MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Компания InnoGrit представила на выставке Computex 2025 твердотельный накопитель N3X, оснащённый контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и вторым поколением постоянной памяти XL-Flash, работающей в SLC-режиме. Устройство предназначено для корпоративных рабочих нагрузок, чувствительных к задержкам памяти и требующих максимальной надёжности.
Источник изображений: Tom's Hardware
Контроллер, используемый в InnoGrit N3X, соответствует протоколу NVMe 2.0 и поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x4. Накопитель обеспечивает постоянную скорость чтения до 14 Гбайт/с и постоянную скорость записи до 12 Гбайт/с, а также впечатляющую производительность в операциях случайного чтения до 3,5 млн IOPS и случайной записи на уровне 700 тыс. IOPS.
Главной особенностью InnoGrit N3X, выделяющей его на фоне обычных и даже других корпоративных SSD, является низкий уровень задержки при операциях чтения и записи. Задержка при чтении составляет менее 13 мкс. Для сравнения: обычные SSD, использующие чипы памяти 3D TLC NAND, обладают задержкой порядка 50–100 мкс. Задержка при записи у новинки составляет 4 мкс (200–400 мкс у накопителей на базе 3D TLC NAND), что делает её особенно полезной для кэширования, ИИ-расчётов, вычислений в оперативной памяти и аналитики в реальном времени. InnoGrit N3X предлагает объёмы от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (в конфигурациях от 32 до 256 микросхем памяти), что делает эти твердотельные накопители привлекательной альтернативой снятым с производства решениям Intel Optane.
Рейтинг долговечности накопителя также впечатляет: 50 DWPD (полных циклов перезаписи в день) в течение 5 лет, что значительно превышает стандартные уровни долговечности корпоративных твердотельных накопителей на базе NAND и делает его идеальным для задач с интенсивным использованием записи, таких как кэширование, ИИ-выводы, а также передача данных, где долговечность и стабильная производительность имеют решающее значение.
InnoGrit считает, что её партнёры могли бы создавать твердотельные накопители на базе чипов памяти XL-Flash и контроллера IG5669 в форм-факторах U.2 или E3.S для серверов. Однако платформа также позволяет создавать накопители в форматах карт расширения для настольных рабочих станций и высокопроизводительных ПК.
XL-Flash от Kioxia — это высокопроизводительная технология NAND, разработанная для преодоления разрыва в задержках между DRAM и обычной флеш-памятью, что делает её жизнеспособным решением в качестве постоянной памяти для корпоративных задач, где требуется память с высокой отзывчивостью, сопоставимой с DRAM. Во втором поколении XL-Flash компания Kioxia удвоила плотность за счёт использования архитектуры MLC (многоуровневая ячейка), позволившей увеличить ёмкость кристалла памяти с 128 Гбит до 256 Гбит. Однако InnoGrit считает, что такую память имеет смысл использовать в конфигурации SLC для более высокой производительности, поскольку в конечном итоге именно это больше всего нужно пользователям подобных накопителей.
Первоначально Kioxia позиционировала XL-Flash как конкурента снятой с производства памяти Optane от Intel. Однако сейчас можно сказать, что XL-Flash приходит на смену Optane.
Источник:
