Теги → hmc

SK Hynix, Samsung, Micron и многослойная память: планы и характеристики

В последние пару лет полупроводниковая промышленность совершила большой скачок в области технологий производства памяти. Классическая DRAM в том или ином виде с нами уже не один десяток лет, но выход новых устройств, нуждающихся в огромных скоростях передачи данных, вызвал появление на свет совершенно нового типа памяти — HBM. Впервые она была опробована компанией AMD в графическом процессоре Fiji, который стал основой видеокарт Radeon R9 Fury X, Fury и Nano, а также Radeon Pro Duo.

Даже в самой первой инкарнации четыре сборки HBM смогли обеспечить пропускную способность на уровне 512 Гбайт/с, чего сегодня не может даже новейший NVIDIA TITAN X с 384-битной памятью GDDR5X (480 Гбайт/с). Спустя год Samsung удалось в достаточной мере нарастить объёмы производства новой версии многослойной высокоскоростной памяти HBM2, которая нашла своё применение в вычислительных ускорителях NVIDIA Tesla P100. Они уже поставляются на рынок супервычислений и облачных систем начиная со второго квартала текущего года.

Уже становится очевидным, что обычная DRAM хотя и просуществует на рынке достаточно долго, будущее принадлежит многослойной памяти — HBM и другим аналогичным технологиям. К тому же HBM располагается на упаковке рядом с ЦП или ГП и не требует много места, что позволяет сделать системы с её использованием более компактными. Но HBM2 пока новый, дорогой продукт, выпускающийся в недостаточно массовых количествах. Мы знаем, что производство HBM2 Samsung начала в первом квартале этого года, а SK Hynix запаздывает и только собирается начать выпуск своего варианта HBM2 в этом квартале.

На мероприятии Hot Chips 28 обе компании продемонстрировали свои каталоги выпускаемых продуктов и планы на будущее относительно многослойной памяти. Согласно опубликованным слайдам, у HBM2 есть как минимум две альтернативы или ответвления — HBM3 и low cost HBM. Последняя представляет особенный интерес. Эта удешевлённая версия HBM была представлена Samsung как выгодное по цене решение, опережающее HBM1, но несколько уступающее в производительности HBM2. Удешевление достигнуто за счёт уменьшения с 1024 до 512 количества пронизывающих сборку кристаллов TSV — соединений, с помощью которых кристаллы HBM и общаются с внешним миром.

В результате получается память, способная обеспечивать скорость 3 Гбайт/с на контакт и 200 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с на сборку у полноценной HBM2. 512-битный интерфейс доступа с двумя или четырьмя сборками означает 1024 или 2048 Мбайт. Samsung утверждает, что она может легко производить такие чипы в массовых количествах и наводнить ими рынок. В то же время, когда HBM2 ещё не успела завоевать рынка, обе компании — Samsung и SK Hynix — уже готовятся к разработке и выпуску следующего поколения многослойной памяти, так называемой xHBM или HBM3. Первое название характерно для Samsung, второе используется SK Hynix.

Характеристики нового стандарта ещё далеки от финализации, но ключевые моменты новой технологии были оглашены. HBM3 обеспечит вдвое более высокую пропускную способность и будет обладать привлекательной ценой. Речь идёт о скоростях порядка 512 Гбайт/с на сборку против 256 Гбайт/с у HBM2. Четыре таких кристалла легко смогут обеспечить пропускную способность на уровне 2 Тбайт/с. Но в работе такие цифры мы увидим нескоро; коллеги с WCCFTech полагают, что речь идёт о видеокартах, которые появятся как минимум после NVIDIA Volta.

Производители памяти продолжают обсуждать такие параметры HBM3, как себестоимость, форм-факторы, энергопотребление и плотность упаковки. Сейчас HBM2 может обеспечить ёмкость до 48 Гбайт, так что с внедрением HBM3 следует ожидать цифр от 64 Гбайт. Но не одной HBM жива индустрия памяти. Как уже было сказано, DRAM ещё долго будет присутствовать на рынке, и компания Micron огласила свои планы в отношении этого типа памяти.

Планируется, что опытные поставки чипов DDR5 DRAM начнутся в 2018 году, а массовое производство таких микросхем (и модулей памяти) развернётся годом позже, в 2019 г. Ключевой особенностью DDR5 в сравнении с DDR4 является вдвое более высокая пропускная способность и напряжение питания, составляющее всего 1,1 вольта. Это означает повышение тактовых частот, а ёмкость будет варьироваться в пределах от 8 до 32 Гбайт. Эквивалентные частоты для DDR5 составят 3200 МГц в начале производства и достигнут значения 6400 МГц по мере того, как выход годных кристаллов будет увеличиваться, а новый стандарт — завоевывать рынок оперативной памяти.

Micron также рассказала о своей альтернативе HBM, многослойной памяти HMC (Hybrid Memory Cube). Компания называет HBM «плохой копией» HMC, поскольку последняя обладает рядом возможностей, недоступных HBM и может состязаться с ней только в пропускной способности. Помимо всего прочего, Micron продолжает активно сотрудничать с Intel в разработке и продвижении энергонезависимой памяти нового поколения 3D XPoint. Подводя итоги, скажем, что ключевыми годами для рынка памяти, основываясь на имеющихся данных, можно назвать 2018-й и 2019-й.

Micron не спешит анонсировать память HBM

Несмотря на то, что абсолютное большинство производимых сегодня типов оперативной памяти с динамическим доступом (dynamic random access memory, DRAM) соответствует принятым индустриальным стандартам и не являются проприетарными, далеко не все производители DRAM изготавливают микросхемы всех современных стандартов. К примеру, компания Micron Technology до сих пор не обозначила никаких планов поддержи многослойной памяти типа HBM (high bandwidth memory).

Память HBM разрабатывалась в тесном сотрудничестве Advanced Micro Devices и SK Hynix начиная с 2006 года, став индустриальным стандартом в 2013 году. Несмотря на то, что спецификация HBM была принята JEDEC, отраслевым консорциумом, который устанавливает стандарты для DRAM и NAND, лишь SK Hynix производит данный тип памяти в промышленных масштабах. Недавно JEDEC опубликовал спецификации HBM второго поколения (HBM gen 2, HBM2), формально одобренные членами комитета разработчиков, среди которых крупнейшие производители DRAM, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology. Samsung уже успела формально анонсировать свои микросхемы HBM2, SK Hynix рассказала о своих чипах HBM2 на конференции ISSCC 2016, тогда как Micron полностью проигнорировала новый стандарт. Компания не только не анонсировала микросхемы HBM2, но и не обозначила планов по их производству на своей конференции для аналитиков, прошедшей ранее в этом месяце.

Инновационная память Micron. Пока без HBM?

Инновационная память Micron. Пока без HBM?

«На сегодняшний день Micron не анонсировала каких-либо намерений касательно HBM публично», — заявил представитель Micron в электронном письме.

В течение долгих лет компания Micron отдаёт особое внимание выпуску специализированных типов памяти, а также решений на их базе, цена которых не подвержена колебаниям, как цены на традиционные DDR и NAND. Так, компания производит RLDRAM для устройств, которым требуются минимальные задержки (по сравнению со стандартной DRAM) при большой ёмкости (относительно SRAM); XTRMFlash для приложений, которым нужна NOR флеш-память и высочайшая производительность (скорость чтения у данного типа NOR составляет 400 Мбайт/с); HMC (hybrid memory cube) для систем, которым требуется максимальная пропускная способность (наиболее производительные микросхемы Micron HMC второго поколения поддерживают пропускную способность в 160 Гбайт/с). Позже в этом году Micron начнёт поставки памяти GDDR5X для будущих графических карт и 3D XPoint для производительных твердотельных накопителей. Кроме того, Micron предлагает решения на базе DRAM с высокой добавленной стоимостью, например, энергонезависимые модули NVDIMM на базе микросхем DDR3 и супер-конденсатора AgigA Tech PowerGEM, которые сочетают производительность DRAM и энергонезависимость NAND.

Различные реализации микросхем HMC

Различные реализации микросхем HMC

Принимая во внимание стратегию Micron, полный отказ от поддержки HBM едва ли имеет смысл для компании. Однако следует помнить, что HBM2 конкурирует как c GDDR5X, так и с HMC на рынках графических карт, суперкомпьютеров, сетевого оборудования, игровых приставок и специализированных устройств. В последние годы специалисты Micron были заняты разработкой HMC второго и третьего поколений, GDDR5X, 3D XPoint и рядом других проектов, при этом компания могла отдать приоритеты разработке «своих» стандартов памяти. Таким образом, Micron может быть не готова сегодня говорить об HBM2 как потому, что начнёт производство памяти данного типа памяти позже конкурентов, так и для того, чтобы не снижать долгосрочную конкурентоспособность HMC и GDDR5X.

Учитывая, что создание сложных микросхем занимает три–четыре года (с момента начала разработки архитектуры и кончая выпуском на рынок), а ключевые решения касающиеся архитектуры, технологических процессов, поддерживаемых типов памяти и т. п. принимаются в начале цикла, Micron есть смысл показать потенциально заинтересованным сторонам, что HBM не поддерживается всей индустрией DRAM, а также то, что HMC имеет ряд преимуществ (вроде узкой шины данных и минимальных физических размеров интерфейса, потенциальной пропускной способности до 320 Гбайт/с на чип и т. д.) и может быть поставлен как Micron, так и Samsung (которая хоть и поддерживает HMC, входя в соответствующий консорциум, но никогда не производила данную память).

Cхематическое изображение подсистемы памяти на базе HBM2

Cхематическое изображение подсистемы памяти на базе HBM2

JEDEC опубликовала стандарт JESD235A, описывающий память HBM второго поколения, в начале этого года. Среди ключевых нововведений стандарта значатся увеличение ёмкости используемых устройств DRAM до 8 Гбит, поддержка доступа к DRAM при помощи так называемых псевдоканалов, а также увеличение скорости передачи данных до 1000 МТрансферов/с (мегатрансферов в секунду). Первые микросхемы памяти HBM2 будут использовать четыре слоя DRAM ёмкостью 8 Гбит каждый (общая ёмкость сборки — 4 Гбайт) и иметь пропускную способность в 256 Гбайт/с.

Представлена 3D-упаковка чипов с лучшими характеристиками, чем у HBM и HMC

Стараниями компаний AMD и SK Hynix стековая память типа HBM (High Bandwidth Memory) стала реальностью. Аналогичная по строению память HMC (Hybrid Memory Cube) упоминается гораздо реже, хотя она точно так же, как память HBM, состоит из пяти уложенных друг на друга кристаллов, соединённых вертикальными сквозными соединениями типа TSVs. Попросту говоря, память HBM и HMC стоит на одной ступеньке эволюции упаковки чипов. Но даже такой прогрессивный метод можно значительно усовершенствовать. На выставке SEMICON Europa 2015 американская компания Novati Technologies обещает показать многокристальную 3D-упаковку, плотность расположения вертикальных каналов металлизации у которой в 60 раз выше, чем у памяти HBM или HMC.

Формально компания Novati Technologies довольно молода — ей всего три года. Но предприятие организовано не на пустом месте. Она является полной собственностью компании Tezzaron Semiconductor и создана на базе завода компании Sematech в Остине, штат Техас. Таким образом, коллектив Novati Technologies, в том числе, вобрал в себя ветеранов, чья деятельность корнями уходит в военные проекты DARPA.

Краткая история появления исследовательской компании Novati

Краткая история появления исследовательской компании Novati

На мероприятиях в рамках SEMICON Europa 2015 компания Novati покажет 8-кристальную упаковку разнородных чипов и расскажет о новой разработке — о 18-кристальном стеке, включающем кристаллы памяти, два кристалла логики и набор сенсоров. Подобные решения идеально подойдут для вещей с подключением к Интернету. Стоимость сборок с множеством разнотипных кристаллов обойдётся однозначно дешевле платформ в виде наборов модулей или решений на монтажных платах.

Высокую плотность вертикальных каналов обеспечило то, что в качестве материала для металлизации используется вольфрам. У вольфрама такой же коэффициент температурного расширения, как у кремния. В процессе работы кристаллы испытывают нагрев и происходит расширение материала. Медь в каналах TSVs расширяется быстрее и в большем объёме, что ведёт к деформации полупроводниковой подложки в местах контакта меди и кремния. В случае вольфрама подобные дефекты практически отсутствуют.

Стековая компоновка разнородных кристаллов методом компании Novati (сравните верхние TSVs каналы с «сеткой» вольфрамовых микроканалов в толще сборки)

Стековая компоновка разнородных кристаллов методом компании Novati (сравните верхние TSVs каналы с «сеткой» вольфрамовых микроканалов в толще сборки)

Увеличение плотности вертикальных каналов в 60 раз дало возможность перенести большинство соединительных цепей из горизонтального положения в вертикальное. Разводка стала намного проще, что помогло сократить число таких промежуточных узлов, как буферы и драйверы. Как результат, скорость передачи выросла до 8 Тбит/с, а энергопотребление снизилось, как и освободилась полезная площадь на кристаллах. Подобный тип соединений, уверены в Novati, намного прогрессивнее, чем в случае упаковки для HBM и HMC. Метод упаковки Novati, кстати, называется Di3D (Dis-Integrated 3D) — «дезинтегрированный». Компания предлагает дробить разнородные кристаллы на уникальные блоки (слои) и соединять их заново и по-новому.

Micron выпустит третье поколение Hybrid Memory Cube в следующем году

Компания Micron Technology, по сообщениям из зарубежных источников, ведёт активные работы над третьим поколением перспективной технологии многослойной памяти, в терминах разработчика — Hybrid Memory Cube (HMC). Ожидается, что она будет представлена миру уже в 2016 году. Если у Micron получится нарастить пропускную способность вдвое по сравнению с теперешними 15 Гбит/с на вывод, то новое поколение HMC станет самой быстрой многослойной памятью в индустрии.

Технология Micron HMC использует систему специальных вертикальных соединений под названием TSV (Through-Silicon Via). Она служит для электрического соединения отдельных кристаллов DRAM между собой и с базовой логикой. В настоящее время компания предлагает своим клиентам «кубы» ёмкостью 2 и 4 Гбайт, в основе которых лежат кристаллы ёмкостью 4 Гбит. Пропускная способность целого чипа может достигать 160 Гбайт/с. Технология HMC конкурирует с HBM, но вместо сверхширокого интерфейса использует 16-битный последовательный канал, работающий на очень высокой частоте.  К сожалению, деталей о третьем поколении Micron HMC крайне мало. Известно только то, что компания-разработчик намеревается повысить как плотность упаковки, так и производительность этого типа памяти.

В настоящее время память HMC поддерживается рядом специализированных микропроцессоров, а кроме того, именно этот тип памяти будет использоваться в новом поколении сопроцессоров Intel Xeon Phi под кодовым именем «Knights Landing». HMC очень важна для Micron, поскольку, будучи единственным производителем такой памяти, компания сможет контролировать цены на неё. Но в случае ценовых разногласий многие разработчики систем, требующих высокой пропускной способности подсистемы памяти, могут обратиться к конкурирующей технологии — HBM, несмотря на ряд преимуществ, предлагаемых HMC. Похоже, на рынке высокоскоростной памяти в 2016 году будет весьма горячо.

Принята вторая версия стандарта Hybrid Memory Cube

Так исторически сложилось, что процессоры развивались быстрее, чем совершенствовался интерфейс памяти. В итоге отрасль упёрлась в так называемую «стену памяти» (memory wall), когда пропускная способность при работе с подсистемой памяти стала отставать от скорости запроса процессора к данным в ОЗУ. В феврале 2011 года компания Micron предложила «пробить стену памяти» с помощью переноса контроллера памяти в микросхему памяти. При этом саму память также следовало видоизменить, значительно расширив ширину шины данных. Значительно! Комитет JEDEC назвал такую память High Bandwidth Memory (HBM), а компания Micron — Hybrid Memory Cube (HMC), хотя обе версии — это фактически одно и то же.

Принцип организации памяти Micron HMC: сквозные соединенния и стековая компоновка

Принцип организации памяти Micron HMC: сквозные соединенния и стековая компоновка

По понятным причинам память HMC (HBM) с шиной данных шириной от 1024 бит и выше так просто к процессору не подключить. Поэтому межчиповый интерфейс предложен в виде последовательной шины. Именно этим занят перенесённый в состав микросхемы памяти контроллер памяти. Он преобразует широкополосный доступ к кристаллам памяти в последовательный высокоскоростной канал передачи к процессору (что не исключает необходимость в собственном контроллере памяти в составе процессора). Зато даже в первом поколении микросхем Micron HMC каждая микросхема может передавать в процессор данные со скоростью до 160 Гбайт/с.

Память Microm HMC пропишется в составе ускорителей Intel Xeon Phi образца 2015 года

Память Microm HMC пропишется в составе ускорителей Intel Xeon Phi образца 2015 года

Вторая версия стандарта Hybrid Memory Cube, чистовые спецификации которой были на днях опубликованы на сайте консорциума Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), обещает появление микросхем HMC с максимальной пропускной способностью до 480 Гбайт/с (в зависимости от организации интерфейса). Для этого скорость по одной линии интерфейса HMC увеличена с максимального значения 15 Гбит/с до 30 Гбит/с. В общем случае микросхемы HMC представляют собой четыре вертикально уложенные друг на друга кристалла памяти, соединённые с нижним пятым слоем — контроллером — с помощью сквозных вертикальных соединений TSVs. В настоящий момент память HMC поддерживают однокристальные сборки и FPGA-матрицы компании Altera, чипсеты для серверных платформ Fujitsu, а также процессоры Intel Xeon Phi в поколении Knights Landing. В разновидности памяти HBM технология доступа к широкополосной памяти будет поддержана компаниями AMD и NVIDIA. Но это уже другая история.

NVIDIA: Архитектура Pascal и новые техпроцессы удивят, но сейчас время Maxwell

Дженсен Хуанг (Jen-Hsun Huang), исполнительный директор NVIDIA, на этой неделе заявил, что он доволен как архитектурой графических процессоров следующего поколения Pascal, так и будущими технологическими процессами, которые будут использованы для производства GPU. Тем не менее, глава NVIDIA подчеркнул, что текущее поколение процессоров Maxwell только начинает свой путь на рынке.

«У нас есть много отличных сюрпризов для вас, ребята, и я в восторге от следующего поколения наших графических процессоров», — сказал Дженсен Хуанг во время ежеквартальной телефонной конференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.  «Но сейчас время развивать линейку Maxwell, мы находимся в начале нового продуктового цикла».

NVIDIA GeForce GTX 980

NVIDIA GeForce GTX 980 "Maxwell"

Графические процессоры на базе архитектуры Maxwell в настоящее время используются на потребительских графических картах GeForce GTX 750, 750 Ti, 970 и 980. NVIDIA планирует представить профессиональные графические адаптеры Quadro, а также ускорители для суперкомпьютеров Tesla на базе чипов поколения Maxwell в следующем году.

В настоящее время на рынке существуют только два графических процессора на базе архитектуры Maxwell — GM107 и GM204. Как ожидается, NVIDIA представит ещё два чипа на основе данной архитектуры в ближайшие кварталы. Считается, что самым мощным графическим процессором линейки Maxwell станет чип, известный под кодовым названием GM200. Именно этот GPU будет использован для наиболее производительных решений для игрового (GeForce), профессионального (Quadro) и специализированного (Tesla) применения.

Перспективный план NVIDIA

Перспективный план NVIDIA

Графические процессоры NVIDIA следующего поколения известны под кодовым именем Pascal и, согласно перспективному плану обнародованному в марте этого года, появятся на рынке где-то в 2016 году. Чипы на базе архитектуры Pascal будут поддерживать многослойную память с высокой пропускной способностью (stacked DRAM по классификации NVIDIA, конкретный тип — SK Hynix high-bandwidth memory (HBM) или Micron hybrid memory cube (HMC) — неизвестен), унифицированное адресное пространство памяти для CPU и GPU, шину NVLink для связи с CPU и GPU в системах для суперкомпьютерных вычислений, а также целый ряд новых графических, вычислительных и мультимедийных функций, которые будут поддерживаться DirectX 12, OpenGL 5 и другими будущими программными интерфейсами (application programming interface, API).

Прототип процессорного модуля на базе GPU c архитектурой Pascal с многослойной памятью

Прототип процессорного модуля на базе GPU архитектуры Pascal с многослойной памятью

Принимая во внимание совокупность сообщений об архитектуре Pascal, новое поколение GPU NVIDIA станет следующим по-настоящему важным шагом в эволюции графических процессоров, поскольку будет не только увеличивать энергоэффективность и производительность, но также поддерживать совершенно новый тип памяти и ряд новых функций. В 2016 году мониторы со разрешениями 4K (3840х2160, 4096х2160) и 5K (5120х2160) получат существенное распространение среди любителей игр. Как следствие, увеличенная вычислительная производительность GPU Pascal, а также экстремальная пропускная способность памяти типа HBM или HMC (мы говорим здесь о величинах вроде 1 Тбайт/с или даже 2 Тбайт/с для одного GPU) придутся как нельзя кстати.

Преимущества многослойной памяти с высокой пропускной способностью

Преимущества многослойной памяти с высокой пропускной способностью

Учитывая сроки появления процессоров Pascal на рынке, логично предположить, что они будут производиться по улучшенной технологии 16 нм с транзисторами с вертикально расположенным затвором (16nm FinFET+) на мощностях Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC). Хотя Дженсен Хуанг не подтвердил каких-либо данных о GPU поколения Pascal, он сказал, что доволен будущими техпроцессами своих производственных партнёров.

«Мы в восторге от [технологического процесса] следующего поколения с FinFET транзисторами», — сказал господин Хуанг. «Я доволен следующими двумя поколениями технологий производства полупроводников, я уверен в них».

Хотя графические процессоры Pascal, память типа HBM и HMC, а также 16-нм техпроцесс с транзисторами с вертикально расположенным затвором явно указывают на революционные изменения на рынке графических адаптеров в 2016 году, с точки зрения пользователя-практика гораздо интереснее узнать о ближайшем чипе NVIDIA, GM200. Последний станет сердцем новых графических карт линейки GeForce GTX Titan. К сожалению, подробностями о ближайшем поколении решений с экстремальной производительностью и ценой глава NVIDIA не поделился. Даже несмотря на то, что сейчас — время Maxwell.

Инновационная память Hybrid Memory Cube станет доступна в 2015 году

Компания Micron Technology начнёт поставки памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для коммерческого использования в первом квартале 2015 года.

HMC — это многослойные модули, состоящие из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. При изготовлении чипов применяется технология Through Silicon Via (TSV), предусматривающей формирование медных каналов в многоуровневой структуре, выполняющих функции проводников.

В изделиях Micron TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу, и предоставляют высокий уровень параллельных связей. По заявлениям разработчиков, по сравнению с DDR3 память HMC предоставляет 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70 % энергопотреблении. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз. Если сравнивать с новой памятью DDR4, то общая пропускная способность HMC оказывается в пять раз выше при существенно меньшем потреблении энергии.

Доступ к памяти осуществляется по новому высокоэффективному интерфейсу со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.

В настоящее время Micron поставляет тестовые образцы Hybrid Memory Cube ёмкостью 4 и 8 Гбайт компаниям, занимающимся разработкой серверных платформ и микропроцессоров. Ожидается, что поначалу память нового типа будет использоваться прежде всего в высокопроизводительных вычислительных системах. Затем она найдёт применение в потребительских устройствах, в том числе портативных и настольных компьютерах. 

Пропускная способность инновационной памяти HMC вырастет в полтора раза

Организация Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) выпустила черновую версию спецификации HMC Gen2 для инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC).

Напомним, что архитектура HMC основана на методике TSV (through-silicon vias), предусматривающей формирование многослойных чипов с медными каналами в их структуре, выполняющими функции проводников. В HMC-модулях TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу и предоставляют высокий уровень параллельных связей. Утверждается, что по сравнению с DDR3 память HMC обеспечивает 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70% энергопотреблении и экономии пространства на 90%.

Первая версия спецификации HMC была опубликована в апреле 2013 года. В соответствии с ней HMC использует каналы из 16 или 8 полнодуплексных дифференциальных последовательных линий, каждая из которых работает со скоростью в 10, 12,5 или 15 Гбит/с. Таким образом, канал из 16 линий, работающих на 10 Гбит/с, имеет пропускную способность в 40 Гбайт/с (20 Гбайт/с на приём и 20 Гбайт/с на передачу).

Спецификация HMC Gen2 предусматривает увеличение скорости передачи данных. Каждая линия сможет обеспечивать пропускную способность до 30 Гбит/с. Публикация финальной версии спецификации намечена на середину нынешнего года.

Отметим, что образцы памяти Hybrid Memory Cube в виде изделий ёмкостью 2 Гбайт уже предлагает компания Micron Technology. Они состоят из четырёх уложенных друг на друга 4-гигабитных модулей, а пропускная способность достигает 160 Гбайт/с.

В консорциум HMCC, помимо Micron, входят такие компании, как Altera, ARM, IBM, Open-Silicon, Samsung, SK hynix и Xilinx. 

Micron начинает поставки первых в мире образцов памяти Hybrid Memory Cube

Компания Micron Technology сообщила о начале отгрузок первых в мире инженерных образцов чипов памяти Hybrid Memory Cube (HMC), доступных ведущим заказчикам.

Фактически HMC — это революционная технология, полностью меняющая парадигму современных архитектур. Платформа основана на методике TSV (through-silicon vias), предусматривающей формирование многослойных чипов с медными каналами в их структуре, выполняющими функции проводников.

В изделиях Micron TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу и предоставляют высокий уровень параллельных связей. Утверждается, что по сравнению с DDR3 память HMC предоставляет 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70% энергопотреблении и экономии пространства на 90%. Доступ к памяти осуществляется по новому высокоэффективному интерфейсу со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.

Сейчас Micron распространяет изделия Hybrid Memory Cube ёмкостью 2 Гбайт: они состоят из четырёх уложенных друг на друга 4-гигабитных модулей. Заявленная пропускная способность чипа достигает 160 Гбайт/с. В начале 2014-го появится модификация HMC объёмом 4 Гбайт. Массовое производство обоих решений намечено на следующий год.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новый анимационный фильм по мотивам Super Mario Bros. обзавёлся звёздным актёрским составом и сроками премьеры 25 мин.
Приключенческий экшен-платформер Kirby and the Forgotten Land отправит Кирби в загадочный трёхмерный мир 57 мин.
Оригинальная Dying Light и правда дебютирует на Switch в октябре, а сиквел получит облачную версию 2 ч.
Создатели тактической Project Triangle Strategy определились с названием и датой релиза игры 3 ч.
Switch-версия Star Wars: Knights of the Old Republic поступит в продажу 11 ноября 3 ч.
К Monster Hunter Rise анонсировали «монструозное» дополнение Sunbreak — оно выйдет одновременно на PC и Switch 3 ч.
Ролевой детектив Disco Elysium доберётся до Nintendo Switch к середине октября 3 ч.
В Easy Anti-Cheat от Epic Games появилась поддержка Linux и macOS — это хорошие новости для Steam Deck 4 ч.
Представителя Facebook допросят в сенате США в связи с данными об опасности Instagram для детей 4 ч.
Блогеры в Twitter теперь могут получать донаты в биткоинах 5 ч.
Apple раскритиковала желание ЕС сделать USB Type-C единым стандартом для зарядки — это якобы навредит инновациям и увеличит отходы 25 мин.
AMD захватила 16 % рынка серверных процессоров — это рекорд для компании 41 мин.
Innodisk представила накопители с интерфейсом PCIe 4.0 для платформ 5G и AIoT 2 ч.
Власти Сан-Франциско: Tesla вводит водителей в заблуждение названием своего автопилота 2 ч.
«Роскосмос» объявил тендер на исследования, связанные с подготовкой пилотируемых полётов к Луне — под это выделено 1,7 млрд рублей 3 ч.
BitFenix представила корпуса серии Prodigy M 2022 для компактных компьютеров 3 ч.
Kioxia представила прототип SSD с интерфейсом PCIe 5.0 и скоростью чтения до 14 000 Мбайт/с 4 ч.
Razer представила гарнитуру Kaira X для игровых консолей 4 ч.
Власти США готовы расширять санкции против Huawei при наличии необходимости 4 ч.
Продажи машин с ДВС в Норвегии могут приблизиться к нулю уже в апреле 2022 года 5 ч.