Теги → lrdimm

Специалисту ASRock удалось установить в плату потребительского класса терабайт оперативной памяти

Большинство тайваньских компаний платит жалование специалистам по экстремальному разгону, которые помогают привести возможности материнских плат в соответствие с ожиданиями искушённых энтузиастов. Соответствующему сотруднику ASRock удалось оснастить материнскую плату X299 Taichi CLX целым терабайтом оперативной памяти, хотя технические характеристики позволяют ей поддерживать максимум 256 Гбайт. Этого удалось достичь за счёт использования модулей памяти типа LRDIMM.

Источник изображения: Twitter, ASRock Japan

Источник изображения: Twitter, ASRock Japan

Ник Ши (Nick Shih), который в ASRock отвечает за оптимизацию быстродействия, в ходе эксперимента установил в материнскую плату X299 Taichi CLX восемь модулей типа LRDIMM производства Hynix объёмом по 128 Гбайт каждый. Центральный процессор Intel Core i9-7900X был установлен в разъём LGA 2066. Модули памяти типа LRDIMM изначально предназначаются для применения в серверах, но после некоей адаптации с ними смогла работать и материнская плата ASRock X299 Taichi CLX. Совокупный объём оперативной памяти в системе, таким образом, достиг одного терабайта. Скорее всего, энтузиасту пришлось модифицировать микрокод материнской платы.

Источник изображения: Twitter, ASRock Japan

Источник изображения: Twitter, ASRock Japan

Штатным режимом работы DDR4-2666 дело не ограничилось, поскольку автор эксперимента имеет большой опыт в сфере разгона. Модули памяти в таком не очень характерном для них окружении смогли работать в режиме DDR4-3472 при значении задержек 20-24-24-56. Память типа LRDIMM изначально была разработана для увеличения доступного объёма ОЗУ в серверных системах, а также повышения быстродействия. Специалисту ASRock удалось реализовать эти же преимущества в системе настольного класса, что и делает этот эксперимент не совсем обычным.

Samsung демонстрирует 16-Гбит микросхемы памяти и обещает 256-Гбайт модули в этом году

Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для модулей памяти объёмом 128 и 256 Гбайт для серверов непрерывного действия.

Монолитные интегральные схемы памяти DDR4 компании Samsung ёмкостью 16 Гбит рассчитаны на скорость передачи данных 2666 МТрансферов/с при напряжении питания 1,2 Вольта. Данные микросхемы производятся с использованием «передового» технологического процесса, но Samsung не раскрывает детали о каком именно техпроцессе идёт речь (логично предполагать, что Samsung использует одну из своих технологий класса «10 нанометров»). Единственное, что мы знаем о новых чипах (помимо ёмкости и скорости), это то, что монолитная архитектура и новый техпроцесс позволяют снизить энергопотребление 64-Гбайт модуля памяти на 20 % по сравнению с аналогичным модулем на базе 8-Гбит микросхем.

Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит

Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит

Микросхемы памяти ёмкостью 16 Гбит как таковые не являются прорывом. Производители памяти, в том числе Samsung, собирают многослойные DRAM-сборки с использованием TSV-соединений ёмкостью 16–32 Гбит. Типично такие чипы используются для модулей памяти объёмом 64 и 128 Гбайт. Применение многослойных сборок усложняет организацию подсистем памяти. Так, современный 64-Гбайт RDIMM представляет собой четырёхранговый модуль (с двумя физическими и двумя логическими рангами), тогда как модуль объёмом 128 Гбайт имеет восемь рангов (два физических, четыре логических). Сложность архитектуры, а также использование модулей типа LRDIMM (использующих дополнительные буферы) увеличивают задержки модулей памяти, а значит снижают производительность. Например, LRDIMM ёмкостью 64 и 128 Гбайт имеют задержки CL20/CL22 для режимов DDR4-2400/DDR4-2666 соответственно.

Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит

Модуль памяти ёмкостью 64 Гбайт на базе микросхем DDR4-2666 объёмом 16 Гбит

Монолитные микросхемы памяти большой ёмкости (16 Гбит в случае с Samsung) позволяют создавать модули и подсистемы оперативной памяти с меньшим количеством чипов, снижая энергопотребление и уменьшая количество рангов в случае с серверами. Так, демонстрируемый RDIMM ёмкостью 64 Гбайт имеет два ранга, против четырёх в случае с сегодняшними модулями аналогичного объёма. Чуть позже в этом году Samsung планирует представить 128-Гбайт RDIMM на базе 16-Гбит чипов c четырьмя рангами, а также 256-Гбайт LRDIMM с восемью рангами.

Современные серверы на базе процессоров AMD EPYC и Intel Xeon Scalable M оснащены 12 или 16 разъёмами памяти на процессорное гнездо. В случае если указанные CPU и платформы способны работать с 16-Гбит микросхемами и 256-Гбайт модулями памяти DDR4, актуальные серверы могут быть экипированы 3–4 Тбайт памяти на процессор. Подобные объёмы ОЗУ станут огромным преимуществом для различных приложений (например, баз данных), требующих больших объёмов оперативной памяти.

Набор модулей памяти Corsair Dominator Platinum

Набор модулей памяти Corsair Dominator Platinum

Если же говорить о клиентских платформах (при условии, что они поддерживают микросхемы ёмкостью 16 Гбит и DIMM на их базе), то новые чипы памяти от Samsung могут позволить разработчикам модулей создавать устройства объёмом 32 Гбайт. Последние позволят производителям ПК и энтузиастам устанавливать 256 Гбайт оперативной памяти в высокопроизводительные настольные ПК и рабочие станции на базе процессоров вроде Intel Core i7/i9.

В Samsung говорят, что микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит доступны для клиентов уже сейчас, но, естественно, не раскрывают имена своих партнёров, кто планируют использовать данные чипы. Компания также не объявляет стоимость новых 64-Гбайт RDIMM, но поскольку эти продукты нацелены на серверы, они будут продаваться по соответствующим ценам. Что касается стоимости модулей объёмом 128 Гбайт и 256 Гбайт, то пока их сложно даже предполагать. Например, Crucial продает свои 128-Гбайт DDR4 LRDIMM по $4000 (почти 229 тысяч рублей). Учитывая, что будущие модули Samsung обещают предложить больший объём и большую энергоэффективность, их цена будет ожидаемо выше.

Samsung начала массовые поставки модулей DDR4 ёмкостью 128 Гбайт

До недавних пор максимальная ёмкость любого модуля памяти, даже самого современного серверного DDR4 RDIMM была ограничена цифрой 64 Гбайт. Но компания Samsung Electronics, один из крупнейших производителей микроэлектроники официально объявила о начале массового производства модулей DDR4 RDIMM объёмом 128 Гбайт. Речь, разумеется, идёт о регистровых модулях, не предназначенных для использования в обычных настольных ПК.

Создание таких модулей-монстров стало возможным благодаря наработкам Samsung в области многослойных технологий; в частности, в новых модулях используется вертикальная компоновка из нескольких кристаллов DRAM, соединённых при помощи технологии TSV (Through Silicon Via). Похожие технологии Samsung применяла и ранее, при создании модулей DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Они сложны в реализации, но позволяют упростить упаковку и сделать многослойные чипы более надёжными.

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

В новых модулях использованы кристаллы ёмкостью 8 Гбит, они способны работать на частоте 2 400 МГц. В течение ближайших нескольких недель Samsung Electronics планирует также начать производство модулей LRDIMM аналогичной ёмкости. Столь ёмкие модули позволят сравнительно безболезненно нарастить объём оперативной памяти серверных систем, для которых этот параметр критичен. В дальнейшем компания намеревается выпустить и более высокочастотные версии модулей, с частотой вплоть до 3 200 МГц. Она также ведёт работы по созданию модулей памяти на базе технологии HBM.

SK Hynix начнёт производство 128-Гбайт модулей DDR4 к концу года

Компания SK Hynix в этом месяце уведомила своих партнёров о планах по выпуску модулей памяти DDR4 высокой ёмкости типа LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Module) для серверов. Хорошей новостью является то, что компания нашла способ повысить производительность таких решений на 12 %, однако не очень хорошая новость заключается в том, что SK Hynix задержит массовое производство своего флагманского 128-Гбайт LRDIMM модуля примерно на два квартала.

Компания SK Hynix впервые представила 16, 32, 64 и 128-Гбайт LRDIMM модули памяти DDR4 в первой половине прошлого года. Подобные модули повышенной ёмкости базируются на 8-Гбит устройствах памяти (вертикально интегрированные в четыре слоя в чипы используя технологию сквозных отверстий сквозь кремний [through silicon via, TSV]), произведённые по технологии 20 нм. Модули LRDIMM DDR4 требуют напряжение питания 1,2 Вольта и имеют высоту 31,25 мм.

Подробности о модуле памяти SK Hynix LRDIMM DDR4 128GB

Подробности о модуле памяти SK Hynix LRDIMM DDR4 128 Гбайт

Первоначально компания SK Hynix планировала, что её модули LRDIMM DDR4 будут работать на эффективной тактовой частоте 2133 МГц (с таймингами CL15 15-15), но в настоящее время компания собирается производить такие модули памяти как с частотой 2133 МГц, так и со скоростью 2400 МГц (c таймингами CL17 17-17). Увеличенная тактовая частота позволит поднять пропускную способность памяти у серверов примерно на 12 %, что является существенным ростом производительности без увеличения уровня энергопотребления.

Модуль памяти SK Hynix LRDIMM DDR4 128 Гбайт

Модуль памяти SK Hynix LRDIMM DDR4 128 Гбайт

SK Hynix планирует начать массовое производство 16, 32 и 64-Гбайт модулей DDR4 памяти для серверов во втором квартале 2015 года, как и планировалось в прошлом году. Тем не менее, производство 128-Гбайт DDR4 LRDIMM-модулей, способных работать на частотах 2,13 и 2,40 ГГц, стартует только в четвертом квартале, на два квартала позже ожидаемого, согласно документу, оказавшемуся в распоряжении журналистов.

К четвертому кварталу 2015 года память DDR4 получит существенное распространение на рынке серверов. Более того, уже в 2016 году этот тип памяти станет доминирующем на данном рынке, согласно данным Gartner. Тем не менее, в отличие от 32-Гбайт и 64-Гбайт модулей, планки памяти ёмкостью 128 Гбайт останутся нишевыми решениями вплоть до 2018 года, как ожидают в SK Hynix. Тем не менее, подобные модули станут неотъемлемой частью наиболее мощных серверов, использующих многоядерные процессоры Xeon, известные как Haswell-EP и Broadwell-EP.

Тенденции на рынке памяти для серверов

Тенденции на рынке памяти для серверов

В настоящее время только Samsung Electronics может поставить модули памяти DDR4 объёмом 64 Гбайт. Таким образом, появление аналогичных решений SK Hynix во втором квартале этого года должно несколько снизить цену такой продукции. Что касается 128-Гбайт модулей памяти DDR4, то Samsung начнёт поставки образцов подобных устройств уже в этом квартале. Массовое производство таких решений начнётся позже в этом году.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Джордж Мартин завершил работу над Elden Ring «несколько лет назад» и назвал игру «продолжением Dark Souls» 38 мин.
Microsoft подтвердила утечку образа Windows 11 и подала DMCA-жалобу в Google 56 мин.
Мрачное королевство во власти случайности: представлен сюжетный трейлер приключения Lost in Random 3 ч.
Spotify приобрёл стартап Podz для обработки подкастов с помощью ИИ 3 ч.
В EGS раздают Hell is Other Demons и Overcooked! 2, на очереди — Sonic Mania и Horizon Chase Turbo 4 ч.
Видео: перестрелки и быстрые серии убийств под комментарии разработчиков в новом ролике Deathloop 4 ч.
Видео: штаб-квартира психонавтов, сомнительная область и сюжетные интриги в новой демонстрации Psychonauts 2 4 ч.
Коммуникационная платформа Microsoft Teams получит новый интерфейс 4 ч.
Telegram захлестнула волна вредоносных рассылок 4 ч.
Microsoft исправила проблемы с производительностью в играх и работой виджета «Новости и интересы» в Windows 10 5 ч.