Теги → ssd
Быстрый переход

В течение года цены на SSD должны снизиться в полтора раза

Не так давно мы писали о том, что цены на твердотельные накопители будут уменьшаться в ближайшем будущем. Теперь же аналитики сообщают, что уже в будущем году цена на твердотельную памяти (NAND) может упасть до исторического минимума в 8 центов ($0,08) за 1 Гбайт.

В качестве главной причины для снижения цен, аналитики называют слишком большие объёмы производства памяти, наблюдаемые на данный момент. Проще говоря, сейчас происходит перепроизводство. Кроме того, производители на данный момент начинают выпуск более ёмких чипов NAND, в том числе 3D QLC NAND, которые сами по себе предлагают меньшую стоимость в расчёте на один гигабайт.

Правда, большинство производителей твердотельной памяти также производят и оперативную память (DRAM), что должно несколько компенсировать потери от уменьшения стоимости флеш-памяти. Хотя стоит заметить, что и цена на оперативную память начала снижаться.

По предварительным грубым подсчётам стоимость твердотельных накопителей объёмом 480–512 Гбайт в будущем году может составить около $70. В свою очередь более ёмкие накопители на 1 и 2 Тбайт могут подешеветь до 120 и 200 долларов США соответственно. Несомненно, снижение стоимости SSD-накопителей негативно скажется на продажах традиционных жёстких дисков. Поэтому производители последних сейчас активно стараются освоить рынок SSD.

GIGABYTE выпустила твердотельные накопители ёмкостью 120 и 240 Гбайт

Компания GIGABYTE выпустила новые твердотельные накопители (SSD), выполненные в форм-факторе 2,5 дюйма.

Решения имеют габариты 100 × 70 × 7 мм. Они могут использоваться как в настольных компьютерах, так и в ноутбуках и ультрабуках.

Для подключения служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0, обеспечивающий пропускную способность до 6 Гбит/с. Средняя заявленная наработка на отказ достигает 2 млн часов.

В семейство вошли две модели — вместимостью 120 и 240 Гбайт. Младшая версия обеспечивает скорость последовательного чтения информации до 350 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 280 Мбайт/с. У старшей модели эти значения равны соответственно 500 Мбайт/с и 420 Мбайт/с.

Показатель IOPS (количество операций ввода/вывода в секунду) при чтении составляет до 50 тыс. у обоих накопителей. При записи данная величина достигает 60 тыс. у младшей версии и 75 тыс. у старшей.

Поддерживаются команды TRIM и средства мониторинга S.M.A.R.T. Гарантия производителя составляет три года. 

ADATA представила твердотельный накопитель Ultimate SU800 ёмкостью 2 Тбайт

Компания ADATA выпустила серию твердотельных накопителей Ultimate SU800 в середине 2016 года для конкуренции с производительными SATA-накопителями, вроде Samsung 850 Evo. В данном семействе представлены накопители на памяти 3D TLC NAND объёмом от 128 Гбайт до 1 Тбайт. Теперь же к ним присоединился 2,5-дюймовый SATA-накопитель ёмкостью 2 Тбайт.

Как и в версиях меньшей ёмкости, в новинке используется контроллер Silicon Motion SM2258G и твердотельная память 3D TLC NAND производства компании Micron. У 2-Тбайт модели Ultimate SU800 имеется DRAM-буфер, а также до 8 % её объёма может выделяться под SLC-кеш.

По словам производителя, новинка способна обеспечить скорость последовательного чтения до 560 Мбайт/с, и скорость последовательной записи до 520 Мбайт/с. Производительность в операциях с произвольным доступом достигает 80 тыс. IOPS.

Производитель предоставляет гарантию сроком на три года. Суммарный объём данных, который можно будет записать без потери гарантии на накопитель Ultimate SU800 объёмом 2 Тбайт, составляет 1600 Тбайт. Ориентировочная стоимость новинки составит $379.

Накопители Intel SSD 660p на основе QLC 3D NAND представлены официально

Корпорация Intel официально представила накопители Intel SSD 660p — свои первые твердотельные решения на основе памяти QLC 3D NAND, рассчитанные на потребительский рынок.

Напомним, что технология QLC, или Quad-Level Cell, предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. За счёт этого плотность хранения данных по сравнению с изделиями TLC (Triple-Level Cell) NAND, которые содержат три бита информации в ячейке, возрастает на 33 %.

Как и предполагалось, в серию Intel 660p вошли три модели — вместимостью 512 Гбайт, а также 1 Тбайт и 2 Тбайт. Изделия полагаются на контроллер Silicon Motion SMI 2263. Накопители выполнены в формате M.2 2280 (22 × 80 мм); задействован интерфейс PCI-Express 3.0 x4.

Скоростные показатели и величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду при работе с блоками данных размером 4 Кбайт) выглядят следующим образом:


 

512 Гбайт

1 Тбайт

2 Тбайт

Чтение, Мбайт/с

1500

1800

1800

Запись, Мбайт/с

1000

1800

1800

IOPS при чтении

90 000

150 000

220 000

IOPS при записи

220 000

220 000

220 000

Что касается цены, то младшая версия обойдётся примерно в 100 долларов США. Стоимость модификаций вместимостью 1 Тбайт и 2 Тбайт составляет соответственно 200 и 400 долларов, что делает Intel SSD 660p самым доступным накопителем с интерфейсом NVMe.

Несмотря на использование четырёхбитовой памяти, производитель даёт на новые накопители пятилетнюю гарантию. При этом объём перезаписи, в пределах которой действует гарантия, составляет 100 Тбайт для модели 512 Гбайт и 200 Тбайт - для двух старших версий.

Новая статья: Обзор накопителя Intel Optane SSD 905P и его сравнение с Optane SSD 900P и 800P, а также с Samsung 970 PRO

Данные берутся из публикации Обзор накопителя Intel Optane SSD 905P и его сравнение с Optane SSD 900P и 800P, а также с Samsung 970 PRO

Intel SSD 660P: первые потребительские SSD-накопители на QLC за сущие копейки

Не так давно компания Intel объявила о начале массового производства твердотельных накопителей на базе флеш-памяти типа 3D QLC NAND, которая предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке. Однако то были профессиональные устройства, предназначенные для центров обработки данных. Теперь же выяснились первые подробности о твердотельных накопителях Intel на памяти этого типа для потребительского рынка.

Наши коллеги из Computer Base сообщают, что в европейской рознице уже можно найти твердотельные накопители Intel SSD 660p, построенные именно на памяти 3D QLC NAND. Эти накопители выполнены в форм-факторе M.2 2280 и используют интерфейс PCIe 3.0 x4 с протоколом NVMe. Доступно три модели, объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Цена накопителей составляет 113,90, 222,90 и 437,90 евро соответственно. Стоимость одного гигабайта памяти во всех случаях примерно равна 0,22 евро. Получается, что это самые доступные SSD-накопители с интерфейсом PCI Express. Кстати, наиболее доступные модели с интерфейсом SATA предлагают один гигабайт по цене около 0,15 евро.

Как и ожидалось, использование памяти типа 3D QLC NAND позволяет значительно снизить стоимость твердотельных накопителей, а точнее, этот тип памяти позволяет создавать модели большего объёма с меньшей стоимостью. Не исключено, что в будущем SATA-накопители на памяти данного типа смогут преодолеть и нынешнюю отметку в 15 центов за гигабайт.

Что касается скоростных характеристик накопителей Intel SSD 660p, то для них заявлена скорость чтения в 1800 Мбайт/с и скорость записи в 1100 Мбайт/с. Скорость случайного чтения составит 150 000 IOPS. С учётом, что это накопители бюджетного класса, показатели вполне неплохие.

Отметим также, что буквально на днях компания Samsung раскрыла первые подробности о своих готовящихся твердотельных накопителях на базе QLC V-NAND. Также через неделю стартует мероприятие Flash Memory Summit 2018, где ещё больше производителей представят свои изделия на памяти типа QLC.

Samsung раскрыла подробности об SSD на базе QLC V-NAND для ПК и серверов

Не секрет, что Samsung Electronics намеренно не стала создавать микросхемы флеш-памяти с архитектурой QLC NAND (хранящих четыре разряда данных в одной ячейке) в рамках поколения 64-слойной памяти V-NAND. Однако в случае с 96-слойной V-NAND компания поменяет свой подход и станет предлагать SSD на основе микросхем с архитектурой QLC для серверов и ПК. На форуме SSD Forum в Японии компания раскрыла первые подробности о своих будущих QLC-накопителях.

Ключевым преимуществом флеш-памяти 3D QLC NAND по сравнению с 3D TLC NAND является на 33 % большая плотность хранения данных, и, следовательно, более низкая стоимость хранения данных (при условии примерно одинакового уровня выхода годных микросхем). Как следствие, первыми накопителями на базе 3D QLC V-NAND производства Samsung станут модели большой ёмкости для клиентов, которым требуется хранить существенные объёмы данных и которые более заинтересованы в увеличении плотности хранения, чем в максимально возможной производительности.

Будущие QLC-накопители Samsung

Будущие QLC-накопители Samsung

Вот уже более года Samsung работает над твердотельным накопителями повышенной ёмкости с интерфейсами SAS/U.2 на основе QLC V-NAND. Данные SSD предназначены для приложений типа WORM (write once, read many; однократная запись, многократное чтение), не оптимизированных для быстрой записи, но явно превосходящих по производительности массивы на жёстких дисках. В Samsung ожидают, что их первые накопители на базе QLC V-NAND с интерфейсом PCIe/NVMe обеспечат скорость последовательного чтения до 2500 Мбайт/с, тогда как их скорость случайного чтения составит 160 тысяч IOPS. Подобный уровень производительности многократно выше такового у жёстких дисков со скоростью вращения шпинделя 10 тысяч оборотов в минуту. Впрочем, очевидно, что SSD высокой ёмкости на основе QLC NAND флеш-памяти должны заменять множество жёстких дисков, работающих в массиве RAID. Потому сравнение производительности одного твердотельного накопителя с HDD ёмкостью 2,4 Тбайт не слишком корректно, особенно если учитывать фактор потребления энергии.

SSD Samsung

SSD Samsung

Ещё одним семейством продуктов Samsung на базе флеш-памяти 3D QLC V-NAND будут твердотельные накопители ёмкостью более 1 Тбайт для клиентских ПК. Данные SSD будут использовать интерфейс SATA и будут обеспечивать последовательную скорость чтения и записи около 520 Мбайт/с (при использовании SLC-кеширования), что соответствует сегодняшним недорогим твердотельным накопителям. Samsung не раскрывает, когда подобные устройства станут доступны, но компания заявила, что клиентские SSD ёмкостью 1 Тбайт и более перейдут в разряд широко распространённых где-то в 2020 году в основном из-за появления QLC 3D NAND флеш-памяти.

NAND флеш-память Samsung

NAND флеш-память Samsung

В то же время Samsung не ожидает, что QLC NAND в ближайшее время заменит TLC NAND как основной тип флеш-памяти для SSD. QLC NAND требует более дорогих контроллеров со значительно более высокой производительностью, чтобы гарантировать надлежащую износоустойчивость. Таким образом, преимущество относительно недорогой (в пересчёте на Гбайт/$) памяти могут быть нивелированы в клиентских SSD стоимостью контроллеров.

Toshiba XG6: быстрые твердотельные накопители формата M.2 2280

Корпорация Toshiba анонсировала семейство производительных твердотельных накопителей XG6, которые рассчитаны на использование в клиентских системах.

Изделия используют 96-слойную флеш-память 3D TLC NAND (BiCS Flash). Задействованы протокол NVMe 1.3a и интерфейс PCI Express 3.0 x4, что обеспечивает высокие скоростные показатели. Контроллер — Toshiba TC58NCP090GSD.

Накопители соответствуют формату M.2 2280: габариты составляют 22 × 80 мм. В семейство вошли три модификации — вместимостью 256 Гбайт и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3180 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2960 Мбайт/с.

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 355 тыс. при чтении и до 365 тыс. при записи.

Toshiba уже организовала пробные поставки решений семейства XG6: они доступны OEM-производителям. О цене и возможных сроках поступления в открытую продажу ничего не сообщается. 

Intel начала производство SSD на базе 3D QLC NAND с интерфейсом PCI Express

Корпорация Intel объявила о начале массового производства твердотельных накопителей на базе флеш-памяти типа 3D QLC NAND (хранящей четыре бита данных в одной ячейке). Новые SSD используют интерфейс PCI Express и предназначены для центров обработки данных (ЦОД). Примечательно, что весьма лаконичный анонс был сделан в Twitter, а затем несколько дополнен в электронном письме, разосланном прессе.

На сегодняшний день известно, что твердотельный накопители Intel на базе 64-слойной 3D QLC NAND флеш-памяти будет поставляться в форм-факторе 2,5 дюйма с интерфейсом U.2, использующим шину PCI Express 3.1 x4 и протокол NVMe. Согласно сообщению Intel, новый SSD будет принадлежать к семейству D5, что говорит о том, что корпорация готовится к реорганизации модельных рядов своих накопителей.

Твердотельный накопитель Intel на базе 64-слойной 3D QLC NAND флеш-памяти

Твердотельный накопитель Intel на базе 64-слойной 3D QLC NAND флеш-памяти

Что касается ёмкости Intel D5 SSD на базе 3D QLC NAND, то ранее в этом году компания уже сообщала о планах представить 2,5-дюймовый QLC-накопитель, способный хранить до 20 Тбайт данных. Судя по всему, максимальная ёмкость D5 будет именно такой.

Учитывая максимальный объём Intel D5, а также тип памяти и её особенности, производитель позиционирует данный SSD как решение для WORM-приложений (write-once read many), которые требуют относительно высокой производительности как с точки зрения последовательной скорости чтения, так и с точки зрения случайных операций. Micron позиционирует свой 5210 ION (на базе 3D QLC NAND) как замену жёстким дискам. Судя по всему, Intel D5 будет предлагаться для примерно того же сегмента рынка, а основным преимуществом SSD станет именно производительность, которая будет в разы выше самых быстрых HDD как в абсолютных цифрах, так и в пересчёте на IOPS/Тбайт.

Особенности флеш-памяти с QLC архитектурой

Особенности флеш-памяти с QLC архитектурой

Colorful SL500 Boost: SSD-накопитель вместимостью 1 Тбайт

Компания Colorful выпустила твердотельный (SSD) накопитель SL500 Boost, подходящий для применения в настольных компьютерах, ноутбуках и ультрабуках.

Устройство выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе; толщина корпуса равна 7 мм. В основу положены микрочипы флеш-памяти 3D MLC NAND и контроллер Silicon Motion SM2246EN.

Накопитель имеет вместимость 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 540 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 430 Мбайт/с.

Количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при работе с блоками данных по 4 Кбайт составляет до 70 тыс. как при произвольном чтении, так и при произвольной записи.

Для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0. Заявлена поддержка системы NCQ (оптимизирует порядок, в котором выполняются команды чтения и записи), команд TRIM (служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности) и средств мониторинга S.M.A.R.T.

Накопитель имеет габариты 100 × 69 × 7 мм и весит приблизительно 80 граммов. Производитель предоставляет на изделие трёхлетнюю гарантию. Цена — 230 долларов США. 

Realtek нацеливается на рынок высокопроизводительных SSD

Рынок твердотельных накопителей (solid-state drives, SSDs) расширяется очень высокими темпами, что побуждает новые компании выходить на эту сцену. Два года назад Realtek представила свой первый контроллер для недорогих SSD с интерфейсом PCI Express. Данная микросхема получила прохладный приём у производителей твердотельных накопителей, что неудивительно в условиях конкурентного рынка и странного позиционирования продукта. В результате компания изменила стратегию и контроллеры RTS5762 и RTS5763DL нацеливаются в первую очередь на высокопроизводительные SSD. Оба продукта были продемонстрированы на Computex. Там же был анонсирован первый накопитель на базе RTS5763DL — ADATA XPG SX7100.

RTS5762: «Самый производительный PCIe M.2 SSD-контроллер в мире»

Realtek RTS5762 станет флагманским контроллером компании, предназначенным для высокопроизводительных SSD. Эта микросхема поддерживает функциональные возможности NVMe 1.3, оснащена восемью каналами NAND и может работать с различными типами 3D TLC и 3D QLC NAND флеш-памяти. Принимая во внимание поддержку QLC, логично предполагать, что RTS5762 обладает надёжными методами коррекции ошибок (ECC) на основе алгоритмов LDPC для обеспечения должной выносливости твердотельных накопителей. Realtek не хочет раскрывать всю информацию о контроллерах RTS5762 и RTS5763DL прямо сейчас, но один из представителей компании сказал, что указанные микросхемы поддерживают LDPC ECC силой 150 бит/1 Кбайт, что существенно выше LDPC силой 120 бит/1 Кбайт, применяемой для памяти типа TLC. Между тем на вопрос о процессорных ядрах представитель компании ответил, что Realtek использует ядра собственной разработки, но не стал уточнять деталей.

Прототип накопителя на базе Realtek RTS5762

Прототип накопителя на базе Realtek RTS5762

Что касается производительности, то SSD на базе RTS5762 будут обеспечивать скорость последовательного чтения до 3500 Мбайт/с, а также скорость записи до 3000 Мбайт/с. Если смотреть на эти цифры в контексте имеющихся на рынке решений, то флагманский Samsung 970 PRO обеспечивает скорость чтения до 3500 Мбайт/с и скорость записи до 2700 Мбайт/с (при использовании pSLC-кеширования). Неясно, какая память была использована Realtek для получения такого уровня производительности, но на выставке компания продемонстрировала SSD на основе 64-слойной 3D TLC NAND производства Toshiba.

RTS5763DL: Новый контроллер для накопителей среднего уровня

В дополнение к высокопроизводительному контроллеру Realtek планирует предложить RTS5763DL, предназначенный для относительно недорогих SSD среднего класса без DRAM. Этот чип также совместим со спецификацией NVMe 1.3, имеет четыре канала NAND и, как и его старший брат, поддерживает 3D TLC и 3D QLC флеш-память. Стоит отметить, что RTS5763DL полностью поддерживает шифрование AES256 (как и RTS5762), что является нечасто встречающейся у дешевых контроллеров особенностью.

Прототип накопителя на базе Realtek RTS5763DL

Прототип накопителя на базе Realtek RTS5763DL

Несмотря на то, что RTS5763DL нацелен на доступные твердотельные накопители, он экипирован интерфейсом PCIe 3.0 x4 и не имеет «узкого места» в виде потенциально недостаточно производительного интерфейса, в отличие от своего предшественника. Согласно данным Realtek, RTS5763DL обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 2150 Мбайт/с, а также скорость последовательной записи 1474 Мбайт/с (при использовании кеша pSLC), что примерно соответствует SSD на базе Silicon Motion SM2263XT. Хотя производительность накопителей на основе RTS5763DL может не впечатлять на фоне RTS5762, следует отметить, что сегодняшние SSD начального уровня на базе RTS5760 едва ли могут похвастаться скоростью чтения на уровне 1000 Мбайт/с (что неплохо по сравнению с накопителями с интерфейсом SATA).

ADATA XPG SX7100: Первый SSD на базе RTS5763DL

В настоящее время различные производители твердотельных накопителей тестируют новые контроллеры Realtek. В случае, если компании найдут новые микросхемы конкурентоспособными, можно ожидать, что SSD на их базе появятся в следующем году. На сегодняшний день единственной компанией, подтвердившей интерес к RTS5763DL, является ADATA, анонсировавшая на Computex свой накопитель XPG SX7100.

Судя по всему, XPG SX7100 будут использовать применяемую сегодня 3D TLC NAND флеш-память и будут поставляться в конфигурациях ёмкостью 120 Гбайт, 240 Гбайт, 480 Гбайт, 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. ADATA XPG SX7100 будет являться решением «под ключ» без каких-либо существенных изменений прошивки со стороны производителя. Стоит отметить, что ADATA не демонстрировала образцов SX7100 на Computex, но лишь опубликовала слайд из презентации (который неправильно показывал SSD на основе RTS5763DL, поскольку данный контроллер не имеет металлического теплораспределителя) с официальными показателями производительности от Realtek. Как следствие, на сегодняшний день не ясно, находятся ли данные SSD на ранней стадии разработки, или уже существуют в виде прототипов.

Слайд ADATA

Слайд ADATA

Впрочем, независимо от текущей ситуации, учитывая тот факт, что ADATA была единственным крупным производителем, использовавшим RTS5760, весьма вероятно, что она имеет тесные связи с Realtek и сможет предложить свои накопители на основе RTS5763DL ранее конкурентов.

Что касается других поставщиков SSD, следует иметь в виду, что рынок платформ твердотельных накопителей «под ключ» очень переполнен. Как следствие, Realtek придётся приложить немало усилий чтобы выиграть долю на рынке у таких компаний, как Silicon Motion и Phison.

Маркетологи пытаются выставить кеш Intel Optane за подсистему ОЗУ

Ряд производителей продают ноутбуки, оснащённые высокоскоростным твердотельным накопителем Intel Optane для разъёма M.2, выставляя кеш-накопитель за объём оперативной памяти. В результате пользователи могут получить неверное представление о возможностях приобретаемых ими компьютеров. На данный момент можно говорить по меньшей мере о двух производителях: Dell и HP.

Например, на приведённом баннере Google, рекламирующем Dell G3 15, указано, что ноутбук стоимостью $950 оснащён 24 Гбайт ОЗУ и 1 Тбайт HDD. И только при переходе на страницу продукта можно узнать, что 24 Гбайт памяти на деле включают 8 Гбайт DDR4 и 16 Гбайт Intel Optane — последний стоит всего $25. В случае с HP 15,6" HD Notebook производитель более честно указывает уже на рекламном баннере двусоставность высокоскоростной памяти.

Таким образом, несведущие пользователи могут быть запутаны этими маркетинговыми кульбитами, призванными обратить внимание покупателей на присутствие Optane-кеша, существенно ускоряющего быстродействие компьютера, но всё же не заменяющего собой ни ОЗУ, ни полноценный SSD.

Запуская в марте 2017 года для потребительских ПК первые накопители Optane на базе памяти 3D XPoint и технологии Rapid Storage, Intel указывала, что наличие такого кеша позволяет повысить быстродействие традиционных жёстких дисков до уровня SSD. Это вполне оправдывается, например, результатами нашего тестирования: «Intel Optane Memory хороша тем, что она позволяет «подтянуть» скорость системы с HDD до уровня конфигураций с SATA SSD с достаточно небольшими затратами [...] Правда, переоценивать возможности Optane Memory при этом не следует».

Однако потребителям необходимо помнить, что, хотя накопитель Optane действительно повышает быстродействие ПК за счёт ускоренной работы с данными на диске, всё же он не сможет компенсировать недостаток подорожавшей сегодня оперативной памяти. При этом 8 Гбайт DDR4 по современным меркам едва ли удовлетворяют игровым или профессиональным задачам. О невозможности компенсировать нехватку оперативной памяти Optane-кешем предупреждает и сама Intel.

Требуется также сказать, что в конце мая Intel представила DIMM-модули Optane DC Persistent Memory ёмкостью до 512 Гбайт, тоже основанные на энергонезависимой памяти 3D XPoint и предназначенные для использования в подсистеме ОЗУ. По словам компании, быстродействие этих модулей памяти приближается к DDR4, а существенно более низкая стоимость позволяет принципиально изменить расходы на содержание серверов. Поначалу такие решения будут доступны только для процессоров Intel Xeon следующего поколения.

Новая статья: Обзор NVMe-накопителя Samsung 970 PRO: MLC решает

Данные берутся из публикации Обзор NVMe-накопителя Samsung 970 PRO: MLC решает

Прототип SSD на базе Intel 3D QLC NAND имеет объём 4 Тбайт

Массовое распространение флеш-памяти 3D QLC NAND должно решить проблему низкой производительности дисковой подсистемы недорогих ПК, которые до сих пор в большинстве своём используют жёсткие диски как для хранения пользовательских данных, так и для установки и загрузки операционной системы. Поэтому проектам, связанным с выпуском накопителей на базе микросхем 3D QLC NAND, в настоящее время уделяется повышенное внимание. Ресурс AnandTech опубликовал фото прототипа 2,5-дюймового потребительского SSD объёмом 4 Тбайт, использующего память 3D QLC NAND производства Intel, контроллер китайской компании Maxio Technology (Maxiotek) и интерфейс подключения SATA 6 Гбит/с.

Все компоненты SSD разместились на лицевой стороне печатной платы. Четыре 8-Тбит (1-Тбайт) чипа NAND флеш-памяти имеют маркировку 29F08T2AOCQH1/T1181202 ES и относятся к семейству N18A. На уровне опытных образцов их ресурс оценивается в 500 циклов перезаписи, но со «взрослением» технологии 3D QLC NAND и увеличением числа протестированных накопителей ожидается, что ресурс вырастет вдвое — до 1000 циклов перезаписи. Обращает на себя внимание то, что по периметру чипов распаяны более ёмкие керамические конденсаторы, чем у SSD на основе памяти 3D TLC NAND.

Контроллер Maxio MAS0902A-B2C (сокращённо MAS0902) обходится без буферной DRAM-памяти. В состав микросхемы входят два вычислительных ядра, она поддерживает алгоритмы контроля ошибок AgileECC 2 и SLC-кеширования WriteBooster 2, технологию Virtual Parity Recovery и т. д. Чип MAS0902 изготавливается силами подрядчика GlobalFoundries по 14-нм техпроцессу. Производительность прототипа 4-Тбайт SSD сопоставима с таковой у SATA-накопителей на базе сочетания 3D TLC NAND и контроллеров MAS0901/MAS0902.

Заодно Maxio продемонстрировала SSD на основе «китайской» памяти 3D TLC NAND. Его объём невелик — всего 256 Гбайт, но зато все ключевые компоненты изготовлены в Поднебесной, что, с одной стороны, должно упрочить позиции китайских производителей NAND флеш-накопителей, а с другой — заставить конкурирующие компании из США, Южной Кореи и Японии снизить цены на продукцию.

В изображённом выше прототипе SSD сочетаются две 1-Тбит (128-Гбайт) микросхемы 32- или 64-слойной флеш-памяти UNIC 3D TLC NAND и контроллер Maxio MAS0902. Ожидается, что устройство будет конкурировать с бюджетными SSD-накопителями сопоставимого объёма (240–256 Гбайт).

Новая статья: Обзор NVMe-накопителя ADATA XPG SX8200: быстрее Samsung, дешевле Samsung

Данные берутся из публикации Обзор NVMe-накопителя ADATA XPG SX8200: быстрее Samsung, дешевле Samsung