Китайский производитель памяти CXMT рассчитывает к концу текущего года вывести на рынок серверные модули DDR5 RDIMM на чипах с перспективной архитектурой 4F2. Она предусматривает использование вертикальных транзисторов, которые позволяют увеличить плотность ячеек памяти.

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Источник изображения: CXMT

Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о планах компании 10 октября на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам. По его словам, разработка архитектуры 4F² достигла существенного прогресса, а выпуск новых модулей DDR5 RDIMM ожидается до конца года.

В основе технологии лежит транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. Такая конструкция улучшает управление током, помогает снизить утечки и уменьшить влияние эффектов короткого канала. Кроме того, она позволяет сократить площадь ячеек памяти и повысить плотность записи данных.

Обозначение 4F² описывает площадь, которую занимает одна ячейка памяти на кристалле. Здесь F — условный минимальный размер элемента структуры памяти, а число перед ним показывает, во сколько раз площадь ячейки превышает квадрат со стороной F. Архитектура 4F² предполагает, что одна ячейка DRAM занимает площадь, равную четырём таким квадратам. Для сравнения, в распространённой архитектуре 6F² на одну ячейку приходится шесть квадратов. Чем меньше площадь ячейки, тем больше их можно разместить на одном кристалле, а значит, тем выше может быть ёмкость микросхемы при сопоставимых размерах.

Первые варианты 4F² предусматривали использование планарных транзисторов, а производство ячеек памяти и периферийных логических схем зависело от общих условий литографии и легирования. Из-за этих ограничений ранние разработки уступали по совокупным характеристикам отработанным решениям класса 6F².

По мере того как возможности дальнейшего уменьшения ячеек 6F² приближаются к технологическим пределам, производители исследуют трёхмерные варианты реализации 4F². Среди возможных подходов — разделение процессов изготовления DRAM и КМОП-логики, а также гибридное соединение кремниевых пластин для организации высокоскоростных межсоединений. Это позволило бы независимо оптимизировать плотность ячеек и производительность логики.

По словам Цао Каньюя, CXMT располагает более чем 300 опубликованными семействами патентов, связанными с архитектурой 4F². Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. В сентябре генеральный директор компании Чжао Лунь сообщил, что в первом полугодии вклад серверных продуктов в бизнес производителя увеличивался.

В последнее время CXMT ускорила освоение новых поколений памяти. В конце августа компания объявила о начале массового производства LPDDR6, став одной из первых, кто приступил к коммерциализации этого стандарта. В сентябре ChangXin Memory Technologies сообщила о запуске массового производства памяти DRAM пятого поколения (G5). По заявлению компании, её характеристики приближаются к уровню передовых мировых разработок.

По данным Counterpoint Research, во втором квартале текущего года CXMT занимала около 7 % мирового рынка DRAM по выручке, располагаясь на четвёртом месте среди производителей.

Samsung, SK hynix и Micron также разрабатывают память на основе архитектуры 4F² или аналогичных трёхмерных решений. Если CXMT удастся выпустить новые модули в заявленные сроки и добиться их квалификации у заказчиков, компания сможет укрепить позиции на серверном рынке. Пока, однако, речь идёт о планах выпуска, а не о мировом первенстве в массовом производстве 4F² DRAM.

Американский производитель памяти Micron Technology в очередной раз подтвердил свою ориентацию на удовлетворение потребностей серверных клиентов анонсом модулей RDIMM объёмом 512 Гбайт, способных работать в режиме до DDR5-9200 включительно. Данные модули памяти уже проходят валидацию компаниями Intel и AMD, а серийно выпускаться они начнут во второй половине следующего года.

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображения: Micron Technology

По сути, компания анонсировала новые модули памяти практически за год до их появления в продаже, но подобная предупредительность в целом характерна для серверного сегмента. Двухпроцессорный сервер с 24 слотами памяти может приютить до 12 Тбайт оперативной памяти DDR5 благодаря использованию подобных модулей RDIMM. Добиться подобной плотности размещения микросхем на модуле удалось при помощи технологии вертикального монтажа с использованием межслойных соединений TSV.

Если представители AMD просто отметили, что ведут валидацию данных модулей памяти с точки зрения совместимости со своими серверными платформами, то в Intel прозрачно намекнули, что обеспечат поддержку таких модулей памяти в рамках серверных платформ нового поколения. Увеличение объёма информации, хранимой непосредственно в ОЗУ, по данным Micron, позволяет на 60 % снизить энергопотребление по сравнению с четырьмя модулями объёмом по 128 Гбайт, номинально формирующими аналогичный совокупный объём памяти.

В задачах анализа данных с использованием Spark SVM модули RDIMM объёмом 512 Гбайт способны обеспечить прирост быстродействия до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями, построенными на модулях памяти объёмом 256 Гбайт. При работе с базами данных RocksDB и Redis более ёмкие модули памяти также обеспечивают рост эффективности процесса обработки данных.

Компания G.Skill показала на выставке Computex 2026 впечатляющие конфигурации оперативной памяти для рабочих станций. Одной из них стал восьмиканальный комплект DDR5-10000 ECC RDIMM общим объёмом 512 Гбайт.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Источник изображений: TechPowerUp

В составе комплекта DDR5-10000 ECC RDIMM используются восемь модулей памяти G.Skill DDR5-10000 RDIMM ёмкостью по 64 Гбайт каждый. Память установлена в систему с материнской платой Asus Pro WS W890E-SAGE SE и 24-ядерным 48-поточным процессором Intel Xeon 658X (Granite Rapids).

Согласно тестам, система обеспечивает скорость чтения памяти 602,34 Гбайт/с, скорость записи 487,45 Гбайт/с и скорость копирования 537,33 Гбайт/с при задержке 86 нс. G.Skill также показала аналогичную систему, но с 768 Гбайт (8 × 96 Гбайт) оперативной памяти DDR5-8800 RDIMM.

Для платформы AMD Ryzen Threadripper компания продемонстрировала комплект памяти DDR5-7200 RDIMM ёмкостью 512 Гбайт (8 × 64 Гбайт). Он работал на материнской плате ASRock WRX90 WS EVO в тандеме с 64-ядерным 128-поточным процессором Ryzen Threadripper PRO 9985WX. Для памяти заявлены относительно низкие тайминги CL46-56-56-115.

Возможно, наиболее интересной конфигурацией с точки зрения рядовых потребителей оказалась система с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, материнской платой Asus Pro WS W880-ACE SE и 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) оперативной памяти DDR5-6400 ECC CUDIMM.

Функция коррекции ошибок (ECC) поддерживается процессорами Arrow Lake Plus, но для этого необходимо использовать материнские платы на чипсете Intel W880.

Американская компания Micron Technology сегодня заявила о начале поставок образцов модулей памяти типа RDIMM, работающих в режиме DDR5-9200 и предлагающих объём 256 Гбайт в сочетании с несколькими другими инновационными решениями. Поднимая планку как быстродействия, так и ёмкости, Micron оптимально удовлетворяет растущие запросы серверного сегмента рынка.

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Источник изображения: Micron Technology

Во-первых, как отмечается в пресс-релизе производителя, новые модули памяти оснащены микросхемами DDR5, изготовленными по новейшему техпроцессу 1-гамма 10-нм класса. Во-вторых, эти модули обеспечивают скорость передачи информации до 9200 мегатранзакций в секунду. Кроме того, они имеют трёхмерную компоновку 3DS с межслойными соединениями TSV. Один такой модуль обеспечивает повышение скорости передачи информации с 6400 до 9200 Мт/с при снижении энергопотребления на 40 % по сравнению с двумя модулями предыдущего поколения объёмом по 128 Гбайт.

Регистровые модули RDIMM применяются в серверных системах и рабочих станциях. В условиях бума искусственного интеллекта, сосредоточившего спрос на серверной инфраструктуре, появление подобного продукта выглядит очень своевременным. После валидации данных модулей партнёрами и клиентами Micron сможет приступить к их серийным поставкам.

Компания V-Color представила комплекты оперативной памяти DDR5 RDIMM большой ёмкости, сертифицированные специально для новой платформы AMD Ryzen Threadripper Pro 9000, предназначенной для построения высокопроизводительных рабочих станций. Новые комплекты памяти V-Color поддерживают скорость до 8200 МТ/с и представлены модулями объёмом от 16 до 256 Гбайт.

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображений: V-Color

Производитель анонсировал как четырёхканальные комплекты памяти общим объёмом 64 Гбайт (четыре планки по 16 Гбайт), 96 Гбайт (4 × 24), 128 Гбайт (4 × 32), 192 Гбайт (4 × 48), 256 Гбайт (4 × 64), 384 Гбайт (4 × 96), 512 Гбайт (4 × 128) и 1 Тбайт (4 × 256), так и восьмиканальные комплекты объёмом до 2 Тбайт. Все комплекты обеспечивают скорость от 6400 до 8200 МТ/с. Подробнее — в таблице ниже.

Компания уточняет, что новинки будут доступны как с RGB-подсветкой, так и без неё. Все комплекты поддерживают разгон. В качестве примера V-Color привела результаты тестирования комплекта DDR5-8200 объёмом 192 Гбайт в сочетании с 64-ядерным процессором Ryzen Threadripper Pro 9985WX. Память работала при таймингах CL38-52-52-126.

Комплекты оперативной памяти V-Color DDR5 RDIMM объёмом до 2 Тбайт для процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 WX поступят в продажу в третьем квартале этого года. Стоимость производитель не уточняет.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из восьми модулей по 64 Гбайт каждый. По заявлению производителя, комплект специально оптимизирован для новых процессоров AMD Ryzen Threadripper Pro 9000 и материнских плат с чипсетом AMD WRX90.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображений: G.Skill

В основе модулей памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM используется 16-слойный текстолит, что повышает надёжность передачи сигнала в условиях высоких нагрузок. Модули поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Каждый модуль серии G.Skill T5 Neo DDR5 RDIMM оснащён двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, которые обеспечивают стабильное напряжение и защищают устройство от перепадов.

Для представленных модулей заявлены тайминги CL38-48-48-102. Комплект успешно прошёл проверку в приложении Memtest на материнской плате ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE в сочетании с процессором Ryzen Threadripper Pro 9945WX.

В продажу комплект G.Skill T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт поступит в августе. Стоимость производитель пока не раскрыл.

V-Color представила первые в отрасли модули памяти DDR5 OC RDIMM RGB, предназначенные для рабочих станций и профессиональных задач. Максимальная ёмкость комплекта составляет 512 Гбайт.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображений: V-Color

Комплекты V-Color DDR5 OC RDIMM RGB включают планки от 16 до 64 Гбайт, что даёт до 512 Гбайт в версии из восьми единиц. Предлагаются скорость до 8000 МТ/с и сверхнизкий тайминг RDIMM до CL26 — память оптимизирована для работы с процессорами AMD Ryzen Threadripper и Intel Xeon. Эстетическое оформление с использованием RGB-светодиодов дополняет технические возможности комплектов, предназначенных для разработки в области искусственного интеллекта, многозадачных профессиональных рабочих нагрузок, аналитики данных и творческой работы — вдобавок к высокой скорости производитель обещает надёжность и эффективность.

V-Color обеспечила соответствие строгим профессиональным и корпоративным нормам: модули DDR5 OC RDIMM RGB способны работать со стандартными скоростями JEDEC от 4800 до 5600 МТ/с. Продемонстрированы возможности разгона в конфигурации 128 Гбайт (4 × 32 Гбайт) с 8000 МТ/с, CL40 при 1,35 В — с процессорами AMD Ryzen Threadripper на материнской плате Gigabyte TRX50 AI TOP для высокопроизводительных вычислений и задач ИИ. Ещё одна демонстрация — стабильная скорость в конфигурации 96 Гбайт (4 × 24 Гбайт) с 6000 МТ/с, CL28 и процессорами Intel Xeon на плате ASUS PRO WS w790-SAGE SE.

Комплекты памяти V-Color DDR5 OC RDIMM RGB с чёрным и серебристым радиаторами поступят в продажу по всему миру 20 мая после их презентации на выставке Computex 2025. О ценах производитель пока умолчал.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.