На квартальной конференции Intel главу компании Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) спросили о намерениях компании использовать интеграцию памяти на одну подложку с процессором в будущем, по примеру представленных недавно Lunar Lake. Он однозначно дал понять, что подобных планов у компании нет, и последующие центральные процессоры Intel будут иметь обычную компоновку.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Источник изображения: Intel

По словам Гелсингера, ситуация с компоновкой Lunar Lake остаётся по-своему уникальной. «Знаете, первоначально Lunar Lake создавался как нишевый продукт, с помощью которого мы хотели достичь высочайшего быстродействия и максимального времени работы от аккумулятора, а потом случились ИИ ПК», — поведал историю создания процессоров этого семейства глава корпорации. Компьютеры с возможностью локального ускорения работы систем искусственного интеллекта продемонстрировали свой потенциал массового применения, и Lunar Lake постепенно превратился в массовый продукт, как добавил Гелсингер.

Собственно Intel заниматься пусть и такой опосредованной, но реализацией памяти, не собирается, по словам генерального директора: «Это не самый удачный способ вести бизнес». Он тут же добавил: «На самом деле, это было всего один раз с Lunar Lake. Это не повторится с Panther Lake, Nova Lake и их преемниками. Мы будем создавать процессоры в более классической компоновке, с памятью, не связанной с их упаковкой». При этом на уровне упаковки процессора будут интегрироваться различные интерфейсы, вычислительные и графические блоки, нейронные сопроцессоры, но оперативная память будет существовать за пределами центральных процессоров, как подчеркнул Гелсингер.

Кстати, прошедшая квартальная конференция стала первым мероприятием Intel, на котором руководство публично признало существование планов по выпуску процессоров семейства Nova Lake. Об их существовании СМИ до этого узнали из документов Intel для внутреннего пользования, а публично такие планы компания никак не комментировала до последних пор. Предполагается, что процессоры Nova Lake в конце 2026 или начале 2027 года станут преемниками мобильных версий Panther Lake. Как уже отмечалось сегодня, часть кристаллов для Nova Lake продолжит выпускать TSMC.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.