Теги → hynix semiconductor
Быстрый переход

SK Hynix в три раза увеличила операционную прибыль благодаря пандемии коронавируса

Производители памяти оказались в выгодной ситуации в период зарождения и в первые кварталы распространения коронавируса SARS-CoV-2. Карантин, самоизоляция и удалённая работа привели к повышенному спросу на удалённые вычислительные платформы и к росту потребления компьютерной памяти. Компания SK Hynix, как выяснилось в ходе квартального отчёта, смогла за год в три раза увеличить квартальную операционную прибыль.

Согласно опубликованному сегодня утром квартальному отчёту SK Hynix, во втором календарном квартале 2020 года компания выручила 8,607 трлн вон ($7,2 млрд). Её операционная прибыль составила 1,947 трлн вон ($1,63 млрд), а чистая прибыль ― 1,264 трлн вон ($1,06 млрд). Вызванная коронавирусом неопределённость бизнес-среды не помешала SK Hynix последовательно (за квартал) увеличить выручку на 20 %, а операционную прибыль на 143 %. За год квартальная операционная прибыль и вовсе утроилась.

Отметим, улучшить финансовые показатели компании SK Hynix помог не только коронавирус, но также увеличение выхода годной продукции (снижение уровня брака при производстве памяти) и сопутствующее снижение себестоимости.

Слабый спрос на память для смартфонов был с лихвой компенсирован высоким спросом на серверную и графическую память. Рост объёмов выпуска DRAM компании во втором квартале составил 2 % в пересчёте не ёмкость и при этом зафиксирован рост на 15 % средней цены продажи памяти.

В области производства флеш-памяти NAND объёмы выпуска в пересчёте на биты выросли на 5 %, а средняя цена продажи выросла на 8 %. Также компания сообщает о достижении рекордного результата: впервые бизнес по выпуску фирменных SSD SK Hynix принёс более 50 % выручки на направлении производства NAND-флеш и продуктов на её основе.

Финансовые показатели SK Hynix за второй квартал 2020 года

Финансовые показатели SK Hynix за второй квартал 2020 года

Во второй половине года компания ожидает сохранение неопределённости из-за коронавируса и торговых войн, но выход новых консолей и распространение сетей 5G вселяет в неё уверенность в неплохом раскладе для бизнеса по выпуску памяти.

Производственные планы SK Hynix предусматривают расширение поставок мобильной DRAM класса 10 нм, включая самую передовую LPDDR5 DRAM. В области серверной памяти компания намерена предложить модули ёмкостью свыше 64 Гбайт, чему поможет дальнейший переход на выпуск чипов DRAM с нормами класса 10 нм поколения 1Znm. При производстве чипов NAND компания будет смещать акцент на 128-слойные чипы 3D NAND, что положительно скажется на доходности. В целом SK Hynix излучает оптимизм. Посмотрим, как оно будет на самом деле.

SK Hynix активно работает над собственной EUV-технологией выпуска памяти

Переход на литографический выпуск памяти с использованием сканеров диапазона EUV обещает снизить себестоимость производства, но сам процесс перехода связан с возникновением массы технологических проблем. Эти проблемы в целом решили инженеры Samsung. Компания SK Hynix выглядит отстающей в этом процессе, но обещает приступить к использованию сканеров EUV при производстве чипов DRAM в течение следующего года.

Вид на строительство завода M16 компании SK Hynix

Вид на строительство завода M16 компании SK Hynix

Как сообщают южнокорейские источники, для ускорения проработки всех аспектов, связанных с использованием сканеров EUV при производстве памяти, в компании SK Hynix некоторое время назад создана специальная рабочая группа TF EUV (task force EUV). Возглавил группу вице-президент компании Юнг Тэ-Ву (Jung Tae-woo), специальностью которого является литографическое производство полупроводников. Именно ему приписывается успех в разработке DRAM 10-нм класса. Ему же поручено создать техпроцесс выпуска памяти с использованием EUV-техпроцесса.

Согласно ранее обнародованным планам компании, первыми с использованием сканеров EUV с длиной волны 13,5 нм будут выпускаться чипы DRAM с нормами 1α (альфа) нм. Вероятно, это будут условно честные 13 или 14 нм применительно к шагу линий-проводников на кристалле. Для выпуска памяти с использованием EUV-сканеров компания готовит производственную линию на строящемся в Ичхоне заводе M16. Это предприятие должно быть введено в строй в первой половине следующего года и, по всей видимости, первым начнёт выпускать память SK Hynix с помощью EUV-литографии.

По мнению экспертов, хотя SK Hynix отстаёт от Samsung в использовании сканеров EUV, у неё есть потенциал, знания и опыт, чтобы быстро внедрить новую технологию производства памяти и не слишком отстать от конкурента. Кроме того, материнская компания SK Group активно скупает производителей сырья для EUV-производства в стране и в ближнем зарубежье, чтобы обеспечить SK Hynix бесперебойную поставку сырья и материалов в условиях нестабильных рынков.

SK Hynix начала массовое производство самых скоростных чипов памяти HBM2E

Менее года понадобилось компании SK Hynix, чтобы перейти от этапа завершения разработки памяти HBM2E к началу её массового производства. Но главное даже не эта поразительная оперативность, а уникальные скоростные характеристики новых чипов HBM2E. Пропускная способность микросхем HBM2E SK Hynix достигает 460 Гбайт/с на каждую микросхему, что на 50 Гбайт/с превышает прежние показатели.

Значительный рывок производительности памяти типа HBM должен произойти при переходе на память третьего поколения или HBM3. Тогда скорость обмена поднимется до 820 Гбайт/с. Пока же пробел будут заполнять чипы компании SK Hynix, скорость обмена по каждому выводу которых составляет 3,6 Гбит/с. Каждая такая микросхема собирается из восьми кристаллов (слоёв). Если учесть, что в каждом слое расположен 16-Гбит кристалл, то общая ёмкость новых микросхем составляет 16 Гбайт.

Память с подобным сочетанием характеристик начинает быть востребованной и актуальной для создания решений в сфере машинного обучения и искусственного интеллекта. Она выросла из сферы игровых видеокарт, где в своё время получила старт благодаря видеокартам компании AMD. Сегодня главное назначение памяти HBM ― это высокопроизводительные вычисления и ИИ.

«SK Hynix находится в авангарде технологических инноваций, которые способствуют человеческой цивилизации благодаря достижениям, в том числе первой в мире разработке продуктов HBM», ― сказал Чонхун О (Jonghoon Oh), исполнительный вице-президент и директор по маркетингу (CMO) в SK Hynix. «Благодаря полномасштабному серийному производству HBM2E мы продолжим укреплять свое присутствие на рынке памяти премиум-класса и возглавим четвертую промышленную революцию».

До конца квартала SK Hynix начнёт выпускать 128-слойную 3D NAND

Из-за пандемии коронавируса мировая экономика висит на волоске. Несмотря на беспрецедентную неопределённость, производитель памяти компания SK Hynix решила сохранить ранее запланированный на этот год объём капитальных затрат. Новый завод по выпуску памяти будет завершён, производство третьего поколения 10-нм памяти DRAM будет внедрено и расширено, а в текущем квартале компания начнёт выпуск 128-слойной 3D NAND.

Все вышеперечисленные планы и другие решения компания SK Hynix озвучила сегодня утром на отчётной квартальной конференции, посвящённой работе в первом квартале 2020 календарного года. В целом первые три месяца нового года стали для компании благоприятным временем для работы, хотя последствия вспышки коронавируса себя уже проявили в полный рост. Выручка компании за отчётный квартал достигла 7,2 трлн вон ($5,84 млрд), операционная прибыль составила 800 млрд вон ($648,73 млн), а чистая прибыль равнялась 649 млрд вон ($526,28 млн).

Несмотря на разыгравшуюся в мире пандемию коронавируса SARS-CoV-2, выручка и операционная прибыль за первый квартал в последовательном поквартальном сравнении увеличились на 4 % и 239 % соответственно. Положительную роль в этом сыграл взметнувшийся ввысь спрос на серверную память DRAM и серверные SSD-накопители. Карантин и самоизоляция граждан во всём мире потребовали увеличения мощностей для удовлетворения возросшего спроса на удалённые ресурсы и, следовательно, породили спрос на память и накопители.

Возросший спрос на серверные модули памяти компенсировал слабый спрос на память для мобильных устройств. Компенсация оказалась настолько серьёзной, что в её свете померк даже традиционно вялый сезонный спрос в этот период. Так, за квартал поставки DRAM в пересчёте на ёмкость сократились на 4 %, а средняя цена продажи выросла на 3 %. С флеш-памятью ещё лучше: поставки в битах выросли на 12 %, как и выросла на 7 % средняя цена продажи.

Впрочем, перспективы пугают даже SK Hynix. Компания предупредила, что ожидает сильнейшую неопределённость в экономике, если пандемия коронавируса затянется. Может произойти что угодно вплоть до нарушения производственной деятельности компании.

В то же время SK Hynix намерена придерживаться ранее утверждённого инвестиционного плана на текущий год. Чистая комната на новом заводе M16 для выпуска памяти будет подготовлена в конце текущего года. Также компания продолжит перевод части производственных линий по выпуску DRAM на выпуск датчиков изображения CMOS. Выпуск планарной NAND-флеш продолжит снижаться, а её место будет занимать память 3D NAND.

В сфере выпуска памяти DRAM компания намерена удовлетворять спрос на серверные модули памяти объёмом свыше 64 Гбайт. Продажи мобильной памяти поколения 1Ynm будут расширяться (второе поколение 10-нм техпроцесса). Во второй половине года будет начато производство третьего поколения 10-нм памяти DRAM для ПК и серверов. Планируется масштабный выпуск памяти GDDR6 и HBM2E.

Финансовые показатели SK Hynix в первом квартале 2020 года

Финансовые показатели SK Hynix в первом квартале 2020 года

В сфере выпуска NAND-продукции ожидается рост объёмов производства 96-слойной 3D NAND. В течение второго квартала компания начнёт массовое производство 128-слойной 3D NAND. Доля от продаж SSD компании продолжит расти и уже достигла в первом квартале 40 % среди продаж всей её флеш-продукции.

Планов много. Компания как может, организует работу в условиях пандемии. Восстанавливаются и корректируются цепочки поставок. Будущее не сулит много хорошего, но к его встрече SK Hynix готова.

SK Hynix ожидает дефицита памяти DRAM и планирует ускорить ввод нового завода

Пандемия коронавируса SARS-CoV-2 и вызванная ею изоляция граждан увеличили нагрузки на центры по обработке данных и удалённые сервисы. Возникла насущная потребность в расширении мощностей и в комплектации серверов. В частности, ожидается рост спроса на память DRAM. Замершие было инвестиции в отрасль вновь готовы политься рекой и встретить дефицит памяти достойным предложением.

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

Глава SK Group Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

По данным южнокорейских источников, компания SK Hynix рассматривает два шага для увеличения объёмов выпуска памяти DRAM в ближайшем будущем. Во-первых, завод компании в Китае в городе Уси может быть оснащён новыми производственными линиями для выпуска чипов DRAM. Во-вторых, ввод в строй новейшего и огромного предприятия M16 в южнокорейском городе Ичхон может быть ускорен. Тем самым суммарный объём ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин с памятью DRAM на заводах SK Hynix может быть увеличен ещё на 40–50 тыс. подложек. Это примерно 5 % от общемирового рынка памяти.

Первоначально завод M16 планировалось ввести в эксплуатацию в октябре 2020 года. Но в 2019 году в связи с продолжительным снижением цен на память инвестиции в отрасль были снижены и процесс строительства оказался растянутым во времени. Согласно последним планам, предприятие M16 должно начать работу в 2021 году. В связи с возможным ростом спроса на память из-за пандемии компания начала рассматривать вариант ускоренного ввода завода M16 в эксплуатацию. Это будет выражено в том, что закупки производственного оборудования могут начаться раньше. Не в январе или феврале 2021 года, как было запланировано, а уже нынешней осенью.

Что касается завода компании в Уси, то на этом предприятии есть свободные помещения, в которых можно развернуть дополнительные производственные мощности. Если руководство SK Hynix придёт к договорённости, то завоз новых линий на китайское предприятие компании может начаться летом. На эти цели потребуется $2,65 млрд.

Строительная площадка завода M16

Строительная площадка завода M16

Общие инвестиции в завод M16 в Ичхоне составят свыше $13 млрд. На этом предприятии будет выпускаться самая передовая память DRAM с техпроцессом класса 10 нм с использованием сканеров EUV. Сейчас SK Hynix спешит закупить производственное оборудование, поскольку карантинные меры могут привести к проблемам в цепочках поставок. Одновременно это даст возможность ускорить его развёртывание, если вдруг на горизонте замаячит угроза дефицита памяти.

Коронавирус вплотную подобрался к южнокорейскому заводу SK Hynix

Коронавирус вышел за пределы Китая. Более того, он близко подобрался к одному из южнокорейских заводов компании SK Hynix по выпуску микросхем оперативной памяти DRAM. Во избежание риска распространения инфекции компания вынуждена была ввести карантин в учебных корпусах при заводе в Ичхоне.

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Как сообщает интернет-ресурс ZDNet, компания SK Hynix закрыла ряд своих учреждений и попросила работников этих заведений оставаться дома на карантине. Сделано это по той причине, что один из сотрудников находился в тесном контакте с пациентом, у которого выявлен коронавирус. Первые тесты показали заражение этого сотрудника, и сейчас он проходит второй раунд тестирования для подтверждения инфицирования.

На карантин отправлены 800 сотрудников SK Hynix. К счастью, это пока не повлияло на работу завода компании в Ичхоне, рядом с которым произошло заражение. Все сотрудники, отправленные на карантин, это либо новые работники на стадии обучения, либо обучающий персонал, а также работники больницы на территории кампуса. Закрыты только больница, там был выявлен ещё один сотрудник компании с признаками пневмонии, и учебные корпуса. Производственные цеха с 18 000 постоянными работниками SK Hynix, где выпускается память типа DRAM, продолжают работать в обычном режиме.

В Южной Корее коронавирус резко ускорил распространение во вторник, когда было объявлено о 31 подтверждённом случае заражения. Число заразившихся новой инфекцией в стране достигло 82 человек. Это тревожная тенденция. Корея ― это критически важное государство для мира компьютеров и не только. В ней сосредоточено почти 80 % производства памяти. С учётом высочайшей автоматизации вряд ли это производство будет остановлено полностью. Слабым звеном, скорее всего, могут стать каналы поставок сырья и транспорт. Очень хотелось бы этого избежать.

SK Hynix будет по-новому строить чипы с вертикальным расположением кристаллов

Многокристальные упаковки чипов доказали свою перспективность и намерены развиваться дальше. Одним из таких путей развития станет увеличение числа контактов между уровнями в многокристальном стеке. Это увеличит скорость обмена, функциональность и гибкость «многоэтажных» сборок, на что решил сделать ставку производитель памяти, компания SK Hynix.

Как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, компания SK Hynix подписала широкое лицензионное соглашение с компанией Xperi. В числе прочего SK Hynix лицензировала технологию межкристальных соединений 2.5D/3D для пространственной сборки кристаллов в единую конструкцию. Это технология DBI Ultra, созданная внутри дочернего подразделения Xperi группы Invensas.

3D-стек матрицы Sony CIS на логику в сборке IMX260 с помощью DBI

3D-стек матрицы Sony CIS на логику в сборке IMX260 с помощью DBI

От себя добавим, что технологию DBI (Direct Bond Interconnect) в 2000 году предложил профессор Токийского Университета Тадамото Суга (Tadatomo Suga). Впоследствии она кочевала от собственника к собственнику и осела в руках компании Xperi с улучшениями, внесёнными командой Invensas. Технологию DBI, например, использует Sony для прямого монтажа на кристалл логики кристалла матрицы изображения (пример см. выше). На изображении вы можете видеть совмещение медных контактов после температурной обработки, в ходе которой верхний и нижний кристаллы были соединены механически и электрически без дополнительных элементов припоя и других соединительных элементов.

Технология межкристального соединения DBI Ultra позволяет создать на одном мм2 до 1 млн соединений, тогда как связь обычными контактами даёт только до 625 соединений на мм2. При этом толщину каждого слоя можно уменьшить в два раза. Это означает, что стек из 16 кристаллов, соединённых с помощью технологии DBI Ultra, будет такой же толщины, как стек из 8 кристаллов, соединённых обычной технологией связи.

Очевидно, компания SK Hynix с использованием технологии DBI Ultra будет выпускать новые поколения памяти HBM или даже оперативной памяти с лучшими характеристиками. Этот производитель также нацелен на выпуск матриц изображения, которым для дальнейшей интеграции тоже понадобится технология с более плотным размещением межчиповых связей. Наконец, область ИИ привлекает SK Hynix не меньше остальных, а это — гибридные многокристальные сборки, включая выпуск решений с процессорами, графическими ядрами, ASIC, SoC и ПЛИС. Для всего этого технология DBI Ultra подходит очень хорошо.

Вкратце о технологии DBI Ultra можно сказать следующее. Медные контакты для связи уровней формируются на этапе, близком к завершению обработки слоёв с помощью активации кристаллов плазмой. Затем после порезки на кристаллы происходит склейка кристаллов контактами друг к другу. При этом кристаллы разделены тончайшей диэлектрической плёнкой. На этом этапе происходит спекание кремниевых подложек при относительно низкой температуре до 250 °C. На следующем этапе при температуре до 400 °C происходит спекание медных контактов. Собственно, поэтому данная технология также называется гибридной (соединяются металл-металл и полупроводник-полупрводник).

В четвёртом квартале SK Hynix впервые за долгое время понесла убытки

Год 2019-й оказался для производителей памяти временем испытаний. Память подешевела так сильно, что приходится говорить об убытках, а не о прибыли. Так, несмотря на все ухищрения, впервые за долгое время о получении квартальных убытков сообщила компания SK Hynix.

Из опубликованного сегодня квартального отчёта южнокорейской компании SK Hynix следует, что за весь прошедший 2019 год выручка достигла 26,99 трлн южнокорейских вон ($22,72 млрд). При этом операционная прибыль компании составила 2,71 трлн вон ($2,28 млрд), а чистая прибыль равнялась 2,02 трлн вон ($1,7 млрд). Операционная рентабельность за этот период была 10 %, а чистая рентабельность ― 7 %.

Если мы сравним полученные в 2019 году показателями с результатами 2018 года, когда память была ещё в цене, то увидим катастрофическое снижение по всем пунктам. Так, операционная рентабельность в 2018 году составляла 52 %, что тогда привело к получению значительных сумм по выручке и прибыли (см. таблицу ниже). Снижение спроса и цен на память привело к тому, что в 2019 году выручка SK Hynix за год сократилась на 33 %, операционная прибыль упала на 87 %, и на 87 % снизилась чистая прибыль.

Экономическая ситуация в мире в 2019 году оказалась хуже прогнозируемой, сообщает нам компания. В течение этого года SK Hynix снижала объёмы производства и экономила на капитальных затратах, но это не помогло. Спрос со стороны клиентов был на крайне низком уровне, хотя цены на память продолжали снижаться.

Выручка компании в четвёртом квартале составила 6,93 трлн вон ($5,83 млрд). Компании удалось увеличить рост выручки за квартал на 1 %. Тем не менее, операционная рентабельность в четвёртом квартале упала до 3 %. От этого операционная прибыль снизилась до 236 млрд вон ($198,7 млн), а чистая квартальная прибыль и вовсе ушла в минус на 118 млрд вон ($99,35 млн). По сравнению с аналогичным кварталом 2018 года квартальная операционная прибыль упала на 95 %, а выручка снизилась на 30 %.

В течение четвёртого квартала SK Hynix нарастила выпуск памяти DRAM на 8 % в пересчёте на ёмкость. Но за это же время средняя цена продажи микросхем упала на 7 %. Объёмы поставок NAND компании за квартал увеличились на 10 % и, к счастью для SK Hynix, за это время средняя цена продаж чипов не изменилась.

Чтобы в дальнейшем улучшить свои финансовые показатели, компания обещает осторожно планировать объёмы производства и инвестиции в новые технологии. Впрочем, совершенствование техпроцессов продолжится, что обещает со временем снизить производственные издержки. В частности, SK Hynix планирует нарастить долю выпуска памяти DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса (1Ynm) и начать выпуск памяти с использованием третьего поколения техпроцесса (1Znm). Также она сосредоточится на перспективных типах памяти, например, на выпуске микросхем LPDDR5.

В сфере производства 3D NAND компания будет наращивать долю выпуска 96-слойных микросхем и приступит к массовому производству 128-слойной 3D NAND. Помимо этого SK Hynix собирается увеличить объёмы производства SSD-накопителей на своей памяти, чему мы будем только рады.

SK Hynix готова к поставкам инженерных образцов 1-Тбит 128-слойных чипов памяти 3D NAND TLC

В июне компания SK Hynix сообщила о завершении разработки первых в мире 128-слойных 1-Тбит чипов памяти 3D NAND TLC и о начале массового производства этих микросхем памяти. К сегодняшнему дню компания подготовилась к поставкам инженерных образцов новейшей продукции как в виде отдельных микросхем для сторонних производителей твердотельных накопителей, так и в виде готовых к использованию фирменных накопителей для смартфонов, компьютеров и серверов. Поставки всего перечисленного SK Hynix начнёт до конца текущего месяца, что будет происходить с опережением графика.

Производители смартфонов получат от SK Hynix однокорпусные SSD с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом 1 Тбайт. Толщина сборки составит всего 1 мм, что будет с энтузиазмом воспринято производителями тонких флагманских смартфонов. Ранее 1-Тбайт сборки создавались из 512-Гбит кристаллов, теперь их понадобится в два раза меньше. Без этого, уверены в компании, невозможно было создать однокорпусный накопитель рекордно небольшой толщины.

В коммерческой продукции 1-Тбайт UFS 3.1 накопители SK Hynix появятся во второй половине нового года. Это будут одни из самых энергоэффективных и быстрых решений. Например, адаптация технологии Write Booster в два раза ускорит последовательную запись на накопители SK Hynix. Фильм объёмом 15 Гбайт будет загружен всего за 20 секунд. Это станет важным подспорьем для работы в сетях 5G.

Для OEM-производителей мобильных ПК на основе 128-слойной 1-Тбит 3D NAND TLC будет создан 2-Тбайт SSD с высочайшей в индустрии энергоэффективностью. Так, если 2-Тбайт модель на 96-слойной памяти потребляла 6 Вт, то потребление 2-Тбайт модели SSD на новой 1-Тбит 128-слойной памяти составляет всего 3 Вт. Коммерческие поставки таких накопителей на фирменном контроллере SK Hynix и с фирменной прошивкой начнутся в первой половине нового года. Эти SSD будут вооружены шиной PCIe 3.0 и обеспечат последовательную скорость передачи данных на уровне 1200 Мбайт/с с питанием 1,2 В.

Серийные поставки серверных SSD в формфакторе E1.L объёмом 16 Тбайт на новых 1-Тбайт 128-слойных микросхемах компания начнёт во второй половине нового года. Данные накопители также будут опираться на фирменные контроллер и прошивку SK Hynix. Заявленные устоявшиеся скорости чтения будут достигать 3400 Мбайт/с, а скорости записи ― 3000 Мбайт/с. Обещана поддержка протокола NVMe 1.4.

В заключение добавим, что рекорд плотности записи 3D NAND по-прежнему принадлежит компании Toshiba (1,33 Тбит в 96-слойном исполнении), но он достигнут за счёт записи четырёх бит в каждую ячейку. В этом плане 1-Тбит 128-слойный чип SK Hynix проигрывает конкуренту, но обещает ощутимо большую устойчивость к износу.

SK Hynix в третьем квартале провалила всё что можно

Южнокорейская компания SK Hynix опубликовала информацию о работе в третьем квартале 2019 календарного года, который закончился для неё 30 сентября. Квартальная выручка этого производителя памяти DRAM и NAND показала годовое снижение на 40  %, снижение чистой прибыли составило 89 %, падение квартальной операционной прибыли достигло 93 %, сокращение рентабельности в процентных пунктах произошло на 50 %. Возможно, всё могло оказаться хуже, но пока ― вот так. В третьем квартале возник определённый спрос на память, но он, а также снижение затрат на производство не смог компенсировать падение цен на DRAM и NAND.

В деньгах квартальная выручка SK Hynix за отчётный период составила 6,84 трлн вон ($5,8 млрд). Чистая прибыль компании за квартал равнялась 495 млрд вон ($422 млн), а квартальная операционная прибыль достигла 473 млрд вон ($403 млн). В поквартальном сравнении выручка SK Hynix выросла на 6 % по отношению ко второму кварталу, что, в действительности, отражает возвращение спроса на память, но операционная прибыль в таком же сравнении оказалась на 26 % меньше, а это низкие рыночные цены на память, которые не могут компенсировать производственные затраты производителя.

В последовательном поквартальном сравнении поставки DRAM в пересчёте на ёмкость (биты) выросла на 23 % ― сказывается рост спроса во всех нишах от производства смартфонов до ЦОД. При этом снижение средней цены продажи замедлилось и составило 16 % за квартал. Поставки NAND в отчётном квартале, что интересно, несмотря на растущий спрос снизились на 1 %. Это в компании объясняют тем, что во втором квартале было отгружено больше памяти, чем планировалось ранее. Оба этих манёвра привели к росту средней цены продажи NAND на 4 %. Во втором квартале, напомним, аварийно останавливался завод Toshiba, и SK Hynix воспользовалась этим в своих корыстных целях.

Чтобы вернуть цены на память в приемлемое для производителя русло, компания SK Hynix намерена как сократить объём инвестиций в производство памяти в следующем году, так и перевести часть линий на выпуск датчиков изображений. Так, линии по выпуску 2D NAND на заводе M10 компании в Корее будут выпускать датчики типа CIS. Но внедрению инноваций это не помешает. К концу года компания собирается довести выпуск DRAM по техпроцессу 1Ynm до 10 % и подготовиться для выпуска в следующем году памяти по техпроцессу 1Znm. В дополнение к этому SK Hynix собирается активнее выпускать передовые типы памяти в виде LPDDR5 и HBM2E.

Что касается памяти NAND, то к концу года компания увеличит долю 96-слойной 3D NAND в объёме продукции до более чем 5  % и подготовится к массовому выпуску 128-слойной 3D NAND. Значительная часть микросхем NAND идёт на собственные нужды компании. Так, выручка от продаж фирменных SSD приносит SK Hynix около 30 % продаж в сфере поставок флеш-памяти.

Чем хуже, тем лучше: японские санкции подняли стоимость акций SK Hynix и Samsung

Сегодня компания SK Hynix провела квартальную отчётную конференцию, что привело к неожиданному результату. В компании зафиксировали худшие за три года финансовые показатели по выручке, но это ничуть не расстроило инвесторов. Настроение финансистам немедленно подняло заявление руководства SK Hynix, что японские ограничения на поставку в Южную Корею сырья для выпуска чипов приведут к сокращению производства памяти и других полупроводников. Нетрудно сообразить, что рынок DRAM и NAND и продукции на их основе замер в предвкушении нового роста цен на эти категории товаров. Акции SK Hynix на волне этой новости поднялись в цене на 3 %, а акции Samsung ― на 1 %. Кажется мелочь, но рыночная капитализация SK Hynix сразу выросла почти на $4 млрд.

REUTERS/Lee Jae-Won

REUTERS/Lee Jae-Won

Также в SK Hynix сообщили, что ограничения на поставку сырья из Японии приведут к сокращению компанией инвестиций в действующее производство и в расширение линий по выпуску DRAM и NAND в следующем году. В частности, компания может расширить запланированное сокращение выпуска памяти NAND в четвёртом квартале с 10 % до 15 % и более. Выпуск памяти DRAM тоже может быть сокращён, но точных данных компания не приводит.

Что касается финансовых показателей SK Hynix во втором квартале 2019 календарного года, то выручка компании составила около $5,48 млрд или на 38 % меньше, чем в аналогичный квартал прошлого года. Реальные показатели SK Hynix оказались на 15 % хуже, чем предсказывали аналитики, например, компания Refinitiv. Квартальная операционная прибыль компании за год сократилась на 89 % до $541,9 млн. В поквартальном сравнении выручка и операционная прибыль снизились, соответственно, на 5 % и 53 %. В снижении показателей компания винит более сильное, чем ожидалось падение цен на память и медленное восстановление спроса.

За один квартал поставки памяти DRAM компании во втором квартале выросли на 13 % (в пересчёте на ёмкость), но за это же время средняя цена продажи памяти снизилась на 24 %. Поставки NAND-флеш SK Hynix выросли ещё сильнее ― на 40 % за квартал (также в пересчёте на ёмкость), но средняя цена реализации упала на 25 %. С целью снижения объёмов выпуска DRAM компания запланировала перевод части линия по выпуску памяти на заводе M10 на производство CMOS-датчиков изображения, что произойдёт до конца текущего года. Ожидается также коррекция производственных планов на других предприятиях по выпуску памяти. Для потребителей это может обернуться возвратом к росту цен эту важную продукцию.

На снижение выручки SK Hynix отреагировала планами сократить производство памяти

До момента истины, которым обычно становятся квартальные отчёты, представители и руководство компаний обычно сочатся оптимизмом. Когда настаёт время рассказать о результатах работы в течение очередного отчётного периода, приходится быть честными с инвесторами и журналистами. Компания SK Hynix в этом плане вела себя точно так же. Ещё совсем недавно руководство этого южнокорейского производителя памяти NAND и DRAM уверяло, что для дальнейшего значительного снижения цен на память нет видимых предпосылок. Но уже сегодня во время отчёта о работе в первом квартале 2019 года компания сообщила, что  снижение цен на память оказалось сильнее ожидаемого.

Как заявили в компании, консолидированная выручка за январь-март 2019 года составила 6,77 трлн вон ($5,88 млрд), операционная прибыль достигла значения 1,37 трлн вон ($1,19 млрд), а чистая прибыль равнялась 1,1 трлн вон ($960 млн). Операционная рентабельность производства составила 20 %, а чистая рентабельность ― 16 %. Поскольку падение цен на память оказалось сильнее прогнозируемого значения, а спрос на память не увеличился, выручка и операционная прибыль в первом квартале последовательно (в квартальном сравнении) снизились на 32 % и, соответственно, 69 %. По сравнению с результатами годичной давности эти показатели упали на 22 % и 69 %. Чистая прибыль компании за год сократилась на 65 % и за квартал упала на 68 %. Операционная рентабельность упала более чем вдвое.

SK Hynix

SK Hynix

Сезонный фактор и вялость на рынке серверов привели к снижению средней цены продаж на память на 27 % и к снижению поставок памяти в пересчёте на ёмкость на 8 %. На рынке NAND средняя цена продаж упала на 32 %, а поставки в пересчёте на ёмкость за квартал снизились на 6 %. Снижение выручки от производственной деятельности вынуждают компанию сфокусироваться на технологическом развитии, а не на производственном.

Во-первых, SK Hynix обещает увеличить пропорцию выпуска памяти с использованием техпроцесса 1Xnm. Это первое поколение техпроцесса класса 10 нм. Компания Samsung, кстати, уже переходит на третье поколение производства DRAM с нормами класса 10 нм. Начало поставок памяти производства класса 1Ynm компания SK Hynix планирует начать во второй половине этого года. Преимущественно это будет память для компьютеров и серверов. В частности, обещано сфокусироваться на выпуске серверных модулей памяти объёмом 64 Гбайт.

При производстве NAND-флеш компания собирается ликвидировать выпуск 3D NAND с 36- и 48-слоями как относительно дорогую в производстве. Вместо неё будет увеличена пропорция производства 72-слойной 3D NAND. Память с 96-слоями, которую уже выпускают конкуренты SK Hynix, компания начнёт выпускать во второй половине года. Для решения проблемы с низким спросом и снижением цен полномасштабный запуск в строй нового предприятия по выпуску NAND завода M15 FAB в Корее будет отложен до второй половины года. Это и другие мероприятия «сдерживания» должны снизить общий объём производства пластин с NAND компании на 10 % или сильнее по сравнению с прошлым годом. Компания обещает сконцентрироваться на экономии средств и на улучшении конкурентоспособности.

SK Hynix торжественно открыла в Китае новые линии по производству памяти DRAM

В четверг, 18 апреля, в присутствии партийной верхушки и глав провинции Цзянсу, а также работников консульства Республики Корея исполнительный директор компании SK Hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee) торжественно ввёл в строй новый заводской корпус на производственной площадке компании в Китае. Это завод C2F вблизи города Уси (Wuxi) рядом с предприятием компании C2 Fab. Завод C2 Fab стал первым для SK Hynix, на котором она разместила оборудование для обработки 300-мм кремниевых пластин. На этих пластинах компания начала выпускать в Китае память типа DRAM.

SK Hynix

SK Hynix

Завод в Уси начал выпускать продукцию в 2006 году. По мере совершенствования техпроцессов оборудование становилось всё сложнее и сложнее. Новые сканеры и техпроцессы требовали наращивания инфраструктуры в виде дополнительного оборудования. Тем самым объёмы производства в пересчёте на площадь чистых комнат снижались, и возникла потребность расширить рабочие площади предприятия. Так, в 2016 году возник план построить новый корпус, который впоследствии получил название C2F.

С 2017 по 2018 год включительно инвестиции в C2F составили 950 млрд южнокорейских вон ($790 млн). При этом следует заметить, что в новом корпусе завершены строительство и оборудование только части чистой комнаты. Компания не раскрывает возможности завершённых линий и не уточняет, когда намеревается ввести в строй оставшиеся площади. Можно предполагать, что в текущем году в связи с тенденцией по снижению оптовых цен на DRAM компания SK Hynix приостановит инвестиции в этот проект. Во всяком случае, аналитики ожидают именно такого сценария. Возобновить финансирование проектов по расширению мощностей для выпуска памяти компании планируют не раньше второй половины текущего года или уже в следующем году.

Комплекс C2F выполнен как одиночное здание со сторонами 316 × 180 метров высотой 51 метр на площади 58 000 м2. Здание C2 Fab имеет аналогичные размеры. Предполагается, но точно не известно, что завод C2 может ежемесячно обрабатывать до 130 000 подложек диаметром 300 мм. Можно ожидать, что максимальная мощность нового цеха будет аналогичной или близкой к этому значению.

SK Hynix потратит $107 млрд на строительство четырёх новых заводов для выпуска памяти

Ровно два месяца назад во время церемонии по закладке первого камня в фундамент нового завода M16 в Южной Корее руководство компании SK Hynix сообщило, что разрабатывается план по новым громадным инвестициям в полупроводниковое производство в стране. В общих чертах проект предусматривает строительство суперкластера из четырёх новых заводов недалеко от Сеула. Проект планируется реализовать до 2028 года с примерной суммой инвестиций в объёме $107 млрд. Сейчас компания располагает шестью заводами, предприятие M16 станет седьмым. Тем самым новый план добавит в корону компании ещё четыре жемчужины, которые станут самыми передовыми производствами в мире.

wsj.com

wsj.com

В четверг утром южнокорейское отделение информагентства Reuters доложило, что компания SK Hynix остаётся верна плану по строительству четырёх новых заводов. План якобы передан на рассмотрение местным органам власти, а также местным и зарубежным компаниям, которые готовы выступить потенциальным партнёрами и поставщиками SK Hynix. Несомненно, потребуется колоссальная подготовка инфраструктуры для обеспечения будущих заводов сырьём и ресурсами: электроэнергией и водой. Под будущие заводы планируется отвести 4,5 млн м2. Также компания будет рассчитывать на государственные субсидии и долевое участие партнёров.

Ориентировочно строительство новых заводов по данному проекту компания рассчитывает начать в 2022 году. Очевидно, что это оправданные сроки с точки зрения той огромной подготовительной работы, которую предстоит провести. Поэтому на данном этапе SK Hynix не готова обсуждать объёмы производства и само производство, хотя источник утверждает о планах построить заводы для выпуска памяти типа DRAM.

Открытие стройки завода M16 компании SK Hynix в Южной Корее 19 декабря 2018 года

Открытие стройки завода M16 компании SK Hynix в Южной Корее 19 декабря 2018 года

Впрочем, у этого решения есть две очевидные причины, хотя компания не исключает контрактного производства и выпуска других полупроводников. Во-первых, надо устранять опасность конкуренции с Китаем, который пытается создать национальное производство памяти. Во-вторых, спрос на память DRAM обещает подскочить на волне интереса к сотовой связи нового поколения, на росте интереса к машинному обучению и автономному вождению. Памяти много не бывает!

SK Hynix обещает наращивать выпуск 16-Гбит чипов DDR4 DRAM

  • Продолжавшая дорожать в 2018 году память в целом принесла больше выручки и прибыли, чем в 2017 году.
  • Рост доходов позволил на 50 % увеличить выплаты акционерам по акциям компании.
  • В новом году SK Hynix увеличит выпуск новейшей памяти HBM2 и GDDR6.


Южнокорейский производитель памяти компания SK Hynix опубликовал отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года и в целом за весь календарный год. Выручка за год, операционная прибыль и чистая прибыль за прошедшие 12 месяцев были столь же высоки, как и в 2017 году. Это не должно было стать сюрпризом, поскольку цены на память быстро росли с третьего квартала 2016 года по третий квартал 2018 года. Компания SK Hynix могла воспользоваться ростом цен на память, и она им воспользовалась.

Общая выручка компании за 2018 календарный год достигла 40,45 трлн вон ($35,9 млрд). Операционная прибыль равнялась 20,84 трлн вон ($18,49 млрд), а чистая прибыль ― 15,54 трлн вон ($13,79 млрд). По сравнению с 2017 годом выручка выросла на 34 %, операционная прибыль ― на 52 %, а чистая прибыль ― на 46 %. Операционная рентабельность за год составила 52 %, а чистая рентабельность ― 38 %. За год операционная рентабельность выросла на 6 %, поскольку первую часть 2018 года память продолжала дорожать. Увеличить рентабельность компании SK Hynix помогло также ориентирование на выпуск продуктов с высокой добавленной стоимостью ― это память для серверов и для смартфонов премиального класса.

Во второй половине 2018 года память начала поставляться в избыточных объёмах. Тем самым ландшафт рынка, как отмечают в компании, начал стремительно меняться. Как результат, в четвёртом календарном квартале SK Hynix последовательно снизила выручку на 13 % ― до 9,94 трлн вон ($8,82 млрд). Операционная прибыль за квартал упала до 4,43 трлн вон ($3,93 млрд) или на 32 %, а операционная рентабельность сократилась на 7 пунктов до 45 %. Чистая квартальная прибыль компании за отчётный период снизилась на 28 % или до 3,4 трлн вон ($3,02 млрд).

По словам компании, квартальные объёмы производства памяти DRAM последовательно снизились на 2 %, а средняя цена продажи упала на 11 %. Поставки памяти NAND за квартал выросли на 10 %, хотя средняя цена продажи упала ещё сильнее ― на 21 % по сравнению с третьим кварталом 2018 года.

Несмотря на начавшую дешеветь память, SK Hynix планирует наращивать выпуск наиболее плотной 16-Гбит памяти DDR4 DRAM, которая чаще идёт на изготовление серверных модулей памяти и, следовательно, приносит больше денег. В этой связи интересно отметить, что аналитики предрекают замедление перехода на 16-Гбит чипы DRAM, что противоречит намерениям SK Hynix. Также, что важно, компания планирует наращивать выпуск памяти HBM2 и GDDR6, что с энтузиазмом должны воспринять ценители топовых ускорителей компьютерной графики. Миграция на новые техпроцессы тоже остаётся в планах производителя ― это расширение пропорций производства DRAM в сторону первого поколения техпроцесса класса 10 нм (1Xnm) и подготовка к переходу на техпроцесс второго 10-нм поколения (1Ynm).

Что касается производства 3D NAND, то компания будет продолжать выпуск 72-слойной памяти для SSD корпоративного класса и мобильных систем, а также готовится к началу производства 96-слойной 3D NAND в «правильное» время. Добавим, хороший в целом на выручку и прибыль год дал возможность компании увеличить выплаты акционерам на 50 % в пересчёте на каждую акцию (по 1500 вон).

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥