Теги → toggle 2.0

Plextor анонсировала NVMe SSD M8Pe с производительностью до 280 тыс. IOPS

Тайваньский производитель устройств хранения данных Lite-On, выпускающий SSD для розничного рынка под известным брендом Plextor, объявил о грядущем появлении в продаже накопителей Plextor M8Pe(G) и M8Pe(Y) в форм-факторах M.2 2280 и PCI-E HHHL соответственно. Несмотря на впечатляющую разницу в габаритах, новинки демонстрируют одинаковое и притом очень высокое быстродействие. Модели с разъёмом M.2 привлекут внимание зажиточных энтузиастов и производителей high-end систем в сборе, а карты PCI Express — корпоративных заказчиков, которые оснастят ими серверы и рабочие станции.

Объём накопителей Plextor M8Pe может составлять 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт. С увеличением ёмкости производительность не падает (что является обычной практикой для потребительских SSD), а растёт. Так, 128-гигабайтные устройства Plextor PX-128M8PeG и PX-128M8PeY характеризуются максимальной скоростью последовательных чтения/записи данных в 1600/500 Мбайт/с и пиковым числом операций ввода-вывода за 1 с в 120 000/130 000 IOPS (чтение/запись). В свою очередь, флагманские решения PX-1TM8PeG и PX-1TM8PeY могут похвастаться показателями скорости чтения/записи в 2500/1400 Мбайт/с и максимальным количеством IOPS в 280 000/240 000. Кроме того, терабайтные SSD имеют вдвое больший объём буферной памяти LPDDR3 — 1 Гбайт.

Спецификации моделей Plextor M8Pe(G)   

Plextor M8Pe(G)

Спецификации моделей Plextor M8Pe(Y)

Plextor M8Pe(Y)

Серьёзное быстродействие новинок обеспечивается сочетанием микросхем флеш-памяти Toshiba Toggle MLC NAND (15 нм), контроллера Marvell 88SS1093 корпоративного класса, четырёх линий PCI-E 3.0 и протокола NVMe 1.2. Наличие ёмкого кеша отмечено выше.

Немалую роль в привлекательности устройств Plextor M8Pe играет 5-летняя гарантия от производителя. Покупатели больших (182 × 121 × 22,4 мм) карт PCI Express x4 получат дополнительный аксессуар в виде заглушки для низкопрофильных корпусов. Накопители могут работать в операционных системах Windows и Linux, поддерживают команду TRIM, фирменные технологии TrueSpeed и TrueProtection. Предпродажное тестирование Zero Error длится 48 часов и включает 4000 циклов перехода в режим простоя, а также 250 циклов включения/выключения.

Ресурс Hermitage Akihabara информирует, что в Японии новинки M8Pe в форм-факторе M.2 2280 можно будет приобрести начиная с середины августа по ценам от ¥7 тыс. до ¥46,4 тыс. (4,5–29,7 тыс. руб.), а в конструктиве PCI-E HHHL — от ¥11,8 тыс. до ¥50,8 тыс. (7,6–32,5 тыс. руб.).

Новая MLC NAND SK Hynix увеличит надёжность и производительность SSD

SK Hynix собирается анонсировать новые микросхемы многоуровневой (multi-level cell, MLC) энергонезависимой NAND флеш-памяти, которые увеличат производительность твердотельных накопителей (solid-state drive, SSD). Новые устройства также обещают похвастаться более высокой надёжностью, чем другие чипы MLC NAND.

Третий в мире поставщик флеш-памяти готовится выпустить первые в индустрии многоуровневые NAND-микросхемы с размерами блоков в 6 Мбайт. Увеличенные размеры блоков могут помочь производителям SSD повысить производительность накопителей на базе таких чипов в приложениях, требующих большой скорости случайной записи. Семейство устройств будет включать в себя микросхемы ёмкостью 64, 128, 256 и 512 Гбит с toggle DDR 2.0 интерфейсом (скорость передачи данных — до 400 Мбит/с на чип). Новые NAND флеш-приборы будут производиться с использованием 16-нм технологического процесса.

NAND флеш-память SK Hynix

NAND флеш-память SK Hynix

Флеш-память типа NAND хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором (ячейках памяти, memory cell), где бит значения определяется наличием электрического заряда в изолированной области («кармане») полупроводниковой структуры. Массивы ячеек объединены в линии разрядов (bit line) и линии чисел (word line). Ячейки, находящиеся на одной линии разрядов, создают страницу, что является наименьшим участком NAND флеш-памяти, который может быть записан. Множество страниц формируют блок (erase block), являющийся наименьшей областью NAND, которая может быть стёрта.

Архитектура NAND: линии разрядов и линии чисел

Архитектура NAND: линии разрядов и линии чисел

Как известно, каждый цикл перезаписи/стирания (т. е. изменение заряда в «кармане») ведёт к износу ячеек NAND флеш-памяти. Однако поскольку архитектура NAND предполагает совместное использование одной разрядной линии (bit line) несколькими транзисторами, чтобы стереть одну ячейку, требуется стереть весь блок, в котором она находится. Более того, как только проявляется один дефект в блоке, контроллер SSD отключает весь блок (предполагая, что электрическими зарядами повреждена не только одна ячейка, но и соседние с ней транзисторы). Чтобы минимизировать количество циклов перезаписи/стирания и максимизировать срок жизни твердотельного накопителя, существуют специальные методики управления блоками, которые устраняют необходимость ненужных операций стирания.

Архитектура NAND: страница и блок

Архитектура NAND: страница и блок

В теории, чем меньше размер блока, тем более «вынослива» NAND флеш-память (так, современная одноуровневая [single-level cell, SLC] флеш-память имеет размеры блоков в 128 Кбайт). Однако на практике ёмкость микросхем памяти растёт и применять блоки малого размера становится труднее, поэтому современные MLC NAND флеш устройства используют блоки объёмом 2–4 Мбайт. Стирание большого количества блоков занимает время, что снижает производительность SSD, а потому увеличения ёмкости блоков с развитием энергонезависимой памяти — неизбежность. Поскольку стирание группы из 6-Мбайт блоков занимает меньше времени, чем стирание большего количества 4-Мбайт блоков, увеличение ёмкости блоков повысит скорость случайной записи. Подобные операции часто выполняются серверами и рабочими станциями.

Однако большие блоки NAND флеш-памяти также означают, что производители SSD должны использовать продвинутые контроллеры, которые «знают», как лучше работать с именно с такими блоками и сводить к минимум количество циклов перезаписи/стирания. В принципе, сам факт того, что компания SK Hynix решилась на выпуск коммерческих микросхем MLC NAND с размером блоков 6 Мбайт, означает, что компания уверена как в современных контроллерах твердотельных накопителей, так и в высокой надёжности своих 16-нм чипов флеш-памяти.

В настоящее время не известно, планирует ли SK Hynix продавать новые микросхемы NAND флеш-памяти как устройства корпоративного класса eMLC (что было бы логично, учитывая основное преимущество этих микросхем памяти), или как обычные чипы MLC. В любом случае, новые чипы памяти будут уникальны. Впрочем, увеличение размеров блока NAND флеш-памяти —вопрос эволюции. Через некоторое время подобные чипы, скорее всего, будут доступны более широко и от разных производителей.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥