Сегодня 02 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Материнские платы

Foxconn P35A и ECS P35T-A: две новинки на новом чипсете

⇣ Содержание

BIOS

BIOS обоих плат основан на версии AMI BIOS.



В разделе настроек памяти следующий набор таймингов:



Важный параметр, который влияет на производительность - это установка частоты памяти.



Плата ECS предлагает всего два значения: 667 МГц и 800 МГц. А функциональность платы Foxconn значительно выше, за счет функции выбора Strap (который инженеры назвали "Fox Ratio Select"):


Обе платы поддерживают все современные технологии Intel:


Теперь посмотрим на раздел системного мониторинга.


Обе платы отображают текущие значения температуры процессора и системы, отслеживают текущие уровни напряжений и скорости вращения двух вентиляторов. Также есть функция регулировки вращения процессорного кулера в зависимости от температуры CPU.


Также, пользователь платы Foxconn может следить за показаниями системного мониторинга из Windows. Для этого предназначена утилита FoxOne.


С платой работает утилита Fox LiveUpdate, которая предназначена для обновления драйверов, утилит и прошивки биоса:


Разгон и стабильность

Прежде чем переходить к разгону, рассмотрим преобразователи питания. PWM платы Foxconn имеет 4-фазную схему, в которой установлены 4 конденсатора емкостью 331 мкФ и 11 емкостью 561 мкФ. Модуль питания платы ECS также имеет 4- фазную схему, в которой установлены 4 конденсатора емкостью 1800 мкФ, 4 емкостью 680 мкФ и пара по 560 мкФ.



Все силовые элементы PWM на платах закрыты радиаторами, что повышает эффективность охлаждения и стабильность при разгоне.

Теперь переходим к рассмотрению функций разгона.



Плата Foxconn P35A ECS P35T-A
Изменение множителя + -
Изменение FSB от 200/266 до 750 МГц (1) от 200/266 до 500 МГц (1)
Изменение Vcore от 0 до +0,787В (0,0125В) от 1,1В до 1,5В (0,5В)
Изменение Vmem от 1,665В до 3,0В (~0,045В) от 1,85В до 2В (0,05В)
Изменение Vdd от 1,1574В до 1,6267В (0,0313В) от +0 до +12% (4%)
Изменение Vsb/Vpcix от 1,3875В до 1,95В (0,0375В) -
Изменение Vtt - -
Изменение PCI-E - -

Отметим, что функции разгона на плате производства Foxconn проработаны значительно лучше; в BIOS есть информация о текущих значениях напряжений на процессоре, памяти и северном мосту. Кроме того, диапазоны регулировок напряжений шире, шаг изменения меньше, а самих функций больше. Особо интересно реализована функция повышения напряжения на памяти: значения стандартного диапазона можно увеличить на коэффициент 1,28 или 1,13. Таким образом максимально возможное значение Vmem = 3В!

Посмотрим на практические результаты разгона. Максимально стабильная частота FSB у платы Foxconn равна 500 МГц; у платы ECS - 375 МГц.



Стоит отметить тот факт, что плата Foxconn P35A позволяет изменять множитель процессора, что позволило нам определить потенциал платы в разгоне. Плата ECS P35T-A не может изменять множитель, и реальный потолок стабильной частоты FSB остался невыясненным (разгон ограничен потенциалом конкретного экземпляра тестового процессора).

Следующая страница → ← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
США лишили TSMC возможности поставлять оборудование на свой завод чипов в Китае 7 мин.
Thermalright выпустила кулер Phantom Spirit 120 Digital с цифровым дисплеем и поддержкой процессоров с TDP до 275 Вт 16 мин.
Tesla провалила старт продаж в Индии — всего 600 заказов за 2,5 месяца 55 мин.
Передовые чипы подорожают: TSMC повысит цены на 10 % из-за трамповских пошлин 2 ч.
Одна плата ASRock уничтожила два Ryzen 7 9800X3D всего за несколько месяцев 3 ч.
В небо над Россией запустят воздушные шары с 5G — альтернатива спутникам Starlink 3 ч.
Мировые продажи электромобилей выросли на 29 % и перевалят за 20 млн в этом году 3 ч.
В умном доме «Сбера» поселился GigaChat — ИИ прокачал голосовое управления и не только 3 ч.
«Не понадобится ни один человек»: доступные роботы позволят Китаю и дальше заваливать мир дешёвыми товарами 3 ч.
Революция в мире оптической связи: Microsoft помогла улучшить характеристики полого оптоволокна 4 ч.