Теги → hynix semiconductor
Быстрый переход

SK Hynix торжественно открыла в Китае новые линии по производству памяти DRAM

В четверг, 18 апреля, в присутствии партийной верхушки и глав провинции Цзянсу, а также работников консульства Республики Корея исполнительный директор компании SK Hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee) торжественно ввёл в строй новый заводской корпус на производственной площадке компании в Китае. Это завод C2F вблизи города Уси (Wuxi) рядом с предприятием компании C2 Fab. Завод C2 Fab стал первым для SK Hynix, на котором она разместила оборудование для обработки 300-мм кремниевых пластин. На этих пластинах компания начала выпускать в Китае память типа DRAM.

SK Hynix

SK Hynix

Завод в Уси начал выпускать продукцию в 2006 году. По мере совершенствования техпроцессов оборудование становилось всё сложнее и сложнее. Новые сканеры и техпроцессы требовали наращивания инфраструктуры в виде дополнительного оборудования. Тем самым объёмы производства в пересчёте на площадь чистых комнат снижались, и возникла потребность расширить рабочие площади предприятия. Так, в 2016 году возник план построить новый корпус, который впоследствии получил название C2F.

С 2017 по 2018 год включительно инвестиции в C2F составили 950 млрд южнокорейских вон ($790 млн). При этом следует заметить, что в новом корпусе завершены строительство и оборудование только части чистой комнаты. Компания не раскрывает возможности завершённых линий и не уточняет, когда намеревается ввести в строй оставшиеся площади. Можно предполагать, что в текущем году в связи с тенденцией по снижению оптовых цен на DRAM компания SK Hynix приостановит инвестиции в этот проект. Во всяком случае, аналитики ожидают именно такого сценария. Возобновить финансирование проектов по расширению мощностей для выпуска памяти компании планируют не раньше второй половины текущего года или уже в следующем году.

Комплекс C2F выполнен как одиночное здание со сторонами 316 × 180 метров высотой 51 метр на площади 58 000 м2. Здание C2 Fab имеет аналогичные размеры. Предполагается, но точно не известно, что завод C2 может ежемесячно обрабатывать до 130 000 подложек диаметром 300 мм. Можно ожидать, что максимальная мощность нового цеха будет аналогичной или близкой к этому значению.

SK Hynix потратит $107 млрд на строительство четырёх новых заводов для выпуска памяти

Ровно два месяца назад во время церемонии по закладке первого камня в фундамент нового завода M16 в Южной Корее руководство компании SK Hynix сообщило, что разрабатывается план по новым громадным инвестициям в полупроводниковое производство в стране. В общих чертах проект предусматривает строительство суперкластера из четырёх новых заводов недалеко от Сеула. Проект планируется реализовать до 2028 года с примерной суммой инвестиций в объёме $107 млрд. Сейчас компания располагает шестью заводами, предприятие M16 станет седьмым. Тем самым новый план добавит в корону компании ещё четыре жемчужины, которые станут самыми передовыми производствами в мире.

wsj.com

wsj.com

В четверг утром южнокорейское отделение информагентства Reuters доложило, что компания SK Hynix остаётся верна плану по строительству четырёх новых заводов. План якобы передан на рассмотрение местным органам власти, а также местным и зарубежным компаниям, которые готовы выступить потенциальным партнёрами и поставщиками SK Hynix. Несомненно, потребуется колоссальная подготовка инфраструктуры для обеспечения будущих заводов сырьём и ресурсами: электроэнергией и водой. Под будущие заводы планируется отвести 4,5 млн м2. Также компания будет рассчитывать на государственные субсидии и долевое участие партнёров.

Ориентировочно строительство новых заводов по данному проекту компания рассчитывает начать в 2022 году. Очевидно, что это оправданные сроки с точки зрения той огромной подготовительной работы, которую предстоит провести. Поэтому на данном этапе SK Hynix не готова обсуждать объёмы производства и само производство, хотя источник утверждает о планах построить заводы для выпуска памяти типа DRAM.

Открытие стройки завода M16 компании SK Hynix в Южной Корее 19 декабря 2018 года

Открытие стройки завода M16 компании SK Hynix в Южной Корее 19 декабря 2018 года

Впрочем, у этого решения есть две очевидные причины, хотя компания не исключает контрактного производства и выпуска других полупроводников. Во-первых, надо устранять опасность конкуренции с Китаем, который пытается создать национальное производство памяти. Во-вторых, спрос на память DRAM обещает подскочить на волне интереса к сотовой связи нового поколения, на росте интереса к машинному обучению и автономному вождению. Памяти много не бывает!

SK Hynix обещает наращивать выпуск 16-Гбит чипов DDR4 DRAM

  • Продолжавшая дорожать в 2018 году память в целом принесла больше выручки и прибыли, чем в 2017 году.
  • Рост доходов позволил на 50 % увеличить выплаты акционерам по акциям компании.
  • В новом году SK Hynix увеличит выпуск новейшей памяти HBM2 и GDDR6.


Южнокорейский производитель памяти компания SK Hynix опубликовал отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года и в целом за весь календарный год. Выручка за год, операционная прибыль и чистая прибыль за прошедшие 12 месяцев были столь же высоки, как и в 2017 году. Это не должно было стать сюрпризом, поскольку цены на память быстро росли с третьего квартала 2016 года по третий квартал 2018 года. Компания SK Hynix могла воспользоваться ростом цен на память, и она им воспользовалась.

Общая выручка компании за 2018 календарный год достигла 40,45 трлн вон ($35,9 млрд). Операционная прибыль равнялась 20,84 трлн вон ($18,49 млрд), а чистая прибыль ― 15,54 трлн вон ($13,79 млрд). По сравнению с 2017 годом выручка выросла на 34 %, операционная прибыль ― на 52 %, а чистая прибыль ― на 46 %. Операционная рентабельность за год составила 52 %, а чистая рентабельность ― 38 %. За год операционная рентабельность выросла на 6 %, поскольку первую часть 2018 года память продолжала дорожать. Увеличить рентабельность компании SK Hynix помогло также ориентирование на выпуск продуктов с высокой добавленной стоимостью ― это память для серверов и для смартфонов премиального класса.

Во второй половине 2018 года память начала поставляться в избыточных объёмах. Тем самым ландшафт рынка, как отмечают в компании, начал стремительно меняться. Как результат, в четвёртом календарном квартале SK Hynix последовательно снизила выручку на 13 % ― до 9,94 трлн вон ($8,82 млрд). Операционная прибыль за квартал упала до 4,43 трлн вон ($3,93 млрд) или на 32 %, а операционная рентабельность сократилась на 7 пунктов до 45 %. Чистая квартальная прибыль компании за отчётный период снизилась на 28 % или до 3,4 трлн вон ($3,02 млрд).

По словам компании, квартальные объёмы производства памяти DRAM последовательно снизились на 2 %, а средняя цена продажи упала на 11 %. Поставки памяти NAND за квартал выросли на 10 %, хотя средняя цена продажи упала ещё сильнее ― на 21 % по сравнению с третьим кварталом 2018 года.

Несмотря на начавшую дешеветь память, SK Hynix планирует наращивать выпуск наиболее плотной 16-Гбит памяти DDR4 DRAM, которая чаще идёт на изготовление серверных модулей памяти и, следовательно, приносит больше денег. В этой связи интересно отметить, что аналитики предрекают замедление перехода на 16-Гбит чипы DRAM, что противоречит намерениям SK Hynix. Также, что важно, компания планирует наращивать выпуск памяти HBM2 и GDDR6, что с энтузиазмом должны воспринять ценители топовых ускорителей компьютерной графики. Миграция на новые техпроцессы тоже остаётся в планах производителя ― это расширение пропорций производства DRAM в сторону первого поколения техпроцесса класса 10 нм (1Xnm) и подготовка к переходу на техпроцесс второго 10-нм поколения (1Ynm).

Что касается производства 3D NAND, то компания будет продолжать выпуск 72-слойной памяти для SSD корпоративного класса и мобильных систем, а также готовится к началу производства 96-слойной 3D NAND в «правильное» время. Добавим, хороший в целом на выручку и прибыль год дал возможность компании увеличить выплаты акционерам на 50 % в пересчёте на каждую акцию (по 1500 вон).

SK Hynix становится кузницей стартапов

Южнокорейская компания SK Hynix, которая является вторым по величине в мире производителем памяти DRAM и далеко не последним производителем памяти NAND, стала кузницей стартапов. Ещё в августе прошлого года на базе штаб-квартиры в Ичхоне компания начала реализовывать домашнюю программу «HiGarage». Слово «гараж» в названии программы появилось неспроста. Как широко известно, все прорывные IT-технологии были рождены в гаражах тех или иных ныне знаменитых граждан. Согласно задумке, склонный к творчеству персонал SK Hynix должен был представить на конкурс руководству интересные идеи, самые ценные из которых компания обещала поддержать финансированием и довести до коммерческой реализации в виде создания дочерних или венчурных предприятий.

Победители первого конкурса стартапов SK Hynix (пятый слева CEO компании )

Победители первого конкурса стартапов SK Hynix (пятый слева CEO компании Ли Сок Хи)

На днях итоги конкурса были подведены. Из 250 идей достойными финансирования были признаны 6 проектов. Главный победитель конкурса ― проект по разработке оборудования для управления температурными процессами при изготовлении полупроводников с привлечением ИИ. Отмечается, что в Республике Корея отсутствуют необходимые технологии, поэтому производителям приходится закупать оборудование иностранного производства. Данный проект и пять других проектов получит финансирование в объёме около $1 млн (1,2 млрд южнокорейских вон). Параллельно с разработкой технологий до уровня готовности к коммерческому использованию компания пригласит консультантов по стартапам для создания полноценных самостоятельных компаний. Предполагается, что компании по проектам будут созданы в течение двух–трёх лет.

Если на базе интересной идеи стартап не будет создан и изобретение останется для эксплуатации внутри SK Hynix, то часть полученных в виде дополнительного дохода денег будет распределена среди участников проекта и других работников компании. В текущем году будет проведён очередной поиск новых идей, достойных для создания стартапов. Эту же практику компания обещает продолжить в последующие годы.

SK Hynix предложит недорогую встраиваемую флеш-память

Как мы не раз сообщали, в июле 2017 года компания SK Hynix создала подразделение SK Hynix System IC для работ по выпуску полупроводников по сторонним контрактам. В распоряжение SK Hynix System IC была отдана 200-мм фабрика M8 в городе Чхонджу (Cheongju). Ассортимент контрактного подразделения SK Hynix относительно скуден и представлен драйверами для мониторов, датчиками изображений КМОП, а также силовыми дискретными элементами. Всё это доступно в техпроцессах от 500 нм до 57 нм. Но даже несмотря на ограниченное предложение, подразделение SHSI смогло в 2017 году принести SK Hynix $260 млн выручки. В будущем, как представляют себе в компании, контрактная деятельность снизит зависимость SK Hynix от переменчивого рынка памяти.

В то же время в компании понимают, что для достижения желанной цели производителю необходимо расширять ассортимент. Чем? А давайте посмотрим в сторону вещей подключения к Интернету, — решили в SK Hynix. Модная тема, и наверняка потребует решений с памятью, на чём специализируется компания. Но для контроллеров IoT необходима память с потреблением ниже обычного и желательно как можно дешевле. К тому же она должна быть встраиваемой, а не в виде отдельных микросхем. Такая технология, например, много лет используется тайваньской компанией Silicon Storage Technology (SST) в виде памяти SuperFlash.

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Microchip Technology через дочернюю компанию Silicon Storage Technology заключила многолетний договор с SK Hynix System IC на адаптацию технологии производства встраиваемой памяти SuperFlash к техпроцессам южнокорейского производителя. Разработка адаптированного техпроцесса стартовала в этом году и будет завершена в начале 2019 года. Технология SuperFlash будет реализована на 110-нм КМОП техпроцессе SK Hynix System IC и будет доступна для сторонних разработчиков в виде IP-блоков.

Память SuperFlash, уверены в SK Hynix, станет идеальным решением для устройств Интернета вещей, смарт-карт и широкого спектра микроконтроллеров. Технология SuperFlash отличается высокой энергоэффективностью и, например, хорошо зарекомендовала себя в картах и устройствах для бесконтактной оплаты.

SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

В среду 19 декабря компания SK Hynix провела церемонию закладки нового полупроводникового завода вблизи города Ичхон. О запланированном строительстве компания сообщила ещё в июле. Предприятие получит название M16 и будет введено в строй в октябре 2020 года. Это третий крупномасштабный проект SK Hynix за последние три года. В 2015 году компания объявила о планах построить несколько новых заводов для обеспечения своего будущего процветания.

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16

Проект «Future Vision Investment Plan» предусматривает финансирование в объёме $40 млрд. В рамках проекта построены заводы M14 в Ичхоне по выпуску DRAM и NAND и M15 по выпуску NAND в городе Чхонджу. Дополнительно компания вложилась в расширение контрактного производства чипов в Уси (КНР) и там же начала расширять чистую комнату на заводе C2 по выпуску DRAM. Кроме этого буквально на днях стало известно, что SK Hynix вовлечена в государственно-коммерческий проект по созданию современного производственного полупроводникового суперкластера из четырёх заводов, в который она до 2028 года планирует вложить $106 млрд.

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

В предприятие M16, строительство которого стартовало 19 декабря, планируется вложить около 15 трлн вон ($13,3 млрд). Площадь завода будет достигать 53 000 м2, а чистая комната будет больше, чем обычно. Это означает, и компания сегодня это подтвердила, что на предприятии M16 будут установлены литографические сканеры диапазона EUV. По словам руководства SK Hynix, завод M16 станет прыжком в новое десятилетие.

Открытие стройки 19 декабря 2019 года

Открытие стройки 19 декабря 2018 года

Предварительно решено, что завод M16 будут выпускать память. Пока не уточняется, будет ли это DRAM или NAND, что, в общем-то, неважно. Линии легко перестроить с выпуска одной продукции на другую и обратно. Завод M16 станет жемчужиной в короне заводов SK Hynix M10 (DRAM), M14 (DRAM, NAND), M11, M12, M15 (NAND) и C2 (DRAM, КНР).

В Южной Корее построят гигантский полупроводниковый кластер

Даже в условиях глобальной экономики власти любой страны обязаны защищать и защищают местного производителя. В своё время, например, власти Южной Кореи помогли субсидиями компании Hynix, когда остальные производители памяти не только требовали её крови (признать банкротом), но также руками национальных регуляторов выставляли заградительные пошлины на память DRAM её производства. Тогда Hynix выстояла, хотя вскоре двое из нападавших обанкротились сами и исчезли на свалке истории. Немецкая Qimonda и японская Elpida не нашли поддержки у национальных властей и больше их нет. Но на этом вызовы не закончились. В полупроводниковой отрасли, как и во всей мировой экономике, возникают турбулентности, которые грозятся поставить на грань выживания если не всех, то многих.

Судя по всему, в правительстве Южной Кореи хорошо понимают, что даже такие крупные компании, как Samsung и SK Hynix не смогут самостоятельно вытащить всю полупроводниковую отрасль страны. Но даже если они сами выстоят, остаётся множество средних и мелких компаний, которые гарантированно пострадают без государственной поддержки. Поэтому в недрах правительства Республики Корея родился план создать гигантский полупроводниковый кластер, который стал бы гарантией сохранения и поддержки бизнеса множества национальных компаний. И, конечно же, такой кластер сможет рассчитывать на государственные субсидии, если в этом возникнет необходимость.

Реализация плана намечается в первой половине 2019 года. Предварительно в проекте участвуют 50 компаний. Детали проекта будут утрясены позже, как и нет пока определённого места для строительства заводов. Всего в рамках кластера будут построены четыре производственных полупроводниковых фабрики, а также корпуса для разработчиков и филиалов компаний. Проект включает участие проектировщиков чипов, исследовательских групп по материалам и техпроцессам. Из гигантов в проекте пока засветилась одна компания SK Hynix. О масштабах проекта можно судить хотя бы по тому, что SK Hynix обещает в следующие 10 лет потратить на кластер 120 трлн вон — это $106 млрд! На закладку первых цехов и разработку проекта компания потратит 1,6 трлн вон или около $1,4 млрд.

Данный кластер рассматривается властями как стройка 21 века. Это будет самое передовое предприятие в мировой практике и, пожалуй, одно из самых крупных, хотя мы пока не знаем запланированной мощности заводов. Введение в строй кластера власти Республики Корея считают гарантией дальнейшего отрыва хай-тека страны от зарубежных конкурентов и, конечно же, основой дальнейшего благополучия отрасли и местной экономики. Работой в кластере собираются занять 10 000 человек, что также станет решением проблем с утечками мозгов за границу. Глобализация всё?

SK Hynix инвестирует в расширение своего контрактного производства в Китае

Весной прошлого года южнокорейская компания SK Hynix сформировала внутри компании подразделение по выпуску полупроводников под заказ. Подразделение SK Hynix System IC (SHSI) должно было снизить зависимость южнокорейского полупроводникового гиганта от рынка памяти. Последних два года растущие на память цены радовали SK Hynix и других лидеров отрасли, но в 2019 году цены на память обещают покатиться вниз. Для мягкой посадки производителям нужен парашют. На такой случай компания SK Hynix рассчитывает иметь контрактное производство.

wsj.com

wsj.com

Изначально за контрактное производство SK Hynix отвечал завод M8 в городе Чхонджу (Cheongju, 130 км от Сеула). В июле этого года компания решила построить завод для контрактного производства в Китае вблизи города Уси (Wuxi), где уже расположен производственный кластер SK Hynix по выпуску памяти DRAM. Компания, кстати, активно инвестирует в близлежащую городскую инфраструктуру. Например, она пообещала вложить $300 млн в местную городскую поликлинику. Что касается завода для контрактного производства, то он строится под управлением СП с местной компанией Wuxi Industrial Development Group. Компании SK Hynix в новом предприятии принадлежит контрольный пакет акций в объёме 50,1 %. Добавим, инвестиции SK Hynix в проект составили $350 млн.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Производственный комплекс SK Hynix M14

Легко сообразить, что даже с учётом инвестиций со стороны китайцев собирается не очень большая сумма для постройки нового завода. Секрет сделки в том, что на это предприятие в Китае будет завезено демонтированное бывшее в употреблении оборудование с того самого завода M8 в городе Чхонджу. Это оборудование для обработки 200-мм кремниевых подложек. Но для запланированной к выпуску на заводе в Уси продукции этого достаточно. Предприятие будет выпускать аналоговые чипы, датчики и другую мелочёвку. Запуск предприятия в строй ожидается в 2019 году. Однако, как докладывают источники, компания уже корректирует планы в сторону расширения производства и дополнительно вложит в завод ещё $10 млн.

Немного? Масштабы соответствуют работе. Так, в 2017 году SHSI принесла материнской компании $260 млн выручки. Это всего 0,4 % от мирового рынка полупроводников. Тем самым SK Hynix System IC заняла 24 строчку в мировом рейтинге производителей чипов, но она обещает улучшить свои рыночные позиции на этом направлении.

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Компания SK Hynix — второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM — сообщила о разработке 16-Гбит кристаллов DRAM DDR5 с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Ynm). Это тот же самый новейший техпроцесс компании, с помощью которого она начинает производство 8-Гбит кристаллов DDR4. Забегая вперёд, отметим, что к производству памяти DDR5 компания SK Hynix приступит только в 2020 году, поскольку данный стандарт DRAM пока ещё не принят комитетом JEDEC и не поддерживается разработчиками контроллеров и процессоров. Это лишь заготовка на будущее, которая ждёт своего часа.

Согласно прогнозу аналитиков компании IDC, например, спрос на DDR5 начнёт появляться только в 2020 году, что обещает довести в 2021 году долю DDR5 в мировом объёме производства памяти до 25 % и до 44 % в 2022 году. Поэтому компании SK Hynix, как и остальным лидерам рынка DRAM, не нужно спешить с внедрением в производство этого поколения памяти. Но начнётся всё с завоевания серверного рынка, для которого DDR5 преподнесёт возможность расширить банки памяти и увеличить скорость передачи данных от модулей к процессорам и обратно.

Согласно требованиям черновой редакции стандарта DDR5, питание чипов снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обещает снизить потребление памяти на 30 % по сравнению с памятью DDR4. При этом скорость обмена выросла на 60 % или до 5200 Мбит/с, если сравнивать с одной из быстрейших сегодня памятью DDR4-3200. Совокупно скорость обмена с модулем памяти DDR5 вырастет до 41,6 Гбайт/с — это 11 фильмов с качеством Full HD, переданных за 1 секунду, каждый из которых будет «весить» 3,7 Гбайт. Традиционно нелепый пример, да, но даёт представление о масштабах изменений. Столь быстрая память, уверены в компании, придаст новый импульс развитию платформ ИИ, машинного обучения и работам с массивами данных.

Для снижения ошибок чтения разработчикам пришлось внести много изменений в схемотехнику памяти. Кстати, сигнальные интерфейсы пришлось доработать также по той причине, что модули памяти DDR5 будут использовать вдвое больше банков (32 вместо 16), чем память DDR4. Это также потребовало вести согласованные работы с производителями модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) для серверных платформ. Также компания заявляет, что механизмы коррекции ECC теперь встроены в чипы памяти. Всё надёжнее и надёжнее, что вызвано также увеличением скорости обмена.

Улучшенный техпроцесс на 20 % увеличит выход памяти DDR4 компании SK Hynix

На один год позже компании Samsung второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM компания SK Hynix сообщила о завершении разработки микросхем DDR4 для производства с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Как и её конкуренты, компания SK Hynix не приводит точную цифру технологических норм, с помощью которых она предполагает выпускать новую память. Техпроцесс скрывается под кодовым именем «1Ynm» и может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.

Для нас главное не «шашечки», а «ехать». Переход от техпроцесса класса 10 нм первого поколения ко второму обеспечивает возросший на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Проще говоря, себестоимость производства DDR4 ещё немного снизится, а модули памяти могут стать немного дешевле. Не на 20 %, но на единицы процентов — это вполне реальный сценарий. Но произойдёт это уже в новом году. Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года.

Первыми в производство попадут 8-Гбит чипы DDR4-3200. По словам производителя, это самая быстрая в настоящий момент память. Потребление памяти, тем не менее, за счёт уменьшения масштаба технологических норм последовательно снижено более чем на 15 %. Первыми новую память получат производители модулей памяти для серверов и персональных компьютеров. Впоследствии второе поколение производства 10-нм класса осчастливит другие области применения памяти, в частности — область мобильных устройств.

Уменьшение масштаба технологических норм заставило разработчика внести ощутимые изменения как в схемотехнику цепей питания и управления памятью, так и в структуру «помельчавших» транзисторов. Это неудивительно, каналы транзисторов становятся меньше, что снижает токовые характеристики этих полупроводниковых приборов.

Для снижения вероятности появления ошибок чтения и для поддержки стабильной работы памяти инженеры SK Hynix предложили 4-фазную схему тактового генератора и разработали новые и более чувствительные усилители для сигнальных цепей памяти. Собственно, эти улучшения позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Мбит/с с одновременным снижением потребления до 15 % и более.

SK Hynix продаёт всё больше фирменных SSD

Свой отчёт о работе в третьем квартале календарного 2018 года опубликовала компания SK Hynix. Консолидированная выручка компании за отчётный период составила 11,42 трлн вон ($10 млрд), операционная прибыль достигла значения 6,47 трлн вон ($5,7 млрд), а чистая прибыль равнялась 4,69 трлн вон ($4,1 млрд). Несмотря на стабилизацию цен на микросхемы DRAM и на падение цен на NAND, за квартал выручка и операционная прибыль SK Hynix выросла соответственно на 10 % и на 16 %. Тем самым все три ключевых финансовых показателя компании снова достигли новых рекордов: и выручка, и операционная прибыль, и чистая прибыль.

Поставки памяти DRAM в пересчёте на ёмкость за квартал выросли на 5 %. За это компания благодарит сезонный эффект увеличения спроса на смартфоны, а также стабильно высокий спрос на память серверного назначения. Средняя цена продаж памяти DRAM, тем не менее, выросла всего на 1 %. Увеличение спроса на память, как признаются в SK Hynix, обещает удержать цены на память от резкого снижения как в этом году, так и в следующем.

Поставки памяти NAND за квартал в пересчёте на биты выросли на 19 %, а средняя цена продажи микросхем флеш-памяти уменьшилась на 10 %. Этот негативный для производителя эффект компания компенсировала как наращиванием выпуска более плотной NAND-флеш, так и расширением ассортимента фирменных SSD. В третьем квартале выручка от поставок SSD компании значительно превысила 20 % от выручки всего флеш-бизнеса SK Hynix. Также более 20 % от продаж SSD компания получила на направлении производства твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Дальнейшее развитие производства DRAM и NAND компания видит в совершенствовании техпроцессов и в стабильном массовом производстве новинок. В частности, второе поколение техпроцесса класса 10 нм (1Ynm) для выпуска DRAM будет разработано до конца текущего года. До конца года также завершатся разработки 96-слойной 3D NAND.

Что касается заводов, то к концу года завершится ввод в эксплуатацию расширенной «чистой» комнаты на китайском заводе SK Hynix в городе Уси (Wuxi FAB). Массовое производство памяти DRAM на этом предприятии стартует в первой половине 2019 года. Завод M15 FAB в Южной Корее, формальный ввод в эксплуатацию которого состоялся ранее в этом месяце, начнёт поставлять продукцию в виде 3D NAND также в первой половине будущего года.

SK Hynix призывает не рассчитывать на значительное снижение цен на память в 2019 году

Как мы помним, в десятых числах октября аналитическое подразделение DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовало очередной прогноз по динамике развития рынков памяти DRAM и NAND. Если верить аналитикам, в 2019 году ожидается существенное снижение цен как на DRAM (до 20 % в годовом сравнении), так и на NAND (до 30%). Для производителей памяти, которые в предыдущие 9 кварталов радовались растущим ценам на продукцию, выручке и прибыли, снижение цен сулит потери по всем ключевым финансовым показателям.

Впрочем, в компании SK Hynix считают, что DRAMeXchange сгущает краски и не учитывает всех современных реалий. По мнению представителей компании, которое было озвучено в среду в Сеуле на семинаре COEX, рынок памяти становится разнообразным, спрос на память растёт во всех проявлениях, олигополия никуда не делась, а некоторое снижение цен только подстегнёт спрос. Также надо учесть проблемы с переводом памяти на более тонкие техпроцессы, что ограничит поставки и не даст рухнуть ценам на память. Тем самым в 2019 году производитель не ожидает каких-либо существенных ценовых скачков на рынке памяти.

В среду в Сеуле на семинаре COEX ()

В среду в Сеуле на семинаре COEX (http://www.etnews.com)

Рынок DRAM, по словам SK Hynix, уже не вернётся к предыдущему состоянию. Возникнет новая нормаль уровнем выше, чем за три года до этого. Аналитики ошибаются, оперируя спросом и состоянием промышленности, действительными на 2015 год. За это время, например, значительно разросся рынок серверов и выросли объёмы памяти, устанавливаемой в мобильные устройства.

Производство памяти, напротив, стало сложнее, поскольку техпроцессы достигли того уровня, после которого уменьшение масштабов технологических норм сопряжено с гигантскими трудностями (и затратами). Если говорить о SK Hynix, то для компании объёмы поставок и себестоимость DRAM в 2019 году будут определяться темпами внедрения в производство второго поколения техпроцесса 10-нм класса, а памяти NAND — от внедрения 5-го поколения 3D NAND с числом слоёв свыше 90.

В целом компания ожидает в 2019 году стоимость рынка DRAM на уровне $100 млрд, а рынка NAND — до $60 млрд. В таких условиях следует рассчитывать на стабилизацию цен на память, а не на её снижение.

SK Hynix представила «4D NAND»

Как и другие производители флеш-памяти компания SK Hynix не могла пропустить мероприятие Flash Memory Summit 2018. На годовом саммите SK Hynix представила ни много ни мало, а целую «4D NAND». Где же южнокорейский производитель нашёл четвёртое измерение?

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Увы, детальное изучение новой в кавычках разработки SK Hynix указывает на маркетинговую уловку — представленная технология не может и не будет иметь решающих преимуществ по сравнению с уже представленными и даже годами реализованными технологиями производства 3D NAND компаниями Samsung, Intel, Micron и Toshiba. Но, обо всём по порядку.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Память «4D NAND» компании SK Hynix будет сочетать две ключевые особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, управляющие массивом NAND-ячеек периферийные цепи будут перенесены с одной с массивом плоскости кристалла под ячейки — как бы в «подвал». Отметим, SK Hynix всегда выпускала 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и все остальные компании за исключением Micron и Intel (подробнее о разнице в организации ячеек по этой ссылке). Но даже Micron со следующего поколения 3D NAND откажется от ячейки с плавающим затвором FG в пользу CTF. В 2019 году 3D NAND с ячейкой FG будет выпускать только Intel. Иначе говоря, 4D NAND в этом плане новшеством давно не является.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

По поводу технологии Periphery Under Cell (PUC), которая в представлении SK Hynix и является тем самым «четвёртым измерением», можно сказать следующее. Компании Intel и Micron давно перенесли периферийные цепи под массив ячеек и называют эту технологию CMOS under the array (CuA). Со следующего года технологию CuA при производстве памяти 3D NAND начнёт применять Samsung. Дальнейшим развитием CuA представляется китайская технология Xtacking компании YMTC. Китайцы и вовсе предлагают выпускать периферию и логику на отдельных пластинах, изготовленных по разным техпроцессам, и потом состыковывать логику и массив NAND. Вот где четвёртое измерение! Но SK Hynix решила отобрать славу первооткрывателя себе.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Что же, пусть 4D NAND оказалась маркетинговой пустышкой, компания SK Hynix рассказала на саммите кое-что по-настоящему интересное, а именно, поделилась планами выпуска новинок на рынок. Итак, образцы 96-слойной 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит (с этого момента — 4D NAND) появятся в четвёртом квартале 2018 года. Образцы 96-слойной 4D NAND TLC ёмкостью 1 Тбит выйдут в первой половине 2019 года. Образцы 96-слойной 4D NAND QLC ёмкостью 1 Тбит появятся во второй половине 2019 года. Тем самым можно резюмировать, что по выпуску передовой памяти 3D NAND от своих основных конкурентов SK Hynix будет отставать на срок до одного года и даже больше. Да, в таких случаях остаётся полагаться только на маркетинг.

Hynix Semiconductor сменила имя и лого

Один из крупнейших игроков на рынке памяти, компания Hynix Semiconductor заявила о переименовании. Отныне она называется SK Hynix, что отражает её новоиспечённое партнёрство с промышленной группой SK Group. Новый шаг в своей истории компания отпраздновала на специальной торжественной церемонии.

SK Group выкупила 21% акций Hynix. Сделка была полностью завершена в феврале этого года. SK Hynix в рамках проведённого мероприятия обозначила свои планы на будущее. Она намерена расширить свою бизнес-деятельность и включить в ассортимент новые виды полупроводниковой продукции. Кроме того, компания метит в лидеры на мировом рынке полупроводников.

Компания SK Hynix была образована в 1983 году под именем Hyundai Electronics Industries. В 1999 году произошло слияние с LG Semiconductor, после чего в 2001 году она стала называться Hynix Semiconductor. Что касается SK Group, то это один из крупнейших конгломератов Южной Кореи. Дочерней компанией SK Group является телекоммуникационный провайдер SK Telecom.

Материалы по теме:

Источник:

Цены на флэш-память начнут очередное снижение

Конец года – самая ожидаемая пора для производителей электронных устройств, в том числе и компонентов для потребительской электроники, однако производители интегральных микросхем флэш-памяти с пессимизмом смотрят в будущее. Ведь, согласно поступающей информации, увеличение спроса на NAND-чипы будет наблюдаться только в октябре, а уже в ноябре будет наблюдаться обратная динамика – цены на продукцию объемом 16 Гбит и 32 Гбит будут снова снижаться. Ситуация осложняется тем фактом, что традиционный пик продаж приходится на мировой финансовый кризис, который должен негативно сказаться на внимании потребителей к электронным устройствам. Если принимать в расчет значительные финансовые потери, которые несут производители NAND-памяти, то можно констатировать, что в стороне не останутся даже лидеры рынка флэш-устройств. Так, Micron Technology и Hynix Semiconductor сообщили о планах по сокращению объемов выпуска интегральных микросхем флэш-памяти, и их примеру наверняка последуют остальные компании. Оценить насколько долгим окажется очередное снижение цен на флэш-память пока не позволяет сложная финансовая ситуация в мировом масштабе, все зависит от продолжительности и «степени тяжести» кризиса. Материалы по теме: - Samsung намерена купить SanDisk;
- По следам IDF Fall 2008: SSD-накопители Intel;
- Новый рекорд плотности записи информации для HDD.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥