Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Материнские платы

Asus P4GE-V на чипсете Intel 845GE

⇣ Содержание

Разгон и стабильность

Смотрим на преобразователь питания - в нем, установлены шесть конденсаторов емкостью 1500 мкФ и 3 по 1000 мкФ.

Мелкое отличие - чуть-чуть уменьшенная емкость конденсаторов. На P4PE было установлено шесть конденсаторов емкостью 1500 мкФ и 3 по 1200 мкФ. А в целом модуль питания платы тот же самый, что автоматически означает полное соответствие с новыми спецификациями Intel, определяющими требования к поддержке процессоров с частотами выше 3Ггерц (максимальный ток ~70A, выделяемая мощность ~82Вт).

Что касается функций разгона, то тут никаких отличий от платы на i845PE нет.

Диапазон изменения частоты системной шины (FSB) стандартный - от 100 до 200Мгерц с шагом 1Мгерц.

Теперь о повышении напряжения на процессоре. Диапазон изменения Vcore от 1.5 V до 1.85V доступен единым списком.

Кроме этого в распоряжении опытного пользователя есть функции повышения напряжения на памяти и шине AGP.

Возможные значения Vmem: 2.5V (стандартное), 2.6V, 2.7V и 2.9V. А для напряжения шины AGP доступны следующие значения: 1.5V (стандартное), 1.6V и 1.7V.

Теперь о практическом разгоне:

Максимальная частота FSB, при которой система работала стабильно, составила 152Мгерц.

Напомню, на плате P4PE максимальная частота равнялась 155Мгерц.

Почему на 3 Мгерц меньше, если платы почти одинаковые, возможно, спросит читатель. Вполне возможно из-за отличий в модуле питания и опять же платы все-таки сделаны на разных чипсетах, которые по разному могут относится к работе на нестандартных частотах.

Этот тест еще раз подтвердил теорию о том, что интегрированные чипсеты - не самый лучший выбор оверклокера.

Но высокая частота это важный, но не самый главный, критерий производительности (особенно это касается процессоров Intel с их длинным конвейером). Не менее важным условием высокой скорости работы системы является достаточная пропускная способность подсистемы памяти. Поэтому любое наращивание частоты работы памяти приводит к резкому скачку производительности. Этим я и занялся - частота FSB установлена на 133Мгерц, частота памяти - на 333Мгерц. Результат - все тесты пройдены без сбоев.
Следующий шаг - устанавливаю частоту памяти 355Мгерц и опять не встречаю проблем со стабильностью. Далее, помня о результатах теста P4PE, сразу устанавливаю частоту FSB=150, частоту памяти = 200Мгерц (что соответствует DDR400). Результат - все тесты проходят стабильно.


пропускная способность памяти в режиме 150200

Итак, за возможность разгона нашей плате можно ставить твердую оценку "отлично".

Следующая страница → ← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В 2028 году Samsung планирует выпустить серийный смартфон с рулонным дисплеем 2 ч.
Портативная консоль AyaNeo Next 2 на AMD Strix Halo выйдет на мировой рынок — цена флагмана составит $5300 2 ч.
Micron начала строительство ещё одного завода по производству памяти в Хиросиме — он заработает в 2028 году 2 ч.
Из-за складного iPhone цены на складные смартфоны вырастут в среднем почти на 20 % 2 ч.
Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже 3 ч.
Alibaba представила ИИ-агента для поиска сверхпроводников — он сразу открыл четыре новых 3 ч.
Ampera напечатала на 3D-принтере малый ториевый реактор для питания дата-центров 4 ч.
DriveNets представила коммутаторы 2600SL и 2601S с 64 портами на 1,6 Тбит/с 4 ч.
Учёные создали в лаборатории модель чёрной дыры и испарили её 5 ч.
Samsung нацелилась стать главным производителем ИИ-чипов — она привлекла Anthropic и Meta 5 ч.