Samsung рассказала, чем будет хороша память HBM5, zHBM и zNAND-O

Южнокорейская компания Samsung Electronics воспользовалась трибуной отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 для рассказа о своих планах в сфере разработки и выпуска новых типов скоростной памяти. В ближайшей перспективе упор будет сделан на HBM5, zHBM и zNAND-O.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Источник изображения: Samsung Electronics

Корпоративный вице-президент по планированию в сфере производства памяти Чан Сок Цой (Jangseok Choi) заявил, что HBM5 по сравнению с HBM4E удвоит быстродействие в чистом виде, а удельная производительность в пересчёте на ватт потребляемой мощности вырастет на 20 %. Тепловое сопротивление тоже снизится на 20 %, позволяя стекам памяти HBM5 лучше переносить высокие температуры, с которыми им придётся сталкиваться в процессе эксплуатации в составе ускорителей вычислений.

Базовый кристалл HBM5 будет выпускаться по 2-нм техпроцессу, тогда как HBM4 и HBM4E будут довольствоваться 4-нм. Массовое производство HBM5 компания Samsung начнёт примерно в 2028 году, со временем увеличив количество ярусов в стеке с 12 до 20 штук. Ещё более совершенным типом скоростной памяти станет zHBM, которая поднимет быстродействие в восемь раз по сравнению с HBM4E, а удельная производительность на ватт вырастет в три раза. Тепловое сопротивление zHBM удастся снизить на 75–90 %. Особенностью компоновки zHBM является размещение стека памяти непосредственно на сопутствующем процессоре, а не на подложке по соседству. Выпуск такой памяти будет налажен уже после 2029 года.

Твердотельная память в исполнении Samsung тоже будет эволюционировать, в 2028 году компания начнёт поставлять образцы микросхем zNAND-O, которая увеличит плотность на бит в десять раз по сравнению с DRAM, а пропускная способность на операциях чтения вырастет в семь раз по сравнению с классической NAND, как и энергетическая эффективность. Эта память будет сочетать в себе преимущества DRAM и NAND, активно применяясь в вычислительной инфраструктуре ИИ.

В целом, в эволюционном развитии микросхем памяти Samsung будет делать упор на увеличение ёмкости, повышение вычислительного КПД, пропускной способности и энергетической эффективности. Трёхмерная компоновка микросхем, оптимизация архитектуры, сокращение путей передачи информации и снижение энергопотребления позволят Samsung достичь указанных целей.