Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Nvidia и партнёры создадут сверхбыстрый модуль памяти SOCAMM для AI PC
18.02.2025 [06:48],
Анжелла Марина
Nvidia совместно с ведущими производителями SK Hynix, Samsung и Micron разрабатывает новый стандарт памяти, ориентированный на высокую производительность и компактные размеры. Стандарт получил название System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) и уже проходит тестирование. 
Источник изображения: Nvidia Модуль может стать основой для следующего поколения компьютеров на базе искусственного интеллекта (ИИ) Nvidia Project Digits, анонсированных на CES 2025. Как пишет Tom's Hardware, новый стандарт обещает превзойти существующий модуль памяти Low-Power Compression Attached Memory Modules (LPCAMM) и традиционные DRAM-решения благодаря ряду преимуществ. Во-первых, SOCAMM будет более экономически эффективным по сравнению с DRAM в формате SO-DIMM, так как технология позволяет разместить LPDDR5X-память непосредственно на подложке. Во-вторых, SOCAMM получит больше интерфейсов ввода/вывода — до 694 портов против 644 у LPCAMM и 260 у традиционной DRAM, что должно значительно увеличить пропускную способность и скорость обмена данными. Кроме того, так как модуль отсоединяемый, это упростит модернизацию оборудования в дальнейшем. При этом, компактные размеры также помогут повысить общую ёмкость памяти. Технические детали SOCAMM пока держатся в секрете, поскольку стандарт разрабатывается без участия совета JEDEC. Согласно имеющимся данным, Nvidia и партнёры в настоящее время обмениваются прототипами модуля для проведения тестов производительности. Третья китайская компания запустила производство памяти HBM для ИИ-процессоров
25.01.2025 [04:01],
Анжелла Марина
Китайские производители памяти продолжают осваивать производство высокоскоростной памяти HBM, необходимой для искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). Уже третья по счёту китайская компания, Tongfu Microelectronics, являющаяся партнёром AMD, начала тестирование своих HBM-продуктов. 
Источник изображения: en.tfme.com Однако Tongfu Microelectronics не занимается производством памяти напрямую. Компания является третьим по величине в мире поставщиком услуг по аутсорсингу сборки и тестирования полупроводников (OSAT), а её наиболее значимым клиентом и одновременно акционером выступает AMD через совместное предприятие TF-AMD. Как отмечает Tom's Hardware, вклад крупного OSAT-игрока в разработку HBM делает ситуацию ещё более интересной, тем более, что Tongfu уже начала поставлять пробные партии HBM2-памяти некоторым своим клиентам. Имена клиентов пока не раскрываются, но в их числе может быть, по утверждению издания Nikkei, компания Huawei, разрабатывающая ИИ-процессоры с HBM. Однако официально Tongfu на своём сайте ничего не заявляет по этому поводу, оставляя вопросы о масштабах её участия именно в HBM проектах, а не HBM2. История создания Tongfu Microelectronics также заслуживает внимания. В 2015 году, когда AMD находилась в сложной финансовой ситуации, Tongfu согласилась создать совместное предприятие с Nantong Fujitsu Microelectronics (NFME). AMD передала свои сборочные и тестовые мощности в Сучжоу (город в Китае) и в Малайзии, получив взамен $371 млн и долю в новом предприятии. Позже NFME вошла в состав Tongfu Microelectronics, которая теперь управляет совместным предприятием TF-AMD вместе с AMD. Отмечается, что на данный момент Tongfu не единственная компания в Китае, работающая с высокопропускной памятью. ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий китайский производитель DRAM, уже некоторое время производит HBM2. Кроме того, в марте 2024 года к ним присоединилась компания Wuhan Xinxin, которая также начала выпуск HBM2. У производителей памяти не вышло создать 3D DRAM по аналогии с 3D NAND, но скоро это изменится
02.01.2025 [18:28],
Павел Котов
Отрасль компонентов памяти отличается консервативным подходом: революционным изменениям производители предпочитают постепенные улучшения. Но к концу десятилетия миру может быть представлена монолитная 3D DRAM, правда, пока нет ясности, какую форму примет это решение, и когда такая память будет готова к массовому производству. 
Источник изображения: samsung.com В области флеш-памяти производителям удалось добиться значительных успехов — ёмкость компонентов повышается за счёт монолитной 3D-архитектуры. Но в области DRAM использовать это решение не получается, потому что существует потребность в достаточно крупных элементах для хранения заряда — как правило, это конденсаторы. Самый простой подход к увеличению объёма данных на однослойном чипе DRAM — уменьшение размера ячейки. Из-за вертикальных конденсаторов слои DRAM оказываются слишком толстыми, что затрудняет их размещение друг на друге. Чтобы решить эту проблему, одни производители пытаются размещать конденсаторы горизонтально, другие — вообще их исключить. 3D DRAM может иметь различные реализации. Одна из них уже используется в производстве — это память с высокой пропускной способностью (HBM), но в данном случае речь идёт о многослойном кристалле, а не монолитном, как в случае 3D NAND. Появление монолитного чипа 3D DRAM придаст импульс развитию направления HBM и окажет влияние на всю отрасль. Оптимизировать ячейки DRAM можно, уменьшив размеры элементов с помощью передовых методов литографии, например, создавать заготовки в два или четыре прохода. Samsung разрабатывает новую архитектуру ячеек 4F2, более компактную, чем актуальная 6F2, но для её создания потребуются новые материалы, в том числе сегнетоэлектрики. Ещё одним перспективным направлением представляется укладка конденсатора на бок, что поможет снизить толщину слоёв, чтобы располагать эти слои вертикально. Производитель оборудования для выпуска чипов Lam Research предложил несколько способов достичь этой цели: перевернуть ячейку, сдвинуть линию битов и применять транзисторы с окружающим затвором (GAA). Рассматриваются конструкции DRAM вообще без конденсаторов; предлагается технология Floating Body DRAM (FB-DRAM) по аналогии флеш-памяти с плавающим затвором. Компания Neo Semiconductor предложила коммерческую технологию на основе ячейки Floating Body с двойным затвором. Моделирование показало, что «этот механизм способен повысить запас чувствительности и сохранение данных», заявил гендиректор компании Энди Сю (Andy Hsu). Таким образом, появление монолитной 3D DRAM действительно может быть не за горами, но производителям потребуются ещё несколько лет, прежде чем на поддержку одного из решений будут выделены средства. Оперативная память подешевеет уже в начале 2025 года
30.12.2024 [17:28],
Николай Хижняк
Цены на обычную память DRAM снизятся на 8–13 %, а с учётом продукции HBM ожидаемое снижение цен составит 0–5 %. С таким прогнозом на первый квартал 2025 года выступила аналитическая компания TrendForce. Ключевыми причинами снижения цен на память эксперты называют уменьшение спроса на рынке и изменения ценовых тенденций в четвёртом квартале 2024 года. 
Источник изображения: unsplash.com Вялый покупательский спрос, ожидаемое увеличение производства DDR4 китайскими поставщиками и дешёвые чипы DRAM, наводнившие спотовый рынок, приведут к более резкому снижению цен на DDR4 по сравнению с DDR5. На этом фоне ожидается, что цены на DRAM для ПК продолжат снижаться быстрее, чем в предыдущем квартале. Что касается серверной памяти DRAM, прогнозируется снижение контрактных цен как на DDR5, так и на DDR4 из-за слабого сезонного спроса в начале следующего года. Перепрофилирование значительных объёмов мощностей по выпуску памяти DDR4 производителями, а также в меньшей степени HBM для производства памяти DDR5 ещё больше увеличило объёмы предложений DDR5 на рынке, отмечают эксперты. В то же время внушительные складские запасы памяти DDR4 и планы китайских производителей по увеличению объёмов её выпуска в 2025 году приведут к ускорению снижения цен на этот вид продукции, считают аналитики. TrendForce отмечает, что запасы чипов DRAM у производителей смартфонов вернулись к нормальному уровню. Ожидается, что в начале следующего года производители мобильных устройств продолжат придерживаться пассивной стратегии закупок новых чипов памяти, чтобы добиться более выгодных контрактных цен. В то же время поставки новых продуктов для первого квартала 2025 года начнутся уже к концу текущего года. В совокупности эта стратегия, как ожидается, приведёт к падению контрактных цен на память LPDDR4X и LPDDR5X на 8–13 % и 3–8 % соответственно.  Спрос на графическую память DRAM будет сдержанным в начале 2025 года. Ключевым драйвером роста станут поставки памяти нового поколения GDDR7. Однако на фоне общего снижения спроса на DRAM TrendForce прогнозирует, что средняя закупочная цена на графическую память DRAM в первом квартале снизится на 5–10 %. Хотя часть производственных мощностей постепенно перенаправляется на выпуск HBM, цены на графическую память DRAM вряд ли сохранят краткосрочную стабильность из-за её уязвимости к динамике внешнего рынка и возросшим запасам у покупателей. Цены на потребительскую DRAM начали снижаться в четвёртом квартале 2024 года. Покупатели будут ожидать продолжения этого тренда в первом квартале 2025 года, что станет сильным рычагом воздействия при ведении переговоров с поставщиками. Слабые продажи потребительских продуктов, ограниченный рост объёма памяти в составе техники, а также накопление запасов памяти со второго квартала 2024 года усилили давление на цены. Кроме того, ожидается, что избыточное предложение на спотовом рынке и продажи со скидками приведут к более резкому снижению контрактных цен на память в первом квартале 2025 года. Впоследствии прогнозируется, что цены на DDR3 и DDR4 снизятся на 3–8 % и 10–15 % соответственно. Microsoft придумала «зелёные комплектующие» — списанные серверные компоненты получат вторую жизнь ради экологии
29.12.2024 [16:24],
Алексей Разин
Бурное развитие отрасли искусственного интеллекта сделало актуальными рассуждения о высоком энергопотреблении сопутствующей вычислительной инфраструктуры, но серверные компоненты нагружают окружающую среду не только во время эксплуатации, но и в процессе утилизации. Microsoft старается дать вторую жизнь списанным компонентам, чтобы снизить их влияние на экологию.  Microsoft, по данным TechRadar, объединила усилия с учёными из университетов Вашингтона и Карнеги-Меллона, чтобы разработать методику повторного использования ряда компонентов из отслуживших серверных систем. Концепция получила обозначение GreenSKUs — буквально, «зелёные комплектующие». Типовой срок амортизации серверных компонентов измеряется периодом от трёх до пяти лет, но по факту те же модули оперативной памяти могут прослужить гораздо дольше, просто за это время их обычно успевают заменить на более производительные. Твердотельные накопители также можно применять за пределами указанного срока эксплуатации, если они имеют приемлемую расчётную долговечность. Современные технологии вроде интерфейса CXL позволяют объединять в одной системе компоненты разных поколений, при этом минимально теряя в производительности. Авторы инициативы разработали систему отбора бывших в использовании серверных компонентов для дальнейшего использования по критерию обеспечиваемого быстродействия и уровня энергопотребления. С программной стороны для таких «вторичных» серверов подбираются вычислительные нагрузки, с которыми они будут успешно справляться. Центральные процессоры AMD EPYC семейства Bergamo обеспечивают приемлемую производительность при низком энергопотреблении, в серверных системах GreenSKUs они соседствуют с модулями памяти и SSD, бывшими в употреблении. По некоторым оценкам, инфраструктура облачных вычислений сейчас потребляет до 3 % мирового объёма ежегодно вырабатываемой электроэнергии. Уже к 2030 году она будет отвечать за 20 % углеродных выбросов. Используя подход GreenSKUs, величину выбросов удастся снизить на 8 %, как считают авторы инициативы. Если подход распространить на весь мир, то выбросы удастся снизить на пару десятых долей процента, а это уже сопоставимо с влиянием всего парка эксплуатируемых на территории США смартфонов на окружающую среду. С точки зрения быстродействия серверных систем типа GreenSKUs приходится идти на ухищрения, стараясь снизить влияние возросших задержек в модулях памяти, а быстродействие твердотельных накопителей приходится увеличивать за счёт объединения в RAID-массивы. Кроме того, процессоры AMD Bergamo имеют ограниченное быстродействие кеша. Microsoft приходится балансировать характеристики всего комплекса серверных систем, чтобы GreenSKUs его не слишком явно снижали. Корпорация использует этот подход при развитии своей инфраструктуры Azure. Мир вступает в период дешёвой памяти: с июля контрактные цены на DDR4/5 рухнули более чем на треть
11.12.2024 [08:03],
Алексей Разин
Статистика DRAMeXchange гласит, что в конце ноября контрактная стоимость 8-гигабитного чипа DDR4 не превышала $1,35. Если учесть, что в июле она достигала $2,1, можно говорить о снижении цены на 35,7 %. Снижение цен на ОЗУ во втором полугодии было обусловлено целым рядом факторов, как поясняют представители DRAMeXchange. 
Источник изображения: Samsung Electronics С одной стороны, спрос на смартфоны и ПК в текущем году так и не восстановился до желаемых производителями памяти уровней. Соответственно, производители устройств данных типов не стали наращивать складские запасы микросхем памяти. С другой стороны, китайские производители, освоившие выпуск чипов DDR4, начали его наращивать в надежде за счёт более низких цен привлечь к себе покупателей. По некоторым данным, та же CXMT продаёт 8-гигабитные чипы DDR4 по цене $1 за штуку, что почти в два раза ниже июльского уровня. Аналитики Kiwoom Securities, на которых ссылается Business Korea, поясняют, что цены на ОЗУ в конце этого и начале следующего года упадут заметно сильнее, чем ожидалось. В условиях, когда CXMT и прочие производители наращивают объёмы выпуска памяти, предложение будет превышать потребности рынка как минимум до второго квартала следующего года. Для финансового благополучия той же Samsung подобная динамика цен представляет определённую угрозу. Средняя цена сделки по покупке 16-гигабитных микросхем DDR5 в ноябре опускалась на 3,7 % до $4,05 по сравнению с октябрём. Если же сравнивать с уровнем июля, то снижение достигло 16,1 %. Затяжной характер снижения цен может подорвать способность крупных компаний типа Samsung и SK hynix инвестировать в модернизацию своих производственных линий и строительство новых. Поскольку они являются крупными налогоплательщиками в Южной Корее, это может оказать негативное влияние на всю национальную экономику. Мировые продажи оперативной памяти подскочили на 13,6 % — здесь снова не обошлось без ИИ
26.11.2024 [19:31],
Павел Котов
Совокупная выручка мировых производителей чипов оперативной памяти DRAM по итогам III квартала 2024 года составила $26,02 млрд, что на 13,6 % больше, чем кварталом ранее, сообщили аналитики TrendForce. Рост обусловлен высоким спросом на память DDR5 и HBM для центров обработки данных — эту тенденцию не сломило ни снижение поставок LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов у китайских производителей смартфонов, ни расширение мощностей у китайских производителей DRAM. 
Источник изображения: samsung.com Средняя цена продажи (ASP) продолжила тенденцию к росту, взятую в предшествующем квартале; контрактные цены выросли на 8–13 %, а HBM усилила эту тенденцию, вытесняя производство обычной DRAM. На IV квартал аналитики прогнозируют квартальный рост общих поставок DRAM в битах, хотя ожидается, что активный выпуск HBM будет и дальше пагубно сказываться на производстве обычной DRAM. Китайские поставщики начали расширять мощности, что может побудить производителей ПК и смартфонов интенсивно избавляться от запасов и закупать более дешёвую DRAM. В результате контактные цены на обычную DRAM начнут снижаться. Рост контрактных цен на DRAM для ПК и серверов в III квартале увеличил доходы трёх крупнейших производителей памяти. Первое место сохранила за собой Samsung, чья выручка составила $10,7 млрд — на 9 % больше, чем кварталом ранее. Из-за стратегического сокращения запасов LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах остались на уровне предыдущего квартала. SK hynix доложила о выручке в $8,95 млрд — второе место и рост на 13,1 % квартал к кварталу. Компания нарастила отгрузки HBM3e, но из-за слабых продаж LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах сократились на 1–3% в квартальном исчислении. Выручка Micron выросла на 28,3 % до $5,78 млрд из-за сильного роста поставок серверной DRAM и HBM3e — объёмы отгрузок в битах увеличились за квартал на 13 %. 
Источник изображения: trendforce.com Выручка тайваньских поставщиков в III квартале сократилась — они значительно отстали от трёх ведущих брендов. Поставки продукции Nanya Technology в битах сократились более чем на 20 % из-за ослабления спроса на потребительскую DRAM и роста конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских производителей. Из-за инцидента с отключением электроэнергии операционная прибыль компании снизилась с -23,4 % до -30,8 %. Выручка Winbond сократилась на 8,6 % в квартальном исчислении и составила $154 млн — спрос на потребительскую DRAM упал, поставки в битах сократились. PSMC доложила о снижении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %; но с учётом выручки от полупроводникового производства общая выручка компании от продажи DRAM увеличилась на 18 % — это связано с постоянным пополнением запасов от клиентов на полупроводниковое производство. Китайские производители памяти захватывают рынок, предлагая DDR4 за полцены
18.11.2024 [19:40],
Сергей Сурабекянц
Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга. 
Источник изображения: unsplash.com Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4. Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей. Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти. Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках. Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов. CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
