Новости Hardware → модули ОЗУ, карты памяти, флеш-накопители, кардридеры

Intel и Micron откажутся от партнёрства 3D XPoint в 2019 году

Intel, наконец, разъяснила состояние совместного с Micron предприятия 3D XPoint. Напомним: Intel и Micron вместе разработали новый класс энергонезависимой памяти, производство которой осуществляется на фабрике Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) в штате Юта. В заявлении Intel говорится, что для второго поколения памяти развитие будет также осуществляться совместными усилиями и, как ожидается, завершится в первой половине 2019 года. Но уже третье поколение этого типа памяти будет развиваться обеими компаниями независимо, что позволит им сосредоточиться на собственных бизнес-интересах: например, придерживаться более агрессивной стратегии.

Технология 3D XPoint, продвигаемая на рынке под марками Optane от Intel и QuantX от Micron, стала мини-революцией в секторе энергонезависимой памяти. Продукты Optane от Intel преимущественно выступают в качестве высокоскоростных хранилищ данных, но были выпущены и DRAM-вариации. Optane вызвали значительный интерес со стороны тех корпоративных рынков, которые могут извлечь выгоду из очень быстрой и довольно доступной энергонезависимой памяти. Ожидается, что Intel начнёт выпускать свои продукты DRAM вместе с серверной архитектурой следующего поколения. В соответствии с условиями совместного предприятия каждая компания получает 50 % флеш-памяти, произведённой на фабрике IMFT в штате Юта. Решения Micron QuantX не были выпущены на рынок, так что их, вероятно, скупают корпоративные заказчики напрямую.

Intel давно считает, что 3D XPoint имеет большое и светлое будущее, предлагая клиентам скорость и ёмкость для широкого спектра приложений. Продукт в перспективе может стать заменой как оперативной, так и постоянной памяти, но пока в основном используется в качестве буфера между HDD и ОЗУ. В новых версиях стандарта ожидается увеличение слоёв и, соответственно, быстрое наращивание ёмкости — видимо, этого можно ожидать уже во втором поколении памяти, над которым трудятся сейчас Intel и Micron.

В последнее время у обеих компаний наблюдались проблемы. Intel выпустила продукты Optane DRAM заметно позже обещанного срока, а Micron столкнулась с трудностями в отношениях с китайским правительством и разочаровывающими продажами своей памяти 3D XPoint. Посмотрим, как будущий разрыв между Intel и Micron повлияет на развитие нового типа памяти и индустрию в целом. Во время нашего обзора накопители Optane SSD 900P создали впечатление продукта будущего, а потому хотелось бы, чтобы эти решения как можно быстрее становились более доступными и массовыми.

Источник:

В Samsung созданы первые в отрасли чипы LPDDR5 DRAM для 5G-смартфонов

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR5 DRAM ёмкостью 8 Гбит, которые будут изготавливаться по технологии 10-нанометрового класса.

Изделия предназначены для использования в смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), а также в устройствах со средствами искусственного интеллекта (AI).

Отмечается, что решения LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это приблизительно в полтора раза больше по сравнению с современными чипами LPDDR4X (4266 Мбит/с).

Изделия LPDDR5 DRAM будут предлагаться в двух модификациях: 6400 Мбит/с с рабочим напряжениям 1,1 В и 5500 Мбит/с с рабочим напряжением 1,05 В.

Samsung Electronics отмечает, что новые чипы характеризуются высокой энергетической эффективностью. По сравнению с решениями предыдущего поколения выигрыш в энергопотреблении может достигать 30 %.

Ожидается, что новые чипы памяти найдут применение в мобильных устройствах нового поколения, автомобильных медиацентрах, системах машинного обучения и пр. Массовое производство планируется организовать после получения соответствующих заказов от участников рынка. 

Источник:

Samsung увеличит расходы на расширение выпуска 3D NAND

Лучшая защита — это нападение. Компания Samsung Electronics, сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Ilbo, намерена резко увеличить капитальные затраты на расширение выпуска энергонезависимой памяти типа 3D NAND (многослойной NAND-флеш). В свете аналогичных усилий, предпринимаемых конкурентами и, что более опасно — китайцами, наращивание объёмов выпуска 3D NAND может стать единственным правильным ответом Samsung на вызовы времени.

Завод Samsung в Пхёнтек (http://www.koreaherald.com)

Завод Samsung в Пхёнтек (http://www.koreaherald.com)

В 2018 году, сообщают источники, компания Samsung потратила и потратит на развитие производства NAND-флеш около $6,4 млрд. В 2019 году на те же цели компания планирует потратить порядка $9 млрд. Означенные сумму будут направлены преимущественно на расширение производственных линий по выпуску 3D NAND на заводе в городе Пхёнтэк (Pyeongtaek), Южная Корея, и на заводе компании в городе Сиань (Xian), Китай. Запланированное расширение, считают местные источники, «зацементирует» лидирующую позицию Samsung на рынке NAND-флеш.

Как свидетельствуют независимые аналитические наблюдения, с начала текущего года цены на память типа NAND практически прекратили рост и даже начали снижаться, переломив длившуюся почти два года пагубную для потребителей NAND тенденцию к росту. В свете наращивания производства памяти компаниями Samsung, SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/SanDisk и даже подающими робкий голос китайцами из компании XMC/Yangtze River Storage Technology, контрактные цены на NAND во второй половине года обещают следовать «мягким» тенденциям и продолжить этот курс в 2019 году. Проще говоря, память NAND начнёт дешеветь.

90(+)-слойная 3D NAND производства Samsung

90(+)-слойная 3D NAND производства Samsung

С точки зрения производителей, в удешевлении памяти NAND скрывается угроза. Очень скоро может наступить этап перепроизводства со всеми вытекающими неприятностями — это снижение цен и потеря выручки и прибыли. Очевидно, выстоит в этой ситуации тот, кто сможет выпускать больше и (или) дешевле. Компания Samsung делает ставку на больше, дешевле и... технологичнее.

Источник:

Samsung приступила к производству 96-слойной памяти 3D NAND

Пока конкуренты готовятся приступить к производству 96-слойной памяти 3D NAND или только-только завершают разработку подобной памяти, компания Samsung начинает массовый выпуск самых технологически развитых многослойных чипов флеш-памяти. Компания выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о запуске в массовое производство 256-Гбит чипов 3D NAND TLC (в терминологии Samsung — V-NAND) пятого поколения.

Память пятого поколения включает как беспрецедентное пока количество слоёв — свыше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым скорость обмена между памятью NAND и контроллером выросла на 40 % до 1,4 Гбит/с. Отметим, интерфейс Toggle DDR 3.0 позволял организовать скорость обмена с чипами до 800 Мбит/с. Разница между Toggle DDR 4.0 и Toggle DDR 3.0 больше 40 %, но в Samsung не раскрывают организацию микросхем памяти нового поколения, поэтому оставим этот момент на совести составителя пресс-релиза. Важно то, что в сравнении с 64-слойными предшественниками потребление интерфейса и чипа не увеличилось, поскольку одновременно снижено рабочее питание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.

В данном анонсе Samsung следует обратить внимание на тот факт, что компания не обозначает новинки как 96-слойные решения, а только как 90+. Между тем каждый такой чип состоит из двух установленных друг на друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Куда делись недостающие слои? Скорее всего, в месте стыка двух кристаллов происходит разрушение слоёв или компания отключает эти слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Другой интересный момент в анонсе — это достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — всего 256 Гбит. Во-первых, это уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины получить больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются достаточно большими по площади и, следовательно, становятся более устойчивыми к износу. Наконец, большая площадь ячеек позволяет улучшить параметры записи и чтения в ячейках. Так, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась на 30 % до 500 мкс, а скорость чтения «значительно» улучшила свои параметры и ускорилась до 50 мкс.

Помимо прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Во-первых, за счёт улучшений в процесс депонирования (внесение примесей) при производстве слоёв производительность процесса ускорилась на 30 %. Иначе говоря, выход продукции за единицу времени увеличился почти на треть. Во-вторых, компания смогла на 20 % уменьшить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Это означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют как на потребление, так и на внутренние процессы по обслуживанию ячеек (по обработке данных внутри памяти).

Несмотря на все достижения, равным которым в индустрии нет, компания Samsung не собирается почивать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает представить как 1-Тбит микросхемы памяти, так и память с ячейкой QLC, которая будет хранить четыре бита данных.

Источник:

Colorful SL500 Boost: SSD-накопитель вместимостью 1 Тбайт

Компания Colorful выпустила твердотельный (SSD) накопитель SL500 Boost, подходящий для применения в настольных компьютерах, ноутбуках и ультрабуках.

Устройство выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе; толщина корпуса равна 7 мм. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D MLC NAND и контроллер Silicon Motion SM2246EN.

Накопитель имеет вместимость 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 540 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 430 Мбайт/с.

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 70 тыс. как при произвольном чтении, так и при произвольной записи.

Для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0. Заявлена поддержка системы NCQ (оптимизирует порядок, в котором выполняются команды чтения и записи), команд TRIM (служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности) и средств мониторинга S.M.A.R.T.

Накопитель имеет габариты 100 × 69 × 7 мм и весит приблизительно 80 граммов. Производитель предоставляет на изделие трёхлетнюю гарантию. Цена — 230 долларов США. 

Источник:

Colorful SL500 Summer LE: твердотельный накопитель в оригинальной окраске

Жаркая пора в самом разгаре, и компания Colorful решила выпустить «летний» вариант твердотельного накопителя серии SL500: новинка получила название SL500 Summer LE.

Новинка выполнена в необычном цвете — голубом. По всей видимости, по задумке дизайнеров Colorful, это должно ассоциироваться с ясным голубым небом.

Устройство хранения данных соответствует типоразмеру 2,5 дюйма; для подключения к компьютеру служит интерфейс Serial ATA 3.0. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 450 Мбайт/с.

В основе решения лежат микрочипы флеш-памяти 3D NAND TLC и контроллер SMI 2258XT. Толщина корпуса составляет 7 мм.

Накопитель предназначен для использования прежде всего в настольных компьютерах, внутреннее пространство которых просматривается через прозрачные корпусные панели. Только в этом случае можно будет увидеть необычное цветовое решение новинки.

Модель SL500 Summer LE способна вмещать 640 Гбайт информации. Любопытно, что вместе с накопителем покупатели получат флеш-брелок в соответствующем цвете: его ёмкость равна 32 Гбайт.

Цена Colorful SL500 Summer LE составляет 130 долларов США. 

Источник:

Micron не боится санкций Китая

Третий по величине в мире производитель памяти компания Micron опубликовал официальный ответ на постановление Народного суда промежуточной инстанции Фучжоу о запрете продавать в Китае определённые модели SSD и модулей памяти. В Micron подчёркивают, что Китай всегда стремился к протекционизму в отношении к своим компаниям, и решение суда стало реакцией на прошлогоднюю жалобу американского производителя в Генеральную прокуратуру Тайваня на компанию UMC. Тогда, напомним, с подачи Micron в офисах UMC были проведены рейды силовиков, которые обнаружили доказательства кражи технологических секретов Micron.

После выявления фактов воровства технологий компания Micron подала в суд в США гражданские иски против трёх сотрудников UMC и компании. В ответ на это в январе текущего года UMC и компания-партнёр Jinhua по разработке и будущему производству памяти типа DRAM подали встречные иски против Micron, обвинив её в нарушении ряда патентов. По заявлению компании Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (Jinhua), Micron нарушила её международные патенты, защищённые в 2009 и 2012 годах. С использованием разработок Jinhua компания Micron выпускала продукцию, в частности 2,5-дюймовые SSD Crucial MX300 объёмом 525 Гбайт и модули памяти Crucial DDR4-2133 для ноутбуков объёмом 8 Гбайт.

Позже изучение продукции Micron в лабораториях выявило нарушение китайских патентов в целом ряде модулей памяти DDR4 для ноутбуков и настольных систем, а также в SSD серии MX500 в моделях объёмом 2 Тбайт, 1 Тбайт, 500 Гбайт и 250 Гбайт. Всего к продажам в Китае и импорту в эту страну Народный суд запретил 26 наименований продукции Micron.

Компания Micron сообщила, что получила предписание суда и будет неукоснительно его выполнять, хотя оставляет за собой право обжаловать решение и попытаться пересмотреть его или отменить. Запрещённая к продажам на территории Китая продукция Micron приносит выручку двум китайским подразделениям компании, но объём этой выручки едва превышает 1 % от совокупной годовой выручки компании. Это не та сумма, которая может повлиять на финансовое благополучие Micron или на её решимость противостоять зарождающимся в Китае конкурентам. Потеря этих денег также не повлияет на квартальные финансовые результаты текущего квартала, выручка от деятельности в котором ожидается от $8 млрд до $8,4 млрд.

Казалось бы, Micron создала прецедент, подтвердив своими пассивными действиями легитимность китайских патентов на производство памяти и продуктов на её основе. В компании это понимают и намерены попытаться пересмотреть правомочность соответствующих патентов UMC и Jinhua. Для этого в патентный офис Китая (Patent Review Board of China's State Intellectual Property Office) направлен запрос с просьбой признать патенты недействительными. Объясняется это тем, что UMC заимствовала патенты в процессе обслуживания клиентов по контрактам и не разрабатывала технологию производства памяти самостоятельно. Насколько нам известно, UMC не выпускала микросхемы памяти типа DRAM, а исключительно блоки eDRAM, SRAM и прочую память для встраиваемого применения в контроллерах и процессорах. Шаткость позиции UMC очевидна, но доказать её в китайских регулирующих органах может оказаться делом абсолютно безнадёжным.

Источник:

Подорожание памяти в третьем квартале может быть последним

Начался третий квартал 2018 года, который на своём завершении вернёт компьютерный рынок и рынок электроники к сезонному росту. Производители продукции должны готовиться к этому прямо сейчас, не дожидаясь начала активности покупателей. В частности, аналитики подразделения DRAMeXchange компании TrendForce сообщают, что между поставщиками памяти DRAM и производителями продукции на её основе начались переговоры о закупках в третьем квартале. В течение вялого для торговли первого полугодия склады оставались незаполненными, и пришло время завозить на них новую продукцию. Сначала закончатся отпуска, а потом придёт время праздников — рынок должен быть готов удовлетворить любой спрос.

Что касается спроса в третьем квартале, то он ожидается на двух направлениях. Во-первых, будут востребованы модули памяти для серверного рынка. Во-вторых, большей популярностью начнёт пользоваться память для смартфонов, благо объём оперативной памяти в составе мобильных устройств растёт год от года и уже подобрался к отметке 8 Гбайт на одно устройство. В то же время спрос на обе эти категории продуктов будет достаточно скромным, что не позволит производителям взвинтить цены на память.

Специалисты DRAMeXchange отмечают, что рост цен на массовую продукцию в виде модулей DRAM и памяти для смартфонов, включая модули eMMC, составит в третьем квартале от 1 % до 2 %. Это позволит производителям памяти установить новый рекорд по квартальной выручке, но окажется не таким сильным раздражителем, как раньше, когда память дорожала до 10 % за квартал. К тому же выпуск серверных модулей памяти почти восстановился в объёмах, которые были снижены на период сильного дефицита DRAM с середины 2016 года по первую половину 2018 года.

Динамика производства модулей памяти для серверного рынка (DRAMeXchange)

Динамика производства модулей памяти для серверного рынка (DRAMeXchange)

Также следует упомянуть о снижении цен на графическую память GDDRx. Падение интереса к добыче криптовалют снизило спрос на видеокарты и, как следствие, на графическую память. Впрочем, будет интересно послушать аналитиков DRAMeXchange, что они думают о потопе на криптофермах в провинции Сычуань?

Свой вклад в снижение темпов роста цен на память вносит переход на выпуск чипов DRAM с нормами класса 10 нм (1X и 1Y нм). В пересчёте на биты объёмы памяти выросли во втором квартале на 3,2 % и обещают вырасти в третьем квартале ещё на 4,8 %. Это приведёт к росту среднего ценника, что также положительно скажется на финансовом благополучии производителей. В то же время это позволит смягчить спрос и придержать рост цен на массовую память. Более того, если перевод производства DRAM на 10-нм техпроцессы окажется успешным и проблем с браком будет становиться всё меньше и меньше, то в четвёртом квартале, несмотря на предпраздничный ажиотаж, цены на DRAM могут прекратить рост с тенденцией к последующему снижению.

Источник:

GIGABYTE раскрыла характеристики игровой памяти Aorus RGB

Компания GIGABYTE полностью рассекретила модули оперативной памяти Aorus RGB для игровых систем, первая информация о которых появилась в ходе недавней выставки Computex 2018.

Изделия соответствуют стандарту DDR4 и функционируют на частоте 3200 МГц. Напряжение питания равно 1,35 В, тайминги — 16-18-18-38.

Модули выполнены с использованием качественных микрочипов Samsung. Покупателям будет предлагаться комплект Aorus RGB суммарной ёмкостью 16 Гбайт — 2 × 8 Гбайт.

Реализована поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0, что облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI. На память предоставляется пожизненная гарантия.

Модули оснащены многоцветной подсветкой с поддержкой фирменной технологии RGB Fusion. Благодаря приложению RGB Fusion с удобным и интуитивно понятным пользовательским интерфейсом можно придать системе неповторимый облик.

Изделия Aorus RGB оснащены охлаждающим радиатором толщиной 2 мм. Он обеспечивает хорошую эффективность отвода тепла при работе с высокой нагрузкой. 

Источник:

Компании Micron временно запретили продажу чипов в Китае

Китайский суд вынес временный запрет Micron Technology Inc. на продажу чипов  в стране, заблокировав компании из США доступ к самому большому в мире рынку полупроводников.

В пресс-релизе United Microelectronics Corporation (UMC) сообщается, что народный суд промежуточной инстанции Фучжоу вынес решение по патентному спору с Micron в её пользу, объявив предварительный судебный запрет на продажу американской компанией 26 наименований продукции, включая динамическую оперативную память и флеш-память NAND.

В свою очередь, Micron заявила, что не получила судебное предписание и не будет пока давать комментарии по данному поводу. На фоне этих новостей акции компании из Бойсе (Айдахо) упали в цене на 8 %. Китайский рынок очень важен для Micron. В 2017 финансовом году на него пришлось более 50 % её выручки.

Данное дело является частью более обширной судебной тяжбы между двумя компаниями. В прошлом году Micron подала в суд на UMC и ее партнёра Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., обвинив их в краже коммерческой тайны. В частности, UMC обвиняется в том, что она выступала в качестве канала для кражи коммерческих секретов Micron, пытаясь помочь Китаю усилить отечественную полупроводниковую индустрию.

Сообщается, что китайский антимонопольный регулятор также расследует деятельность Micron и её корейских конкурентов в стране по другому делу. Местные СМИ утверждают, что у власти появились вопросы по поводу роста цен на их чипы.

Источник: