Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.

Источник изображения: Micron

Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM.

Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:

• Совместимость платформы с RDIMM для гибкой настройки пропускной способности конечного пользователя.
• Использование стандартных компонентов DIMM DDR5, включая DRAM, форм-фактор и распиновку DIMM, SPD, PMIC и TS для простоты внедрения.
• Эффективное масштабирование ввода-вывода с использованием возможностей логического процесса RCD/DB.
• Использование существующей экосистемы LRDIMM для проектирования и тестирования инфраструктуры.
• Поддержка масштабирования нескольких поколений модулей.

Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS.

В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах.

Источник изображения: JEDEC

Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) подготовил презентацию, в которой обрисовал будущие стандарты оперативной памяти LPDDR6, LPDDR6 CAMM2 и DDR6.

Источник изображения: VideoCardz

Стандарту энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 уже пять лет. В JEDEC считают, что пришло время для обновления. Представленные компаниями Samsung и SK hynix переходные решения в виде памяти LPDDR5X и LPDDR5T недостаточно хороши и в течение 1–2 года индустрии потребуется более скоростная память с более высокой пропускной способностью.

Скорость передачи данных энергоэффективной памяти LPDDR разных стандартов:

• LPDDR4 — 3,2 Гбит/с;
• LPDDR5 — 6,4 Гбит/с;
• LPDDR5X — 8,533 Гбит/с;
• LPDDR5T — 9,6 Гбит/с (является частью стандарта LPDDR5X).

Согласно свежей презентации JEDEC, LPDDR6 предложит скорость передачи данных от 10,667 Гбит/с, однако в перспективе от неё можно будет добиться скорости до 14,4 Гбит/с. В презентации также отмечается, что первое поколение памяти LPDDR6 сможет обеспечить пропускную способность от 28,5 до 32 Гбайт/с, а более продвинутые варианты смогут выдать до 38,4 Гбайт/с. Для модулей памяти LPDDR6 CAMM2 прогнозируется скорость передачи данных от 9,2 до 14,4 Гбит/с.

Краткие тезисы по стандарту LPDDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys

Актуальный стандарт оперативной памяти DDR5 обеспечивает скорости передачи данных от 4,0 до 8,8 Гбит/с. Для будущего стандарта DDR6 прогнозируются гораздо более высокие скорости. Спецификации нового стандарта ещё недоработаны, JEDEC пока не определилась с тем, какой тип кодирования будет использоваться в DDR6 (PAM и NRZ). Тем не менее, сейчас для DDR6 прогнозируются скорости от 8,8 до 17,6 Гбит/с с потенциалом увеличения до 21 Гбит/с.

Краткие тезисы по стандарту DDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys

Окончательный вариант спецификаций стандарта DDR6 планируется принять ко второму кварталу будущего года. Черновой вариант спецификаций ОЗУ нового стандарта будет подготовлен в этом году.