Сегодня 08 сентября 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Материнские платы

Intel D845GEBV2 на Intel 845GE

⇣ Содержание

Выводы

Начну с того, что плата не имеет никаких функций для разгона процессоров. Абсолютно никаких. Впрочем это и не удивительно, поскольку, пока Intel производит и продает процессоры, ей абсолютно не выгоден "разгон". Впрочем, на некоторых платах стала появляться возможность незначительного увеличения частоты процессора (около 5%), однако в Intel эту функцию назвали "тестовым режимом" :).

Что касается стабильности, то по этой части претензий к плате Intel D845GEBV2 нет. Преобразователь питания выполнен по 4х канальной схеме, содержит три конденсатора емкостью 3300 мкФ и 4 - по 1000 мкФ.

 Intel D845GEBV2 Power supply

Что касается производительности, то плата показала типичную производительность плат на чипсете i845GE (Точные данные по тестам будут приведены в итоговом обзоре плат на i845PEGE).

Вывод: поскольку плата Intel D845GEBV2 предназначена для корпоративных пользователей, было бы неправильно предъявлять ей те требования, которые имеют значения для Retail-плат (т.е. платы для конечных пользователей). Однако, если вы думаете о приобретении этой платы для домашнего или офисного компьютера, то следует учесть несколько завышенную цену (которая не соответствует набору функций).

Заключение

Плюсы:
  • Отличная стабильность и хорошая производительность;
  • Встроенный 6-и канальный звук и сеть;
  • Поддержка интерфейса USB2.0 (6 портов);
  • Встроенное видеоядро;
  • Поддержка процессоров с HyperThreading.
Минусы:
  • Несколько завышенная цена.
  • Низкое качество изображение в 2D.
Особенности платы:
  • Полное отсутствие средств для разгона процессоров.

Дополнительные материалы

Abit BE7-RAID : i845PE
Abit IT7-MAX2 : i845PE
Asus P4GE : i845GE
Asus P4PE : i845PE
Iwill : i845PE
Gigabyte 8GE667 : i845GE
Epox 4PEA+ : i845PE
Jetway PEA : i845PE

Было интересно? Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про intel
 
← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Chrome стал получать обновления каждые две недели — ИИ изменил правила в сфере безопасности 53 мин.
«Нет, мы делаем Starfield»: большинство сотрудников Bethesda мечтало заняться The Elder Scrolls VI после Fallout 4, но Тодд Говард решил иначе 57 мин.
Microsoft разгневала пользователей, превратив обои Windows 11 в рекламный щит 58 мин.
Фэнтезийный боевик с духом легендарных аркад прошлого Absolum взял курс на новые платформы 2 ч.
Дата выхода, цена и 15 минут геймплея: Nintendo устроила демонстрацию ремейка The Legend of Zelda: Ocarina of Time для Switch 2 4 ч.
«Google Фото» будут удалять файлы из корзины вдвое быстрее — на передумать оставят 30 дней 4 ч.
Google предупредила о снижении качества поиска в Европе и назвала, кто в этом виноват 5 ч.
«Мы выпустили прекрасную игру»: Riot отказалась признавать ошибкой провальный файтинг 2XKO по League of Legends 5 ч.
Цифровую модель нервной системы плодовой мушки научили играть в Doom и Super Mario 64 5 ч.
Microsoft пообещала ускорить загрузку Windows 11 и улучшить её работу на ПК с 8 Гбайт памяти 6 ч.
Phanteks выпустила корпуса EX5 с отдельными «комнатами» для матплаты, видеокарты и блока питания 39 мин.
SteelSeries представила дорогой геймпад Aeon Pro для Xbox и PC с дисплеем и ценой $260 47 мин.
Arm анонсировала платформу Neoverse CSS N4 для 128-ядерных серверных процессоров для ИИ ЦОД 2 ч.
«Добро пожаловать в Хогвартс»: Realme представила смартфон Realme 16 Pro Harry Potter и наушники Buds T500 Pro Harry Potter 3 ч.
Китайская Rayson представила ноутбучную память LPDDR5X LPCAMM2-9600 ёмкостью 96 Гбайт 3 ч.
IonQ собралась выпускать квантовые компьютеры сотнями — представлена платформа Superion 256 на ионных ловушках 4 ч.
Chieftec показала на IFA 2026 большой корпус Atlas, мощные БП и новые системы охлаждения 4 ч.
Qualcomm разработает для Amazon ускорители инференса ИИ 4 ч.
Аналитики предрекли Apple быструю победу на рынке складных смартфонов 5 ч.
Intel обработала миллион 300-мм кремниевых пластин на оборудовании High-NA EUV 5 ч.