Сегодня 22 января 2018
18+
CES 2018
Новости Hardware → модули ОЗУ, карты памяти, флеш-накопители, кардридеры
Главная новость

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

UMC направила иск с просьбой уничтожить производство памяти Micron в Китае

На днях третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) обвинила американскую компанию Micron в нарушении ряда патентов на производство памяти и продукции на её основе. В нарушении патентов обвинены китайские подразделения Micron в Шанхае и Сиане.

Компания UMC утверждает, что Micron нарушила её патентные права в КНР в области производства памяти DDR4, SSD и графических адаптеров. В своём заявлении UMC просит суд заставить ответчика не только остановить производство, использование, импорт и продажу продукции, но даже уничтожить промышленное оборудование и оснастку для выпуска памяти и флеш-памяти. В финансовом выражении Micron должна компенсировать UMC ущерб в размере 270 млн юаней ($42 млн).

Быстрый переход

Sharkoon Quickstore One: корпус для создания портативного накопителя с портом USB Type-C

Компания Sharkoon представила корпус Quickstore One, который позволяет превратить традиционный внутренний накопитель в портативное устройство хранения данных.

Новинка допускает установку жёсткого диска или твердотельного решения в формате 2,5 дюйма с толщиной до 9,5 мм. Интерфейс подключения — Serial ATA.

Важно отметить, что для монтажа накопителя не требуются какие-либо инструменты. После установки HDD или SSD пользователь получит в своё распоряжение портативное устройство, использующее для обмена данными с компьютером порт USB Type-C.

Говорится о поддержке стандарта USB 3.1. Это означает, что пропускная способность теоретически может достигать 10 Гбит/с.

Корпус имеет габариты 130 × 83 × 16 мм и весит 92,5 грамма. Предусмотрены два варианта исполнения — с алюминиевой верхней панелью серебристого и чёрного цвета.

Гарантирована совместимость с компьютерами под управлением операционных систем Windows, macOS и Linux. Комплект поставки включает метровый кабель USB Type-C — USB Type-C.

Приобрести корпус Sharkoon Quickstore One можно уже сейчас по ориентировочной цене 25 евро. 

Источник:

SK Hynix сообщила о доступности чипов памяти GDDR6

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.

Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.

Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.

Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.

Буквально на днях мы сообщали, что другой южнокорейский производитель — гигант Samsung — приступил к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. При изготовлении этих изделий применяется технология 10-нанометрового класса. 

Источники:

На подходе серия накопителей Samsung 860 PRO

На днях мы сообщали о появлении на сайте компании Samsung Electronics упоминания о 4-Тбайт накопителе серии 860 PRO. Официальный анонс «860-го» семейства действительно не за горами — новым подтверждением этому стало появление четырёх продуктов Samsung SSD 860 PRO в прайс-листах западноевропейских магазинов. Примечательно, что четырёхтерабайтной модели среди них как раз и нет, зато предлагается оформить предзаказ на устройства объёмом 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт.

В Индию экземпляр Samsung SSD 860 PRO прибыл ещё в ноябре, но не для продажи, а для тестирования

В Индию экземпляр Samsung SSD 860 PRO прибыл ещё в ноябре, но не для продажи, а для тестирования

Следы 860 PRO в рознице пока были замечены только в Бельгии и Австрии. Расценки начинаются со €149 за 256-гигабайтный накопитель. Устройства бóльшего объёма стоят €249 (512 Гбайт), €459 (1 Тбайт) и €919 (2 Тбайт). Позже минимальные цены снизятся, но не на много.

Основным отличием накопителей 860-й серии с суффиксом PRO от их собратьев 860 EVO является тип используемой флеш-памяти: в то время как последние ограничиваются микросхемами 3D TLC NAND (в номенклатуре Samsung — «V-NAND 3-bit MLC»), SSD 860 PRO работают с памятью 3D MLC NAND («V-NAND 2-bit MLC»). Судя по итогам ресурсных испытаний устройств «850-й» серии, и EVO, и PRO могут служить своим владельцам гораздо дольше пяти лет, в течение которых действует официальная гарантия. Впрочем, возможность столкнуться с неудачным экземпляром всё же не исключена.

2,5 дюйма/6,8 мм — единственный форм-фактор, в котором будут предлагаться SSD 860 PRO

2,5 дюйма/6,8 мм — единственный форм-фактор, в котором будут предлагаться SSD 860 PRO

Спецификации новинок Samsung SSD 860 PRO объёмом 256 и 512 Гбайт мы приводим со ссылкой на агрегатор цен Geizhals. Официальные характеристики всех пяти устройств серии 860 PRO будут обнародованы в скором времени.

Итак, младшие накопители с суффиксом PRO оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с (протокол AHCI), 8-канальным контроллером Samsung MJX, флеш-памятью Samsung 3D MLC NAND и 512 Мбайт буферной памяти LPDDR4. Показатели быстродействия в среднем чуть выше таковых у 850 PRO: последовательные скорости чтения и записи составляют 560 и 530 Мбайт/с соответственно, количество IOPS — 100 000 при считывании и 90 000 при записи данных.

Как уже было отмечено выше, Samsung SSD 860 PRO будут доступны только в 2,5-дюймовом формате. Одним из причин тому является присутствие на рынке M.2-накопителей 960 PRO и EVO с гораздо более внушительными показателями производительности, благодаря интерфейсу PCI-E 3.0 и протоколу NVMe 1.2.

Источники:

В семейство Samsung 860 EVO SSD войдут накопители в трёх вариантах исполнения

На сайте Samsung на непродолжительное время появилась страница, посвящённая новому семейству твердотельных накопителей 860 EVO SSD для массового рынка. Изображения и данные о технических характеристиках новинок успели сохранить сетевые источники.

Сообщается, что в серию Samsung 860 EVO SSD войдут решения в трёх вариантах исполнения. Это устройства в 2,5-дюймовом форм-факторе с толщиной корпуса 7 мм, а также модули типоразмера M.2 2280 и mSATA.

Применены микрочипы флеш-памяти V-NAND и улучшенный контроллер. Задействован интерфейс SATA с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Накопители в формате 2,5 дюйма будут доступны в модификациях вместимостью 250 и 500 Гбайт, а также 1, 2 и 4 Тбайт. В серию M.2 2280 войдут версии ёмкостью 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Наконец, изделия mSATA будут представлены в модификациях объёмом 250 и 500 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 520 Мбайт/с. Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 97 000 при произвольном чтении и до 88 000 при произвольной записи.

Samsung обеспечит накопители пятилетней гарантией. О цене пока, к сожалению, не сообщается. 

Источник:

Раскрыты показатели быстродействия накопителей Intel 760p NVMe SSD

На днях мы сообщали, что корпорация Intel готовит к выпуску твердотельные (SSD) накопители 760p и 660p в форм-факторе M.2 2280, а также 700p в формате BGA. И вот теперь в распоряжении сетевых источников оказались данные о производительности различных модификаций решений семейства 760p.

Названные изделия выполнены в соответствии со спецификацией NVM Express (NVMe), которая описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express (в данном случае PCIe 3.0 x4). Применены чипы 64-слойной флеш-памяти 3D TLC NAND.

В серию 760p NVMe SSD войдут модели вместимостью 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Младшая модель сможет обеспечивать скорость последовательного чтения информации до 1500 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 650 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи — до 100 000.

Модификация ёмкостью 256 Гбайт обладает существенно более высоким быстродействием. Так, максимальная скорость чтения заявлена на уровне 2900 Мбайт/с, скорость записи — 1300 Мбайт/с. Величина IOPS при произвольном чтении и записи — до 210 000 и 250 000 соответственно.

У версии объёмом 512 Гбайт скорости последовательного чтения и записи будут достигать 3200 Мбайт/с и 1670 Мбайт/с. Величина IOPS при чтении составит до 350 000, при записи — до 280 000.

Накопители вместимостью 1 и 2 Тбайт по скорости чтения и показателям IOPS не будут отличаться от версии ёмкостью 512 Гбайт. Скорость записи пока не уточняется. 

Источник:

Nanya Technology не верит, что без лицензий Китай быстро создаст производство памяти

Во вторник на отчётной квартальной пресс-конференции президент компании Nanya Technology Ли Пэй-Ин (Lee Pei-Ing) заявил, что в ближайшие два–три года китайские компании вряд ли смогут создать собственные технологии производства передовой памяти. Без лицензирования разработок у лидеров отрасли Китай ещё долго будет идти к национальному производству конкурентоспособных чипов DRAM и NAND. Поэтому мировому сообществу необходимо будет внимательно всматриваться в продукцию, которую китайские производители памяти начнут выбрасывать на рынок через год или два, когда заработают первые предприятия по выпуску «китайской» оперативной (мобильной) и флеш-памяти.

Глава Nanya Technology уверен, что в контроле над лицензионной чистотой национальной памяти в Китае будут также участвовать местные производители электроники. Вряд ли кому-то из них понравится, если в их продукции обнаружится память, выпущенная с нарушением международного патентного права. Как планируется, в конце 2018 года китайские компании Fujian Jinhua Integrated Circuit (в партнёрстве с тайваньской UMC) и Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture (в партнёрстве с GigaDevice) начнут поставлять на рынок микросхемы памяти типа DRAM. Эти планы вызывают тревогу среди оставшихся на рынке игроков и требуют реакции с их стороны.

Китайские заводы по производству памяти пока строятся

Китайские заводы по производству памяти пока строятся

Компания Nanya Technology зависит от китайского рынка и почувствует на себе всю прелесть появления местных производителей. От продаж памяти компании в Китае она получает около 30 % выручки. И если Китай действительно сможет выйти на рынок памяти, этот тайваньский производитель сможет уповать только на превосходство собственных технологий.

Так, сегодня компания выпускает память DRAM с использованием техпроцесса 20-нм класса. В завершающей стадии разработки находится техпроцесс производства DRAM 10-нм класса, работа над которым завершится во второй половине текущего года. Определённые лицензии на 10-нм техпроцесс, кстати, Nanya смогла получить от компании Micron в обмен на покупку акций американского производителя на сумму $981 млн. Китайским компаниям в такой роскоши неоднократно было отказано и в ближайшем будущем вряд ли что-то изменится.

Источник:

На сайте Samsung замечен SSD-накопитель 860 Pro ёмкостью 4 Тбайт

На официальном сайте Samsung появилось упоминание ещё не вышедшего на рынок твердотельного (SSD) накопителя с обозначением 860 Pro.

Изделие (модель MZ-76P4T0E) выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе. Применены микрочипы флеш-памяти V-NAND, а для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

К сожалению, при попытке открытия страницы продукта выдаётся сообщение об ошибке: «Sorry, the page you're looking for is not available». Поэтому полностью технические характеристики пока недоступны.

Однако производитель указывает максимальные скорости последовательного чтения и записи информации — 560 Мбайт/с и 530 Мбайт/с соответственно. Что касается вместимости, то она равна 4 Тбайт.

Устройство выполнено в корпусе чёрного цвета. Указана цена решения — 1900 долларов США. По всей видимости, официальная презентация новинки состоится в самое ближайшее время.

Нужно отметить, что спрос на твердотельные накопители, по мнению экспертов, будет устойчиво расти. В 2017 году продажи SSD, по предварительным оценкам, составили 190 млн единиц. В 2018, 2019 и 2020 гг. объём рынка, как ожидается, окажется на уровне 235, 280 и 320 млн штук. 

Источники:

Первые сведения об Intel SSD 760p, 700p и 660p на 64-слойной 3D NAND

Конкуренты Intel на рынке твердотельных накопителей не сидят сложа руки, и калифорнийская компания готовит новые устройства на основе 3D NAND флеш-памяти, сочетающие в себе высокий уровень производительности и, судя по всему, демократичную цену. Как удалось выяснить ресурсу Tom's Hardware, в ассортименте Intel в обозримом будущем появятся три новые серии SSD — 760p и 660p в форм-факторе M.2 2280 и 700p в формате BGA SSD.

Лучшую производительность среди вышеперечисленных накопителей обеспечат Intel SSD 760p. Благодаря интерфейсу PCI Express 3.0 x4 (до 3,94 Гбайт/с), протоколу NVMe и неназванному контроллеру в сочетании с 64-слойной флеш-памятью 3D TLC NAND скорость считывания данных у устройств 760p будет достигать 3,2 Гбайт/с, а скорость записи — 1,6 Гбайт/с. Показатели IOPS также обещают быть весьма достойными: до 350 000 при чтении и до 280 000 при записи.

Вышеприведённые цифры, скорее всего, относятся к одному-двум старшим накопителям серии. Всего же будет выпущено пять устройств — «загрузочные» SSD объёмом 128 и 256 Гбайт, и ёмкие накопители на 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Не такие высокие скоростные показатели у Intel SSD 700p. Данное семейство, также использующее 64-слойную 3D TLC NAND-память, предназначено для интеграции в состав тонких и при этом довольно «шустрых» ноутбуков и «2-в-1». И, разумеется, BGA-исполнение предполагает, что SSD 700p ни при каких условиях не появятся на прилавках розничных магазинов в качестве отдельных продуктов. Накопители «700-й» серии будут потреблять в среднем вдвое меньше собратьев 760p — 0,05 Вт против 0,1 Вт.

Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт характеризуются производительностью до 1,8/1,2 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). На все рассматриваемые в данной заметке накопители распространяется пятилетняя гарантия Intel. В их число входят и SSD 660p, которые, по слухам, получат 64-слойную память типа 3D QLC NAND. Отметим, что в прошлом году разработчики NAND флеш-памяти добились значительного прогресса в повышении ресурса ячеек, хранящих четыре бита данных.

WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

Максимальные показатели быстродействия у Intel SSD 660p весьма достойные для технологии QLC: 1,8/1,1 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). Объём накопителей составит 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

По первым ценникам можно получить лишь приблизительное представление о стоимости SSD Intel 2018 года. Так, популярный за океаном интернет-магазин TigerDirect предлагает младший 128-Гбайт SSD 760p по цене $87,99 (без учёта налога с продаж). Другой американский сайт, connection.com, оценил двухтерабайтную модель той же серии в $841,19. Кроме того, в Индонезии замечен 256-Гбайт Intel SSD 660p с ценником 2,32 млн рупий (9822 руб. или $174).

Источник:

По следам CES 2018: накопители Kingston A1000 как альтернатива SATA SSD

Компания Kingston может быть довольна бойкими продажами 2,5-дюймовых твердотельных накопителей A400 и UV400 в прошлом году. Тем не менее 2018-й обещает стать годом более быстрых M.2 PCI-E SSD, стоимость которых будет постепенно снижаться до уровня устройств с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Успех вышеупомянутого дуэта вполне могут повторить M.2-накопители Kingston A1000, опытные образцы которых демонстрировались на выставке CES 2018. На первый взгляд они могут показаться довольно крупными, однако на деле их типоразмер стандартен — 22 × 80 мм, что позволит устанавливать данные SSD практически в любых вычислительных системах с разъёмом(-ами) M.2 Key M.

Kingston обещает паритет цен на A1000 и на некие эталонные SATA SSD соответствующего объёма (240, 480, 960 Гбайт). Это вряд ли означает, что A1000 будут стоить столько же, сколько и другие представители бюджетной A-серии (в частности A400), но, думается, покупка 240-гигабайтного A1000 будет необременительной для большинства владельцев ПК.

Конечно, в Kingston постарались сэкономить на компонентах SSD, чтобы впоследствии A1000 продавались не хуже предшественников. Устройства сочетают в себе интерфейс PCI Express 3.0 x2 (теоретический предел — 1,97 Гбайт/с), флеш-память 3D TLC NAND и неназванный контроллер. Кроме прочего, заявлена поддержка протокола NVMe 1.3.

Ключевой показатель для оценки быстродействия SSD — IOPS (количество операций с 4-Кбайт блоками данных в секунду), согласно тестированию в программе Iometer, составляет 190 286 IOPS при чтении и 202 151 IOPS при записи. Последовательные скорости чтения и записи данных у A1000 значительно превышают таковые у SATA SSD: как минимум старший 960-гигабайтный накопитель характеризуется скоростью чтения до 1623 Мбайт/с и скоростью записи до 1040 Мбайт/с. У лучших SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с эти показатели не достигают и 600 Мбайт/с.

Другие тесты также демонстрируют явное превосходство A1000 над неназванными SATA SSD. Справедливости ради стоит заметить, что лучший результат среди соперников — 315,22 Мбайт/с в PCMark 8 — соответствует уровню накопителей Samsung 850 PRO, относящихся к числу самых дорогих предложений среди SSD с разъёмом SATA 6 Гбит/с.

Результаты тестов в PCMark 8 и AS SSD Benchmark

Результаты тестов в PCMark 8 и AS SSD Benchmark

Сроки начала продаж устройств Kingston A1000 не называются. Полагаем, что об их дебюте на рынке компания-производитель сообщит отдельно.

Источник: