Теги → фоторезист

DuPont поможет Южной Корее справиться с торговыми санкциями Японии

Южная Корея сообщила в четверг, что американская компания DuPont решила инвестировать $28 млн в производство фоторезистов и других материалов в стране к 2021 году, что позволит снизить зависимость местных производителей электроники от поставок из Японии сырья для производства чипов.

На фоне дипломатического скандала, вызванного решением Сеула о выплатах компенсации за принудительный труд граждан страны в военное время, Япония ввела в июле прошлого года ограничения на экспорт в Южную Корею трёх видов высокотехнологичных материалов, включая фоторезисты, на поставки которых теперь надо получать разрешение властей. В связи с этим южнокорейским технологических компаниям пришлось в пожарном порядке принимать меры по диверсификации своей цепочки поставок.

В прошлом месяце Япония отменила ограничения на экспорт фоторезистов, хотя на поставки фторированных полиимидов и фтористого водорода они по-прежнему действуют.

Япония выдаст первое с момента ввода ограничений разрешение на экспорт в Южную Корею

Правительство Японии намерено возобновить экспорт в Южную Корею материалов, необходимых для производства полупроводников, сообщил ресурс Nikkei. Это будет первое такого рода разрешение на экспорт в Южную Корею с момента ужесточения японской стороной экспортного контроля продукции в июле.

Министерство экономики, торговли и промышленности Японии после рассмотрения заявки определило, что нет никакого риска использования данных поставок для изготовления военной техники. Ожидается, что об одобрении заявки на экспорт будет объявлено уже в четверг.

Это одобрение подтверждает сообщение Токио о том, что введение ограничений на экспорт не следует рассматривать как фактический запрет. Но с учётом дополнительных бюрократических преград, которые придётся преодолевать экспортёрам, по-прежнему не ясно, как повлияет на производство полупроводников в Южной Корее введение Японией ограничений на экспорт материалов.

4 июля правительством Японии было принято решение поставлять фирмам Южной Кореи ключевые материалы, а именно фторированный полиимид, фоторезист и фтористый водород, только после получения соответствующего разрешения.

Ранее компании могли получать всеобъемлющее разрешение, которое позволяло им экспортировать материалы без проведения проверок отдельных поставок в течение установленного периода.

Также следует отметить большой объём документации, которую необходимо предоставить при оформлении разрешения на поставку на экспорт. Для фоторезистов и фторированных полиимидов этот процесс включает предоставление семи различных документов, в том числе технические подробности о материалах и их спецификации.

Поставки фтористого водорода подвергаются ещё более строгому контролю. При их оформлении требуется предоставление девяти документов. Экспортёр должен предоставить подробную информацию о производственном процессе на объекте, использующем газ, вплоть до готовой продукции, вместе с отчётами о прошлых закупках покупателем материала и выпуске продукции, для которой он используется. Импортер также должен подписать обязательство, что газ не будет применён в военных целях.

Добавим, что процесс утверждения правительством заявки на экспорт материалов может занять до 90 дней. По словам президента Showa Denko Кохея Морикавы (Kohei Morikawa), компания направила заявку на экспорт фтористого водорода в середине июля и всё ещё ожидает получения разрешения правительства.

Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии

Toshiba заявляет о том что разработала высокочувствительный фоторезист для литографического процесса с применением сверхглубокого ультрафиолета EUV (extreme ultraviolet) при производстве полупроводников. Преимущества материала подтверждены в ходе испытаний с использованием 20-нм техпроцесса. Достижение важно потому, что вместе с увеличением плотности размещения полупроводниковых элементов, когда литографические технологии подходят к 20-нм масштабам, обычные полимерные фоторезисты уже не справляются с возложенными на них задачами. Размеры их молекул и связи между молекулярными цепочками являются ограничителем. К тому же, сегодняшнее оборудование для аргон-фторидной лазерной экспозиции не способно обеспечить требуемых разрешений. Решение – в переходе на EUV-литографию и фоторезист, основанный на низкомолекулярном веществе.
Молекула производного соединения труксена
Низкомолекулярный фоторезист
При нанесении рисунка полупроводниковых цепей на подложку нужны позитивные и негативные фоторезисты, что позволяет сохранить точность структуры. При позитивном экспонировании подвергшиеся облучению участки удаляются с пластины. При негативном – удаляются участки, не попавшие под излучение. Низкомолекулярный состав Toshiba получила из производного соединения труксена (truxene), который более стоек, чем полимеры. После успешного получения тестового рисунка на подложке в 20-нм масштабе компания намерена продолжить совершенствование молекулярного резиста и его подготовку к выпуску 20-нм высокоинтегрированных LSI-компонентов. Согласно Международному графику полупроводниковых технологий (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS), крупномасштабное производство этого поколения устройств начнётся в 2013 году. Материалы по теме: - Ортогональная литография распахнет двери для органики?;
- Литография "снимает маску" за $14,7 млн;
- IDF 2009: за горизонтом новых технологий.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥