Теги → 3d xpoint
Быстрый переход

Micron подала запрос на выкуп доли Intel в компании по производству 3D XPoint

Официальным пресс-релизом компания Intel сообщила, что её партнёр по совместному предприятию IM Flash Technology (IMFT) компания Micron воспользовалась своим правом выкупить долю Intel в СП. Процесс выкупа произойдёт не сразу, а не ранее чем через 6 месяцев, и не позже, чем через 12 месяцев. Дату будет устанавливать компания Intel. После этого Micron ещё один год будет поставлять Intel микросхемы 3D XPoint по цене, близкой к себестоимости производства. И только потом Micron будет вольна продавать чипы для накопителей Intel Optane по рыночным (контрактным) ценам.

Стоимость доли Intel в СП IMFT оценивается на уровне $1,5 млрд. Выпуском памяти 3D XPoint занимается бывший завод Micron в штате Юта. Сегодня это единственное в мире предприятие, линии которого адаптированы для производства памяти 3D XPoint. К моменту завершения всякой совместной деятельности с Micron компания Intel рассчитывает запустить производство микросхем 3D XPoint на одном из своих заводов. В декабре в ходе одного из докладов высшего руководства Intel стало известно, что для выпуска 3D XPoint компания модернизирует свою самую первую 300-мм фабрику в США. Это предприятие Fab 11X в Рио Ранчо (штат Нью-Мексико). У компании Intel есть в запасе ещё примерно два года, чтобы самостоятельно наладить производство памяти для накопителей под брендом Optane.

О том, что в области разработки и производства 3D XPoint пути Intel и Micron разойдутся, стало известно ещё в июне 2018 года. Сейчас компании завершают разработку второго поколения данного типа памяти (как считается ― памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества или PCM). После этого каждая из них третье поколение памяти 3D XPoint будет разрабатывать самостоятельно. По некоторой информации, компания Micron заподозрена в нарушении патентов на технологии производства памяти PCM, что могло заставить компанию Intel начать отмежёвываться от партнёра.

Первым память PCM (PRAM) ещё с полсотни лет назад предложил учёный и изобретатель Стэнфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky). За это время продано множество лицензий и получено огромное число патентов на технологии работы и производства данного вида энергонезависимой памяти. В процессе участвовали и участвуют десятки компаний и сотни научных учреждений. Там настолько всё запутанно, что можно не удивляться, если виновным в нарушении может оказаться только один из партнёров. В данном случае ― компания Micron.

Intel Optane H10 объединяет 3D XPoint и память NAND

Нельзя сказать, что гибридные накопители — нечто принципиальное новое. В первые годы после появления на рынке SSD некоторые производители стали выпускать накопители и системы, которые сочетали преимущества скорости флеш-памяти NAND с дешевизной ёмкости старых добрых магнитных хранилищ.

Существует два варианта такого объединения. В первом случае добавляется чип NAND в жёсткий диск и разрабатывается достаточно умный универсальный контроллер, эффективно задействующий такую кеш-память, как это сделала Seagate в своём семействе SSHD. Второй — использовать два физически отдельных устройства SSD и HDD, но представлять их как единый логический том с помощью программного обеспечения. Так работает технология Apple Fusion Drive.

На CES 2019 компания Intel представила новый тип систем хранения данных: Intel Optane Memory H10 с SSD. H10 выполнен в формате M.2 2280 и использует память QLC 3D NAND в качестве большого ёмкого хранилища, а 3D XPoint — в качестве скоростного кеша. Не вполне ясно, какую стратегию использует Intel, но показанный образец H10 включает в себя два отдельных контроллера — для Optane и для флеш-памяти. Наличие двух отдельных чипов может говорить об использовании программного подхода, как и в существующих системах, использующих небольшие накопители Optane для ускорения системы. По сути, речь может идти просто о размещении двух устройств на одной относительно компактной плате.

На данный момент подробностей мало, но Intel обещает, что H10 дебютирует в тонких ноутбуках, моноблоках и настольных компьютерах небольшого формата во втором квартале этого года. Накопитель будет представлен в трёх вариантах: 16 Гбайт Optane с 256 Гбайт флеш-памяти, 32/512 Гбайт и 32/1024 Гбайт.

Китай готовится выпускать «национальную» память 3D XPoint

Потихоньку и без ажиотажа китайцы добрались до производства памяти 3D XPoint. Как стало известно благодаря сайту EXPreview, в первом квартале 2019 года в городе Хуайань провинции Цзянсу начнёт работать завод по производству специальной памяти, включая энергонезависимую память с изменением фазового состояния вещества или PCM (phase change memory, а также PRAM или Phase change RAM). Именно на эффекте управляемого обратимого изменения фазового состояния вещества — из аморфного состояния в кристаллическое и обратно — работает новейшая память компании Intel под торговой маркой 3D XPoint. В то же время необходимо понимать, что память PCM десятилетиями разрабатывалась многими компаниями и даже выпускалась и выпускается в сравнительно небольших объёмах для промышленности и аэрокосмической отрасли (она устойчива к излучению), поэтому первенство Intel в этом вопросе довольно условно.

Производством чипов памяти PCM будет заниматься управляющая заводом компания Jiangsu Times Semiconductor Co, дочернее предприятие компании Avanced Memory Technology Co. Компания Jiangsu Times Semiconductor создана в октябре 2016 года и тогда же началось строительство завода с плановой мощностью 100 тыс. 300-мм подложек в месяц. Общая сумма инвестиций в проект составит до $2 млрд (13 млрд юаней), третья часть из которых уже потрачена на строительство и закупку промышленного оборудования. Добавим, компании Jiangsu Times Semiconductor принадлежит 56 % акций завода, тогда как оставшиеся 44 % акций в обмен на инвестиции получила местная финансовая компания Huai'an Yuanxing Investment Co.

Согласно обнародованному производственному плану производителя, в четвёртом квартале 2018 года компания начала выпускать чипы памяти EEPROM и NOR. Продукция с использованием встроенной памяти PCM начнёт выпускаться в четвёртом квартале 2019 года. Это будет память TCAM (Ternary Content-Addressable Memory) для сетевых маршрутизаторов и микроконтроллеров. Компания называет этот этап выпуском 2D Xpoint. На этой памяти могут выйти планки энергонезависимой DRAM для ПК и серверов. В 2020 году настанет черёд производства «реконфигурируемой» памяти, в качестве которой также может выступать память PCM. Смысл реконфигурации в том, чтобы менять внутреннюю структуру памяти под выполняемые задачи: разрядность, банки, etc.

Avanced Memory Technology

Avanced Memory Technology

Наконец, в 2021 году настанет черёд выпускать память 3D Xpoint и основанные на этой памяти продукты — планки памяти для компьютеров, накопители и даже нейроморфные процессоры с этой памятью на борту (привет компании HP и проекту Machine). Предполагается, что к этому времени компания Jiangsu Times Semiconductor освоит производство 20-нм 128-Гбит и 256-Гбит чипов PCM.

Откуда всё это богатство? Компания Avanced Memory Technology с 2009 года работает над памятью PCM с использованием разработок компании IBM. С 2009 по 2017 год IBM передала китайцам необходимые лицензии, разработки и патенты, а также сделала массу открытий в партнёрстве с китайской компанией. Так, если верить сообщению на сайте компании, в процессе сотрудничества с IBM компания Avanced Memory Technology защитила 275 патентов, 92 патентные заявки и получила около 1000 непатентованных продуктов. Так что будущая продукция защищена от юридических нападок как внутри Китая, так и за его пределами.

Бывший инженер Intel обвиняется в краже секретов 3D XPoint в пользу Micron

Как известно, в деле совместной разработки следующего поколения памяти 3D XPoint компании Intel и Micron «подали на развод». Начиная с 2019 года каждая из них будет самостоятельно разрабатывать этот новый вид энергонезависимой памяти и продукцию на её основе. Очевидно, это сделает обе компании конкурентами в данной области. И также понятно, что они перестанут делиться секретами производства 3D XPoint. Собственно, они уже не только перестали сотрудничать, но даже умудрились влезть в судебное разбирательство.

Наши коллеги с сайта The Register поделились ссылкой на судебный иск компании Intel, направленный в эту среду в окружной суд города Сакраменто, штат Калифорния. По словам Intel, бывший сотрудник компании — инженер Дойл Риверс (Doyle Rivers) — похитил секретные данные о технологии производства памяти 3D XPoint и передал информацию в руки сотрудников компании Micron. Точнее, он уволился из Intel, где участвовал в разработке 3D XPoint, и поступил на работу в аналогичный отдел Micron. Обычно в трудовом договоре прописывается запрет на переход к конкуренту в течение определённого срока после увольнения, что данный сотрудник полностью проигнорировал.

В Intel утверждают, что подозреваемый подвергался «агрессивной» агитации для перехода в Micron со стороны бывших коллег, которые перешли туда раньше. Чтобы влиться в новый коллектив с наибольшим эффектом, гражданин сделал попытку скачать на флешку секретные данные, к которым никто за пределами Intel, включая Micron, не имел доступа и прав на этот доступ. Система защиты не допустила копирования, после чего подозреваемый залил на флешку рабочие данные со своего ноутбука.

В персональном запросе к бывшему работнику Intel потребовала вернуть флешку. Флешка была возвращена, но оказалась очищенной от данных. Адвокат Дойла уточнил, что данные были переписаны на домашний компьютер подзащитного, после чего Intel потребовала от гражданина предоставить ноутбук на предмет поиска украденной информации или следов этой информации. В установленный компанией срок обвиняемый не отдал ноутбук и не связался с Intel. Поэтому компания просит суд разобраться в этом неприятном деле.

Подробности «развода» в IM Flash: Intel готова производить 3D XPoint у себя, а Micron пропустит 3D XPoint первого поколения

На прошлой неделе компания Micron подвела черту под многолетним совместным проектом с Intel, IM Flash Technology (IMFT), объявив о плане по выкупу доли Intel в совместном предприятии. Окончание совместной работы не стало сюрпризом, но при этом вызвало ряд вопросов касательно будущего памяти 3D XPoint как таковой. С тех пор представители компаний Intel и Micron сделали ряд заявлений, которые проливают свет на их планы.

Юридические тонкости

В соответствии с условиями соглашения от 2005 года о совместном предприятии между Intel и Micron, последняя контролирует 51 % компании и имеет право приобрести оставшуюся долю при определенных условиях, заплатив за текущие активы ($1,5 млрд в данном случае). В действительности Intel планомерно выходила из совместного предприятия уже какое-то время. Так, корпорация продала Micron свои доли в производственных комплексах IM Flash в Сингапуре и Вирджинии ещё в 2012 году, что оставило IM Flash лишь с одной фабрикой около города Лехай, штат Юта. Данный объект сегодня используется исключительно для производства памяти типа 3D XPoint и на сегодняшний день является единственной фабрикой, выпускающей данную память.

Особенности 3D XPoint

Особенности 3D XPoint

Согласно договоренностям, Intel приобретает микросхемы от IM Flash по специальному долгосрочному соглашению о поставках и ценам, близким к стоимости производства. При этом как только Micron объявляет о намерениях выкупить долю Intel, последняя может назначить любую дату закрытия сделки, но не позднее 12 месяцев с момента заявки Micron. Разумеется, всё это время предприятие будет работать как обычно, исполняя контрактные обязательства перед Intel. Таким образом, в случае объявления Micron о намерениях выкупить долю Intel первого января 2019 года, последняя может назначить датой закрытия сделки 31 декабря 2019 года. Кроме того, после закрытия сделки Micron обязана продавать память 3D XPoint компании Intel ещё год, но уже на условиях контрактного производства (то есть по более высокой цене, чем обычно). Таким образом Intel сможет получать микросхемы производства IM Flash как минимум до 31 декабря 2020 года.

Фабрика IM Flash

Фабрика IM Flash

Принимая во внимание временной промежуток длиной в 26 месяцев (или даже больше), у Intel будет достаточно времени для начала выпуска памяти 3D XPoint на своих мощностях. В самой компании утверждают, что намерения Micron никак не нарушат перспективных планов Intel в области накопителей Optane на базе 3D XPoint.

Intel: к производству 3D XPoint готова

Технологический процесс производства 3D Xpoint существенно отличается от техпроцесса изготовления 2D и 3D NAND, а потому невозможно в короткие сроки наладить выпуск памяти нового типа на любой фабрике, производящей флеш-память. Впрочем, в Intel говорят, что у компании уже есть возможность изготавливать 3D XPoint на нескольких площадках.

«Мы можем производить Optane на нескольких фабриках», — заявил представитель Intel в ходе большого интервью на форумe сайта AnandTech ранее в этом году. «Но мы всё еще производим данный тип устройств на фабрике IMFT, которой владеем совместно с Micron».

В «чистой» комнате производственного комплекса IM Flash Technologies

В «чистой» комнате производственного комплекса IM Flash Technologies

Таким образом, у Intel есть ряд возможностей для переноса выпуска 3D XPoint с площадки около города Лехай в штате Юта. При этом следует понимать, что производство 3D XPoint в комплексе Fab 68 около города Далянь в Китае означает сокращение выпуска 3D NAND, что может быть неприемлемо для Intel. Так что хотя Fab 68 является одним из логичных мест для изготовления 3D XPoint, не стоит сбрасывать со счетов и иные фабрики Intel.

Micron пропустит 3D XPoint первого поколения

Впрочем, у Intel есть как минимум год, чтобы наладить производство 3D XPoint на любой из них. Дело в том, что Micron не планирует использование памяти 3D XPoint первого поколения для коммерческих продуктов QuantX, а потому компания сможет снабжать партнёра такой памятью ещё довольно долгое время.

Перспективный план в Micron области энергонезависимой памяти от 2015 года

Перспективный план в Micron области энергонезависимой памяти от 2015 года

Intel и Micron намерены завершить разработку второго поколения 3D XPoint во втором или третьем квартале 2019 года. При этом Micron собирается представить свои собственные продукты на базе памяти данного типа в конце 2019 года, а затем развернуть их массовое производство уже в 2020 году. Примечательно, что примерно в это же время Micron начнёт пилотное производство разработанной в собственных лабораториях памяти нового типа (назовём её post-3D XPoint).

Принимая во внимание решение Micron не использовать текущую версию памяти 3D XPoint в собственных продуктах, для компании не будет практического смысла ставить бывшему партнёру палки в колёса недопоставками соответствующих микросхем. Другой вопрос, что память 3D XPoint второго поколения разрабатывается на базе НИОКР-площадки IM Flash, а техпроцесс её производства отлаживается в производственном комплексе около города Лехай. Таким образом, большой вопрос, как «развод» между Intel и Micron повлияет на старт массового производства 3D XPoint 2.

Intel отказывается от совместного производства памяти 3D XPoint с Micron

Официальным пресс-релизом компания Micron сообщила, что намерена воспользоваться своим правом и выкупить долю компании Intel в совместном предприятии IM Flash Technologies. Данной возможностью Micron воспользуется после 1 января 2019 года. Затем в течение 6–12 месяцев компании закроют сделку по передаче активов, главным из которых представляется завод по обработке 300-мм кремниевых пластин в штате Юта. Это предприятие выпускает как память 3D NAND, так и микросхемы 3D XPoint. Последние практически в полном объёме забирает компания Intel для выпуска твердотельных накопителей под маркой Optane. Тем самым со временем Intel лишится поставок новейшей и необычной энергонезависимой памяти.

Поставки памяти 3D XPoint компании Intel компания Micron будет продолжать ещё один год после завершения передачи активов. Если выкуп начнётся 1 января 2019 года и продлится до 31 декабря 2019 года, то Intel будет обеспечена поставками микросхем 3D XPoint до 31 декабря 2020 года. В течение этого срока Intel должна будет наладить собственное производство памяти 3D XPoint. Можно ожидать, что память 3D XPoint она начнёт выпускать на своём китайском заводе в городе Далянь, где уже налажен полномасштабный выпуск памяти 3D NAND.

Компания Micron также заинтересована в запуске собственного производства 3D XPoint на линиях Intel. Первые фирменные SSD на памяти 3D XPoint компания Micron представит в конце 2019 года, а массовые поставки решений начнёт в 2020 году. Поэтому ей придётся ещё один год делить с бывшим партнёром относительно небольшие производственные мощности по выпуску микросхем 3D XPoint. Чем раньше Intel начнёт собственное производство этой памяти, тем быстрее будет развиваться аналогичная продуктовая линейка Micron.

Раскол в стане Intel и Micron обозначился в начале текущего года, когда компании объявили о намерении каждой из них самостоятельно разрабатывать память 3D NAND с числом слоёв свыше 96 штук. В июне компании то же самое заявили в отношении совместной разработки памяти 3D XPoint, которая завершится в начале 2019 года. Так что вопрос ликвидации совместной производственной деятельности стал лишь вопросом времени.

Компания IM Flash Technologies была создана в 2006 году. Каждый из партнёров внёс в СП по $1,2 млрд. Сейчас Micron готова заплатить Intel за её часть активов $1,5 млрд и покрыть долг Intel перед СП в объёме $1 млрд. Поскольку деятельность завода IM Flash Technologies уже входит в отчётность Micron, данная сделка не окажет заметного влияния на финансовые показатели компании. После завершения сделки завод и персонал IM Flash Technologies станут дочерним подразделением компании Micron.

Intel представила самый вместительный накопитель Optane объёмом 1,5 Тбайт

Intel продолжает расширять своё семейство накопителей Optane SSD 905p. Последим пополнением стал продукт ёмкостью 1,5 Тбайт (ранее максимум был 960 Гбайт). Эти энергонезависимые решения основаны на стандарте памяти 3D XPoint и предлагают самую высокую производительность среди SSD, приближаясь по скорости к DRAM.

Optane SSD 905p предлагают скорость чтения и записи до 2,7 Гбайт/с и 2,2 Гбайт/с соответственно. Производительность IOPS соответствует 575 000 для чтения и 550 000 для записи (4-Кбайт случайные блоки). Хотя стоимость 1,5-Тбайт устройства пока не сообщается, о ней можно судить по цене версии объёмом 960 Гбайт (почти $1200).

Эти накопители могут сильно облегчить работу тем, кто профессионально занимается обработкой видео в 4K или 8K (особенно в RAW-формате) или для людей, которые занимаются обработкой и хранением данных с очень высокой частотой обращения к ним. Для рядового пользователя, как правило, обычного SSD вполне достаточно. В принципе, на них и не рассчитаны столь ёмкие накопители Optane.

Семейство Optane SSD 905p поставляется в двух вариантах исполнения: в формате U.2 и в качестве стандартной платы для слота PCIe. Интересно, что все 3 конфигурации памяти (480 Гбайт, 960 Гбайт и 1,5 Тбайт) выпускаются также в формате U.2 — видимо, в расчёте на энтузиастов и обеспеченных игроков.

Intel поставила более 1 млн модулей памяти Optane за последний квартал

Intel всё активнее концентрирует усилия на своём подразделении NSG (Nonvolatile memory solutions group), занимающемся энергонезависимой памятью. NSG продаёт накопители на основе флеш-памяти NAND и 3D XPoint (оба являются энергонезависимым типом памяти, сохраняющим данные даже при отключении питания). Одним из продуктов, выпущенных Intel в прошлом году, были накопители Optane, продвигаемые в качестве особого кеша, ускоряющего систему, и основанные на новаторской технологии 3D XPoint (она дороже, но существенно быстрее NAND).

«Такая память может хранить часто используемые данные и программы для ускоренного доступа процессора, чтобы система могла быстрее обрабатывать информацию и возрастала общая производительность компьютера», — рассказывает Intel на странице, посвящённой Optane. По словам временного исполнительного директора Intel Боба Свона (Bob Swan), эта технология достигла большого прорыва в прошлом квартале — компания поставила на рынок более 1 миллиона модулей памяти Optane. И вот почему это важно.

Optane позволяет Intel продавать больше продуктов для персональных компьютеров, тем самым увеличивая свой уровень доходов на отдельную систему. Эффект от использования модулей Optane особенно заметен на ПК среднего и нижнего уровня, которые обычно поставляются с медленными жёсткими дисками с целью экономии затрат (жёсткие диски намного дешевле с точки зрения стоимости объёма хранящихся данных, чем твердотельные накопители NAND). Использование модулей Optane позволяют заметно повысить производительность таких машин.

Однако наличия хорошего продукта недостаточно: Intel и её партнёрам необходимо проводить грамотную маркетинговую политику, которая бы стимулировала покупателей формировать спрос. Похоже, что Intel удалось сделать маркетинг простым и эффективным, добавляя «+» к марке процессора в ПК, использующем память Optane. Например, если компьютер поставляется с процессором Intel Core i5 и включает модули Optane, он будет продаваться как система с процессором Core i5+. Это позволяет покупателям сразу обращать внимание на системы с такими «улучшенными процессорами».

Модули Intel Optane также нельзя считать особенно дорогими: Amazon.com продаёт 16-гигабайтный вариант примерно за $34, а 32-гигабайтную версию — за $58. Тем более, что большинство поставок модулей Intel Optane наверняка идут не конечным розничным покупателям, а скорее крупным компьютерным продавцам, которые покупают их в больших количествах по существенно более низкой цене.

Предположим, что средняя цена продажи продуктов Optane от Intel составляет порядка $25. Значит более 1 миллиона единиц поставленных модулей в прошлом квартале можно перевести примерно в $25 млн дохода. Intel заработала $17 млрд в прошлом квартале, так что Optane пока никак не формирует финансовые результаты компании. Даже если взять только результаты подразделения NSG, вклад Optane в прошлом квартале составил всего 2,3 % из $1,07 млрд, которые этот сегмент принёс за рассматриваемый период.

Таким образом, Optane сейчас не оказывает существенного влияния на финансовые показатели Intel, и вряд ли этот тип памяти скоро станет основным фактором роста энергонезависимого сегмента компании. Однако заметные успехи в этой области Intel точно не повредят, как с точки зрения доходов, так и с точки зрения имиджа. Ведь пока Optane является уникальным продуктом, позволяющим партнёрам компании создавать более быстрые и эффективные системы.

Micron обвиняется в нарушении лицензионного договора на выпуск 3D XPoint

Вчерашняя новость о прекращении компаниями Intel и Micron совместных разработок памяти 3D XPoint сразу же создала впечатление, что что-то пошло не так. Да, ещё в январе Intel и Micron объявили, что со следующего года они прекращают совместную разработку памяти 3D NAND — многослойной версии NAND-флеш. Но при этом партнёры подчеркнули, что прогрессивную память 3D XPoint они продолжат разрабатывать вместе. И вдруг вчера выходит совместный пресс-релиз, в котором Intel и Micron сообщают о прекращении совместной разработки 3D XPoint после первой половины 2019 года.

Второе поколение 3D XPoint (очевидно, с бóльшим числом слоёв) станет последним совместным детищем партнёров. В то же время выпускать чипы 3D XPoint будет всё тот же завод в штате Юта, принадлежащий СП Intel-Micron Flash Technologies (IMFT). Как такое может быть? Часть линий настроены на выпуск одной версии чипов, часть — другой? Это можно, но достаточно сложно реализовать как технически, так и юридически. Зачем такие муки?

В пресс-релизе партнёры объясняют разделение разработок необходимостью каждой из компаний сосредоточиться на собственных нуждах и собственных продуктовых линейках, которые могут диктовать разные требования к технологиям производства микросхем 3D XPoint. В то же время продукции Micron на основе памяти 3D XPoint как не было, так и нет. Похоже, что-то не так либо с распределением микросхем, хотя по условиям договора компании получают их поровну, либо проблемы у Micron. И действительно, компания Micron столкнулась с проблемами лицензирования технологии, которая легла в основу микросхем 3D XPoint.

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

Модуль памяти NVDIMM Intel Opane DC на памяти 3D XPoint

В комментарии к заметке о завершении партнёрства Intel и Micron по разработке 3D XPoint один из читателей сайта AnandTech привёл ссылку на иск в один из судов штата Мичиган, поданный 12 июля этого года против компании Micron. Последняя обвиняется в том, что она не выполняет своих обязательств по уплате лицензионных отчислений одному из владельцев патентов на память с изменяющимся фазовым состоянием вещества — трастовому ликвидационному фонду компании Energy Conversion Devices Inc. (ECD).

Компания ECD объявила о банкротстве в 2012 году. В ходе ликвидации предприятия были проданы подразделения компании, включая дочернее предприятие Ovonyx. Последняя была основана в 1960 году Стэнфордом Овшинским (Stanford Ovshinsky), заложившим теорию, а потом и практику создания памяти на основе изменения фазового состояния вещества. В 2012 году компания Ovonyx была куплена компанией Micron. До этого Micron, как и все остальные производители, работала по лицензии с Ovonyx, но после поглощения перестала платить роялти компании ECD. Кстати, ещё в 2011 году Micron также стала владельцем СП между Intel и STMicroelectronics компании Numonyx, которая тоже разрабатывала память PRAM или Phase change RAM (PCRAM) на основе лицензии Ovonyx. Имея такие активы, похоже, в Micron посчитали лишним платить отчисления ещё и ECD.

В исковом заявлении ликвидационный фонд ECD просит суд взыскать с Micron суммы отчислений и компенсацию в максимально возможном объёме, а также подтвердить права ECD на лицензионные отчисления, зафиксированные в договорах от 1998 и 1999 годов. Весьма вероятно, что угроза ареста продукции с памятью 3D XPoint всё это время не давала появиться SSD Micron с этой интересной памятью. Компания Intel находится в стороне от этого процесса (пока?), поэтому мы видим её продукцию под брендом Optane.

Intel и Micron откажутся от партнёрства 3D XPoint в 2019 году

Intel, наконец, разъяснила состояние совместного с Micron предприятия 3D XPoint. Напомним: Intel и Micron вместе разработали новый класс энергонезависимой памяти, производство которой осуществляется на фабрике Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) в штате Юта. В заявлении Intel говорится, что для второго поколения памяти развитие будет также осуществляться совместными усилиями и, как ожидается, завершится в первой половине 2019 года. Но уже третье поколение этого типа памяти будет развиваться обеими компаниями независимо, что позволит им сосредоточиться на собственных бизнес-интересах: например, придерживаться более агрессивной стратегии.

Технология 3D XPoint, продвигаемая на рынке под марками Optane от Intel и QuantX от Micron, стала мини-революцией в секторе энергонезависимой памяти. Продукты Optane от Intel преимущественно выступают в качестве высокоскоростных хранилищ данных, но были выпущены и DRAM-вариации. Optane вызвали значительный интерес со стороны тех корпоративных рынков, которые могут извлечь выгоду из очень быстрой и довольно доступной энергонезависимой памяти. Ожидается, что Intel начнёт выпускать свои продукты DRAM вместе с серверной архитектурой следующего поколения. В соответствии с условиями совместного предприятия каждая компания получает 50 % флеш-памяти, произведённой на фабрике IMFT в штате Юта. Решения Micron QuantX не были выпущены на рынок, так что их, вероятно, скупают корпоративные заказчики напрямую.

Intel давно считает, что 3D XPoint имеет большое и светлое будущее, предлагая клиентам скорость и ёмкость для широкого спектра приложений. Продукт в перспективе может стать заменой как оперативной, так и постоянной памяти, но пока в основном используется в качестве буфера между HDD и ОЗУ. В новых версиях стандарта ожидается увеличение слоёв и, соответственно, быстрое наращивание ёмкости — видимо, этого можно ожидать уже во втором поколении памяти, над которым трудятся сейчас Intel и Micron.

В последнее время у обеих компаний наблюдались проблемы. Intel выпустила продукты Optane DRAM заметно позже обещанного срока, а Micron столкнулась с трудностями в отношениях с китайским правительством и разочаровывающими продажами своей памяти 3D XPoint. Посмотрим, как будущий разрыв между Intel и Micron повлияет на развитие нового типа памяти и индустрию в целом. Во время нашего обзора накопители Optane SSD 900P создали впечатление продукта будущего, а потому хотелось бы, чтобы эти решения как можно быстрее становились более доступными и массовыми.

Новая статья: Обзор накопителя Intel Optane SSD 900P: сверхсила скорочтения

Данные берутся из публикации Обзор накопителя Intel Optane SSD 900P: сверхсила скорочтения

Micron и Intel прекращают совместную разработку памяти 3D NAND

Компании Micron и Intel опубликовали совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении прекратить совместную разработку многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент партнёры начинают наращивать производство фирменной 3D NAND второго поколения — это 64-слойные микросхемы. Третье совместно разработанное поколение 3D NAND компании представят в конце 2018 года, а с началом 2019 года перестанут сотрудничать в области разработки новых модификаций 3D NAND. В дальнейшем каждая из компаний будет самостоятельно разрабатывать многослойную NAND-флеш в зависимости от собственных бизнес-потребностей.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

При этом партнёры продолжат совместную разработку энергонезависимой памяти 3D XPoint. Очевидно, в этом плане компания Intel продолжает сильно зависеть от компании Micron. Первым выпуск микросхем 3D XPoint начал завод СП Micron и Intel в Штате Юта. В настоящее время это производство выпускает исключительно память 3D XPoint, хотя какие-то объёмы данной памяти выпускают также завод Intel в Китае (в городе Далянь) и завод СП в Сингапуре. Завод в Юте остаётся базовым для выпуска 3D XPoint, и его к ноябрю прошлого года дополнительно расширили. Что касается производства памяти 3D NAND, то год назад компания Intel завершила модернизацию завода в Китае и в скором времени сможет полностью обеспечить себя этими микросхемами памяти самостоятельно.

Необходимо подчеркнуть, что деятельность совместного предприятия партнёров в лице компании IM Flash Technologies не сворачивается. Предприятие IMFT создано в конце 2005 года, и оно продолжит свою работу. С образованием IMFT компания Intel вышла на рынок памяти типа NAND, хотя до этого она владела набором ключевых патентов на технологию работы и производства NAND-флеш, в частности, на технологию производства ячейки MLC. Компания Micron вышла на рынок NAND на год раньше Intel, но до союза с ней не имела какого-то успеха на нём.

Быстро подняться на новом рынке каждой из них помогли заказы Apple на память NAND для плееров iPod nano. Уже на стадии создания СП в ноябре 2005 года партнёры получили от Apple аванс в размере $250 млн. В дальнейшем может так оказаться, что компании Micron придётся платить Intel лицензионные отчисления за использование определённых технологий при производстве памяти NAND.

Новая статья: Знакомство с накопителями Intel Optane Memory: футуристично, но не феерично

Данные берутся из публикации Знакомство с накопителями Intel Optane Memory: футуристично, но не феерично

Производство SSD Samsung на памяти Z-NAND начнётся в 2018 году

Примерно год назад компания Samsung показала прототип твердотельных накопителей на новом типе флеш-памяти, который она назвала Z-NAND. К началу весны текущего года Samsung представила опытные образцы SSD SZ985 на памяти Z-NAND (Z-SSD) ёмкостью 1 Тбайт (для пользователей доступный объём моделей составляет 800 Гбайт). Для PCIe-накопителя полной длины это сравнительно небольшой объём памяти, что заставляет задуматься о плотности записи микросхем Z-NAND.

SSD Samsung SZ985 на памяти Z-NAND

SSD Samsung SZ985 на памяти Z-NAND

В свежей новости на сайте Business Korea подтверждается, что память Z-NAND представляет собой многослойную память 3D NAND (в терминах Samsung — V-NAND) с записью в каждую ячейку по одному биту данных. Это ограничивает максимальный объём накопителей Z-SSD, но ведёт к повышению производительности, к снижению задержек и к росту устойчивости к износу.

По словам источника, компания Samsung некоторое время назад начала обсуждать с клиентами условия поставок Z-SSD. Известно, что опытные экземпляры накопителей на своих площадках уже изучают компании NetApp и Datera. К сожалению, массового производства памяти Z-NAND и накопителей Z-SSD можно не ждать. Как утверждают наши южнокорейские коллеги, производство Z-SSD запланировано на следующий год.

Остаётся напомнить, что память Z-SSD создана Samsung в качестве альтернативы памяти 3D XPoint компаний Intel и Micron. Память 3D XPoint характеризуется предельно малой латентностью в сфере SSD, которая для режима чтения снижена до 10 мкс. Задержки чтения для накопителя Samsung SZ985 снижены до 15 мкс.

Картинка со стенда Samsung с опытным экземпляром Z-SSD (www.businesskorea.co.kr)

Картинка со стенда Samsung с опытным экземпляром Z-SSD (www.businesskorea.co.kr)

Что касается устоявшихся скоростей в режиме чтения, то Samsung SZ985 как и Intel Optane DC P4800X не стали прорывом, хотя в целом обе модели показывают значительный рост по отношению к среднестатистическим SSD. Так, модель Samsung SZ985 показывает устоявшиеся скорости чтения и записи на уровне 3,2 Гбайт/с, что определённо выше возможностей Intel Optane DC P4800X (2,4 Гбайт/с для чтения и 2,1 Гбайт/с для записи). Значения IOPS для чтения случайных блоков достигает 750 тыс., а для записи — 160 тыс. операций ввода-вывода. В основе SZ985 лежит фирменный контроллер компании под кодовым именем Phoenix. Двукратный рост ёмкости Z-SSD можно ожидать в следующем году, когда компания начнёт производство Z-NAND с двухбитовой ячейкой.

Изучаем микросхемы памяти Intel 3D XPoint под микроскопом

В апреле компания Intel приступила к коммерческим поставкам твердотельных накопителей в линейке Optane. От прочих SSD модели Optane отличаются тем, что вместо традиционной NAND-флеш используют энергонезависимую память, действующую по иному принципу. Разработчики назвали новый тип памяти громким именем «3D XPoint». По сути, мы имеем дело с памятью на основе изменяемого фазового состояния вещества, принцип которой предложен около 60 лет назад. Этот же принцип используется для выпуска перезаписываемых оптических дисков от CD-RW до Blu-Ray RW. Рабочий слой ячейки PRAM (Phase-change Random Access Memory), как и рабочий слой CD-RW, под воздействием нагрева (током или лазером, что не суть важно) меняет своё состояние из аморфного в кристаллическое и обратно.

Итак, Intel начала поставки SSD Optane с памятью 3D XPoint. Специалисты компании TechInsights приобрели 16-Гбайт версию Intel Optane M.2 и вскрыли чип памяти, с изображением которого предлагают ознакомиться всем желающим. Но начнём мы с общих параметров новинки.

Чип памяти представляет собой один единственный кристалл со сторонами 16,16×12,78 мм (размеры упаковки составляют 17,6×13,7 мм). Площадь кристалла равна 206,5 мм². При этом эффективность размещения памяти (по отношению к сопутствующей обвязке и интерфейсам) самая высокая в отрасли и равна 91,4 %. Для сравнения, эффективность размещения памяти в 48-слойных чипах Samsung 3D V-NAND равна 70 %, а в чипах Intel/Micron 3D FG NAND — 84,9 %.

Кристалл 16 Гбайт Xpoint Memory (TechInsights)

Кристалл 16 Гбайт Xpoint Memory (TechInsights)

Тем не менее, относительные размеры ячейки 3D XPoint всё ещё несут на себе отпечаток наследия PRAM — они сравнительно велики, если сравнивать их с ячейками NAND. Плотность памяти в микросхемах 3D XPoint, которые сегодня выпускаются с использованием 20-нм техпроцесса, равна 0,62 Гбит/мм². Плотность памяти в чипах Toshiba/SanDisk и Samsung 3D 48L TLC NAND равна 2,5 Гбит/мм², в 15-нм чипах Toshiba/SanDisk 2D TLC NAND — 1,28 Гбит/мм². Зато плотность памяти 3D XPoint существенно выше плотности оперативной памяти DRAM: в 4,5 раза, если сравнивать с 20-нм DRAM, и в 3,3 раза выше по сравнению с 18-нм DRAM Samsung. Это то, что сделает память 3D XPoint интересной в виде модулей памяти.

Секция памяти 3D XPoint в разрезе под микроскопом (TechInsights)

Секция памяти 3D XPoint в разрезе под микроскопом (TechInsights)

Вскрытие микросхем 3D Xpoint также показало, как выглядят ячейки PRAM в исполнении Intel и Micron. Ячейки расположены между 4 и 5 уровнями металлических слоёв и контактируют с 4 металлическим слоем. В качестве рабочего материала ячейки назван мышьяк (As) с примесями в виде халькогенида (Se-Ge-Si). В заключение сотрудники TechInsights добавляют, что внутри чипа 3D XPoint нашлось ещё много интересного, о чём они вскоре обещают рассказать.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥