Китайцы сделали самый быстрый в мире транзистор без кремния и санкционных литографов

Команда исследователей из Пекинского университета (Peking University) утверждает, что им удалось преодолеть технологические ограничения для наращивания производительности чипов относительно простыми средствами. Учёные буквально сменили направление в производстве транзисторов, отказавшись как от современных сканеров, так и от кремния.

Обзор ноутбука HONOR MagicBook Pro 16 HUNTER 2025. Для игр? Для работы? Для игр и работы!

Компьютер месяца — сентябрь 2025 года

Шестиядерники за 10 тысяч рублей — сравнение и тесты

В чем уникальность зум-камеры HUAWEI Pura 80 Ultra?

Обзор планшета HUAWEI MatePad 11,5'' (2025): апгрейд без бликов

Обзор видеокарты Acer Nitro Intel Arc B580 OC

Ноутбуки HONOR MagicBook: технологии, дизайн и производительность для любых задач

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Pro: разумный флагман с мощнейшей камерой

Источник изображений: Peking University

Общепринято, что выпуск 2-нм полупроводников и решений с меньшими технологическими нормами связан с переходом на EUV-литографию и новые транзисторные архитектуры. Всё это требует колоссальных затрат на разработку и производственные ресурсы. Однако даже при условии наличия таких ресурсов экспорт высокотехнологичного оборудования строго ограничен США и их партнёрами. В частности, в Китай запрещено продавать сканеры EUV и даже современные версии 193-нм DUV-сканеров.

Группа учёных из Пекинского университета изначально работала над новой технологией производства чипов в попытке обойти санкции, но в итоге добилась принципиально нового результата — создала техпроцесс производства 2D-транзисторов с использованием материалов, не содержащих кремний. Исследователи утверждают, что для изготовления этих «принципиально новых» транзисторов подходит типичное оборудование, используемое в полупроводниковой промышленности. По крайней мере, чип был изготовлен на экспериментальной университетской линии, которая вряд ли оснащена передовыми технологиями.

В качестве материалов для транзисторного канала и затвора были использованы оксиды висмута: Bi₂O₂Se для канала и Bi₂SeO₅ для затвора. Благодаря своим свойствам эти материалы можно наносить на подложку атомарно тонкими и однородными слоями, что обеспечивает повторяемость процесса и стабильность характеристик транзисторов. Именно за это свойство транзистор на основе Bi₂O₂Se и Bi₂SeO₅ считается 2D-транзистором. Архитектурно он представляет собой полевой транзистор с круговым затвором (GAAFET). Разработчики описывают его структуру как «плетёный мост» вместо традиционных для FinFET «небоскрёбов».

По словам исследователей, высокая диэлектрическая проницаемость используемых материалов позволяет создавать сверхтонкие структуры затворов, не допускающие токов утечки, что снижает напряжение переключения транзисторов. Это, в свою очередь, увеличивает скорость переключения транзисторов при одновременном снижении энергопотребления.

Учёные заявляют, что их 2D-транзисторы работают на 40 % быстрее по сравнению с ультрасовременными 3-нм транзисторами TSMC и Intel, при этом потребление энергии снижено на 10 %. Они также разработали простую логическую схему на основе новых транзисторов и экспериментально подтвердили их впечатляющие рабочие характеристики.