Теги → fram

Fujitsu представила новую память FRAM с гарантией 100 трлн циклов перезаписи

Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память FRAM (FeRAM) известна своей исключительной устойчивостью к износу. Это открыло ей путь в промышленное оборудование и аэрокосмическую отрасль, где надёжность длительной работы ценится превыше всего. Японская компания Fujitsu смогла ещё на порядок повысить износостойкость фирменной FRAM, заявив о создании чипов с гарантированными 100 трлн циклами перезаписи.

 Источник изображения: Fujitsu

Источник изображения: Fujitsu

Кроме огромного ресурса сегнетоэлектрическая память отличается высокой скоростью доступа — намного быстрее классической флеш-памяти. Это качество вкупе с повышенной устойчивостью к износу позволяет FRAM стать заменой оперативной памяти SRAM с добавлением энергонезависимости. Энергонезависимость упрощает и удешевляет оборудование, поскольку резервные системы питания для сохранения промежуточных данных становятся больше не нужны. Наконец, энергонезависимость означает снижение потребления как минимум на операции регенерации в SRAM — это тоже важный фактор в наши времена «зелёной» повестки.

Скорость доступа к новой памяти FRAM Fujitsu не ниже 25 нс в страничном режиме при непрерывном потоке запросов. Рост быстродействия неразрывно связан с требованием к увеличению устойчивости к износу и Fujitsu удерживает баланс.

Чтобы новую память FRAM можно было без каких-либо переделок в монтажных платах и усложнения схемотехники использовать вместо микросхем SRAM, чипы FRAM предлагаются в стандартном 48-контактном корпусе FBGA и 44-контактном корпусе TSOP. По сравнению с предыдущими FRAM-продуктами Fujitsu токи записи снижены на 10 % (до 18 мА), а токи в режиме ожидания уменьшены на 50 % (до 150 мкА). Память FRAM компания Fujitsu выпускает чуть более 20 лет и раз за разом показывает всё лучший результат в этой области.

Но что же не так с FRAM, если она так хороша? Почему у нас везде флеш-память, а не сегнетоэлектрическая? Ответ простой: память FRAM очень и очень плохо масштабируется. По ряду физических особенностей сегнетоэлектрического слоя в чипах площадь ячейки FRAM остаётся не просто большой, а недопустимо большой для производства ёмких энергонезависимых микросхем. В частности, представленная новая память FRAM Fujitsu имеет ёмкость 8 Мбит. На этом фоне все главные достоинства FRAM тают как снег под ярким весенним солнцем. Но для специальных приложений альтернативы FRAM нет и скоро не будет. Остаётся надеяться на прорыв в исследованиях.

Fujitsu представила энергонезависимую память FRAM для автомобильной отрасли

Компания Fujitsu объявила о разработке микрочипа памяти FRAM, рассчитанного на использование в составе автомобильных систем. Это первое изделие в совершенно новом продуктовом семействе, особенностью которого является широкий диапазон рабочих температур.

FRAM, или Ferroelectric RAM, — сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом. Память обеспечивает высокую скорость доступа и характеризуется большим количеством циклов перезаписи.

Как отмечает Fujitsu, в свете стремительного развития автомобильных электронных систем всё острее встаёт вопрос о надёжном хранении данных, собираемых многочисленными бортовыми сенсорами. Новое FRAM-изделие, получившее обозначение MB85RS256TY, как раз и призвано решить проблему.

Чип сохраняет работоспособность при эксплуатации в температурном диапазоне от -40 до +125 градусов Цельсия. Более того, в перспективе нижняя граница может быть опущена до минус 55 градусов. Данные гарантированно хранятся в памяти в течение десяти лет или более при постоянной температуре до 85 градусов Цельсия.

Представленное решение имеет ёмкость 256 Кбит. Используется интерфейс SPI; напряжение питания — от 1,8 до 3,6 В. Долговечность заявлена на уровне 1013 циклов перезаписи.

Поставки инженерных образцов MB85RS256TY уже начались.

Fujitsu выпустила FRAM-память с диапазоном рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В

Компания Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) анонсировала пополнение продуктовой линейки FRAM-памяти V Series. Микросхема MB85RC256V отличается самой большой плотностью записи информации в линейке V Series и поддерживает диапазон рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В.

Чип ёмкостью 256 Кбит оснащён двумя последовательными, одним параллельным интерфейсами и выполнен в 8-контактном корпусе SOP. Среди особенностей новинки отмечаются гарантированная длительность хранения данных 10 лет при температуре 85 градусов Цельсия, количество циклов чтения/записи 1 триллион.

Сегнетоэлектрическая память Fujitsu нацелена на использование в интеллектуальных счётчиках, автоматизированном оборудовании фабрик, системах мониторинга. На данном этапе развития FRAM-технологии её уделом остаются узкоспециализированные приложения.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
ФАС прекратила антимонопольное дело о «колдунщиках» — «Яндекс» выполнила все требования 20 мин.
Гиперзвуковой самолёт и тематические миссии: к Microsoft Flight Simulator вышло бесплатное дополнение по мотивам «Топ Ган: Мэверик» 27 мин.
Журналисты Game Informer поделились новыми подробностями и скриншотами хоррора The Callisto Protocol 2 ч.
Совместные группы для представителей Орды и Альянса появятся в World of Warcraft через неделю 3 ч.
Инсайдер показал, как будет выглядеть карта новой Call of Duty: Warzone 3 ч.
Следующее крупное обновление добавит в Dune: Spice Wars мультиплеер и другие планы разработчиков по развитию игры 4 ч.
Первое платное дополнение к OlliOlli World получило геймплейный трейлер и дату выхода 4 ч.
Релиз амбициозного экшен-платформера Replaced перенесли на следующий год 5 ч.
Возвращение ушедших компаний в российский Steam оказалось багом — игры купить можно, но не все 5 ч.
Видео: кинематографический трейлер приключения «Затерянные пески» в Sea of Thieves, которое повлияет на дальнейший сюжет 6 ч.
MSI анонсировала 34-дюймовый изогнутый QD-OLED-монитор с частотой обновления 175 Гц 28 мин.
Stellantis выплатит $300 млн штрафа по делу о подделке данных о выбросах дизельных автомобилей 40 мин.
NZXT представила корпус H7 в трёх версиях: с глухой, перфорированной и стеклянной фронтальными панелями 44 мин.
Lexar представила внешние накопители SL660 BLAZE Gaming Portable SSD со скоростью чтения до 2000 Мбайт/с 3 ч.
ASUS показала концепт футуристического ПК, в котором почти нет проводов 3 ч.
Lucid отзовёт все вышедшие в 2022 году электромобили Air из-за проблем с проводкой 3 ч.
AWS объявила о доступности инстансов на процессорах Graviton3 5 ч.
IKEA анонсировала Matter-совместимый центр управления умным домом и обновлённое приложение Home 6 ч.
Antec выпустила Cannon Elite — футуристичный корпус полуоткрытого типа с поддержкой двух контуров СЖО 6 ч.
SteelSeries представила гарнитуры Arctis Nova Pro и Nova Pro Wireless с шумоподавлением и объёмным звуком 8 ч.