Новости Hardware → модули ОЗУ, карты памяти, флеш-накопители, кардридеры
Быстрый переход

В Великобритании продают USB-флешки с квантовой защитой от вредного излучения 5G

На какие только ухищрения не идут мошенники, чтобы выудить из карманов доверчивых покупателей их «кровно заработанные». В Великобритании, например, начали продавать USB-флешки, которые якобы защищают от влияния сетей 5G с помощью «технологии квантовых колебаний». Новинка получила название 5GBioShield, что дословно можно перевести как «5GБиоЩит».

Компания BioShield Distribution, которая их продаёт, указывает, что устройство также «излучает большое количество частот жизненной силы, которые оказывают благоприятное воздействие на общее состояние организма». А «благодаря носимому голографическому нанослойному катализатору, который можно брать с собой или помещать рядом со смартфоном или любым другим гаджетом, излучающим электромагнитные волны, технологии квантовых колебаний, использующиеся в 5GBioShield, сбалансируют и гармонизируют возмущение частот, возникающее из-за электромагнитного тумана, создаваемого такими устройствами, как ноутбуки, беспроводные телефоны, Wi-Fi-маршрутизаторы, планшеты и так далее».

Если проще, устройство нужно подключить к компьютеру или положить рядом со смартфоном. Тогда владельца окутает защитный пузырь, сквозь который не пробиться ни одной вышке 5G.

Как указывает издание BBC, которое решило разобраться в вопросе, USB-щит уже похвалил независимый член Консультативного комитета по 5G английского города Гластонбери Тони Холл (Tony Hall). По его словам, он сам им пользуется и другим советует, ведь из-за 5G, по его информации, умирают птицы, растёт количество самоубийств, а у некоторых ещё и кровь из носа идёт. Однако никаких научных подтверждений этому нет.

Журналисты BBC обратились к специалистам по компьютерной безопасности, которые по просьбе издания приобрели флешку 5GBioShield. Они разобрали устройство и выяснили, что доверчивым покупателям пытаются «втюхать» обычные USB-накопители объёмом 128 Мбайт. Быстрый поиск на всем известной китайской онлайн-площадке показал, что стоимость такой флешки составляет около $6.

Но с наклейками, а также некими «технологиями квантового голографического катализатора» стоимость устройства повышается примерно до 280–330 фунтов стерлингов (24 400 и почти 29 000 рублей соответственно). Именно столько просят за USB-щит. За комплект из трёх USB-накопителей компания просит всего 795 фунтов стерлингов (более 65,5 тысяч рублей). Весьма выгодное предложение.

BBC обратилось в BioShield Distribution за комментариями по поводу выводов экспертов, но те стали настаивать на своём:

«Мы располагаем большим количеством технической информации, подтверждённой историческими исследованиями. Как вы понимаете, мы не можем делиться всей этой информацией с другими сторонами», — ответили в компании.

Из этого можно сделать вывод, что компания является только дистрибьютором, а не производителем.

«Что касается анализа стоимости устройства, который был проведён вашими исследователями, то отсутствие полных технических данных не приведёт к реальной оценке наших затрат на разработку и производства, а также расчёту наших прав на интеллектуальную собственность. Сложно относиться к вашей оценке со всей серьёзностью, поскольку вы очевидно не приняли во внимание фоновые факторы», — последовало в добавлении.

В общем, специалистов по компьютерной безопасности обвинили в некомпетентности в вопросах квантовых технологий.

Источники:

Macronix начнёт серийное производство высокоплотной 48-слойной 3D NAND в третьем квартале

Через месяц–другой клуб производителей флеш-памяти 3D NAND пополнится ещё одной компанией ― тайваньским производителем Macronix International. В интервью сайту DigiTimes глава Macronix заявил, что в третьем квартале клиентам компании начнутся поставки опытных партий 48-слойной 3D NAND. Тогда же стартует массовое производство этой продукции. О самом интересном источник умалчивает. Технология Macronix значительно отличается от всех существующих.

Этот тайваньский разработчик и производитель флеш-продукции собирается выпускать 3D NAND по своей собственной технологии, которая минимум на треть плотнее с точки зрения размещения ячеек памяти, чем актуальные технологии производства 3D NAND всех остальных компаний. Остаётся интригой, насколько меньше будет площадь кристалла у 3D NAND памяти Macronix или насколько больше будет объём памяти её кристаллов.

Технология 3D NAND Macronix с высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором) предполагает разделение каждой круговой ячейки в вертикальном стеке на две независимые ячейки памяти. На основе лицензии на эту технологию компания Kioxia (ранее она называлась Toshiba Memory) в прошлом году начала разрабатывать память Twin BiCS Flash. Если Macronix сдержит своё обещание вскоре начать поставки образцов 48-слойной 3D NAND, подробно об этой памяти мы услышим на августовском саммите разработчиков флеш-памяти.

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Сравнение «классической» 3D NAND с круговыми затворами GAA и памяти Macronix с «раздвоенными» вертикальными каналами SGVC

Ещё более плотную память 3D NAND с 96 слоями компания Macronix может начать выпускать в стадии тестового производства ближе к концу текущего года. Руководство компании огорчает лишь то, что пандемия коронавируса и американо-китайские трения могут подорвать рынок флеш-памяти. И оборудование, и сырьё, и программы, которые задействованы для производства флеш-памяти ― всё так или иначе принадлежит американским компаниям, поэтому избежать ограничений будет практически невозможно.

Тем не менее, в следующем году компания Macronix продолжит разрабатывать более совершенную 3D NAND, в частности 192-слойную и будет расширять выпуск многослойной флеш-памяти.

Источник:

Micron: флагманские 5G-смартфоны будут сочетать 16 Гбайт ОЗУ с накопителем на 1 Тбайт

Для производителей памяти предстоящая экспансия сетей 5G и соответствующих смартфонов станет возможностью увеличить продажи собственной продукции. Возросшая пропускная способность сетей и повышающееся разрешение камер смартфонов поднимут требования к объёму набортной памяти. Micron ожидает, что прирост окажется двукратным.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечают аналитики Needham в своих комментариях, за три последних года выручка от реализации памяти для смартфонов в среднем по рынку увеличилась на 30 %, но Micron удалось добиться удвоения профильной выручки. По прогнозам Micron, в 2021 году будет продано 450 млн смартфонов с поддержкой 5G, а требования к объёму памяти этих устройств позволят увеличить объёмы реализации продукции данной компании.

Флагманские модели 5G-смартфонов будут оснащаться камерами, способными делать фотографии с разрешением 100 мегапикселей и снимать видео в разрешении 8K. По игровому быстродействию они приблизятся к настольным компьютерам. Таким устройствам потребуется до 16 Гбайт оперативной памяти и до 1 Тбайт твердотельной. Модели смартфонов среднего уровня будут сочетать не менее 6 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт памяти типа NAND.

Центры обработки данных тоже потребуют увеличения объёмов производства памяти, поэтому в ближайшие годы Micron рассчитывает на ежегодный прирост потребности в оперативной памяти на 15 %, в твердотельной — на 30 %. Стабильный рост спроса будет способствовать и большей предсказуемости цен на рынке памяти. Представители Needham считают, что курс акций Micron Technology в перспективе вырастет на 40 %, сейчас он приблизился к $46.

Источник:

SSD-накопители Seagate FireCuda 120 с интерфейсом SATA имеют ёмкость до 4 Тбайт

Компания Seagate объявила о выпуске твердотельных (SSD) накопителей FireCuda 120, которые, как утверждается, подходят для применения в компьютерах игрового класса. Изделия выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, а для подключения служит интерфейс SATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Накопители построены с использованием чипов флеш-памяти 3D TLC NAND: технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке. В семейство вошли четыре модели — вместимостью 500 Гбайт, а также 1, 2 и 4 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 540 Мбайт/с. Устройства способны выполнять до 100 000 операций ввода/вывода в секунду (показатель IOPS) при чтении произвольных данных и до 90 000 операций при записи произвольных данных.

Упомянута поддержка средств мониторинга S.M.A.R.T. и команд TRIM. Средняя заявленная наработка на отказ достигает 1,8 млн часов. На изделия предоставляется пятилетняя гарантия.

Твердотельные накопители Seagate FireCuda 120 уже доступны для заказа. Цена версий ёмкостью 500 Гбайт, 1, 2 и 4 Тбайт составляет соответственно 105, 200, 389 и 651 доллар США. 

Источник:

Huawei предложила Samsung и Hynix гарантировать поставки чипов, несмотря на возможные ограничения США

Huawei Technologies обратилась к южнокорейским компаниям Samsung Electronics Co. и SK Hynix Inc. с просьбой предоставить гарантии на высоком уровне по поводу того, что они продолжат поставлять микросхемы памяти, несмотря на усиливающееся давление со стороны США.

thestar.com

thestar.com

Как сообщает ресурс Korea Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники, Huawei призвала топ-менеджеров китайских подразделений двух южнокорейских производителей микросхем обеспечить стабильные поставки полупроводников, невзирая на недавно введенные правительством США ограничения.

В свою очередь, представители южнокорейских компаний опровергли публикацию ресурса. Представитель Samsung заявил, что никаких переговоров по этому поводу с Huawei не было, в то время как представитель Hynix не стал вдаваться в детали.

По данным Korea Economic Daily, компания Huawei входит в пятёрку крупнейших клиентов Samsung и SK Hynix, затрачивая ежегодно около 10 трлн вон ($8,1 млрд) на приобретение чипов флеш-памяти DRAM и NAND у южнокорейских компаний.

Публикация Korea Economic Daily вышла на фоне растущего давления на глобальных поставщиков со стороны Вашингтона, запретившего производителями чипов, использующим американское оборудование и технологии, поставлять свою продукцию Huawei без одобрения правительства США. И хотя производство модулей памяти не подпадает под ограничения, китайская компания, по всей видимости, не исключает такой вариант развития событий.

По словам ресурса, две южнокорейские компании поставляют более 70 % чипов DRAM по всему миру, и включение их в любые санкции США может поставить под угрозу выживание Huawei.

Источник:

ADATA начала поставки модулей DDR4-памяти на настоящих китайских чипах

В связи с нарастанием американо-китайских трений китайскому хай-теку необходимо больше позитива. И он есть! Так, второй по величине в мире поставщик модулей памяти, тайваньская компания ADATA, начала поставки U-DIMM и SO-DIMM модулей на чипах DDR4 китайской компании ChangXin Memory. Это первый случай, когда представлены модули памяти на 10-нм чипах китайского производства.

Компания ADATA Technology подготовила к поставкам на китайский рынок модули памяти для настольных ПК и ноутбуков. Память выпускается в виде 8- и 16-Гбайт модулей DDR4-3000 МГц с таймингами 16-18-18-38. Модули удовлетворяют спецификациям JEDEC и экологическим требованиям RoHS. Похоже, вот она причина, по которой ChangXin заключила многолетнее лицензионное соглашение с компанией Rambus. Хотя ADATA не собирается поставлять модули на памяти ChangXin за пределы Китая, они попадут в ПК и ноутбуки, и не факт, что не выедут за пределы страны.

Согласно заявлению производителя, модули DDR4 на памяти ChangXin не только прошли всестороннее тестирование на платформах Intel и AMD, но и показали хороший потенциал для оверклокинга. В ADATA рассчитывают, что сотрудничество с ChangXin Memory со временем выльется и в появление модулей памяти промышленного и серверного назначения с чипами китайского производства.

Напомним, компания ChangXin начала выпускать память DDR4 и LPDDR4 в начале осени прошлого года с использованием 19-нм техпроцесса, в основе которого лежат развитые китайцами разработки немецкой компании Qimonda. Сейчас ChangXin разрабатывает 17-нм DRAM.

Рынок NAND и DRAM в третьем квартале 2019 года

Рынок NAND и DRAM в третьем квартале 2019 года

До конца года эта китайская компания планирует довести производство памяти на своих линиях до 40 тыс. 300-мм пластин в месяц. Это примерно 5 % от мирового рынка памяти. На самом деле, это впечатляет. Это в два раза больше, чем у ветерана с Тайваня, компании Nanya Technology. Тем самым ChangXin к концу текущего года может стать четвёртым по величине производителем DRAM. Если только США не срежут её на взлёте, ведь производственная деятельность компании подпадает под новые правила регулирования экспорта американских технологий.

Источник:

Thermaltake выпустила комплект памяти Toughram RGB DDR4-4600 на 16 Гбайт

Компания Thermaltake анонсировала новый набор оперативной памяти Toughram RGB стандарта DDR4, предназначенный для настольных компьютеров игрового класса.

В состав нового комплекта входят два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём составляет 16 Гбайт. Говорится о совместимости с аппаратными платформами Intel Z490 и AMD X570.

Модули функционируют на частоте 4600 МГц при напряжении 1,5 В. Поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0 облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.

Изделия наделены охлаждающим радиатором, для которого предусмотрены два варианта цветового исполнения — белый и чёрный. На память предоставляется пожизненная гарантия.

В верхней части модулей имеется яркая многоцветная подсветка. Управлять её работой можно через материнскую плату с технологией ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync или ASRock Polychrome Sync. Упомянуты совместимость с экосистемой TT RGB PLUS и поддержка голосового помощника Amazon Alexa.

Информации об ориентировочной цене набора Toughram RGB DDR4-4600 на 16 Гбайт пока нет. 

Источник:

Представлен первый в мире накопитель NVMe M.2 SSD ёмкостью 8 Тбайт

Компания Sabrent выпустила первый в мире твердотельный (SSD) накопитель NVMe M.2, способный хранить 8 Тбайт информации. Изделие вошло в семейство Rocket Q, в котором также представлены модели вместимостью 500 Гбайт, 1, 2 и 4 Тбайт.

Новинка выполнена в соответствии со спецификацией NVMe 1.3; задействован интерфейс PCIe Gen3 x4. В основу положены микросхемы флеш-памяти 3D QLC NAND, способные хранить четыре бита информации в одной ячейке, а также и контроллер Phison E12S.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3400 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) не раскрывается.

Накопитель поддерживает средства мониторинга S.M.A.R.T. и команды TRIM, которые служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности.

Изделие наделено охлаждающим радиатором. Накопитель предназначен для использования в мощных игровых компьютерах и рабочих станциях.

Цена Rocket Q ёмкостью 8 Тбайт пока не раскрывается. Можно предположить, что она превысит 1000 долларов США, поскольку версия изделия вместимостью 4 Тбайт стоит 760 долларов. 

Источник:

G.Skill готовит комплекты памяти DDR4 с частотой до 5000 МГц для чипов Intel Comet Lake

Компания G.Skill International Enterprise сообщила о том, что её модули оперативной памяти Trident Z Royal стандарта DDR4 способны функционировать на частоте до 5000 МГц в составе систем на основе материнских плат с набором логики Intel Z490.

В тестах, в частности, использовались платы ASUS ROG Maximus XII Formula, ASUS ROG Maximus XII Apex, ASUS ROG Maximus XII Extreme, ASRock Z490 Aqua и MSI MEG Z490 Godlike. При этом применялись процессоры Core i7-10700K и Core i9-10900K поколения Comet Lake.

При использовании двух модулей ёмкостью 32 Гбайт каждый (комплект на 64 Гбайт) память функционировала в режиме DDR4-4400. Тайминги при этом составили CL19-26-26-46.

В случае двух модулей ёмкостью 16 Гбайт каждый (32 Гбайт в сумме) был также задействован режим DDR4-4400, но с меньшими задержками — CL17-18-18-38.

Нажмите для увеличения

Нажмите для увеличения

Что касается режима DDR4-5000, то он продемонстрирован для наборов 2 × 8 Гбайт и 2 × 16 Гбайт суммарной ёмкостью соответственно 16 и 32 Гбайт. В обоих случае CAS-латентность составила CL19-26-26-46.

О том, когда такие комплекты оперативной памяти Trident Z Royal поступят в продажу, ничего не сообщается. 

Источник:

Новые модули DDR4-памяти Aorus RGB работают на частоте 4400 МГц

Компания GIGABYTE Technology представила под маркой Aorus новые модули оперативной памяти стандарта DDR4, рассчитанные на применение в настольных компьютерах игрового класса.

Анонсированные изделия функционируют на частоте 4400 МГц. Тайминги — 19-26-26-46. Модули будут предлагаться в комплекте из двух штук ёмкостью 8 Гбайт: таким образом, суммарный объём составит 16 Гбайт.

Новинки выполнены по технологии Ultra Durable, что означает применение высококачественных компонентов. На память предоставляется пожизненная гарантия.

Модули Aorus RGB наделены алюминиевым радиатором для отвода тепла и эффектной многоцветной подсветкой RGB Fusion 2.0. Контролировать работу последней можно через совместимые материнские платы GIGABYTE. Возможна синхронизация работы подсветки с другими компонентами настольной станции.

В продажу память поступит в конце текущего квартала. Информации об ориентировочной цене на данный момент нет. 

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥