Intel рассказала о памяти HB3DM — «убийце» HBM с более высокой пропускной способностью

Стартап Saimemory, созданный компаниями Intel, SoftBank и Токийским университетом, разрабатывает альтернативу популярной технологии памяти с высокой пропускной способностью (HBM), призванную обеспечить более высокие значения пропускной способности стеков памяти, используемых в составе мощных ИИ-ускорителей.

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Можно ли экономить на DDR5 для Ryzen? Сравниваем дешёвую память с дорогой

Источник изображений: Intel

В июне на выставке VLSI 2026 компания Saimemory планирует представить доклад о недавно разработанной памяти HB3DM. Она основана на технологии Z-Angle Memory (ZAM). «Z» в названии указывает на вертикальное расположение (по оси Z) кристаллов памяти, аналогичное традиционной памяти HBM. Для сборки модулей планируется использовать самые современные технологии стекирования Intel.

Первое поколение HB3DM будет состоять в общей сложности из девяти слоёв, соединённых с использованием гибридной технологии для вертикального размещения кристаллов. Основой стека памяти HB3DM будет служить логический слой, который управляет перемещением данных внутри чипа. Поверх него будут располагаться восемь слоёв памяти DRAM для хранения данных. Каждый слой будет содержать около 13 700 сквозных межсоединений (TSV) для гибридной спайки.

Ожидается, что память HB3DM обеспечит ёмкость около 1,125 Гбайт на слой, что соответствует 10 Гбайт на стек. Технология позволяет достичь примерно 0,25 Тбайт/с пропускной способности памяти на мм², поэтому для модуля на 10 Гбайт с площадью кристалла 171 мм² можно ожидать около 5,3 Тбайт/с пропускной способности. Согласно озвученным характеристикам, HB3DM предложит более чем двое более высокую пропускную способность, чем HBM4. Последняя обеспечивает пропускную способность около 2 Тбайт/с на стек.

Однако у HB3DM есть ограничения. В частности, на её основе можно создавать только стеки ёмкостью до 10 Гбайт, в то время как HBM4 позволяет создавать стеки ёмкостью до 48 Гбайт. Intel может увеличить количество слоёв по мере развития HB3DM, но на данный момент разработка сосредоточена на пропускной способности.

На данный момент неизвестно, когда Saimemory собирается выпустить HB3DM и кто будет производить для неё базовые кристаллы DRAM — возможно, сама Intel. Ближе к выставке VLSI 2026 компании, вероятно, предоставят больше подробностей о достигнутом прогрессе в разработке.