Теги → nvdimm
Быстрый переход

Новая статья: Знакомство с накопителями Intel Optane Memory: футуристично, но не феерично

Данные берутся из публикации Знакомство с накопителями Intel Optane Memory: футуристично, но не феерично

Спецификации DDR5: некоторые подробности

Совсем недавно мы писали о том, что комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC), в числе прочего ответственный за разработку спецификаций новых поколений полупроводниковой памяти DRAM, планирует завершить подготовку стандарта DDR5 в 2018 году. Но DDR5 — это не просто более высокая скорость передачи данных в сравнении с DDR4, основным стандартом оперативной памяти сейчас. Это ещё и ряд новых технологий на стыке DRAM и энергонезависимой памяти; такое сочетание уже получило устоявшееся название NVDIMM, хотя текущие реализации далеки от идеала.

Технически объявленное «удвоение характеристик» означает создание чипов DDR5 ёмкостью 32 Гбит со скоростью передачи данных 4266‒6400 мегатранзакций в секунду на контакт. Если модули DDR5 сохранят разрядность шины 64 бита на модуль, это означает появление односторонних модулей DDR5-6400 ёмкостью 32 Гбайт со скоростью передачи данных 51,2 Гбайт/с. «Дружественный пользователю интерфейс» может означать новую, более удобную систему фиксации модуля в системной плате. На сегодня в этом плане сложно придумать что-то действительно новое, но, возможно, инженерам JEDEC удастся всех удивить.

JEDEC обещает решить и проблему падения эффективности подсистем памяти, которая в пересчёте на канал падает по мере увеличения количества каналов, но пока не известно, как именно это будет сделано. Более подробная информация ожидается на мероприятии Server Forum, которое состоится в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, и начнётся 19 июня. В числе планируемых к 2018 году стандартов относится и новое поколение энергонезависимых модулей памяти NVDIMM-P, которое не будет ограничено объёмом, диктуемым технологиями DRAM. Ёмкость таких модулей может достигать единиц терабайт, но при этом в жертву приносится латентность, составляющая сотни наносекунд.

Intel вживую показала эффективность работы SSD Optane на памяти 3D XPoint

На весеннем форуме IDF 2016 в китайском Шеньжене, который на днях открыл свои двери, компания Intel впервые публично показала насколько эффективными в работе могут быть накопители на революционной энергонезависимой памяти 3D XPoint. Память 3D XPoint обладает скоростными характеристиками, близкими к характеристикам оперативной памяти, но при этом не теряет данные после отключения питания.

С массовым внедрением планок памяти на базе микросхем 3D XPoint мы получим мгновенно включающиеся и выключающиеся компьютеры. Теоретически вычислительную систему можно будет выключить на любом этапе её работы, а после включения процесс вычисления продолжится с момента выключения без длительной загрузки и заново запускаемых процессов. Без ложной скромности — это одно из самых значительных изобретений за последние два десятка лет.

Всё, что надо знать о памяти Intel 3D XPoint (Intel)

Всё, что надо знать о памяти Intel 3D XPoint (Intel)

Ожидается, что первые накопители на памяти 3D XPoint компания Intel начнёт поставлять на рынок в третьем квартале текущего года. Следует также понимать, что в потребительском сегменте новинки вряд ли появятся раньше 2017, а то и 2018 года. Разве что компания Apple возьмёт на себя смелость перевести на память 3D XPoint свои ноутбуки или ПК. Вероятность появления SSD или модулей NVDIMM на памяти 3D XPoint уже в этом году можно подкрепить вчерашней живой демонстрацией работы накопителей SSD Optane на IDF в Шеньжене. До этого компания показывала только статичные изображения с результатами работы SSD Optane.

Демонстрационный стенд Intel на IDF 2016 в Шеньжене (www.tomshardware.com)

Демонстрационный стенд Intel на IDF 2016 в Шеньжене (www.tomshardware.com)

На стенде Intel были развёрнуты две вычислительные системы. Каждая из них была подключена к своему внешнему SSD по интерфейсу Thunderbolt 3. В одном случае система была оснащена серийными SSD SATA на памяти NAND (вероятно массовых серий 540 или 5400), а во втором — одним внутренним и одним внешним накопителем SSD Optane. В обоих случаях был запущен процесс копирования файла размером 25 Гбайт. Внутренний и внешний SATA SSD показали устойчивую скорость передачи на уровне 284 Мбайт/с, а накопители SSD Optane обменялись данными на скорости 1,95 Гбайт/с. Разница в производительности составила почти в 7 раз. При этом график обмена между накопителями SSD Optane был ровным на протяжении всего процесса передачи файла.

Сравненние работы пары SSD на NAND TLC и пары SSD Optane на памяти 3D XPoint (http://www.tomshardware.com)

Сравнение работы пары SSD на памяти NAND и пары SSD Optane на памяти 3D XPoint (http://www.tomshardware.com)

К сожалению, мы не знаем, каким интерфейсом оснащены SSD Optane и каким образом организован массив памяти, а также какой контроллер используется для работы с памятью 3D XPoint. Показанные компанией возможности SSD Optane впечатляют, но без сравнительной базы говорить о практической целесообразности новых накопителей всё ещё рано.

Micron: Более 25 % серверов будут использовать память 3D XPoint к 2022 году

Корпорация Micron Technology раскрыла некоторые новые подробности о технологии памяти накопителей 3D XPoint, а также поделилась своим видением касательно её будущего. У Micron и Intel есть перспективный план развития технологии на долгие годы вперёд, что обеспечит улучшение её характеристик и уменьшение цены. Micron ожидает, что по мере эволюции 3D XPoint, память будет применяться всё более широко.

Как и ожидалось, коммерческое производство первых микросхем 3D XPoint ёмкостью 16 Гбайт (128 Гбит) стартует в 2017 финансовом году компании Micron (который начинается в начале сентября этого года), а первые накопители на базе этого типа памяти появятся на рынке уже этой осенью. Учитывая, что Intel поставила первые образцы твердотельных накопителей (solid-state drives, SSDs) на базе 3D Xpoint ещё в конце прошлого года, начало массового производства в этом выглядит ожидаемым. Поскольку стоимость SSD на основе памяти накопителей обещает быть очень высокой в начале их жизненного цикла, маловероятно, что подобные устройства станут популярными. Как следствие, 3D XPoint получит относительно существенное распространение лишь с выходом серверной платформы Intel Xeon Purley в конце 2017 года.

Иерархия памяти в серверах по видению Intel

Иерархия памяти в серверах по видению Intel

Процессоры Intel Xeon с кристаллами Skylake-EP/Skylake-EX будут экипированы многоуровневым (tiered) контроллером памяти, который сможет работать с разными типами памяти посредством интерфейса DDR4. Как ожидается, процессоры Skylake-EX будут поддерживать до 6144 Гбайт памяти при помощи специальных буферов. Часть этой памяти будет обычной DDR4, другая часть — 3D XPoint. Подобный подход позволит разместить большой объём быстрой оперативной памяти и относительно быстрой памяти накопителей в непосредственной близости от микропроцессора, что значительно ускорит целый ряд серверных рабочих нагрузок, но не обойдётся слишком дорого.

Хотя 3D XPoint обещает быть быстрее (как с точки зрения скорости линейного чтения, так и с точки зрения количества операций ввода/вывода в секунду) и надёжней NAND флеш, она будет существенно медленнее обычной DRAM. Чтобы получить преимущества от 3D XPoint, подключаемой непосредственно к DDR4-каналам процессора, многим владельцам серверов потребуется изменять свои приложения с учётом того, что у машин появится иерархичная подсистема памяти. Как следствие, использование NVDIMM и SSD на базе памяти накопителей будет расти умеренными темпами, ожидают в Micron.

Перспективы 3D XPoint по оценкам Micron

Перспективы 3D XPoint по оценкам Micron

Так, в 2018 году лишь 5 % типовых серверов (с двумя или четырьмя процессорными гнёздами) будут использовать память 3D XPoint в каком-либо форм-факторе (NVDIMM, PCIe карта, 2,5-дюймовый SSD с U.2/SFF-8639 коннектором). К 2020 году уже 16 % серверов будут оснащены 3D XPoint. Однако уже в 2022 году более четверти серверов — около 27 % — будут использовать память накопителей 3D XPoint, если предсказания Micron окажутся точными. Как видно, 3D XPoint не заменит собой обычную твердотельную NAND флеш-память, но накопители на её основе займут своё место в центрах обработки данных.

Рост производства DRAM и NAND памяти по ожиданиям Micron

Рост производства DRAM и NAND памяти по ожиданиям Micron

Micron Technology считает, что общий объём произведённой памяти 3D XPoint для серверов общего назначения в 2019 году составит около 0,7 экзабайт (1 экзабайт = 1 миллион терабайт), а к 2022 году вырастет до 4,3 экзабайт. Предсказания касательно объёмов производства NAND разнятся. К примеру, Micron полагает, что рынку потребуется 344 экзабайта NAND-памяти уже в 2019 г., при этом половина этого объёма (172 экзабайта) будет использоваться для твердотельных накопителей. Однако согласно ожиданиям Samsung Electronics от сентября прошлого года, индустрия произведёт лишь 253 экзабайта NAND флеш-памяти в 2020 году. Разумеется, не совсем корректно сравнивать объём всей произведённой NAND с объёмом 3D XPoint для серверов (из всех произведённых SSD лишь около 12 % предназначены для серверов). Однако можно с уверенностью предполагать следующее:

  • Объём выпускаемой памяти 3D XPoint будет несопоставим с объёмами производимой NAND флеш даже для рынка серверов;
  • Себестоимость и цена 3D XPoint в ближайшие годы не позволят этой памяти получить сравнимое с NAND флеш распространение. В противном случае, новый тип памяти просто заменил бы старый;
  • Вследствие существенных трудностей с массовым производством 3D XPoint ожидать паритета цены между памятью накопителей и обычной NAND в ближайшие годы не приходится.

В будущем компании Intel и Micron начнут применять для производства 3D XPoint всё более совершенные технологии, что обещает привести к её удешевлению, увеличению производительности и уменьшению энергопотребления, что важно для серверов. Будут ли улучшения столь существенны, что позволят Intel и Micron расширять использование 3D XPoint на рынках клиентских устройств, — покажет время.

Micron: В 2018 выручка за память 3D XPoint будет исчисляться миллиардами

Совместно разработанная Intel и Micron Technology память накопителей 3D XPoint имеет все шансы существенно поменять ситуацию на рынке твердотельных накопителей (solid-state drives, SSDs) для высокопроизводительных компьютеров и центров обработки данных. Тем не менее, 3D XPoint обещает быть дороже обычной NAND флеш-памяти, что несколько затормозит рост популярности соответствующих SSD. Тем не менее, в ближайшие годы Micron надеется выручить миллиарды долларов за 3D XPoint.

Микросхемы памяти 3D XPoint

Микросхемы памяти 3D XPoint

Эрни Мэддок (Ernie Maddock), финансовый директор Micron, считает, что продажи накопителей на базе 3D XPoint, будут приносить компании от 5 до 10 % дохода через три года. За финансовый 2015 год (закончился третьего сентября 2015 года) компания Micron заработала $16,192 млрд. Таким образом, через три года выручка за SSD на основе 3D XPoint составит от $0,8 до $1,6 млрд за год при условии, что доходы компании не будут расти. Учитывая тот факт, что Micron планирует сосредоточиться на выпуске готовой продукции в ближайшие годы, снизив продажи микросхем.

«[3D XPoint] является полностью новой технологией, а потому, очень сложно устанавливать конкретные цели по выпуску», — сказал господин Мэддок на конференции UBS Global Technology Brokers Conference. «Как и в других случаях с технологиями, мы считаем, что снижения цен на 3D XPoint откроют для такой памяти новые сегменты рынка. Один из ориентиров, который мы установили с точки зрения доходов — 5 – 10 % выручки в течение следующих трёх лет или около того. Я думаю, целесообразно сохранить [ориентир] на том же уровне до 2018 года, до тех пор, пока у нас не будет больше опыта и немного больше времени [с этой технологией]».

Преимуществa 3D XPoint перед NAND и HDD

Преимуществa 3D XPoint перед NAND и HDD

В настоящее время продажи NAND флеш-памяти и продукции на её основе составляют около 32 % выручки Micron (данные четвёртого квартала финансового 2015 года). Если компания ожидает, что 10 % её выручки через три года ей будет приносить 3D XPoint, то очевидно, что на новый тип памяти возлагаются серьёзные надежды. Фактически, существенная часть SSD компании Micron будет использовать 3D XPoint, а не NAND.

Ранее в этом месяце корпорация Intel раскрыла, что стоимость SSD на базе 3D XPoint будет значительно выше, чем стоимость твердотельных накопителей на основе обычной NAND флеш-памяти. Как следствие, едва ли подобные устройства станут массовыми в начале жизненного цикла.

Позиционирование 3D XPoint в центрах обработки данных

Позиционирование 3D XPoint в центрах обработки данных

Учитывая уникальные характеристики памяти 3D XPoint — беспрецедентно высокую производительность, невероятно низкие задержки, высочайшую износоустойчивость и возможность обработки огромного количества операций ввода/вывода в секунду (input/output operations per second, IOPS) — накопители на её базе займут своё место в центрах обработки данных.

Micron планирует начать продажи твердотельных накопителей на базе 3D XPoint в следующем году. Intel также начнёт продажи подобных SSD в следующем году, однако широкое распространение они получат лишь в 2017, одновременно с распространением серверной платформы Intel Xeon Purley. Цены на новые накопители достоверно неизвестны, но они будут выше, чем у SSD на основе NAND флеш. Накопители на базе 3D XPoint будут доступны исключительно от Intel и Micron.

Intel: Стоимость SSD на базе 3D XPoint может быть в разы выше обычных

Когда компании Intel и Micron Technology анонсировали память 3D XPoint в конце июля, они ясно дали понять, что новая технология не только существенно увеличит производительность твердотельных накопителей, но и даст возможность создателям увеличить выручку и прибыль. Судя по новым данным от Intel, накопители первого поколения на базе 3D XPoint будут весьма дорогими. Тем не менее, благодаря уникальным характеристикам, они могут стать прорывом для центров обработки данных.

Преимущества памяти 3D XPoint

Преимущества памяти 3D XPoint

Память 3D XPoint обещает показать сверхвысокие скорости записи и чтения, беспрецедентно низкие задержки при доступе к данным, высокую износоустойчивость и возможность обработки огромного количества операций ввода/вывода в секунду (input/output operations per second, IOPS) по сравнению с твердотельными накопителями на базе NAND флеш-памяти. Подобные преимущества сделают SSD на основе 3D XPoint идеальными для центров обработки данных. В частности, NVDIMM модули с памятью 3D XPoint смогут вывести аналитику в реальном времени, высокопроизводительные вычисления, а также базы данных, располагающиеся в оперативной памяти (in-memory databases), на новый уровень.

«Как технология, 3D XPoint изменит правила игры», — сказала Дайан Брайант (Diane Bryant), старший вице-президент и генеральный директор подразделения Data Center Group корпорации Intel.

Новые продукты Intel для ЦОД

Новые продукты Intel для ЦОД

Однако, такие накопители обойдутся недешево. В ходе встречи с инвесторами, корпорация Intel рассказала о планах на следующий год, а также затронула преимущества и цены на 3D XPoint накопители. Согласно новым данным Intel, стоимость модулей DIMM на базе 3D XPoint будет составлять примерно половину стоимости модулей оперативной памяти (в пересчёте на бит). Подобная разница является значительной для операторов высокопроизводительных серверов, также это означает, что стоимость накопителей на базе 3D XPoint будет в разы выше стоимости SSD на основе NAND флеш-памяти.

«Мы можем установить четырёхкратный объем памяти в сервер на базе двух Xeon, и нас есть фундаментальное преимущество по сравнению с себестоимостью DRAM», — сказала госпожа Брайант. [Себестоимость 3D XPoint составит] до 1/2 стоимости DRAM».

Если рассматривать текущую спотовую цену на оперативную память (dynamic random access memory, DRAM) типов DDR3 и DDR4 как базис, то стоимость одного 512-Гбайт твердотельного накопителя в форм-факторе DIMM на базе 3D XPoint может составить от $989 до $1157. Поскольку цена оперативной памяти очень быстро снижается, уже через год указанные цифры могут упасть минимум на 30 – 40 %.

Intel DIMM на базе 3D XPoint

Intel DIMM на базе 3D XPoint

Следует понимать, что подобный уровень цен не является чем-то, что сейчас анонсирует Intel. Во-первых, цены на оперативную память очень быстро меняются. Во-вторых, компания не заинтересована производить продукцию, которая будет иметь ограниченную популярность вследствие чрезмерно высокой цены.

«Это не заявление о цене», — сказала генеральный директор подразделения Data Center Group. «Мы выясним, по какой цене продавать, ведь, как вы знаете, изменения цен DRAM достаточно динамичны. Но у нас есть фундаментальное, базовое преимущество по себестоимости. Мы планируем [массово выпустить накопители на 3D XPoint] с нашей платформой Xeon следующего поколения Skylake. Но мы начнем поставлять образцы [3D XPoint-накопителей] в начале следующего года, чтобы клиенты смогли подготовиться».

SSD производства Intel

SSD производства Intel

Хотя настоящее продвижение твердотельных накопителей на базе 3D XPoint в центры обработки данных начнётся в 2017 году вместе с выпуском платформы Intel Xeon Purley, в следующем году компания планирует представить SSD на основе новой технологии для высокопроизводительных персональных компьютеров. Цену подобных устройств предсказать сложно, но учитывая текущую позицию Intel, очевидно, что она будет премиальной.

Intel: Первые SSD c памятью 3D XPoint будут иметь скорость в 6 Гбайт/с

Хотя 3D XPoint — новый тип энергонезависимой памяти, совместно разработанный Intel и Micron Technology — обещает значительно повысить производительность твердотельных накопителей в будущем, не стоит ожидать, что он радикально увеличит их производительность уже в следующем году. По оценкам производительности, опубликованным Intel, скорость первых SSD на базе памяти 3D XPoint будет ограничена современными интерфейсами.

Первые Intel Optane — твердотельные накопители на основе 3D XPoint — будут использованы в центрах обработки данных (ЦОД) для хранения часто запрашиваемых «горячих» данных. Новые SSD серии Optane обещают предложить сверхвысокие скорости записи и чтения, низкие задержки при доступе к данным, а также возможность обработки беспрецедентного количества операций ввода/вывода в секунду (input/output operations per second, IOPS). Первые накопители Intel Optane будут использовать интерфейсы PCI Express 3.0 и DDR4, а выпускаться в форм-факторах PCIe-карт или модулей DIMM с 288 контактами.

DIMM c памятью 3D XPoint

DIMM c памятью 3D XPoint

Карты PCI Express 3.0 x4 совместимы со всеми современными серверами и могут предложить пропускную способность до 4 Гбайт/с. Гибридные модули NVDIMM (энергонезависимые модули памяти DIMM) могут потенциально обеспечить ещё более высокую пропускную способность и ещё более низкие задержки, однако они не будут совместимы с машинами текущего поколения.

Выходящие вскоре Intel Xeon E5 v5 поколения Broadwell-EP с 22 ядрами будут официально поддерживать стандарт памяти PC4-19200 (DDR4, 2400 МГц), таким образом располагая пропускной способностью до 19,2 Гбайт/с на канал (или до 76,8 Гбайт/с на процессорное гнездо). Теоретически, NVDIMM с памятью 3D XPoint мог бы предоставить аналогичную пропускную способность, но Intel не хочет раскрывать максимальные возможности решений на базе нового типа памяти для накопителей. На форуме Intel Developer Forum ранее в этом месяце компания показала, что 3D XPoint NVDIMM предложит пропускную способность около 6 Гбайт/с, но значительно снизит задержки и увеличит количество операции ввода/вывода в секунду по сравнению с сегодняшними SSD. Хотя 6 Гбайт/с — высокая скорость передачи данных, её сложно рассматривать как прорыв. Впрочем, снижение латентности и увеличение IOPS существенно ускорят производительность систем хранения данных.

Иерархия систем хранения данных в ЦОД в будущем

Иерархия систем хранения данных в ЦОД в будущем

Крупнейший в мире производитель центральных процессоров также подтвердил на IDF, что прежде чем NVDIMM с памятью 3D XPoint выйдут на рынок, компании понадобится поработать с JEDEC и другими игроками рынка, чтобы внести возможные изменения в соответствующий стандарт (разработка которого до сих пор не завершена) с целью обеспечить совместимость между накопителями и платформами. Учитывая, что DDR4 поддерживает гигантские скорости передачи данных, существует вероятность, что коммерческие NVDIMM с памятью 3D XPoint будут поддерживать куда более высокую пропускную способность, чем сегодня ожидает Intel.

Уникальная ниша памяти 3D XPoint

Уникальная ниша памяти 3D XPoint

Как Intel, так и Micron, считают, что уникальные преимущества 3D XPoint — высочайшие скорости чтения/записи, повышенная надежность по сравнению с NAND флеш-памятью, а также существенно большая ёмкость по сравнению с оперативной памятью — обеспечат новой технологии особое место в иерархии хранения данных в ЦОД. Со временем энергонезависимая память класса накопителей (storage class memory) займёт нишу между DRAM и SSD на базе NAND флеш-памяти.

Судя по всему, неготовность стандарта NVDIMM, ограничения PCI Express 3.0 x4 и ряд других вещей заставляют Intel и Micron довольно консервативно оценивать возможности и производительность накопителей на основе 3D XPoint. К сожалению, такой подход не даёт возможности в полной мере оценить потенциал нового стандарта, а также сделать предположения касательно скорости его распространения.

Новая статья: Репортаж с Intel Developer Forum 2015

Данные берутся из публикации Репортаж с Intel Developer Forum 2015

На IDF замечены первые образцы гибридных модулей памяти NVDIMM

Мы уже писали об устройствах на базе нового типа памяти, 3D XPoint, которые были анонсированы на конференции Intel Developer Forum, проходившей на днях в Сан-Франциско. Благодаря тому, что 3D XPoint сочетает энергонезависимость с высочайшей производительностью, на основе этой технологии под маркой Optane будут выпущены как SSD, так и модули памяти DIMM, совместимые с шиной DDR4 SDRAM.

Однако уже сейчас существует альтернатива — гибридные модули RAM, несущие микросхемы DDR4 SDRAM вместе с чипами NAND Flash-памяти. Организация JEDEC, устанавливающая индустриальные стандарты на оперативную память, ратифицировала стандарт гибридных модулей ранее в мае 2015 года под названием NVDIMM. А сейчас на IDF можно было увидеть работающие образцы. 

Модули NVDIMM имеют двойное назначение. С одной стороны, достаточно быстрый контроллер флеш-памяти может воспользоваться пропускной способностью шины DDR4. С другой стороны, флеш-память здесь служит для резервного копирования содержимого ОЗУ. В частности, некоторые варианты NVDIMM оснащаются массивом конденсаторов на отдельной плате. В дальнейшем планируется размещать конденсаторы прямо на самих модулях.

Представлены NVDIMM-модули DDR4 ёмкостью до 256 Гбайт

Японская компания ADTEC совместно с американской компанией Diablo Technologies представила энергонезависимые модули памяти DDR4 стандарта NVDIMM ёмкостью 64 Гбайт, 128 Гбайт и 256 Гбайт. Пожалуй, на сегодня это самые ёмкие модули подобной разновидности. С использованием двухпроцессорных материнских плат в одной системе можно создать энергонезависимую подсистему оперативной памяти терабайтного уровня.

Следует понимать, что разработка — модули Diablo Memory 1 — относится к так называемым спецификациям JEDEC NVDIMM-F. Данные спецификации подразумевают размещение на планке памяти с интерфейсом DDRx (DDR4) микросхем памяти NAND-типа. Операционная система и аппаратная часть платформы воспринимают такие модули как обычную оперативную память DRAM-типа, тогда как по факту — это энергонезависимая память NAND-типа. Данные в такой памяти не боятся проблем с перебоями питания, и работа с ними требует значительно меньше энергии. Ёмкие модули Diablo Memory 1, уверены разработчики, идеально подойдут для работ с базами данных.

Пример оперативной памяти с защитой от проблем с питанием. Использование NAND-флэш сделает жизнь проще.

Пример оперативной памяти с защитой от проблем с питанием. Использование NAND-флеш сделает жизнь проще

Компании ADTEC и Diablo Technologies не публикуют никакой информации о быстродействии модулей Diablo Memory 1. В японской продаже новинка обещает появиться в октябре этого года, так что будет следить за новостями с улочек знаменитого токийского компьютерного рынка Акихабара.

В качестве отступления отметим, что компания Diablo Technologies обвиняется в США в незаконном использовании контроллеров памяти NVDIMM. Предполагается, что инженеры Diablo украли технологию у компании NetList (заявлено о нарушении не менее семи патентов компании). Также в нарушении патентов NetList обвиняется другая компания — SMART Storage Systems. Интересно, что компанию SMART Storage Systems пару лет назад купила небезызвестная компания SanDisk и тем самым сильно подставилась со своими фирменными NVDIMM-модулями ULLtraDIMM, продажа которых одно время в США была под запретом. Но это уже другая история.

JEDEC анонсировала поддержку гибридной памяти NVDIMM

Организация JEDEC Solid State Technology Association, ответственная за продвижение стандартов в области полупроводниковой продукции, заявила о принятии комитетом JC-45 первых спецификаций с поддержкой гибридных модулей памяти. Такие гибридные модули вставляются в стандартные слоты DIMM и представляются системному контроллеру как обычная память DDR4 SDRAM. Но при этом на модулях наряду (или вместо) с DRAM-чипами размещаются микросхемы энергонезависимой памяти, например, NAND.

techpowerup.com

techpowerup.com

Такие гибридные модули встречаются чаще под названием NVDIMM, или Non-Volatile DIMM. Они могут устанавливаться в систему наряду с традиционными модулями DDR4. Как отметил председатель комитета JC-45 Майан Куддус (Mian Quddus), интеграция гибридных модулей в архитектуры системных платформ добавляет новые уровни функциональности к иерархии компьютерной памяти. NVDIMM-память может использоваться для постоянного хранения данных, играть роль накопителя, который может поддерживать новые требовательные приложения, для которых высокая пропускная способность канала DIMM окажется весьма кстати.

techpowerup.com

techpowerup.com

Первым видом памяти, который интегрируется в NVDIMM, станет NAND. Но специалисты JEDEC предусмотрели в своём каркасе возможность использовать и другие перспективные типы энергонезависимой памяти. Будет предусмотрено две версии гибридных модулей. NVDIMM-N объединяет DRAM и NAND (NAND здесь используется лишь с целью восстановления данных с DRAM в случае перебоя электроэнергии). NVDIMM-F включает NAND-чипы, к которым возможен прямой доступ и которые могут использоваться в качестве накопителя.

Официальная публикация обновлённого стандарта появится ближе к концу года.

SMART Modular анонсировала модули DDR4 NVDIMM ёмкостью до 16 Гбайт

Компания SMART Modular Technologies анонсировала выпуск новых модулей гибридной памяти, которая объединяет микросхемы типа DDR4 и NAND. Новинки выполнены в формате NVDIMM и имеют ёмкость 8 и 16 Гбайт (в существующей линейке компании максимальная ёмкость достигает 8 Гбайт). Эти модули нацелены, в первую очередь, на серверные системы и системы хранения данных.

smartm.com

smartm.com

Память SMART Modular работает с эффективной частотой 2133 МГц. Модули NVDIMM стали особо востребованы после стандартизации JEDEC, а также в связи с ростом направления In-Memory Computing («вычисления в памяти»), когда целые базы данных загружаются в основную память для аналитической обработки в режиме реального времени. Эта память отличается высокой надёжностью, производительностью и малым временем задержки. Особое внимание разработчики уделили внедрению технологий для коррекции ошибок и сохранения целостности данных. Кроме того, в решениях SMART Modular реализована фирменная технология SafeStor, которая позволяет инициировать процесс резервного копирования или восстановления информации по команде от хост-контроллера.

smartm.com

smartm.com

Свои новинки компания покажет в ходе выставки Embedded World 2015. 

SK Hynix разработала 16-Гбайт модуль NVDIMM

Компания SK Hynix заявила о разработке самого ёмкого в отрасли модуля памяти типа NVDIMM (Non Volatile DIMM). Устройство характеризуется объёмом 16 Гбайт и использует 4-Гбит DDR4-микросхемы, выполненные по передовому техпроцессу 20-нм класса.

cdrinfo.com

cdrinfo.com

NVDIMM представляет собой энергонезависимое решение, объединяющее технологии DRAM, NAND и контроллер модуля. Такой модуль обеспечивает высокую производительность, при этом данные защищены от прерывания электропитания. Скорость передачи данных для одной линии составляет 2133 Мбит/с, что позволяет при использовании 64-разрядного интерфейса ввода/вывода обеспечить пропускную способность на уровне 17 Гбайт/с. При этом напряжение питания составляет 1,2 В.

cnblogs.com

cnblogs.com

Производитель уже отправил образцы своих новых модулей нескольким клиентам. SK Hynix планирует запустить свою гибридную NVDIMM-память в массовое производство в первой половине 2015 года.

Согласно прогнозам аналитического агентства Gartner, рынок серверной DRAM-памяти будет ежегодно расти на 37% (по количеству поставок) вплоть до 2018 года. Одновременно эксперты ожидают расширение рынка мобильных решений. HIS Technology считает, что в текущем году доля серверных решений на рынке модулей DRAM составит 33%. Интересно, что в 2015 году этот показатель вырастет до 41%. А уже в 2018 году серверные модули охватят 62% рынка.

SMART Modular разработала память DDR4 NVDIMM

Компания SMART Modular объявила о разработке модулей памяти нового поколения DDR4 NVDIMM, совмещающих достоинства ОЗУ и NAND-флеш.

Напомним, что NVDIMM могут хранить данные без подачи энергии — к примеру, в случае сбоя системы или отключения внешнего питания. Конструктивно такие изделия представляют собой модули DIMM с чипами флеш-памяти и резервным источником питания, в качестве которого может выступать суперконденсатор.

В случае перебоя с внешним питанием данные из оперативной памяти сохраняются во флеш-чипах, что обеспечивает возможность их быстрого восстановления после возобновления работы компьютера. Это сокращает время вынужденного простоя и минимизирует риск потери важной информации.

Изделия SMART Modular относятся к поколению DDR4-2133. По сравнению с памятью DDR3 модули DDR4 характеризуются более высокими производительностью, надёжностью, а также пониженным энергопотреблением.

В решениях SMART Modular DDR4 NVDIMM реализована фирменная технология SafeStor, которая позволяет инициировать процесс резервного копирования или восстановления информации по команде от хост-контроллера.

О сроках начала продаж и ориентировочной стоимости изделий не сообщается. 

Представлена самая быстрая в отрасли гибридная память NVDIMM

Компания Netlist анонсировала гибридные модули памяти NVvault DDR3, представляющие собой самые быстрые на сегодняшний день изделия NVDIMM.

Технология энергонезависимой памяти Nonvolatile DIMM (NVDIMM) подразумевает объединение оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND. Изделия производятся в виде модулей DIMM, к которым подключён экстренный источник питания — к примеру, суперконденсатор.

В обычных условиях модули NVDIMM функционируют как высокопроизводительная DRAM-память. В случае сбоя системы или внезапном отключении основного питания данные из DRAM копируются в энергонезависимую флеш-память, где могут храниться неограниченно долго. После возобновления работы компьютера информация снова копируется в оперативную память. Таким образом, исключается вероятность потери важных данных и сокращается время вынужденного простоя.

Модули NVvault DDR3 компании Netlist обеспечивают скорость до 1600 млн пересылок в секунду (Megatransfers Per Second). Они совместимы с рядом серверных материнских плат на процессорах Intel Ivy Bridge, в частности с моделью Supermicro X9DRH-iF-NV с двумя разъёмами для чипов Intel Xeon E5-2600.

Модули Netlist DDR3-1600 Registered NVDIMM существуют в версиях ёмкостью 4 или 8 Гбайт. Напряжение питания составляет 1,35 или 1,5 В. Пробные поставки изделий уже начались. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Amazon не планирует принимать биткоины в качестве оплаты за товары 16 мин.
NVIDIA и Королевский колледж Лондона ускорили исследования мозга с помощью суперкомпьютера Cambrdige-1 7 ч.
Selectel анонсировала облачное файловое хранилище с NFS/SMB и тройной репликацией 7 ч.
Apple выпустила iOS 14.7.1 с исправлением бага разблокировки часов Apple Watch 8 ч.
В новой геймплейной демонстрации AWAY: The Survival Series показали погоню за стрекозой, охоту на ящерицу, битву со змеёй и не только 10 ч.
Роскомнадзор заблокировал сайт Genius с текстами песен 10 ч.
Видео: узнаваемые враги и сила чёрной дыры в кинематографическом трейлере приключенческого ролевого экшена Grime 11 ч.
Сюжетное дополнение «Осада Парижа» к Assassin’s Creed Valhalla получило официальную дату выхода 12 ч.
Эрмитаж выпустит NFT-токены по избранным картинам из своей коллекции 12 ч.
Евросоюз дал Google два месяца на улучшение результатов поиска отелей и авиабилетов 12 ч.