Данные берутся из публикации Обзор SSD-накопителя Apacer Pro II AS510S: ветеран труда

Компания Samsung выпустила портативные твердотельные накопители серии T5, рассчитанные на требовательных пользователей и профессионалов, занимающихся обработкой больших массивов данных.

Устройства хранения информации выполнены с применением 64-слойных микрочипов флеш-памяти 3D V-NAND. Для подключения к компьютеру служит интерфейс USB 3.1 Gen 2; заявленная скорость передачи информации достигает 540 Мбайт/с.

Семейство Samsung T5 включает накопители вместимостью 250 и 500 Гбайт, выполненные в корпусе синего цвета, а также модели ёмкостью 1 и 2 Тбайт в чёрном исполнении.

Габариты устройств составляют 74 × 57,3 × 10,5 мм, вес — 51 грамм. Изделия способны выдерживать падения с высоты до 1,8 метра. Говорится также о поддержке шифрования информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Комплект поставки включает соединительные кабели USB-C — USB-C и USB-C — USB-A.

Что касается цен, то младшая версия накопителя, рассчитанная на хранение 250 Гбайт информации, обойдётся в $130, а за вариант на 500 Гбайт придётся отдать $200. Устройства вместимостью 1 и 2 Тбайт оценены в $400 и $800 соответственно. 

Компания ADATA выпустила свои самые быстрые твердотельные накопители — решения серии XPG SX9000 PCIe Gen3x4 NVMe 1.2 SSD, первая информация о которых появилась в ходе выставки Computex 2017.

Устройства выполнены в форм-факторе M.2 2280. Задействованы микрочипы флеш-памяти MLC 3D NAND и контроллер Marvell. Накопители соответствуют спецификации NVM Express (NVMe) 1.2; используется интерфейс PCIe Gen3 x4.

По заявлениям ADATA, скорость чтения информации может достигать 2800 Мбайт/с, скорость записи — 1450 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении составляет до 310 тыс., при произвольной записи — до 240 тыс.

В семейство XPG SX9000 вошли три модели — вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Средняя заявленная наработка на отказ достигает 2 млн часов. На решения предоставляется пятилетняя гарантия.

Накопители подходят для использования в настольных и портативных компьютерах. ADATA отмечает, что изделия XPG SX9000 подойдут требовательным поклонникам игр, энтузиастам, оверклокерам и пользователям, которые занимаются рендерингом видеоматериалов на профессиональном уровне.

Более подробную информацию о характеристиках новинок можно найти здесь. 

Пока ещё традиционные жёсткие диски опережают твердотельные накопители как по объёму, так и по удельной стоимости хранения данных. Широко доступны даже модели с гелиевыми геромоблоками ёмкостью 10 Тбайт, причём в планах производителей и дальнейший рост объёмов. Но инициатива Nimbus Data подтверждает простую тенденцию: хотя механические накопители и чувствуют себя хорошо, но их время постепенно уходит. Компания анонсировала накопитель ExaDrive ёмкостью 50 Тбайт, что в заметно больше, чем у традиционных жёстких дисков. Основой стала обычная флеш-память типа MLC NAND. Рекордом это не стало — Seagate уже демонстрировала SSD объёмом 64 Тбайт, но цифра всё равно впечатляет.

В серии имеется и модель ёмкостью 25 Тбайт, оба варианта выполнены в корпусах формата 3,5″, что нетипично для твердотельных накопителей. В качестве интерфейса выбран наиболее распространённый в серверных системах SAS — вероятнее всего, в современной на сегодня версии со скоростью передачи данных 12 Гбит/с. При равном уровне энергопотребления с жёстким диском ёмкостью 10 Тбайт новинки обеспечивают 100-кратное преимущество на случайных операциях записи, 500-кратное преимущество на аналогичных операциях чтения, на 98 % более низкую латентность и на 65 % более низкую температуру. Последнее неудивительно: SSD не имеют движущихся частей и мощных двигателей, а значит, греются намного слабее.

Выпускает Nimbus Data и готовые модули СХД

Накопители ExaDrive предназначены для замены жёстких дисков в системах хранения данных в промежуточных звеньях, называемых «nearline». Эта часть системы должна сравнительно быстро в сравнении с «архивной» передавать данные по запросу, исходящему от звена «online». Обычно в этой части СХД используются жёсткие диски или даже скоростные ленточные накопители, но Nimbus Data сломала эту традицию. С надёжностью у новинок всё в порядке, разработчик гарантирует 10 лет записи и 2 миллиона часов наработки на отказ. За управление флеш-массивом отвечает набор специализированных схем коррекции ошибок и флеш-процессоров. В скромности Nimbus Data не откажешь: к 2020 году компания обещает поднять ёмкостью своих твердотельных накопителей до невиданных по нынешним меркам 500 терабайт.

Корпорация Intel на этой неделе представила новый форм-фактор для серверных твердотельных накопителей, который может стать стандартом для SSD будущего. Новый дизайн, называемый ruler (линейка, планка), базируется на разрабатываемой сегодня спецификации Enterprise & Datacenter Storage Form Factor (EDSFF) и предназначен для того, чтобы максимизировать ёмкость серверных накопителей и при этом обеспечить поддержку всех функциональных возможностей SSD корпоративного уровня. Так, Intel обещает, что уже в обозримом будущем мы увидим машины форм-фактора 1U, способные хранить 1 Пбайт данных.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

Для обеспечения совместимости между различными типами устройств хранения данных в ПК и серверах долгие годы твердотельные накопители (solid-state drives, SSDs) основывались на форм-факторах, изначально разработанных для жёстких дисков. Между тем форм-факторы 2,5" и 3,5" не всегда оптимальны для SSD с точки зрения плотности хранения данных, охлаждения и других аспектов. С целью предложить оптимальное конструктивное исполнение SSD для клиентских и некоторых серверных платформ несколько лет назад Intel представила форм-фактор M.2. Хотя накопители в форме модуля имеют много преимуществ, когда речь идет о плотности хранения данных, они не были предназначены для поддержки таких возможностей, как горячее подключение, а их охлаждение является ещё одной проблемой.

SSD в разных конструктивных исполнениях

Напротив, форм-фактор, пока именуемый линейкой или планкой, был разработан специально для серверных SSD и адаптирован к требованиям центров обработки данных. По словам Intel, линейный форм-фактор «обеспечивает максимальную ёмкость для сервера с минимальными потребностями в охлаждении и потреблении энергии». Что крайне важно, так это то, что будущий стандарт EDSFF расширяем как с точки зрения производительности интерфейса, так и с точки зрения потребляемой мощности, а также ёмкости и даже физических размеров.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

С технической точки зрения каждая планка SSD представляет собой длинный модуль с возможностью «горячей» замены, который может вмещать десятки микросхем флеш памяти или чипов 3D XPoint и, таким образом, обеспечивает ёмкость и уровни производительности, которые превосходят возможности модулей M.2.

Особенности SSD Intel в форм-факторе «линейка»

Линейные SSD первых поколений будут использовать коннектор SFF-TA-1002 (также известный как Gen-Z), поддерживающий интерфейсы PCI Express 3.1 x4 и x8 с максимальной теоретической пропускной способностью около 3,94 Гбайт/с и 7,88 Гбайт/с в обоих направлениях. Впоследствии, модули EDSFF могут получить интерфейс x16 со скоростью передачи данных 8 ГТрансферов/с, 16 ГТрансферов/с (PCIe Gen 4) или даже 25–32 ГТрансферов/с (PCIe Gen 5) на случай, если отрасли потребуются твердотельные накопители с пропускной способностью примерно в 50–63 Гбайт/с. В Intel говорят, что GenZ разъёмы уже готовы к скоростям PCIe Gen 5, но нет хостов для поддержки такого интерфейса. Впрочем, следует помнить, что мир не ограничивается протоколом PCI Express, а потому SSD c разъёмом смогут работать и с другими протоколами (например, UPI).

Коннектор SFF-TA-1002

Ключевой особенностью нового форм-фактора (а также разрабатываемого стандарта EDSFF) является то, что он был разработан специально для серверных SSD и поэтому предлагает гораздо больше, чем стандарты для ПК. Например, на SSD-модуле EDSFF на базе PCIe 3.1 x4 имеются SMB-контакты для управления NVMe, дополнительные контакты для зарядки конденсаторов защиты от потери мощности отдельно от питания самого накопителя (что позволяет использовать недорогие пассивные объединительные платы без PCIe переключателей). Стандартные накопители EDSFF будут использовать напряжение питания +12 Вольт, при этом Intel ожидает, что наиболее производительные SSD-линейки будут потреблять 50 Ватт и более.

Преимущества нового форм-фактора

Серверы и объединительные платы, совместимые с EDSFF и SSD-линейками, будут несовместимы с твердотельными накопителями и жёсткими дисками в традиционных форм-факторах, а также с другими накопителями в ином конструктивном исполнении. Таким образом, в ближайшие годы мы увидим машины, совместимые исключительно с накопителями на основе энергонезависимой памяти. Сам EDSFF еще не оформлен как стандарт, однако рабочая группа по созданию спецификации уже включает в себя Dell, Lenovo, HPE и Samsung как учредителей, а также Micron и Western Digital как участников.

Преимущества нового форм-фактора

Стоит отметить, что Intel поставляла SSD в форм-факторе «линеек» на основе планарной MLC NAND флеш-памяти некоторым партнёрам среди крупных производителей серверов, а также владельцам огромных центров обработки данных уже около восьми месяцев. Хотя эти накопители не использовали все преимущества стандарта EDSFF (и будет удивительно, если они будут даже совместимы с окончательной спецификацией), они помогли членам рабочей группы и некоторым другим компаниями подготовиться к будущему. Более того, по результатам испытани некоторые из партнеров Intel даже внесли дополнительные требования к стандарту EDSFF, а другие рассматривают возможность использования форм-фактора для ускорителей на базе GPU и FPGA. Как видно, индустрия испытывает немалый интерес как к SSD в форм-факторе «линеек», так и к стандарту EDSFF вообще.

Intel SSD серии DC P4500 в форм-факторе «линейка»

Что касается коммерческих твердотельных накопителей-«линеек», то первыми из них станут SSD серии DC P4500 производства Intel, в которых используется память типа 3D NAND и контроллер корпоративного класса. Intel не раскрывает максимальную ёмкость «линейных» DC P4500, но логично предполагать, что она будет значительной. Со временем Intel также планирует представить твердотельные накопители Optane на базе 3D XPoint в том же конструктивном исполнении.

На мероприятии 2017 Flash Memory Summit (FMS) компания Seagate Technology продемонстрировала прототип ультрабыстрого твердотельного (SSD) накопителя NVMe высокой ёмкости.

Изделие выполнено в виде карты расширения FHHL (полная высота, половинная длина). Вместимость составляет внушительные 64 Тбайт, а заявленная скорость передачи информации достигает 13 Гбайт/с.

«Решение использует преимущества стандартного форм-фактора М.2 для совмещения восьми SSD-контроллеров в одной карте расширения PCIe NVMe», — заявляет Seagate Technology, не вдаваясь в другие детали.

Кроме того, компания представила накопители Nytro 5000 NVMe SSD типоразмера М.2. Они характеризуются ёмкостью до 2 Тбайт. Заявленный показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) в режиме произвольной записи достигает 67 тыс. Решения подходят для таких приложений, как анализ данных, обработка онлайновых транзакций и т. п.

Наконец, показаны изделия Nytro 3000 SAS SSD с интерфейсом Serial Attached SCSI (SAS). Вместимость может достигать 15 Тбайт. Скорость чтения информации в последовательном режиме превышает 2200 Мбайт/с. 

Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей SG6, выполненных на основе 64-слойных микрочипов BiCS FLASH с технологией TLC (три бита информации в одной ячейке).

Изделия будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе, а также в виде модулей М.2. Задействован интерфейс SATA Revision 3.3, обеспечивающий пропускную способность до 6,0 Гбит/с.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 550 Мбайт/с. Скорость последовательной записи может составлять до 535 Мбайт/с.

Сообщается, что накопители Toshiba SG6 вне зависимости от форм-фактора будут предлагаться в трёх вариантах вместимости — 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Благодаря различным улучшениям энергопотребление в активном режиме снижено приблизительно на 40 % по сравнению с изделиями предыдущего поколения. Устройства будут доступны в модификациях с шифрованием данных.

Пробные поставки новинок уже начались. Наращивание объёмов отгрузок намечено на четвёртый квартал нынешнего года. О цене, к сожалению, пока ничего не сообщается. 

В 2018 году, используя 96-слойную структуру памяти 3D NAND и четырёхбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Digital намерены организовать производство кристаллов энергонезависимой памяти ёмкостью 768 Гбит. До заветного терабита на один кристалл осталось совсем немного. Покорить этот рубеж вполне предсказуемо собирается компания Samsung.

Образцы 96-слойной памяти Toshiba BiCS4 3D NAND

На нынешнем саммите Flash Memory Summit 2017 пионер по разработке и массовому производству многослойной памяти 3D NAND сообщил, что производство 1-Тбит кристаллов стартует в следующем году. Интересно, что компания Samsung не планирует увеличивать плотность размещения ячеек в каждом слое, хотя говорит о важности перехода на запись в каждую ячейку четырёх бит данных. К сожалению, в компании не раскрыли таких деталей, как число слоёв у 1-Тбит 3D NAND, хотя сообщили, что пропускная способность чипов поднимется до 1,2 Гбит/с.

Образцы 64-слойной памяти Samsung 3D NAND

Также в Samsung признались, что 1-Тбайт кристаллы будут по-новому упаковываться в многокристальные конструкции (стеки). Сейчас в стеке может находиться до 16 кристаллов. Новые стеки будет содержать до 32 кристаллов. Это означает, что появятся компактные однокорпусные решения толщиной не более 2 мм и объёмом до 4 Тбайт! Легко представить, что с подобными решениями производство 128-Тбайт 2,5-дюймовых SSD перестанет быть фантастикой. Но это не отменяет сложность процесса. Для упаковки в стек 32 кристаллов 3D NAND разработчики ввели дополнительный нижний слой для проводной обвязки кристаллов в стеке.

Несколько слов на саммите представители Samsung посвятили фирменной памяти Z-NAND. Память Z-NAND компания позиционирует как конкурента памяти Intel 3D XPoint. В то же время принцип работы у Z-NAND и 3D XPoint кардинально отличается. Память Intel использует для записи данных свойства веществ с изменяемым фазовым состоянием, а память Samsung Z-NAND — это доработанная определённым образом обычная многослойная 3D NAND. Рост производительности Z-NAND по отношению к 3D NAND объясняется тем, что в основе Z-NAND лежит однобитовая ячейка SLC и специальным образом оптимизированные контроллеры. В целом это даёт хорошие показатели по скорости доступа. Латентность у рабочих образцов SSD на Z-NAND снижена до 15 мкс. Накопители Intel Optan DC P4800X в режиме чтения, напомним, характеризуются задержками на уровне 10 мкс. Не намного лучше решений Samsung.

Образцы SSD Samsung на памяти Z-NAND

Опытные экземпляры SSD на памяти Z-NAND компания Samsung поставляет таким клиентам, как компании NetApp и Datera. В будущем году Samsung обещает выпустить память Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это сделает накопители на Z-NAND дешевле, хотя, как признают разработчики, также приведёт к некоторому увеличению латентности. Добавим, в компании рассчитывают увидеть память с латентностью менее одной микросекунды при переходе на память типа MRAM и PRAM. В Samsung разрабатывают магниторезистивную память и память на основе вещества с изменяемым фазовым состоянием с 2002 года и продолжают считать эти направления перспективными. Но это уже другая история.

Toshiba Memory Corporation анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии BG3, рассчитанные на потребительский рынок.

Изделия выполнены с применением 64-слойных микрочипов BiCS FLASH, изготовленных по технологии TLC (три бита информации в одной ячейке). Решения соответствуют спецификации NVM Express Revision 1.2.1 (NVMe), описывающей доступ к SSD с помощью шины PCI Express (в данном случае PCIe 3.0 x2).

Утверждается, что скорость чтения информации достигает 1520 Мбайт/с. Запись данных в последовательном режиме может осуществляться со скоростью до 840 Мбайт/с.

В семейство Toshiba BG3 вошли модели типоразмера M.2 1620 (16 × 20 мм) и M.2 2230 (22 × 30 мм). Вместимость составляет 128, 256 и 512 Гбайт.

Ожидается, что новые накопители найдут применение в ультратонких портативных компьютерах, планшетах и других мобильных устройствах. Кроме того, они могут применяться в качестве загрузочных модулей в оборудовании для центров обработки данных.

Пробные поставки изделий серии BG3 уже начались. Нарастить объёмы производства Toshiba Memory Corporation планирует в последнем квартале нынешнего года. 

Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей TR200, рассчитанных на использование в персональных компьютерах — настольных системах и ноутбуках.

В основу изделий положены 64-слойные микрочипы флеш-памяти 3D NAND, выполненные по технологии TLC (три бита в одной ячейке). Устройства соответствуют формату 2,5 дюйма; габариты составляют 100,0 × 69,9 × 7,0 мм.

Для подключения к ПК применяется стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Накопители обеспечивают скорость чтения информации до 550 Мбайт/с и скорость записи до 525 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 80 тыс. при произвольном чтении и 87 тыс. при произвольной записи.

В семейство Toshiba TR200 вошли модели вместимостью 240, 480 и 960 Гбайт. Средняя заявленная наработка на отказ составляет 1,5 млн часов.

Новые накопители позиционируются в качестве альтернативы традиционным жёстким дискам при апгрейде персональных компьютеров. Продажи решений Toshiba TR200 начнутся предстоящей осенью. Информации об ориентировочной цене пока, к сожалению, нет. 

Твердотельные накопители постоянно развиваются. Очередным шагом, призванным сделать SSD более успешной заменой магнитных жёстких дисков с точки зрения стоимости хранения данных, стала новая разработка Western Digital. Компания сообщила, что с успехом завершила создание архитектуры памяти 4X, с четырьмя битами на ячейку, для технологии 64-слойной флеш-памяти 3D NAND BiCS3.

Новая технология является развитием прежнего решения компании X4 для флеш-памяти 2D NAND и последующей коммерциализации. Успех разработки X4 для памяти 3D NAND был обеспечен высоким уровнем вертикальной интеграции и опыта WD в области флеш-памяти.

Технология BiCS3 X4, как утверждает WD, способна обеспечить ёмкость на уровне 768 гигабит на чип, что на 50 % больше предыдущего индустриального рекорда в 512 гигабит на отдельный кристалл, достигнутого при помощи 3-битной (X3) архитектуры. Компания не просто разработала новую технологию, но уже готова к её внедрению: образцы первых SSD и систем на базе BiCS3 X4 будут показаны на мероприятии Flash Memory Summit в Калифорнии уже в августе.

Важно не только достигнутое увеличение плотности данных на единицу площади кристалла, но и тот факт, что архитектура BiCS3 X4, по словам представителей WD, обеспечивает сопоставимые с BiCS3 X3 показатели надёжности и скорости. Благодаря этому можно ожидать широкое распространение и принятие рынком технологии X4. Будущие поколения флеш-памяти 3D NAND, включая 96-слойную BiCS4, как ожидается, тоже будут основаны на технологии X4.

ADATA продолжает активно расширять ассортимент твердотельных накопителей, изготавливая одну новинку за другой. Одной из последних моделей является Ultimate SU900, выполненная в формфакторе 2,5" с флеш-памятью 3D MLC NAND, что обеспечивает высокую скорость обработки данных и повышенную надёжность работы. ADATA Ultimate SU900 в настоящее время является наиболее распространённым накопителем на MLC 3D V-NAND.

В августе этого года ADATA планирует начать продажи SU900 ёмкостью 128 Гбайт, ориентируясь на покупателей с ограниченным бюджетом, которые ищут недорогую альтернативу моделям с высокой стоимостью. Отметим, что ранее на российский рынок поставлялись модели с ёмкостью лишь в 256 и 512 Гбайт. Следует отметить, что стоимость новой модели на данный момент пока неизвестна. Теперь у потребителей будет больше возможностей в выборе накопителя в зависимости от своих целей — будь то загрузочный диск ОС или накопитель для записи с большим объёмом информации. Напомним, что накопитель SU900 имеют 5-летнюю гарантию. Заявленная скорость передачи информации SU900 достигает 550 Мбайт/с. Благодаря использованию флеш-памяти 3D MLC NAND, все модели накопителя SU900 обеспечивают произвольную скорость чтения/записи до 40 тыс./90 тыс. IOPS.

Добавим, что ADATA также недавно выпустила твердотельные накопители XPG GAMMIX S10 PCIe Gen3x4 M.2 2280 серии 2280, которые предназначены для использования в мощных игровых компьютерах и системах корпоративного класса. Заявленная скорость чтения информации у них достигает 1800 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 850 Мбайт/с. 

Данные берутся из публикации Обзор накопителя Smartbuy PCIe GEN 3x4 5007 PRO: новые лики Phison E7

Компания Colorful анонсировала твердотельные (SSD) устройства хранения данных серий CN600, CN500 и SL500, которые рассчитаны на массовый рынок.

Решения семейства CN600 выполнены в форм-факторе M.2 2280. Говорится об использовании контроллера Realtek RTS5760, рассчитанного на работу по шине PCI Express 3.0 x2. Применены микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Заявленная скорость чтения информации достигает 800 Мбайт/с, скорость записи — 700 Мбайт/с. Предусмотрен охлаждающий радиатор.

Изделия серии CN500 также имеют типоразмер M.2 2280. Но при этом применён контроллер Silicon Motion SM2246EN. Основой служат микрочипы MLC NAND. Скорость чтения и записи данных достигает соответственно 530 и 250 Мбайт/с.

Наконец, накопители SL500 выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе: толщина корпуса составляет 7 мм. Использованы контроллер Silicon Motion SM2256 и микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Скорость чтения информации достигает 530 Мбайт/с, скорость записи — 450 Мбайт/с. Для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Все накопители выпускаются в версиях вместимостью до 240 Гбайт. Информации о цене новинок пока, к сожалению, нет. 

Компания ADATA Technology анонсировала портативный твердотельный накопитель SE730H, выполненный на основе микрочипов флеш-памяти 3D TLC NAND.

Новинка будет предлагаться в двух вариантах вместимости — 256 и 512 Гбайт. Для подключения к компьютеру служит симметричный порт USB 3.1 Gen 2 Type-C.

Накопитель соответствует спецификации IP68. Это означает защиту от пыли и грязи. Кроме того, устройству не страшны часовые погружения под воду на глубину до полутора метров. Стандарт MIL-STD-810G 516.6 означает защиту от падений и ударов.

Производитель гарантирует совместимость с операционными системами Windows, macOS 10.6 и выше, а также Linux с ядром 2.6 и выше. Плюс к этому устройство можно использовать с мобильными гаджетами под управлением Android 5.0 и выше.

Новинка характеризуется габаритами 72,7 × 44 × 12,2 мм, а вес составляет всего 33 грамма. Предусмотрены два варианта цветового исполнения — золотистый и красный.

В продажу карманный SSD-накопитель ADATA SE730H поступит в ближайшее время, но цена, к сожалению, пока не уточняется. Более подробную информацию о новинке можно найти на сайте производителя.