Теги → 8-нм

Samsung объявила о готовности 8-нм LPP техпроцесса

Samsung Electronics объявила о том, что подготовка 8-нанометрового FinFET-техпроцесса под названием 8LPP (Low Power Plus — для энергоэффективных чипов) завершена, и компания готова к началу производства. По словам корейского производителя, 8LPP позволяет на 10 % сократить энергопотребление конечных кристаллов и уменьшить на 10 % их площадь.

Samsung отмечает, что 8LPP даст ощутимые преимущества для мобильного рынка, сектора криптовалют, серверного и сетевого оборудования и других передовых направлений электроники. Вдобавок речь идёт по сути о развитии 10-нм техпроцесса, что позволяет быстро добиться приемлемого уровня выхода годных кристаллов и начать массовое производство.

Вице-президент Samsung Electronics по маркетингу производства чипов Раян Ли (Ryan Lee) отметил, что процесс отладки техпроцесса 8LPP компании удалось осуществить на три месяца раньше запланированного срока. Он также добавил, что это предложение позволит клиентам Samsung добиться существенных конкурентных преимуществ и эффективнее удовлетворять нужды рынка.

Следующим шагом на пути к новому уровню производительности и энергоэффективности для южнокорейской компании станет освоение 7-нм FinFET норм EUV-литографии (на основе излучения света в диапазоне крайних ультрафиолетовых волн), которые требуют более существенных изменений в технологическом процессе производства микрочипов.

Intel: 8-нм чипы к 2017 году

Процессоры Intel, созданные с соблюдением норм 32-нм техпроцесса, вошли в жизнь пользователей и некоторые уже используют их вычислительные резервы для своих нужд. С переходом на архитектуру Ivy Bridge компания Intel предложит 22-нм процессоры. Увидеть такие чипы получиться не ранее 2011 года. Ресурс Extremetech.com рассказал о планах Intel по переходу на более прогрессивные проектные нормы на ближайшие десять лет.
Intel
Действительно, переход на 22-нм техпроцесс намечен на 2011 год и препятствий для появления чипов, основанных на этом техпроцессе, нет. Предполагается, что 15-нм техпроцесс будет освоен уже к 2013 году, 11-нм техпроцесс к 2015 году, а решения на базе 8-нм проектных норм мы увидим не ранее 2017 года. Для создания 8-нм микросхем понадобится перейти на технологию «III-V». Речь идет о так называемых "полупроводниках III-V" (III-Vs), которые могут стать материалом для изготовления транзисторов следующего поколения. Такое название отображает тот факт, что они состоят из химических элементов с валентностями III и V. Полевые транзисторы на базе углеродных нанотрубок (Carbon nanotube FET) в случае нормального развития методик их массового производства, а также другие новые технологии позволят к 2019 году перейти на 5-нм проектные нормы. Материалы по теме: Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥