Теги → tsv

Samsung наращивает производство HBM2-памяти

Компания Samsung в настоящее время выступает единственным производителем памяти, способным выпускать 8-гигабайтные чипы HBM2 (второго поколения). Учитывая возрастающую потребность в высокоскоростной памяти в различных областях применениях, например, в системах искусственного интеллекта и машинного обучения, в высокопроизводительных вычислениях, во флагманских графических картах, в сетевых приложениях и в оборудовании крупных дата-центров, компания приняла решение увеличить объёмы выпуска таких ёмких чипов HBM2.

Микросхемы Samsung HBM2

Микросхемы Samsung HBM2

Отдельно стоит отметить, что оба производителя графических процессоров, AMD и NVIDIA, активно пользуются чипами HBM2 в своих высокопроизводительных решениях. У NVIDIA такая память применяется в профессиональных видеокартах Quadro GP100, которые комплектуются 16 Гбайт HBM2, а также в ускорителях вычислений Tesla P100. У AMD же HBM2 устанавливается в видеокартах Radeon RX Vega Frontier Edition, которые также несут на борту 16 Гбайт HBM2.

«Увеличивая производство уникальных для индустрии 8-Гбайт модулей HBM2, мы постараемся своевременно и в достаточных количествах обеспечивать производителей для того, чтобы они могли проводить разработку и модернизацию своих систем», — сказал Джешу Хан (Jaesoo Han), исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу в Samsung Electronics: «Попутно мы продолжим совершенствовать линейку HBM2-памяти в близком сотрудничестве с нашими клиентами».

Чипы 8 Гбайт HBM2 производства Samsung представляют собой сборку из восьми 8-гигабитных кристаллов HBM2 и буфера, расположенного внизу стека. Вся эта конструкция «прошивается» вертикальными межслойными соединениями TSV (Through Silicon Via). Особенность подхода Samsung заключается в том, что часть соединений изначально находится в пассивном состоянии, представляя собой некий резерв, необходимый для подмены проблемных путей и помогающий теплоотводу.

HBM2-память была впервые представлена чуть более года тому назад. Благодаря использованию 4096-битной шины пропускная способность стека HBM2 достигает 256 Гбайт/с, что примерно в восемь раз превышает пропускную способность GDDR5. Вторым важным преимуществом чипов HBM2 выступает их высокая ёмкость. Samsung ожидает, что к концу года именно ёмкие 8-Гбайт микросхемы будут составлять более половины объёма выпуска всей HBM2-памяти.

Стоит заметить, что первой видеокартой, где используются именно 8 Гбайт HBM2-чипы Samsung, стала Radeon RX Vega Frontier Edition. Располагая 16 Гбайт видеопамяти, она комплектуется двумя микросхемами, маркировка которых выдаёт именно продукцию Samsung.

AMD Vega

AMD Vega - изображение GPU

Перспективные игровые ускорители Radeon RX Vega, согласно имеющимся данным, будут располагать 8 Гбайт видеопамяти.

Samsung начала массовые поставки модулей DDR4 ёмкостью 128 Гбайт

До недавних пор максимальная ёмкость любого модуля памяти, даже самого современного серверного DDR4 RDIMM была ограничена цифрой 64 Гбайт. Но компания Samsung Electronics, один из крупнейших производителей микроэлектроники официально объявила о начале массового производства модулей DDR4 RDIMM объёмом 128 Гбайт. Речь, разумеется, идёт о регистровых модулях, не предназначенных для использования в обычных настольных ПК.

Создание таких модулей-монстров стало возможным благодаря наработкам Samsung в области многослойных технологий; в частности, в новых модулях используется вертикальная компоновка из нескольких кристаллов DRAM, соединённых при помощи технологии TSV (Through Silicon Via). Похожие технологии Samsung применяла и ранее, при создании модулей DDR3 RDIMM ёмкостью 32 Гбайт. Они сложны в реализации, но позволяют упростить упаковку и сделать многослойные чипы более надёжными.

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

Преимущества TSV перед традиционной многослойной упаковкой

В новых модулях использованы кристаллы ёмкостью 8 Гбит, они способны работать на частоте 2 400 МГц. В течение ближайших нескольких недель Samsung Electronics планирует также начать производство модулей LRDIMM аналогичной ёмкости. Столь ёмкие модули позволят сравнительно безболезненно нарастить объём оперативной памяти серверных систем, для которых этот параметр критичен. В дальнейшем компания намеревается выпустить и более высокочастотные версии модулей, с частотой вплоть до 3 200 МГц. Она также ведёт работы по созданию модулей памяти на базе технологии HBM.

Toshiba представила прототип 256-Гбит флеш-чипа с технологией TSV

Компания Toshiba Corporation анонсировала разработку первой в отрасли микросхемы флеш-памяти с шестнадцатью кристаллами, размещёнными в несколько слоёв. Новинка использует технологию Through Silicon Via (TSV).

Toshiba

Toshiba

Прототип устройства будет показан в ходе конференции Flash Memory Summit 2015, которая пройдёт с 11 по 13 августа в Санта-Кларе (США). Все полупроводниковые кристаллы объединены в одном корпусе и для связи используют так называемые вертикальные электроды. Это обеспечивает высокую скорость передачи данных, а также снижает потребляемую мощность. Благодаря технологии Toshiba TSV скорость ввода-вывода данных достигает 1 Гбит/с, что намного выше по сравнению с микросхемами NAND с таким же низким напряжением питания. На основные чипы подаётся напряжение 1,8 В, а схемы ввода-вывода используют питание 1,2 В. По сравнению с традиционными решениями, новинки характеризуются на 50 % меньшей потребляемой мощностью в операциях чтения и записи данных.

Toshiba

Toshiba

Новая память может найти применение в приложениях, в которых предъявляются высокие требования к задержкам, пропускной способности памяти и энергоэффективности. В частности, такие чипы подходят для корпоративных SSD класса High-End.  

На данный момент разработаны два прототипа в корпусах NAND Dual x8 и BGA-152. Они имеют ёмкость 128 и 256 Гбайт соответственно.

Hynix утверждает, что создала первые чипы памяти с технологией межслойных соединений

Южнокорейская компания SK hynix создала, как она утверждает, первый в мире чип памяти с применением технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV). Эти микросхемы превосходят доступные на рынке образцы памяти по скорости и эффективности потребления энергии.

Созданная совместно с корпорацией AMD новая память состоит из четырех чипов DRAM, изготовленных по 40-нм техпроцессу и объединенных в один модуль посредством «связи сквозь кремний». За счет размещения компонентов ближе друг к другу, чем раньше, повышается быстродействие, уменьшаются габариты и энергопотребление полупроводниковых микросхем. В случае с разработкой Hynix и AMD энергоэффективность повышена на 40%, а напряжение питания составляет 1,2 В.

eteknix.com

eteknix.com

Пропускная способность TSV-памяти составляет 128 Гбит/с, что в четыре раза больше по сравнению с чипами GDDR5, пишет The Korea Herald.

Такая производительность найдет применение в суперкомпьютерах, серверах и вычислительных устройствах, от которых требуется высокая графическая мощь.

gadgets.ndtv.com

gadgets.ndtv.com

В SK hynix обещают начать серийное производство памяти с использованием технологии межслойных соединений во второй половине будущего года.

1,6-Тб модуль памяти размером с палец

Институт инженерных инноваций (Institute of Engineering Innovation) при Университете Токио (University of Tokyo) в сотрудничестве с Disco Corp, Dai Nippon Printing, Fujitsu Laboratories и WOW Research Center разработал технологию уменьшения толщины 300-мм кремниевых подложек до 7 мкм. Это позволяет реализовать 1,6-Тб модуль памяти в виде решения размером с большой палец путём объединения 100 слоёв 16-Гб чипов методом TSV (through-silicon via – соединения внутри кремния). Презентация разработки состоялась на международной конференции производителей полупроводников IEDM 2009.
Кремниевая пластина толщиной 7 мкм
До сих пор толщину пластин удавалось уменьшить только до 20 мкм. Новая технология использовалась для создания 45-нм устройства на основе КМОП (комплиментарный металл-оксид-полупроводник), сформированного на кремниевой пластине. Уменьшение толщины до 7 мкм не привело к деформации кремния, медных проводников или изолирующих слоёв с низкой диэлектрической проницаемостью транзисторов MOSFET n- или p-типа. Характеристики транзисторов также не ухудшились. Разработку планируется использовать для производства чипов с трёхмерной структурой размещения компонентов. Помимо компактности преимущество технологии формирования 3D-кристаллов на подложке также в более низкой стоимости по сравнению с изготовлением трёхмерных структур из отдельно вырезанных из пластины чипов. Материалы по теме: - Кремний и нитрид галлия продлят действие закона Мура;
- IDF 2009: за горизонтом новых технологий;
- IT-байки: Электроника будущего - бумажная, органическая, фотонная?.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥