается, что по сравнению с нынешней памятью DDR4 решения следующего поколения предложат в два раза более высокую пропускную способность. Кроме того, повысится энергетическая эффективность.

Сетевые источники добавляют, что поначалу память DDR5 появится в серверах и настольных игровых системах класса high-end. Затем она выйдет на массовый рынок ПК и ноутбуков.

ASUS

ASUS

В JEDEC сообщили, что подробности о новом стандарте будут раскрыты 19 июня нынешнего года на специальном мероприятии в Санта-Кларе (Калифорния, США). Публикация финальной спецификации DDR5 намечена на 2018 год.

Ожидается, что постепенный переход от DDR4 на память нового поколения начнётся только в конце текущего десятилетия — ориентировочно в 2020 году.