Теги → hitachi gst

ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM

Молодая австралийская компания 4DS Memory Limited продолжает совершенствовать энергонезависимую память типа ReRAM (резистивную с произвольным доступом). К сегодняшнему дню представлено достаточно много вариантов резистивной памяти. Некоторые даже склонны видеть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, хотя последняя использует ячейку с изменяемым фазовым состоянием вещества.

Большинство версий ReRAM, если мы говорим о ячейке с изменяемым сопротивлением, опираются на такое явление, как обратимое создание в структуре рабочего слоя ячейки устойчивых токопроводящих нитей из ионов меди, серебра или других металлов. Ячейка ReRAM компании 4DS Memory работает по другому принципу. Она полностью меняет своё сопротивление под воздействием тока сразу во всём рабочем слое. Технология так и называется «Interface Switching ReRAM», а запатентованная ячейка носит название MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction, металл оксидный переход с противоположными состояниями).

Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Общий принцип организации перекрёстной памяти ReRAM (Crossbar)

Общая проблема памяти ReRAM, утверждают в компании 4DS Memory, заключается в слишком больших задержках в режимах чтения. Это не позволяет ReRAM стать полноценным заменителем памяти типа DRAM и привнести в работу оперативной памяти энергонезависимость. Суть проблемы в том, что образование токопроводящих нитей в ячейке ReRAM несколько непредсказуемо, что связано с неоднородностями в материале рабочего слоя. Утрируя, всегда что-то может пойти не так. Во-первых, для гарантированного образования ионизированных каналов потребуется увеличить рабочий ток. Во-вторых, существенно усложнить механизмы коррекции ошибок. Последнее ведёт к существенным задержкам в процессе восстановления данных.

Состав ячейки памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Состав ячейки памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Память 4DS ReRAM свободна от «случайностей» в процессе работы с ячейками памяти. Рабочий слой ячейки 4DS полностью переключается из одного состояния в другое и не зависит от возможных неоднородностей. Это устраняет необходимость в корректировке рабочих токов (уменьшает разброс параметров) и ведёт к очень простому механизму коррекции ошибок без заметных задержек. Испытания показали, что по скорости работы память 4DS ReRAM приближается к скорости работы оперативной памяти DRAM.

Обновлённая запатентованная ячейка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Обновлённая запатентованная ячейка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

И что нам с этой разработки малоизвестной австралийской компании, спросят читатели? Дело в том, что с компанией 4DS Memory несколько лет подряд тесно работает подразделение Hitachi GST компании Western Digital. Более того, между Hitachi GST и 4DS Memory заключено стратегическое соглашение о партнёрстве, что позволяет рассчитывать на относительно скорое появление ReRAM в виде коммерческих продуктов. Произойдёт это не завтра, но в течение трёх–пяти лет можно ожидать появления первых продуктов на основе ReRAM.

Western Digital рассматривает несколько вариантов памяти ReRAM

В августе этого года на форуме Flash Memory Summit корпорация Western Digital объявила о планах использовать резистивную память с произвольным доступом (restistive random access memory, ReRAM) в качестве памяти для SSD-накопителей c повышенной производительностью. Это так называемые SCM-накопители (storage class memory), которые должны занять промежуточное положение между DRAM и классическими твердотельными накопителями. Память типа ReRAM должна идеально подходить для этой задачи, поскольку она обещает сочетать скорости доступа, близкие к характеристикам памяти DRAM и при этом быть энергонезависимой.

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Из скупого на подробности доклада представителей компании Western Digital можно было представить, что новый класс твердотельных накопителей будет опираться на разработки компаний SanDisk и Toshiba. И действительно, компании SanDisk и Toshiba уже три года назад могли похвастаться опытными экземплярами 32-Гбит памяти ReRAM, а год назад SanDisk и HP подписали договор о совместной разработке памяти ReRAM. С мая этого года компания SanDisk перешла в собственность компании Western Digital, что автоматически перевело её разработки в руки нового владельца. Однако на днях появилась информация, что компания Western Digital держит руку на пульсе у ещё одной технологии ReRAM.

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Как стало известно, такое подразделение Western Digital, как Hitachi GST, два года подряд работает с молодой австралийской компанией 4DS. Летом нынешнего года HGST и 4DS заключили ещё один договор о совместных работах на следующий год. Суть работ заключается в повышении надёжности хранения данных в ячейке памяти ReRAM и в разработке технологий, увеличивающих число циклов стирания ячеек ReRAM. Очевидно, что разработки 4DS — это независимый проект, а не совершенствование разработок SanDisk и Toshiba. Это подводит нас к тому, что Western Digital рассматривают несколько вариантов памяти ReRAM. Впрочем, это неудивительно. Сегодня наберётся не менее двух десятков различных технологий работы резистивной памяти с произвольным доступом.

Структура ячейки ReRAM компании 4DS (4DS)

Структура ячейки ReRAM компании 4DS (4DS)

По словам руководства 4DS, разработка компании выгодно отличается от конкурирующих вариантов. Во-первых, само строение ячейки ReRAM 4DS обещает бóльшую плотность записи по сравнению с памятью 3D NAND в случае использования одинакового техпроцесса. Уточним, компания 4DS экспериментирует с ячейками ReRAM, выпущенными в рамках 40-нм техпроцесса, тогда как память 3D NAND сегодня массово выпускается с использованием  техпроцессов в диапазоне от 45 до 50 нм.

Состав ячейки памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Состав ячейки памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Другим преимуществом разработки 4DS называется реализованный принцип работы памяти. Это память с переключением рабочего слоя, когда сопротивление ячейки меняется сразу во всём рабочем слое (Interface Switching ReRAM или Non-Filamentary ReRAM). Альтернативой этому может служить память с образованием нитевидных токопроводящих «волокон» из ионов серебра в рабочем слое ячейки. Такую память разработала компания Crossbar и, что важно, о готовности производства памяти Crossbar ReRAM с использованием 40-нм техпроцесса уже сообщил крупнейший в Китае контрактный производитель — компания SMIC. Похоже, на этом направлении становится жарко. Но разве нам об этом жалеть?

Western Digital полностью закрыла сделку по поглощению Hitachi GST

Американская Western Digital Corp. (WDC) сообщила о завершении сделки по поглощению Hitachi Global Storage Technologies. Окончательная сумма сделки составила $3,9 млрд наличными и 25 млн акций WDC, общая стоимость которых по состоянию на 8 марта составила около $900 млн. В результате поглощения Hitachi стала держателем 10%-пакета акций WDC, получив право назначать двух членов в совет директоров.

По итогам сделки не обошлось без кадровых перестановок в руководстве WD: Стив Миллиган (Steve Milligan) назначен президентом, Тим Лейден (Tim Leyden) – операционным директором, Вольфганг Никл (Wolfgang Nickl) – финансовым. Место исполнительного директора осталось за Джоном Койном (John Coyne).

В результате корректировки прогноза развития отрасли на ближайшие 5 лет аналитическая компания IDC пришла к выводу, что средний ежегодный рост объема выпуска жестких дисков составит 8,6%. Основными источниками стабильно растущего спроса на накопители в ближайшие 5 лет, по мнению вице-президента IDC Джона Райднинга (John Rydning), станут рынки мобильной потребительской электроники, крупные аналитические центры, социально-ориентированные интернет-проекты и др. Широкий диапазон потребителей и задач ставит перед производителями новые требования по выпуску соответствующих устройств, начиная от миниатюрных и экономичных накопителей для ультрабуков и заканчивая высокопроизводительными и отказоустойчивыми дисками корпоративного класса.

Материалы по теме:

Источник:

WD сможет завершить поглощение Hitachi GST после обмена активами с Toshiba

В процессе поглощения Hitachi Global Srotage Technologies (Hitachi GST) корпорации Western Digital пришлось пойти на ряд уступок с тем, чтобы выполнить требования антимонопольных органов США. Так, американский регулятор обязал WD передать часть активов третьему участнику – японской Toshiba.

В рамках достигнутых 28 февраля договоренностей WD передаст Toshiba часть производственных мощностей и объектов интеллектуальной собственности, касающихся выпуска жестких дисков формата 3.5" для потребительского и серверного рынков. В свою очередь, Toshiba расстанется с акциями своего подразделения Toshiba Storage Device Thailand (TSDT), занятого выпуском накопителей формата 2.5", которое, к слову, еще не восстановило работу после прошлогоднего наводнения.

Таким образом, обмен активами, с одной стороны, позволит Toshiba выйти на рынок 3.5"-жестких дисков и избавиться от «груза» в виде стоящих фабрик в Таиланде, а с другой — откроет путь WD к завершению сделки с Hitachi GST и позволит расширить производственную базу в Таиланде. Окончание обмена активами между WD и Toshiba запланировано на март.

Материалы по теме:

Источник:

Hitachi Travelstar Z7K500: первый 500-Гбайт 2,5" HDD с SATA 3.0

Предприятие Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST) заявило об отгрузке более 25 млн жестких дисков Travelstar Z Series с момента запуска этой линейки на рынок. Напомним, эти накопители 2,5-дюймового форм-фактора отличаются высотой всего 7 мм и нацелены на использование в сверхтонких компьютерах, компактных устройствах под управлением Windows CE и промышленных встраиваемых системах.

 

 

По случаю юбилейного выпуска компания анонсировала новую серию HDD Travelstar Z7K500. Флагманская модель является первым однодисковым накопителем 2,5-дюймового форм-фактора ёмкостью 500 Гбайт со скоростью вращения шпинделя 7200 оборотов в минуту и высотой 7 мм. Кроме того, все новинки серии – первые среди 2,5-дюймовых HDD, оснащенные интерфейсом SATA 3.0 и 32 Мбайт кеша. Это и самые быстрые накопители, опережающие на 33% по производительности конкурентов с своём классе. Не уступают они и по защищённости – максимально допустимая нагрузка (удар) в рабочем режиме составляет 400G, тогда как типичные значения для HDD этого уровня ниже в несколько раз.

Потребляемая мощность в активном режиме составляет 1,8 Вт, в режиме простоя – 0,8 Вт. При этом акустическая мощность не превышает 24 дБ. Массовые поставки Travelstar Z7K500 стартуют в марте. Будут доступны модели ёмкостью 250, 320 и 500 Гбайт.

Материалы по теме:

Источник:

Hitachi Ultrastar SSD400S.B: первые корпоративные SSD на базе 25-нм чипов

Компания Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST) анонсировала первые в отрасли твердотельные накопители корпоративного класса, использующие 25-нм микросхемы SLC NAND. Семейство SSD-дисков Ultrastar SSD400S.B включает модели ёмкостью 100, 200 и 400 Гбайт.

 

 

Новинки выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе и оснащены высокоскоростным интерфейсом SCSI с пропускной способностью 6 Гбит/с. Все накопители отличаются высокой надёжностью и долговечностью работы. 400-Гбайт модель на протяжении жизненного цикла способна выдержать запись до 35 петабайт данных, то есть 19,2 Тбайт в день на протяжении пяти лет. При этом SSD-диски отличаются высокой производительностью – скорость чтения достигает 536 Мбайт/с, а скорость записи превышает 500 Мбайт/с. Производительность в операциях чтения составляет 57,5 тысяч IOPS, записи – 25,5 тысяч IOPS. Отдельно отмечается поддержка шифрования для защиты данных.

Образцы новых SSD уже в небольших количествах поставляются OEM-клиентам компании.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥