Теги → pram

Будущее памяти с изменяемым фазовым состоянием туманно

В настоящее время существует несколько альтернативных технологий энергонезависимой памяти, которая теоретически может прийти на смену NAND-флеш. Одним из таких решений является так называемая память с изменяемым фазовым состоянием — PCM или PRAM. Но аналитики сомневаются в рыночных перспективах данной методики.

Напомним, что принцип работы РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух фазовых состояниях, характеризующихся стабильностью. В одном из них вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, в другом — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния служит сигналом о переключении между логическими нулём и единицей.

Разработку PCM-памяти вели такие компании, как Intel, Samsung, Micron и другие. Предполагалось, что со временем PCM сможет занять значительную долю рынка благодаря высокой скорости работы и продолжительному сроку службы. Но теперь это поставлено под сомнение.

Дело в том, что пока PCM-чипы значительно дороже NAND. К тому же сейчас активно внедряются технологии 3D-компоновки флеш-памяти, которые позволяют в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади и поднять надёжность. Благодаря такому подходу NAND-память ещё долгое время будет оставаться конкурентоспособной. Наконец, ряд компаний, включая Samsung и Micron, свернули ключевые проекты по разработке и внедрению PCM.

Всё это говорит о том, что память с изменяемым фазовым состоянием, вероятнее всего, станет нишевым продуктом, рассчитанным на ограниченное применение. 

Micron заявила о массовом выпуске PCM-памяти

Компания Micron торжественно заявила о начале массового выпуска первого в мире продукта, использующего технологию памяти на основе фазового перехода (PCM, phase change memory). В одном компактном корпусе размещаются 45-нм микросхема PCM ёмкостью 1 Гбит и 512-Мбит чип LPDDR2. Новинка нацелена, в первую очередь, на использование в мобильных устройствах.

Как отмечает производитель, PCM-память позволяет ускорить время загрузки устройства, характеризуется высокой скоростью в операциях перезаписи данных, повышенной надежностью, а также очень низким энергопотреблением. Интерфейс, который связывает LPPDR2 и PCM, полностью отвечает требованиям JEDEC. Выпускаемое на данный момент решение может использоваться в многофункциональных телефонах (так называемых feature phones), но Micron также планирует в скором времени выпустить версии чипа для смартфонов High-End-класса и даже мультимедийных планшетов.

Напомним, PCM-память является энергонезависимой. Эта технология объединяет в себе высокую скорость традиционной оперативной памяти и при этом позволяет хранить информацию даже после отключения питания, как обычная флеш-память. Отметим, что прототипы образцов PCM-памяти были выпущены ещё в 2008 году, а в 2010 году компания Samsung анонсировала выпуск первого чипа с памятью такого типа. Тем не менее, компания Micron утверждает, что ей впервые в отрасли удалось добиться высоких объёмов производства чипов на базе PCM. В любом случае, можно согласиться, что это первое массовое решение, объединяющее PCM-память, сертифицированную компанией Intel, и LPDDR2-память.

Материалы по теме:

Источник:

Будущее компьютерной памяти: 5 революционных технологий

Некоторое время назад сложно было поверить, что огромная коллекция музыки может поместиться на одном небольшом устройстве, едва превышающем по размерам ладонь. То же относится к тысячам снимков в высоком разрешении и карманным фотокамерам. Всего за несколько десятилетий в области технологий хранения данных произошли разительные перемены, а появление флеш-памяти без преувеличения можно назвать революцией. Но время не стоит на месте, и следующей вехой в "потребительской" хронологии должны стать чипы, которые будут способны хранить сотни фильмов в HD-качестве либо всю мировую библиотеку книг. Чтобы воплотить эти мечты в реальность, по всему миру в лабораториях совершенствуют текущие и разрабатывают новые технологии, самые удачные из которых обязательно попадут на рынок – прогресс нельзя остановить. "Суперпамять" близка к реализации взгляда на технологии, высказанного физиком Ричардом Фейнманом (Richard Feynman) 50 лет назад. В ходе лекции для Американского физического общества (American Physical Society) он рассуждал, возможно ли будет когда-нибудь записать 24 тома энциклопедии "Британика" на булавочную головку. Физик подсчитал, что каждая крошечная точка каждой печатной буквы должна быть для этого уменьшена до 1000 атомов – квадрата со стороной 9 нм. Сегодня принцип хранения информации в электронных устройствах, конечно, отличается от условных расчётов Фейнмана, но размер единичного элемента хранения известен – около 40 нм в коммерческих устройствах на основе флеш-памяти. Всего несколько месяцев назад начались поставки первого чипа, на который возможно записать 64 Гбит данных. Фейнман вёл речь, вероятно, о терабайтах. Технологии устройств памяти следующего поколения будут использовать новые материалы, обладать временем доступа в единицы наносекунд и хранить информацию как минимум десятки лет без перезаписи. Сложно назвать чёткие сроки, когда же на полках магазинов появится "суперфлешка", но многомиллиардные доходы полупроводниковой индустрии не дают сомневаться, что для этого предпринимаются все возможные усилия, и на звание технологий следующего поколения уже есть претенденты. MRAM
MRAM
MRAM (magnetoresistive random access memory – магниторезистивная память с произвольным доступом) является "долгожителем" семейства технологий, призванных заменить флеш – несколько компаний трудятся над ней ещё с 1990-х годов. Конструкция представляет собой два тонких слоя ферромагнитного материала, каждый разделён на ячейки. Один из слоёв является постоянным магнитом с неизменным направлением намагниченности. Намагничивание другого может изменяться на 180° путём приложения внешнего магнитного поля или напряжения. Взаимная ориентация намагниченности воспринимается как 1 или 0. Такое решение имеет свои сильные и слабые стороны. К первым принадлежит энергонезависимость, возможность быстрого и простого контроля намагниченности и соответственно скорость доступа (порядка нескольких нс), ко вторым – тенденция к изменению состояния соседних ячеек во время перезаписи одного из битов. Данная проблема является большой головной болью для исследователей. По словам физика Джеймса Скотта (James Scott) из Кэмбриджского университета (University of Cambridge), до сих пор это препятствие не устранено. Ёмкость чипов пока ограничена 32 Мбит. Такие компании, как Hitachi и Toshiba, продолжают работать над MRAM, поддерживая веру в её будущее. FeRAM FeRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) относительно близка к флеш-памяти. В ней также используются электрические явления для контроля за подобной транзистору структурой, но вместо потоков свободных электронов объектом управления выступают электрические заряды в комплексных кристаллах, известных как ферроэлектрики, или сегнетоэлектрики. В этих диэлектриках небольшое внешнее электрическое поле может заставить положительно и отрицательно заряженные ионы изменить свои дипольные моменты и установить стабильную электрическую поляризацию. В зависимости от её направления значение сегнетоэлектрического бита воспринимается как 1 или 0. Небольшое приложенное к кристаллу напряжение изменяет поляризацию и соответственно состояние бита. Процесс происходит очень быстро – менее наносекунды – и требует незначительной расходуемой мощности, а количество циклов записи намного превышает возможности флеш-памяти и достигает значения нескольких миллиардов. Но FeRAM не лишена и "ахиллесовой пяты". "Проблема в том, что FeRAM основана на зарядах", - поясняет физик Райнер Васер (Rainer Waser) из Университета Аахена (RWTH Aachen University) в Германии. Чтобы изменить состояние сегнетоэлектрика с приемлемой скоростью, рядом должны храниться дополнительные заряды, поэтому каждая ячейка такой памяти содержит конденсатор, ограничивающий плотность размещения элементов. На данный момент эксперты не видят возможности для FeRAM обладать такой же ёмкостью чипа, как в микросхемах флеш-памяти. Тем не менее, низкое энергопотребление может пригодиться при решении тех задач, где экономия важнее ёмкости. В феврале 2009 года Toshiba анонсировала прототип 128-Мб чипа FeRAM. PCRAM PCRAM (phase-change random access memory – оперативная память с изменением фазовых состояний) технологии того же ряда, что применяются в перезаписываемых оптических дисках. Информация хранится в атомных структурах материалов, имеющих два возможных фазовых состояния: аморфное, схожее с оконным стеклом с неупорядоченными атомами, и кристаллическое. В последнем случае материал электропроводен, тогда как в аморфном состоянии это изолятор. Подобный материал в PCRAM заключён между двумя электродами, и для переключения между фазами необходим лазерный импульс или электрический ток, чтобы расплавить вещество. Длительное воздействие приводит к формированию кристаллической решётки, а при коротком импульсе материал охлаждается до аморфной фазы.
PCRAM
Недостаток – в необходимости передачи энергии для нагрева элементов памяти до нескольких сотен °С, на что уходит значительное количество энергии, хотя с уменьшением устройств на основе PCRAM уровень потребляемой мощности будет снижаться. Зато плотность размещения элементов хранения очень высока: всего несколько атомов нужны для создания ячейки, способной менять состояние с кристаллического на аморфное. Специалисты считают, что реальным значением является 5 нм - почти в 10 раз меньше, чем во флеш-памяти. Более того, время переключения PCRAM может достигать 1 нс. Но с уменьшением этого параметра стабильность состояния материала также снижается, поэтому пока значение скорости переключения в 10-100 раз медленнее теоретического потенциала. Сегодняшняя задача инженеров – достижение оптимального соотношения скорости и стабильности. Samsung недавно представила чип PCRAM ёмкостью 512 Мб. RRAM RRAM (resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом) по масштабам элементов хранения битов сравнима с PCRAM. Только вместо изменения фазового состояния под действием тепла здесь используется электрохимическая реакция. Материалом для резистивной памяти выступает непроводящий оксид, такой как оксид титана. Когда к кристаллу приложено высокое напряжение, удерживающие атомы кислорода связи начинают разрушаться. Кислород оставляет за собой "дырки" и свободные электроны, способные стать носителями зарядов. "Дырки" стремятся сформировать узкие ряды, или электропроводные каналы в кристалле. Обратное напряжение возвращает кислород, снова превращая материал в диэлектрик. Такие переходы создают устойчивые состояния памяти, которые изменяются только под действием высоких значений напряжения определённой полярности. RRAM является быстродействующей технологией с низким энергопотреблением. По словам Стэна Уильямса (Stan Williams) из лаборатории Hewlett-Packard Laboratories в Пало-Альто, Калифорния, переключение состояний происходит в считанные наносекунды, а требуемая энергия измеряется пикоджоулями. Это сотая часть от необходимого флеш-памяти количества. Масштаб битов также впечатляет – переключение может происходить на одном нанометре. Впрочем, и здесь проблема со стабильностью. Если бит с высоким сопротивлением расположен сразу за таковым с низким, тогда электрический ток может "задеть" соседний участок и изменить его состояние. Данное препятствие решают в настоящий момент Hewlett-Packard и другие компании. RRAM примечательна не только благодаря способности хранить информацию. В 2008 году Уильямс с коллегами обнаружил, что устройство на основе резистивной памяти имеет характеристики мемристора – теоретического четвёртого основного элемента электрической цепи после резистора, конденсатора и индуктивности. Мемристор отличается от обычного резистора способностью принимать разные значения сопротивления в зависимости от заряда, который прошёл через него в прошлом. Это делает компонент моделью аналоговой вычислительной единицы человеческого мозга, но с оговоркой: работает она значительно быстрее настоящего синапса и с меньшими затратами энергии. Трековая память (Racetrack memory)
Racetrack memory
Большинство дорог к "суперпамяти" ведут через поиск путей манипулирования атомами и их свойствами в нанометровом масштабе. Однако некоторые учёные уверены, что внимание нужно обратить на конструкцию памяти. Например, трёхмерная архитектура позволит совершить новый прорыв. В трековой памяти биты хранятся в виде крошечных доменов намагниченности, почти как в жёстких дисках. Отличие в том, что эти элементы памяти не являются монолитными блоками, а ведут себя как бусины на магнитном нанопроводнике. Электрический ток перемещает домены , проходящие через считывающие и записывающие головки. Скорость процесса достигает 200 м/с, что эквивалентно времени чтения в десятки наносекунд. Это сравнимо с сегодняшними видами памяти, но преимущество трековой заключается в ёмкости. Плоский проводник микрометрового размера способен хранить данные с не меньшей плотностью, чем флеш-память. Истинный потенциал кроется в изменении конфигурации нанопроводников с двумерной на трёхмерную, когда трековая память сможет хранить в сотни раз больше битов по сравнению с флеш-памятью на той же площади. Однако подобных прототипов ещё не существует. Материалы по теме: - Чип размером с ноготь сможет хранить 20 DVD;
- IT-Байки: За миллиард лет до стирания памяти;
- IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния.

Samsung анонсировала энергонезависимую память PRAM

Samsung анонсировала на шестом ежегодном форуме Samsung Mobile Solutions Forum в Тайпее начало производства 512-Мбит памяти PRAM (phase change random access memory – память с изменением фазового состояния). Новая технология энергонезависимой памяти, которая обладает высоким быстродействием и малым энергопотреблением, позиционируется как следующее поколение запоминающих устройств для мобильного сектора. Высокая ёмкость и производительность – ключевые факторы для смартфонов, однако повышение этих параметров увеличивает затраты энергии. Поскольку доступ к данным в PRAM требует меньшей поддержки от DRAM, разработка обладает высокой энегроэффективностью. В результате время автономной работы мобильного устройства может быть увеличено более чем на 20%.
Samsung
В PRAM информация хранится путём изменения фазового состояния халькогенида (chalcogenide) под воздействием тепла и электрического поля из аморфного в кристаллическое, обладающее низким сопротивлением. Скорость чтения и записи до 30 раз выше по сравнению с NAND, а максимальное количество циклов записи может достигать 100 млн. При температуре 85° данные будут хранится до 300 лет без электропитания. "Мы верим, что PRAM привнесёт существенное усовершенствование в сектор мобильных телефонов, - говорит вице-президент подразделения Memory Division в Samsung Сей-Джин Ким (Sei-Jin Kim). – Мы ожидаем, что она станет одним из ключевых продуктов в будущем". 512-Мбит чип способен стереть 64 тыс. слов (величина, равная 16, 32 или 64 бит) за 80 мс, что в 10 раз быстрее флэш-памяти на основе элементов NOR. PRAM комбинирует быстродействие оперативной памяти и энергонезависимость флэш-технологии. Материалы по теме: - Samsung запускает кампанию "Зелёная память";
- Учимся разгонять ноутбуки Samsung на логике Intel GM/PM45;
- Сравнительное тестирование памяти DDR2 и DDR3 на платформе AMD Socket AM3.

Готовое новое поколение PRAM-микросхем Samsung

Южнокорейская компания Samsung сообщила о скором начале поставок нового поколения микросхем памяти на основе фазового перехода – PRAM. Согласно информации от разработчиков, первые партии устройств отгрузят клиентам уже в июне 2009 года, причем ими станут решения информационной емкостью 512 Мб. Главным достоинством памяти на основе фазового перехода является высокая скорость при произвольном чтении данных и энергонезависимость, позволяющая хранить записанную информацию без подвода энергии. Таким образом, память типа PRAM объединяет в себе сильные стороны оперативной памяти и флэш-памяти – согласно официальным сведениям, новые микросхемы могут увеличить скоростные возможности подсистемы памяти в тридцать раз. По сравнению с комбинацией современной «оперативки» и энергонезависимых накопителей.
Samsung PRAM
В основе технологии Samsung лежит применение такого материала, как халькогенидное стекло. Материал способен за очень короткий промежуток времени изменять свое фазовое состояние из кристаллического в аморфное, и наоборот. Именно за счет этого и достигается высокая скорость передачи информации. Материал также способен в течение значительного времени сохранять свое фазовое состояние, что позволяет реализовать энергонезависимость памяти. Пока Samsung не разглашает информацию относительно потенциальных клиентов, которым будет осуществляться поставка первых PRAM-микросхем. Не называется и основная область применения устройств, впрочем, их характеристики и компактные размеры позволяют предположить, что они найдут свое признание в мобильной электронике, выполняя одновременно роль оперативной памяти и основного накопителя. Материалы по теме: - Numonyx начинает продажи памяти на основе фазового перехода;
- Qimonda работает над углеродной памятью;
- Samsung начнёт отгрузки 65-нм PRAM-памяти в этом году.

Elpida осваивает PRAM-память

Японская компания Elpida заключила интересное соглашение с R&D-стартапом (недавно созданной компанией, основной сферой деятельности которой является разработка и развитие новых технологий) Intermolecular Inc., по которому обе стороны будут проводить совместные исследовательские программы и владеть лицензиями на использование разработок в коммерческих целях. Согласно имеющимся сведениям, Elpida и Intermolecular сконцентрируют свое внимание на создании интегральных микросхем нового поколения, включающих в свой состав, по всей видимости, память на основе фазовых переходов (так называемая PRAM-память), хотя официальные представители обоих сторон не подтверждают эти данные. На данный момент известно, компания Elpida получит доступ к специализированному оборудованию Intermolecular, в том числе станций по изготовлению полупроводниковых приборов с использованием осаждению материалов из газовой фазы, атомного послойного осаждения. Это, по словам Такао Адачи (Takao Adachi), директора Elpida, позволит расширить и ускорить исследования по поиску материалов и технологий изготовления качественно иных микросхем памяти. Этого сегодня требует и жесткая рыночная конкуренция на рынке устройств хранения информации.
PRAM.jpg
Микросхема PRAM-памяти компании Intel
Надо сказать, что современная рыночная ситуация не позволяет производителям интегральных микросхем памяти «сидеть сложа руки», вынуждая их увеличивать свой доход в том числе и за счет выхода на новые для себя рынки. Так, компания Elpida не так давно объединила усилия с японской NEC Electronics – обе компании создали совместное предприятие, специализирующееся на управляющих микросхемах для дисплеев различного типа. Но более интересным партнером Elpida является компания Nymonyx, созданная буквально несколько месяцев назад, и занимающаяся разработками в области модернизации и изготовления микросхем памяти на основе фазовых переходов. Nymonyx пользуется технологическими наработками Ovonyx, а она, в свою очередь, является прямым партнером Elpida – очевидно, что последняя рассчитывает серьезно взяться за рынок PRAM-устройств. Теперь стоит вернуться к Intermolecular – компания обладает всем оборудованием для проведения исследований в области разработки и оптимизации технологий изготовления PRAM-памяти, в том числе и резистивной памяти (RRAM). При этом нужно учитывать, что RRAM-память уже заинтересовала компании Fujitsu, Samsung Electronics, Sharp и Sony. Таким образом, технология является весьма перспективной, и не только в связи с интересом столь крупных игроков IT-индустрии, но и отличными темпами развития рынка. Согласно исследования аналитиков, рынок PRAM-памяти уже к 2015 году вырастет на 164%, достигнув отметки в $7,25 млрд, более долгосрочные перспективы пока сложно определить, но и они, наверняка, будут весьма оптимистичны для ведущих производителей. Именно по этой причине Elpida сегодня и старается войти в число компаний, обладающих базой для разработок и изготовления PRAM-микросхем. Материалы по теме: - Intel и STMicro поставляют первые образцы PRAM;
- Elpida и UMC улучшат DRAM-микросхемы;
- Hynix присоединяется к PRAM-клубу.

Intel и STMicro поставляют первые образцы PRAM

Достигнут очередной важный этап на пути развития одного из наиболее перспективных конкурентов традиционных «флэшек» - памяти на основе фазового перехода, известной также как PRAM и PCM (phase-change memory). Как сообщили компании Intel и STMicroelectronics, стартовали продажи прототипов новых микросхем, которые являются первыми функционирующими образцами PRAM и предназначены для ознакомления с технологией потенциальных клиентов разработчиков. Кремниевое изделие получило кодовое имя Alverstone. Как утверждают разработчики, новая память отличается очень высокими скоростями чтения/записи, а её потребляемая мощность гораздо ниже по сравнению с традиционными микросхемами типа флэш. Руководитель по разработке новых технологий предприятия Numonyx, основанного Intel и STMicroelectronics, Эд Доллер (Ed Doller) отметил, что представление чипов PRAM является наиболее важным событием в отрасли энергонезависимой памяти за последние 40 лет. Емкость чипов Alverstone составила 128 Мбит, а ячейки памяти имеют одноуровневую архитектуру SLC. Напомним, на ISSCC также демонстрировался 256-Мбит чип PRAM, созданный на основе многоуровневой архитектуры MLC, которая позволяет хранить в одной ячейке сразу два бита информации. А теперь немного истории. Сотрудничество Intel и STMicroelectronics в области PRAM-памяти началось еще в далеком 2003 году с внедрением программы по совместной разработке JDP (joint development program). Первым важным достижением JDP стало представление в 2004 году на симпозиуме VLSI чипа емкостью 8 Мбит, созданного по 180-нм техпроцессу. Как отмечается, герой сегодняшней новости, 128-Мбит PRAM-чип Alverstone, был впервые представлен в 2006 году на VLSI в рамках программы JDP. Распространением и дальнейшим развитием разработок JDP в будущем займется совместное предприятие Numonyx. Материалы по теме: - Hynix присоединяется к PRAM-клубу;
- Samsung: планы по внедрению PRAM.

Intel и STMicroelectronics удвоили плотность PRAM

Компаниям Intel и STMicroelectronics, совместно работающим над разработкой памяти на основе фазового перехода, удалось разработать технику хранения двух бит информации в ячейках PRAM, что позволило удвоить плотность чипов «фазовой» памяти. В традиционной PRAM-памяти предусмотрено только два состояния ячейки, которые интерпретируются как логические "0" и "1". Новая технология позволяет добавить еще два дополнительных состояния. Инновационная разработка была представлена на конференции ISSCC 2008 (International Solid State Circuits Conference) в докладе «A Multi-Level-Cell Bipolar-Selected Phase-Change Memory», параллельно демонстрировался образец PRAM-чипа емкостью 256 Мбит, реализующий новую технологию. Как можно понять из скупых имеющихся сведений, основой технологии стал новый многоуровневый алгоритм, реализованный в микросхеме. Демонстрируемый образец PRAM-чипа был изготовлен с соблюдением 90-нм проектных норм. Материалы по теме: - IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память;
- Intel держит в руках первый прототип PRAM.

Nanochip разрабатывает чип памяти емкостью в 1 Тб

Американская компания Nanochip Inc. на днях объявила, что продвинулась по пути разработки принципиально нового вида оперативной памяти, емкость которого будет измеряться не гигабайтами как в настоящее время, а терабайтами. Новые чипы объединят в себе участки энергонезависимой памяти с фазовым переходом (phase-change memory, PRAM) и систему чтения/записи, относящуюся к типу микроэлектромеханических (MEMS). Согласно проекту, новинка получит стандартный DRAM-интерфейс, т.е для производителей модулей будет являться типичным представителем чипов оперативной памяти. Однако внутренним строением он будет напоминать скорее жесткий диск – по задумке инженеров информация будет храниться в фазовых ячейках, а ее считыванием/записью будут заниматься своеобразные "головки", на манер таковых у НЖМД. Компания обещает предоставить первый работающий прототип к 2009 году, старт массового производства намечен на 2010 год. Первый прототип будет обладать ячейками размером 15 х 15 нм, емкость чипа составит 100 Гб. Учитывая терабайтные устремления Nanochip, размер ячеек памяти должен в скором времени приблизиться к 2 – 3 нм. Компания утверждает, что сможет обеспечить ежегодное удвоение емкости чипов памяти. Последнее будет достигаться не уменьшением проектных норм, как это принято у производителей чипов DRAM или NAND, а совершенствованием среды хранения информации и записывающих головок, вследствие чего сравнение нового типа памяти с жестким диском выглядит еще более уместным. Материалы по теме: - Новый чип PRAM в 500 раз быстрее флэш-памяти!
- PRAM - "совершенная" память от Samsung;
- PRAM – новый тип памяти.

IDF Spring 2007: Intel разрабатывает стеклянную память

Полупроводниковый гигант планирует в рамках IDF озвучить новые подробности относительно собственного типа памяти. Пока лишь известно, что компания Intel в данный момент готовит производство своей собственной памяти с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), которая носит обозначение PRAM.
PRAM
Известно, что такая память будет энергонезависимой подобно флэш-памяти. Далее, скорость записи и чтения такой памяти будут на уровне типичных модулей памяти DDR, доступных на рынке уже сегодня. Но главной особенностью PRAM-памяти является материал, из которого она будет изготавливаться. В данном случае материалом служит стекло, которое позволяет обеспечивать фактически бесконечный срок службы. Известно также, что применение стекла при создании памяти дает возможность функционирования при частом изменении сопротивления вследствие воздействия тепла, генерируемого электрическими потоками. Тематические материалы: - IDF Spring 2007: Intel о быстродействии 45-нм Penryn;
- IDF Spring 2007: SoC Intel Tolapai в 2008 году;
- Intel: массовое производство PRAM к концу 2007.

Intel держит в руках первый прототип PRAM

Корпорация Intel заявила, что она совместно с ST Microelectronics, получила первый прототип энергонезависимой памяти, который как считает, руководство компании, будет способен заменить традиционную флэш-память и изменить лицо производства мобильных телефонов, музыкальных проигрывателей и даже компьютеров. Речь идет о так называемой "памяти с изменением фазового состояния" (phase change memory, PCM или PRAM), основанной на способности халькогенида (chalcogenide) под воздействием нагрева и электрических полей изменять свое состояние с непроводящего аморфного в проводящее кристаллическое. Данный вид памяти прекрасно справляется как с хранением больших объемов данных, так и с хранением выполняемого кода, представляя, таким образом, удивительный сплав флэш-памяти и динамической памяти с произвольным доступом.
Подложка с PCM чипами
В прессе уже проходили сообщения о разработке Samsung первого прототипа PCM модуля. Сегодня Intel предоставила публике первую 250 мм подложку, которая содержала многочисленные 128-мегабитные чипы PCM, произведенные на одной из фабрик ST Microelectronics. "Мы действительно уперлись в практически непреодолимые преграды на пути совершенствования технологии флэш-памяти. Нам необходим был какой-то решительный прорыв в исследованиях, для того чтобы сдвинуть процесс с мертвой точки", - говорит Эд Доллер (Ed Doller), главный технолог группы разработки флэш-памяти Intel. "Мы надеемся что PCM как раз и будет таким прорывом", - продолжил Доллер. Intel собирается начать отгрузку образцов новой памяти в течение следующего месяца, но, как заявил Доллер, пройдут еще многие годы прежде чем данные модули появятся в выпускаемых на массовый рынок продуктах. "Не раньше 2010", закончил Доллер. Тематические материалы в статьях: - Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри;
- Технологии модулей памяти: TCP, EPOC и FEMMA;
- XDR – Rambus return?

PRAM - "совершенная" память от Samsung

Samsung Electronics Co. Ltd объявила о завершении разработки первого полностью функционального прототипа PRAM-чипа памяти (Phase-change Random Access Memory, или память с произвольным доступом на основе фазовых превращений) емкостью 512 Мбит, который, как ожидается, придет на смену современным NOR-чипам флэш-памяти. Новая технология позволяет перезаписывать данные без предварительного затирания уже существующих, что выливается в 30-ти кратное превосходство в скорости над традиционной флэш-памятью. Ожидается десятикратное увеличение срока службы PRAM-чипов. Новые чипы компактнее и, что немаловажно, на 10% дешевле. Поставки чипов начнутся в 2008 году. Емкость первых устройств составит 512 Мбит. Samsung предрекает особый успех PRAM-технологии в различного рода компактных устройствах: смартфонах, PDA, и UMPC, где увеличение скорости доступа к данным вызовет мгновенное увеличение производительности системы в целом. Сочетая в себе лучшие качества RAM и флэш: скорость и энергонезависимость, PRAM вполне достойна называться «Совершенной RAM» (Perfect RAM), считает Samsung. Тематические ссылки по теме: Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри ;
XDR – Rambus return?.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥