Теги → pcm
Быстрый переход

Китай готовится выпускать «национальную» память 3D XPoint

Потихоньку и без ажиотажа китайцы добрались до производства памяти 3D XPoint. Как стало известно благодаря сайту EXPreview, в первом квартале 2019 года в городе Хуайань провинции Цзянсу начнёт работать завод по производству специальной памяти, включая энергонезависимую память с изменением фазового состояния вещества или PCM (phase change memory, а также PRAM или Phase change RAM). Именно на эффекте управляемого обратимого изменения фазового состояния вещества — из аморфного состояния в кристаллическое и обратно — работает новейшая память компании Intel под торговой маркой 3D XPoint. В то же время необходимо понимать, что память PCM десятилетиями разрабатывалась многими компаниями и даже выпускалась и выпускается в сравнительно небольших объёмах для промышленности и аэрокосмической отрасли (она устойчива к излучению), поэтому первенство Intel в этом вопросе довольно условно.

Производством чипов памяти PCM будет заниматься управляющая заводом компания Jiangsu Times Semiconductor Co, дочернее предприятие компании Avanced Memory Technology Co. Компания Jiangsu Times Semiconductor создана в октябре 2016 года и тогда же началось строительство завода с плановой мощностью 100 тыс. 300-мм подложек в месяц. Общая сумма инвестиций в проект составит до $2 млрд (13 млрд юаней), третья часть из которых уже потрачена на строительство и закупку промышленного оборудования. Добавим, компании Jiangsu Times Semiconductor принадлежит 56 % акций завода, тогда как оставшиеся 44 % акций в обмен на инвестиции получила местная финансовая компания Huai'an Yuanxing Investment Co.

Согласно обнародованному производственному плану производителя, в четвёртом квартале 2018 года компания начала выпускать чипы памяти EEPROM и NOR. Продукция с использованием встроенной памяти PCM начнёт выпускаться в четвёртом квартале 2019 года. Это будет память TCAM (Ternary Content-Addressable Memory) для сетевых маршрутизаторов и микроконтроллеров. Компания называет этот этап выпуском 2D Xpoint. На этой памяти могут выйти планки энергонезависимой DRAM для ПК и серверов. В 2020 году настанет черёд производства «реконфигурируемой» памяти, в качестве которой также может выступать память PCM. Смысл реконфигурации в том, чтобы менять внутреннюю структуру памяти под выполняемые задачи: разрядность, банки, etc.

Avanced Memory Technology

Avanced Memory Technology

Наконец, в 2021 году настанет черёд выпускать память 3D Xpoint и основанные на этой памяти продукты — планки памяти для компьютеров, накопители и даже нейроморфные процессоры с этой памятью на борту (привет компании HP и проекту Machine). Предполагается, что к этому времени компания Jiangsu Times Semiconductor освоит производство 20-нм 128-Гбит и 256-Гбит чипов PCM.

Откуда всё это богатство? Компания Avanced Memory Technology с 2009 года работает над памятью PCM с использованием разработок компании IBM. С 2009 по 2017 год IBM передала китайцам необходимые лицензии, разработки и патенты, а также сделала массу открытий в партнёрстве с китайской компанией. Так, если верить сообщению на сайте компании, в процессе сотрудничества с IBM компания Avanced Memory Technology защитила 275 патентов, 92 патентные заявки и получила около 1000 непатентованных продуктов. Так что будущая продукция защищена от юридических нападок как внутри Китая, так и за его пределами.

Новый ЦАП Oppo Sonica DAC поддерживает частоты дискретизации до 768 КГц

Китайская компания Oppo славится не только неплохими смартфонами, но и достижениями в области Hi-Fi: она выпускает отличного качества внешние ЦАП практически на любой вкус, а недавно представила проигрыватель Blu-ray с поддержкой Dolby Vision HDR. На этот раз новинкой Oppo вновь стал ЦАП под названием Sonica DAC. Это модель класса Hi-Fi верхнего ценового диапазона стоит порядка $940, но за эти деньги можно получить устройство студийного класса с поддержкой практически всех существующих форматов цифровой передачи звука. Официальная цена Sonica DAC несколько ниже и составляет $799 — как обычно, стоит помнить о наценках в магазинах.

Сердцем Sonica DAC является чип ES9038PRO — флагман серии ЦАП ESS Sabre. При правильной реализации «обвязки» и питания он может демонстрировать динамический диапазон 140 дБ при коэффициенте гармонических искажений не более 0.00008 % (–122 дБ). Чип способен работать с форматами PCM с разрядностью до 32 бит и частотой дискретизации до 768 КГц, а также с потоками DSD с частотой до 22,6 МГц (так называемый формат DSD 512). Блок питания у устройства встроенный, но инженеры позаботились о минимизации его влияния на звучание: применён тороидальный трансформатор и продвинутая схема фильтрации помех.

Везде, где можно, в схемотехнике Sonica DAC используется балансный режим, который позволяет существенно снизить уровень внешних наводок и шумов. Не экономила Oppo и на компонентах: например, в конструкции новинки применены плёночные конденсаторы Germany WIMA, считающиеся среди адептов Hi-Fi одними из лучших. Входов у Sonica DAC множество, основным считается USB, позволяющий полностью реализовать потенциал устройства как внешней звуковой карты. При оптическом или коаксиальном подключении максимальная частота принимаемого потока ограничена значением 2,82 МГц, что не позволяет, к примеру, задействовать возможности DSD 512.

Как правило, такие ЦАП могут использоваться (и используются) в качестве эталонных, и в них нет никаких излишков, вроде Bluetooth, но Oppo решила максимально расширить функциональность нового устройства: в нём есть поддержка беспроводных сетей 802.11ac, сетевой порт Gigabit Ethernet и ресивер Bluetooth 4.1 (практически наверняка с поддержкой aptX/lossless). Устройство может работать в качестве DLNA-проигрывателя и имеет специальное комплектное ПО Soic APP.

Все режимы и нужная информация отображаются на переднем экране. Предусмотрены как балансные (XLR), так и небалансные линейные выходы, а вот усилитель для наушников и соответствующий разъём отсутствуют. В этом Sonica DAC уступает другому флагману Oppo, ЦАП HA-1, который, впрочем, заметно дороже. Габариты Oppo Sonica DAC составляют 254 × 360 × 76 мм, весит устройство 4,7 килограмма.

IBM представила память PCM с записью трёх бит в ячейку

Создание технологи записи в каждую ячейку энергонезависимой памяти нескольких бит данных позволило существенно повысить плотность записи и удешевить выпуск ёмких твёрдотельных накопителей. Правда, за это пришлось заплатить быстрым износом ячеек памяти. Память PCM (phase change memory) с записью данных в ячейку с помощью изменения фазового состояния вещества защищена от износа, свойственного ячейке NAND-флеш с хранением заряда. Теоретически память PCM может выдержать до 10 млн циклов перезаписи, что на несколько порядков больше, чем в случае NAND. Но у PCM другой существенный недостаток — очень маленькая плотность записи. Это в значительной степени мешает массовому распространению энергонезависимой памяти PCM, хотя в производстве она находится уже порядка десяти лет.

Рабочий протип памяти PCM с записью трёх бит в одну ячейку (IBM)

Рабочий прототип памяти PCM с записью трёх бит в одну ячейку (IBM)

Кардинальным образом изменить расстановку сил на рынке «флеш-памяти» собирается команда разработчиков компании IBM. На днях в Париже на конференции IEEE International Memory Workshop представители цюрихского отделения IBM показали рабочий прототип первой в индустрии памяти PCM с возможностью записи в каждую ячейку трёх бит данных. Иными словами, в компании смогли утроить ёмкость чипа PCM, не уменьшая масштаб техпроцесса и не снижая объём ячейки. Это обещает привести к более широкому использованию памяти PCM в качестве замены в устройствах памяти NAND и DRAM одновременно, ведь по скорости работы память PCM ближе к скорости работы оперативной памяти, чем к актуальной энергонезависимой памяти NAND.

Строение ячейки памяти PCM с зонами из вещества в аморфном и кристаллическом состоянии (IBM)

Строение ячейки памяти PCM с зонами из вещества в аморфном и кристаллическом состоянии (IBM)

Отдельно надо сказать, что память PCM компании IBM с многоуровневой записью может стать серьёзным соперником памяти 3D XPoint компаний Intel и Micron. Как мы уже знаем, память 3D XPoint — это тоже память типа PCM, только в виде перекрёстной многоуровневой структуры. Это как 3D NAND, только с учётом PCM-ячейки. Нетрудно понять, что производство многоуровневой памяти (3D XPoint) сопровождается большим уровнем брака, чем выпуск однослойной памяти (PCM). Тем самым коммерческий выпуск PCM с многоуровневой записью может оказаться экономически выгоднее, чем производство 3D XPoint. Правда, надо отдать должное Intel и Micron, они как-то приступили к производству 3D XPoint и говорят о готовности начать поставки SSD на базе 3D XPoint до конца текущего года. Компания IBM, как мы знаем, продала заводы компании GlobalFoundries и, по большому счёту, может лишь теоретизировать, говоря о массовом производстве PCM.

Память 3D XPoint (Intel)

Память 3D XPoint (Intel)

Опытный чип трёхбитовой PCM компании IBM выпущен с использованием техпроцесса КМОП с нормами 90 нм и имеет ёмкость 32 Мбит. Напомним, принцип работы ячейки PCM почти аналогичен записи на перезаписываемый оптический диск. В обоих случаях аморфное состояние ячейки означает увеличение сопротивления, а кристаллическое ведёт к снижению сопротивления.

Специальный опорный сигнал позволяет точно определить, что записано в ячейку (IBM)

Специальный опорный сигнал позволяет точно определить, что записано в ячейку (IBM)

При многоуровневой записи в ячейку PCM основной проблемой было компенсировать дрейф сопротивления ячейки, что вело к ошибкам считывания данных. Дрейф сопротивления возникает как от температурных колебаний, так и от других факторов. К примеру, фазовое состояние вещества ячейки в процессе работы немного могут менять даже малые токи чтения. Это не столь критично, когда в ячейке записано одно из пограничных значений — ноль или единица, но в случае хранения трёх бит данных в ячейку PCM записывается одно из восьми состояний и определить его значение необходимо с предельной точностью.

Главная проблема PCM с многоуровневой записью в ячейку кроется в неизбежном дрейфе величины сопростивления (IBM)

Главная проблема PCM с многоуровневой записью в ячейку кроется в неизбежном дрейфе величины сопротивления (IBM)

Для компенсации дрейфа характеристик разработчики IBM соединили два подхода. Был разработан специальный метрический (опорный) сигнал, который позволял с высокой точностью определить уровень записи (сопротивление) ячейки. Кроме этого в компании использовали уникальные алгоритм и метод кодирования в процессе записи, что в сочетании с опорным сигналом дало достаточную точность для надёжного считывания данных без ошибок. Ждём новостей о запуске в производство. Кто-то же должен предоставить альтернативу памяти 3D XPoint?

Раскрыт секрет памяти Intel 3D XPoint

В июне прошлого года компании Intel и Micron сообщили о разработке революционной энергонезависимой памяти 3D XPoint. Новинка обещала в перспективе 1000-кратно увеличить скорость работы твёрдотельных накопителей и в 1000 раз снизить износ носителя. На момент анонса разработчики предпочли сохранить тайну о реализованной в лице микросхем 3D XPoint технологии. Как мы предполагали, речь могла идти не о резистивной памяти ReRAM, хотя она прекрасно ложилась на перекрёстную структуру ячеек 3D XPoint, а о памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества или PRAM (PCM). Интрига тянулась до сегодняшнего дня. Как говорили в Intel, технология не вышла из стадии завершения разработки, и планы могли поменяться. Отсюда такая секретность.

В настоящий момент память 3D XPoint переходит в фазу подготовки производства. На данном этапе шила в мешке не утаишь. Необходимо заказывать производственное оборудование для выпуска нового типа памяти и искать поставщиков сырья. Поэтому из памяти 3D XPoint больше не нужно делать тайны. Это не резистивная память, как сообщил генеральный директор компании IM Flash Гай Блелок (Guy Blalock). Память 3D XPoint опирается на технологию, придуманную Стэнфордом Овшинским (Stanford Ovshinsky) ещё в 60-е годы прошлого столетия. Память 3D XPoint опирается на эффект обратимого изменения фазового состояния вещества. Это память типа PRAM (Phase-change Random Access Memory). Подобная память без использования перекрёстной структуры выпускается около 10 лет. Её главной проблемой было снижение площади ячейки. Очевидно, Intel и Micron смогли решить эту проблему.

Изобретатель PCM-эффекта Стэнфорд Овшинский (24.11.1922 - 17.10.2012)

Изобретатель PCM-эффекта Стэнфорд Овшинский (24.11.1922 — 17.10.2012)

Важным уточнением директора IM Flash стало заявление о начале массового производства памяти 3D XPoint в течение следующих 12–18 месяцев. Это означает, что вопреки предыдущим заявлениям Intel, в текущем году накопители на памяти 3D XPoint могут так и не появиться. Более того, само производство 3D XPoint чрезвычайно сложное и требует порядка 100 новых видов сырья, некоторое из которых настолько уникально, что выпускается одним производителем в единственном месте Земли. Но и это ещё не все трудности. Перекрёстная архитектура 3D XPoint чревата взаимным загрязнением материалов в составе ячеек. Поэтому для выпуска 3D XPoint требуется больше шагов в процессе производства, включая такие сложные этапы, как вакуумное осаждение и выпаривание. В общем случае скорость производства снижается минимум на 15 %, что увеличивает себестоимость продукции.

Сравнение затрат на расширение мощностей производства для обычной NAND-флеш, 3D NAND и 3D XPoint (IM Flash)

Сравнение затрат на расширение мощностей производства для обычной NAND-флеш, 3D NAND и 3D XPoint (IM Flash)

Снижение производительности заводов при выпуске 3D XPoint можно компенсировать за счёт установки дополнительного оборудования. Но для этого потребуется увеличить производительность со 180 пластин в час до 1000 пластин в час в пересчёте на условные два квадратных метра площади завода. Как видно из графика выше, условную производственную площадь потребуется увеличить в 3–5 раза, что потребует 3–5 кратного увеличения капитальных затрат. И, что самое неприятное, переход на производство памяти 3D XPoint второго и третьего поколений будет почти такой же затратный, как и начало производства первого поколения этой памяти. Для сравнения, традиционная смена техпроцесса увеличивает затраты всего на 20–30 %, но не в пять раз, как прогнозируют для 3D XPoint.

Также директор IM Flash сообщил, что память 3D XPoint в первом поколении будет состоять из двух слоёв. Теоретически структуру 3D XPoint можно расширить до четырёх слоёв, но это вряд ли произойдёт до появления 3D XPoint третьего поколения и то, если появятся коммерческие версии EUV-сканеров. Напротив, память 3D NAND, как мы наблюдаем, легко освоила 32-слойную структуру и просто масштабируется до 48-слойной и 64-слойной структуры. Всё это наводит на грустные мысли, что эволюция памяти 3D XPoint будет идти довольно медленным шагом.

Будущее памяти с изменяемым фазовым состоянием туманно

В настоящее время существует несколько альтернативных технологий энергонезависимой памяти, которая теоретически может прийти на смену NAND-флеш. Одним из таких решений является так называемая память с изменяемым фазовым состоянием — PCM или PRAM. Но аналитики сомневаются в рыночных перспективах данной методики.

Напомним, что принцип работы РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух фазовых состояниях, характеризующихся стабильностью. В одном из них вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, в другом — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния служит сигналом о переключении между логическими нулём и единицей.

Разработку PCM-памяти вели такие компании, как Intel, Samsung, Micron и другие. Предполагалось, что со временем PCM сможет занять значительную долю рынка благодаря высокой скорости работы и продолжительному сроку службы. Но теперь это поставлено под сомнение.

Дело в том, что пока PCM-чипы значительно дороже NAND. К тому же сейчас активно внедряются технологии 3D-компоновки флеш-памяти, которые позволяют в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади и поднять надёжность. Благодаря такому подходу NAND-память ещё долгое время будет оставаться конкурентоспособной. Наконец, ряд компаний, включая Samsung и Micron, свернули ключевые проекты по разработке и внедрению PCM.

Всё это говорит о том, что память с изменяемым фазовым состоянием, вероятнее всего, станет нишевым продуктом, рассчитанным на ограниченное применение. 

IBM показала хранилище на базе PCM-памяти

Компания IBM продемонстрировала, каким способом можно интегрировать память с фазовым переходом (PCM, phase change memory) в иерархию твердотельных накопителей. Кроме того, производитель показал свой первый прототип платы, использующей PCM-память. Устройство названо в честь персонажа греческой мифологии Тесея. Имя ему подсказали в Университете Патрас, в сотрудничестве с которым велась разработка.

eetimes.com

eetimes.com

IBM провела сравнение на системном уровне SSD-накопителей и своей PCI Express-карты. Как оказалось, твердотельный накопитель корпоративного класса в 12 раз проигрывает по скорости новинке. SSD потребительского класса уступает PCM-памяти в 275 раз. Но, несмотря на то, что PCM-чипы выпускаются с 2012 года, до сих пор реальных примеров внедрения очень мало.

eetimes.com

eetimes.com

К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флеш-памяти. По надежности PCM выигрывает у флеш-памяти. Если NAND-чипы поддерживают порядка 10-100 тысяч циклов перезаписи, то для PCM этот показатель может составлять 10 млн и даже во много раз больше при использовании кода с коррекцией ошибок. IBM предлагает использовать PCM на всех уровнях иерархии памяти, что позволит повысить общую производительность системы.

PCM использует халькогенидный сплав, заключённый между двумя электродами. Высокий ток превращает этот сплав в аморфное состояние, что представляет логический нуль. Средний ток переводит халькогенидный сплав в кристаллическую форму (логическая единица). Считывание состояния производится малым током. Запись в ячейку состояния «нуля» составляет 70 нс, а «единицы» — 120 нс.

Что касается начала серийного выпуска систем с использованием PCM-памяти, то IBM не уточнила ни сроки, ни цену своих решений.

Micron заявила о массовом выпуске PCM-памяти

Компания Micron торжественно заявила о начале массового выпуска первого в мире продукта, использующего технологию памяти на основе фазового перехода (PCM, phase change memory). В одном компактном корпусе размещаются 45-нм микросхема PCM ёмкостью 1 Гбит и 512-Мбит чип LPDDR2. Новинка нацелена, в первую очередь, на использование в мобильных устройствах.

Как отмечает производитель, PCM-память позволяет ускорить время загрузки устройства, характеризуется высокой скоростью в операциях перезаписи данных, повышенной надежностью, а также очень низким энергопотреблением. Интерфейс, который связывает LPPDR2 и PCM, полностью отвечает требованиям JEDEC. Выпускаемое на данный момент решение может использоваться в многофункциональных телефонах (так называемых feature phones), но Micron также планирует в скором времени выпустить версии чипа для смартфонов High-End-класса и даже мультимедийных планшетов.

Напомним, PCM-память является энергонезависимой. Эта технология объединяет в себе высокую скорость традиционной оперативной памяти и при этом позволяет хранить информацию даже после отключения питания, как обычная флеш-память. Отметим, что прототипы образцов PCM-памяти были выпущены ещё в 2008 году, а в 2010 году компания Samsung анонсировала выпуск первого чипа с памятью такого типа. Тем не менее, компания Micron утверждает, что ей впервые в отрасли удалось добиться высоких объёмов производства чипов на базе PCM. В любом случае, можно согласиться, что это первое массовое решение, объединяющее PCM-память, сертифицированную компанией Intel, и LPDDR2-память.

Материалы по теме:

Источник:

IBM разработала «мгновенную» память, в 100 раз быстрее флеш

Логотип IBM

IBM сообщила о своих новых разработках в области относительно нового формата памяти, известного как память с изменением фазового состояния (PCM). Существенное улучшение, которое было достигнуто исследователями позволяет создавать быструю и надёжную энергонезависимую память для различного спектра применения: от мобильных телефонов до промышленных центров хранения данных. В следующие 5 лет PCM, по заявлению инженеров, может осуществить принципиальный сдвиг в технологиях хранения данных.

Компания обещает, что усовершенствованная память PCM сможет предоставить в 100 раз более высокую скорость записи и чтения в сравнении с широко применяемой сегодня флеш. Это позволит создавать компьютеры и серверы, загружающиеся мгновенно и функционирующие гораздо быстрее. В отличие от флеш, PCM также является гораздо более надёжным средством хранения данных, обеспечивая не менее 10 млн циклов записи на одну ячейку. Для сравнения, флеш-память гарантирует сегодня 30 тысяч циклов перезаписи.

 

IBM PCM

 

PCM основана на особом сплаве, который может при нагревании принимать различные физические состояния, или фазы, посредством подающегося напряжения тока. Ранее технология страдала от непостоянства одной из фаз, что приводило к изменению сопротивлений на ячейках и появлению ошибок чтения. Второй проблемой было то, что каждая ячейка могла хранить лишь один бит данных. Учёным IBM удалось не только преодолеть непостоянство фазового состояния сплава (созданный 90-нм образец чипа, включающий 200 тысяч ячеек, смог сохранять данные без электрического тока в течение 5 месяцев), но и записать на каждую ячейку по 4 бита данных. Кроме того, путём итеративного подбора импульса напряжения удалось достигнуть скорости записи в 10 микросекунд, что в 100 раз превосходит показатели флеш-памяти.

Развитие проекта IBM по исследованиям и разработкам PCM будет вестись в недавно открытом в Цюрихе нанотехнологическом центре Герда Биннига и Генриха Рорера. Остаётся вопрос, насколько готова технология для промышленного внедрения и действительно ли стоимость производства позволит использовать PCM в качестве замены заметно уступающей ей по характеристикам флеш-памяти.

Материалы по теме:

Источник:

Доступный диктофон профессионального уровня от Sony

Компания Sony уведомила общественность о скором выпуске диктофона PCM-M10, предоставляющего профессиональные возможности фиксирования звука по доступной цене. Область применения включает в себя запись музыкальных, театральных выступлений, различных публичных мероприятий и т. д.
Доступный диктофон профессионального уровня от Sony
PCM-M10 записывает звук в качестве 96 КГц/24 бит в файлы формата WAV или MP3 при помощи встроенных конденсаторных микрофонов или подключаемого внешнего микрофона. Для хранения данных предусмотрены 4 Гб интегрированной флэш-памяти и слот для карт формата MicroSD или Memory Stick Micro. Встроенный динамик позволяет использовать устройство в качестве портативного аудиопроигрывателя. Новинка заключена в прочный металлический корпус, по дизайну схожий со старшими моделями PCM-серии. Питание осуществляется посредством двух AA-батареек. В комплекте с диктофоном идет программа Sound Forge Audio Studio Recorder Edition. Как сообщает официальный пресс-релиз, новинка поступит в продажу в октябре. Рекомендованная заграничная цена – 400 долларов. Материалы по теме: - Sony Walkman NWZ-A820: до 16 Гб памяти и Bluetooth;
- Sony готова представить инновационный Walkman;
- История звукозаписи от начала и до наших дней.

«Универсальная память» все еще на старте

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Devices Meeting, IEDM), проходящей на этой неделе в Сан-Франциско, множество разработок было представлено в качестве кандидатов на «универсальную память» – то есть, устройств, позволяющих выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения. Все технологии, на которых базировались анонсы, не являются дебютантами, но их массовое практическое внедрение в ближайшем будущем по-прежнему под вопросом, а депрессивное состояние рынка, скорее всего, еще более отодвинет сроки их выхода на коммерческий уровень. Среди основных претендентов на звание «универсальной» – сегнетоэлектрическая память (Ferroelectric Random Access Memory, FRAM), магниторезистивная память (magnetoresistive random-access memory, MRAM), память с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), память на базе программируемой металлизации ячейки (programmable metallization cell, PMC) и резистивная память (resistive random-access memory, RRAM). Близость физического предела, достигнутая в традиционных электронных компонентах для хранения информации, заставляет производителей задумываться о переходе на альтернативные технологии. С другой стороны, общий спад вынудил компании замедлить или отложить освоение более «тонких» техпроцессов (22 нм и менее), соответственно, отложились и возможные сроки появления на рынке «универсальной» памяти. Экономическая ситуация также вынуждает игроков тщательнее выбирать, в которую из множества технологий вкладывать средства, потому что развивать несколько направлений параллельно может оказаться просто не по карману. Цена выбора также растет – не угадавший будущего победителя технологического состязания потратит впустую немало совсем не лишних сейчас активов. Вместе с тем, оценивая представленные разновидности перспективных решений, специалисты не могут выделить явных фаворитов или аутсайдеров, и, более того, склонны рассматривать их скорее как нишевые продукты, чем действительно «универсальную память», являющуюся оптимальным выбором во всех возможных случаях. PCM ближе всех подошла к коммерциализации, и могла бы начать конкурировать с NOR-флэш памятью к концу следующего года, но потребуется еще несколько лет, прежде чем она распространится действительно широко. Много внимания уделяется памяти на базе использования спиновых эффектов (spin-torque, STT MRAM), но у нее размер ячеек все еще достаточно велик. Поэтому MRAM рассматривается скорее как встраиваемая память, способная заменить собой внутреннюю динамическую и флэш-память на подложке. RRAM находится на ранних стадиях развития, и в перспективе позиционируется как потенциальная замена NAND-флэш памяти. Материалы по теме: - Elpida осваивает PRAM-память;
- Увеличена скорость магниторезистивной памяти.

Numonyx начинает продажи памяти на основе фазового перехода

Компания Numonyx, совместное предприятие Intel и STMicroelectronics, специализирующееся на разработке и выпуске устройств хранения информации, сообщила о начале поставок первых коммерческих микрочипов памяти на основе фазового перехода. Речь идет о микросхемах с кодовым обозначением Alverstone, информационная емкость которых составляет 128 Мбит, позиционироваться же устройства будут в сектор потребительской электроники. Что же представляют собой решения Alverstone? Согласно имеющимся сведениям, это интегральные микросхемы энергонезависимой памяти, изготовленные по 90-нм технологическому процессу. Первые поставки инженерных образцов устройств начались еще в феврале 2008 года, но по известным только производителю причинам серийный выпуск коммерческой продукции стартовал только в декабре – на тот момент официальные представители утверждали, что требуется внесение изменений в конструкцию микросхем памяти.
PCM-микросхем Numonyx
Память на основе фазового перехода разработки Numonyx полностью совместима с микросхемами флэш-памяти стандарта NOR, причем преимуществами новинки являются более высокие скорости чтения/записи информации и меньшая потребляемая мощность. Как мы уже отметили, первые устройства изготовляются по 90-нм технологии, и, казалось бы, следующим этап должно стать «освоение» 65-нм техпроцесса. Однако этот шаг разработчиками будет пропущен, и в середине 2009 года на рынке должны появиться устройства, изготовленные по 45-нм технологии. Как заявил представитель вице-президент Numonyx, Глен Хоук (Glen Hawk), уже сейчас клиенты заинтересованы в применении PCM-устройств, вместо традиционной NOR-памяти и прочих типов памяти. Разумеется, в том случае, если это позволяет сделать конструкция вычислительных систем и область применения. Материалы по теме: - Numonyx выпускает флэш-чипы емкостью 4 гигабайта;
- Samsung начнёт отгрузки 65-нм PRAM-памяти в этом году;
- Intel и STMicroelectronics создали Numonyx.

Intel и STMicro поставляют первые образцы PRAM

Достигнут очередной важный этап на пути развития одного из наиболее перспективных конкурентов традиционных «флэшек» - памяти на основе фазового перехода, известной также как PRAM и PCM (phase-change memory). Как сообщили компании Intel и STMicroelectronics, стартовали продажи прототипов новых микросхем, которые являются первыми функционирующими образцами PRAM и предназначены для ознакомления с технологией потенциальных клиентов разработчиков. Кремниевое изделие получило кодовое имя Alverstone. Как утверждают разработчики, новая память отличается очень высокими скоростями чтения/записи, а её потребляемая мощность гораздо ниже по сравнению с традиционными микросхемами типа флэш. Руководитель по разработке новых технологий предприятия Numonyx, основанного Intel и STMicroelectronics, Эд Доллер (Ed Doller) отметил, что представление чипов PRAM является наиболее важным событием в отрасли энергонезависимой памяти за последние 40 лет. Емкость чипов Alverstone составила 128 Мбит, а ячейки памяти имеют одноуровневую архитектуру SLC. Напомним, на ISSCC также демонстрировался 256-Мбит чип PRAM, созданный на основе многоуровневой архитектуры MLC, которая позволяет хранить в одной ячейке сразу два бита информации. А теперь немного истории. Сотрудничество Intel и STMicroelectronics в области PRAM-памяти началось еще в далеком 2003 году с внедрением программы по совместной разработке JDP (joint development program). Первым важным достижением JDP стало представление в 2004 году на симпозиуме VLSI чипа емкостью 8 Мбит, созданного по 180-нм техпроцессу. Как отмечается, герой сегодняшней новости, 128-Мбит PRAM-чип Alverstone, был впервые представлен в 2006 году на VLSI в рамках программы JDP. Распространением и дальнейшим развитием разработок JDP в будущем займется совместное предприятие Numonyx. Материалы по теме: - Hynix присоединяется к PRAM-клубу;
- Samsung: планы по внедрению PRAM.

Intel и STMicroelectronics удвоили плотность PRAM

Компаниям Intel и STMicroelectronics, совместно работающим над разработкой памяти на основе фазового перехода, удалось разработать технику хранения двух бит информации в ячейках PRAM, что позволило удвоить плотность чипов «фазовой» памяти. В традиционной PRAM-памяти предусмотрено только два состояния ячейки, которые интерпретируются как логические "0" и "1". Новая технология позволяет добавить еще два дополнительных состояния. Инновационная разработка была представлена на конференции ISSCC 2008 (International Solid State Circuits Conference) в докладе «A Multi-Level-Cell Bipolar-Selected Phase-Change Memory», параллельно демонстрировался образец PRAM-чипа емкостью 256 Мбит, реализующий новую технологию. Как можно понять из скупых имеющихся сведений, основой технологии стал новый многоуровневый алгоритм, реализованный в микросхеме. Демонстрируемый образец PRAM-чипа был изготовлен с соблюдением 90-нм проектных норм. Материалы по теме: - IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память;
- Intel держит в руках первый прототип PRAM.

Новый Walkman подавляет всякий шум

Японская компания Sony представила цифровой плеер NW-S700F Walkman с технологией шумоподавления. Напомним, что ранее пользователей уже радовали наушниками с аналогичной технологией, но до этого ещё не предпринимались попытки интегрировать её прямо в плеер. Производители уверены, что новинка придётся по вкусу многим аудиофилам.
Sony NW-S700F Walkman
Среди других отличительных особенностей плеера стоит отметить довольно длительное время работы без подзарядки – почти 50 часов. Есть также очень полезная возможность быстрой зарядки: за три минуты устройство получает достаточно энергии, чтобы без проблем работать 3 часа подряд. Имеется FM-приёмник и микрофон, 13,5-миллиметровый разъём для наушников, эквалайзер, трехстрочный экран. Поддерживаются файлы ATRAC, ATRAC Advance Lossless, MP3, AAC, WMA, Linear PCM. Новинка совместима с сервисом Sony CONNECT (в комплекте идёт программа SonicStage CP). Модель также отличается довольно элегантным и компактным дизайном. NW-S700F Walkman с 2 или 1 Гб памяти появится в продаже уже с ноября этого года. Стоит плеер от 170 до 200 долларов США. Тематические материалы в статьях: - MP3-плеер Super Talent MEGA Screen – новый претендент на звание “убийцы” iPod;
- MP3-плееры Panasonic на SD-картах: SV-SD570VGCK и SV-SD770VGCS;
- Тест семи популярных моделей Flash MP3 плееров.

Intel держит в руках первый прототип PRAM

Корпорация Intel заявила, что она совместно с ST Microelectronics, получила первый прототип энергонезависимой памяти, который как считает, руководство компании, будет способен заменить традиционную флэш-память и изменить лицо производства мобильных телефонов, музыкальных проигрывателей и даже компьютеров. Речь идет о так называемой "памяти с изменением фазового состояния" (phase change memory, PCM или PRAM), основанной на способности халькогенида (chalcogenide) под воздействием нагрева и электрических полей изменять свое состояние с непроводящего аморфного в проводящее кристаллическое. Данный вид памяти прекрасно справляется как с хранением больших объемов данных, так и с хранением выполняемого кода, представляя, таким образом, удивительный сплав флэш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом.
Подложка с PCM чипами
В прессе уже проходили сообщения о разработке Samsung первого прототипа PCM модуля. Сегодня Intel предоставила публике первую 250 мм подложку, которая содержала многочисленные 128-мегабитные чипы PCM, произведенные на одной из фабрик ST Microelectronics. "Мы действительно уперлись в практически непреодолимые преграды на пути совершенствования технологии флэш-памяти. Нам необходим был какой-то решительный прорыв в исследованиях, для того чтобы сдвинуть процесс с мертвой точки", - говорит Эд Доллер (Ed Doller), главный технолог группы разработки флэш-памяти Intel. "Мы надеемся что PCM как раз и будет таким прорывом", - продолжил Доллер. Intel собирается начать отгрузку образцов новой памяти в течение следующего месяца, но, как заявил Доллер, пройдут еще многие годы прежде чем данные модули появятся в выпускаемых на массовый рынок продуктах. "Не раньше 2010", закончил Доллер. Тематические материалы в статьях: - Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри;
- Технологии модулей памяти: TCP, EPOC и FEMMA;
- XDR – Rambus return?

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥