Опрос
|
реклама
Быстрый переход
ЕС выделит €319 млн на запуск первого в мире массового производства GaN-чипов на 300-мм пластинах
29.10.2026 [22:26],
Анатолий Хаблюк
Еврокомиссия одобрила выделение €319 млн государственных субсидий на модернизацию предприятия Infineon Technologies в австрийском Филлахе. Компания намерена первой в мире наладить массовое производство силовых полупроводниковых компонентов на основе нитрида галлия (GaN) с использованием 300-мм пластин. Общий объем инвестиций в проект составит около €1,1 млрд. 
Источник изображения: Infineon Technologies Средства направят на расширение действующих производственных мощностей Infineon в федеральной земле Каринтия. Проект получил название Empowering Fab и предусматривает переход от выпуска GaN-компонентов на пластинах диаметром 200 мм к более крупным 300-мм пластинам. Как сообщает сама Infineon, первые изделия с модернизированного производства должны поступить на рынок к концу 2027 года. При этом инвестиционная программа рассчитана до 2034 года. Технологию обработки 300-мм пластин для силовой электроники на основе нитрида галлия Infineon освоила еще в 2024 году. До этого подобные компоненты изготавливались преимущественно на пластинах диаметром 200 мм. Увеличение диаметра позволяет разместить на одной пластине примерно в 2,3 раза больше чипов. Благодаря этому производитель рассчитывает снизить себестоимость изделий и повысить эффективность использования оборудования. Нитрид галлия рассматривается как альтернатива кремнию в силовой электронике. Компоненты на его основе способны работать с высокой частотой переключения и обеспечивать меньшие потери энергии при преобразовании электричества. Это позволяет создавать более компактные блоки питания, снижать тепловыделение и уменьшать требования к охлаждению. Такие решения востребованы в серверном оборудовании, центрах обработки данных для искусственного интеллекта, электромобилях, робототехнике и системах возобновляемой энергетики. Одним из направлений применения GaN-компонентов Infineon считает энергоснабжение ИИ-серверов, где увеличение вычислительных мощностей сопровождается ростом потребления электричества. По мере распространения мощных ускорителей производителям оборудования приходится повышать эффективность преобразования энергии и сокращать потери в системах питания. Аналогичные требования предъявляются к зарядным устройствам и промышленным преобразователям. Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек (Jochen Hanebeck) заявил, что переход к массовому выпуску на 300-мм пластинах позволит компании расширить использование нитрида галлия в силовой электронике. По оценке аналитиков Yole Group, на которую ссылается производитель, мировой рынок силовых GaN-компонентов может достичь $3,5 млрд к 2031 году. Среднегодовые темпы роста в период с 2025 по 2031 год оцениваются примерно в 35 %. Одобренная Еврокомиссией субсидия будет предоставлена в рамках европейского Закона о чипах (European Chips Act). Получение средств предусматривает ряд обязательств. Infineon должна расширить сотрудничество с университетами, научными учреждениями, стартапами и небольшими технологическими компаниями, предоставляя им доступ к лабораториям, программным и аппаратным средствам. Кроме того, предусмотрено участие австрийского государства в распределении возможной дополнительной прибыли от проекта сверх установленных прогнозов. В Еврокомиссии считают, что без государственной поддержки Infineon не стала бы осуществлять эти инвестиции в Европе. При рассмотрении заявки регулятор также оценивал влияние субсидии на конкуренцию внутри ЕС. В итоге финансирование признали необходимым для расширения европейского производства полупроводников и снижения зависимости от зарубежных поставщиков. Китай запустил массовое производство радиочастотных чипов на нитриде галлия для 6G
09.06.2026 [15:28],
Геннадий Детинич
Китай не только спешит создавать сети связи шестого поколения, но намерен делать это на основе самой современной электронной базы. Если верить местным источникам, в стране начались крупносерийные поставки радиочастотных чипов на основе нитрида галлия (GaN) — материала, который выгодно отличается от кремния большей мощностью и частотным диапазонам, а также меньшими размерами. 
Источник изображения: ИИ-генерация ChatGPT/3DNews По данным источников, промышленности уже поставлено 5 млн таких полупроводников для интеллектуальных терминалов. В качестве разработчика назван 55-й НИИ China Electronics Technology Group Corporation и его дочерняя Nanjing Guobo Electronics. Утверждается, что это первый случай массового производства и коммерческого применения подобных радиочипов на нитриде галлия для устройств связи. Чипы на нитриде галлия в радиотрактах терминалов в качестве усилителей мощности обеспечивают высокую мощность и КПД, широкую полосу частот, линейность и надёжность, что критично для связи с низкоорбитальными спутниками, воздушными платформами, наземными станциями ретрансляции и обычными пользовательскими терминалами. Китайские источники утверждают, что серия изделий покрывает сразу несколько ниш: спутниковая связь, терминалы для низковысотных платформ, модули передачи данных, наземные шлюзы и интеллектуальные терминалы. Важно добавить, что производство полупроводников из нитрида галлия организовано на обычных кремниевых подложках. Это крайне удешевляет процесс, но учёные шли к нему долгие годы. Разработчикам из Поднебесной удалось воспроизвести всю производственную цепочку: эпитаксиальное выращивание материала, проектирование чипа, технологическую проверку, испытания надёжности и переход к массовому выпуску. Учёные уверены — дефицита не будет. Как только инфраструктура будет готова к переходу на 6G, терминалы появятся в необходимом количестве. Отметим, за последние годы галлий стал стратегическим материалом в технологическом противостоянии ведущих и развивающихся стран: Китай контролирует почти весь мировой выпуск галлия как сырья, а с конца 2024 года там был введён запрет на поставки галлия в США в случае товаров двойного назначения. Поэтому массовый выпуск Китаем собственных GaN-чипов демонстрирует не только прогресс в радиочастотной электронике, но и стремление Китая замкнуть у себя критическую цепочку для платформ спутниковой связи, 6G и, в перспективе, для всеохватывающей сетевой инфраструктуры в стране. Intel научилась изготавливать самые тонкие в мире чиплеты на базе нитрида галлия
09.04.2026 [12:55],
Алексей Разин
Нитрид галлия давно используется для производства силовых полупроводниковых компонентов, но для интеграции вычислительных функций соответствующие чипы требовали традиционных кремниевых компонентов. Intel научилась создавать сверхтонкие чиплеты из нитрида галлия, которые можно интегрировать на кремниевые чипы и тем самым сокращать занимаемую компонентом площадь. У этой технологии есть и множество других преимуществ. 
Источник изображений: Intel Результатами разработок на этом направлении специалисты Intel поделились в особом разделе корпоративного сайта. В недрах лабораторий Intel Foundry, как отмечается в материале, были созданы чиплеты из нитрида галлия на кремниевой подложке толщиной всего 19 мкм, причём получены они были из пластины типоразмера 300 мм. Устойчивость нитрида галлия к высоким температурам и силе тока позволяет использовать такое сочетание материалов для создания компонентов, применяемых в центрах обработки данных, а также инфраструктуре связи поколений 5G и 6G. Микросхемы цифрового управления были интегрированы непосредственно на кристалле с использованием единого технологического процесса, что также было сделано впервые в отрасли. Подход позволяет снизить энергетические потери и сэкономить пространство. Технология, как считают в Intel, позволит создавать регуляторы напряжения для ЦОД, которые будут более компактными, более эффективными, при этом располагаться ближе к процессору и снижать потери, возникающие на более длинных маршрутах. В сегменте систем связи компоненты из нитрида галлия уже зарекомендовали себя способностью эффективно работать на частотах свыше 200 ГГц. В оптоволоконных системах связи способность быстро переключать состояние тоже будет востребована, по словам представителей Intel. Традиционные кремниевые транзисторы по мере роста частот склонны выделять больше тепла и терять больше энергии. Транзисторы из нитрида галлия способны более эффективно работать на высоких частотах, спокойно переносить более высокие напряжения, терять меньше энергии и просто переключать состояние с более высокой скоростью. В системах преобразования энергии компоненты из нитрида галлия весьма востребованы. Применение Intel стандартного для отрасли типоразмера пластин 300 мм позволит внедрить работу с нитридом галлия без существенного технологического перевооружения имеющейся инфраструктуры. Кроме того, этот типоразмер пластин позволяет выпускать компоненты в больших масштабах.  Для достижения рекордно малой толщины кремниевой подложки в 19 мкм компания Intel использовала инновационную методику предварительной обработки кремниевого основания при помощи лазера, которая вызывает появление микроскопических трещин, упрощающих последующее шлифование пластины. Специалистам Intel при этом пришлось убедиться, что использование столь тонкого основания не влияет на эксплуатационные характеристики компонентов. Транзисторы с длиной затвора 30 нм продемонстрировали хорошую способность проводить ток с низкими потерями и выдерживать напряжения до 78 В. Радиочастотные характеристики транзисторов тоже были проверены на частотах свыше 300 ГГц, что с запасом превышает потребности систем связи будущих поколений. Компоненты на основе нитрида галлия могут найти применение не только в центрах обработки данных и базовых станциях связи, но и в электромобилях и космических спутниках. Кремниевые компоненты нестабильно ведут себя уже при температуре 150 градусов Цельсия, а нитрид галлия позволяет сместить этот порог заметно выше. При этом снижение потребности в охлаждении компонентов благоприятно сказывается на эксплуатационных расходах, поскольку на охлаждение нужно тратить меньше энергии. Важно, что управляющая логика интегрируется на одном чипе с элементом из нитрида галлия, поскольку до этого они разносились по разным компонентам. Intel испытала данное сочетание материалов на широком спектре полупроводниковых компонентов, подтвердив готовность технологии к использованию в условиях массового производства. Компоненты, изготовленные таким методом, в ходе испытаний показали высокую надёжность и долговечность. Освоенные Intel технологии позволят создавать всё более сложные с компоновочной точки зрения решения. Ключевые металлы для производства чипов подорожали вдвое и даже больше — отрасль готовится к дефициту
14.03.2026 [18:40],
Павел Котов
Производители полупроводниковых компонентов сообщили о двукратном росте цен на ключевые металлы для производства чипов; резко подскочила цена на галлий. Виной тому стали перебои в поставках, спровоцированные китайским экспортным контролем и усугублённые вооружённым конфликтом на Ближнем Востоке, сообщает DigiTimes. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com За последние несколько недель вдвое выросли цены на высокотемпературные металлы — вольфрам, тантал и молибден, которые используются в оборудовании для производства полупроводниковых компонентов. Стоимость некоторых специализированных химических компонентов выросла втрое. Подорожал и галлий, который используется в производстве микросхем в виде арсенида (GaAs) и нитрида (GaN). По состоянию на начало марта килограмм галлия оценивался примерно в $2100, что соответствует росту на 123 % с начала 2025 года — в конце 2024 года Китай запретил его экспорт в США, но в ноябре 2025-го приостановил запрет. Ближневосточный конфликт повлиял также на производство алюминия — QatarEnergy приостановила его выпуск; также было приостановлено производство гелия. Галлий почти полностью извлекается как побочный продукт при производстве алюминия — крупные плавильные заводы, в том числе Aluminium Bahrain и входящий в Norsk Hydro завод Qatalum, объявили форс-мажор после приостановки поставок газа. В результате алюминий подорожал на Лондонской бирже металлов до $3418 за тонну, и это четырёхлетний максимум. Сохраняется дефицит подложек из фосфида индия — они используются в высокочастотных оптических и телекоммуникационных компонентах, и в ближайшее время ситуация не улучшится, считают эксперты. Samsung и SK hynix отслеживали запасы гелия с момента начала боевых действий. Катар производит более трети мирового объёма этого инертного газа, гласят данные Геологической службы США — в полупроводниковой промышленности, где он применяется в литографии и управлении тепловыми процессами жизнеспособной замены этому элементу нет. Ситуацию усугубило фактическое закрытие Ормузского пролива и дополнительные логистические риски. Производители были вынуждены отказаться от практики «точно в срок», создать запасы сырья и проверить множество поставщиков. Вопросы, связанные с потерями от корректировки цен, компании планируют решать позже — сейчас приоритетом является безопасность поставок. Компоненты на основе GaN и GaAs используются в широком спектре потребительского оборудования, в том числе в силовых полупроводниках в блоках питания для ПК, в зарядных устройствах, радиоинтерфейсах Wi-Fi 7, радиочастотных чипах в маршрутизаторах и сетевых адаптерах. Китай ограничит доступ США и других стран к технологиям производства литиевых батарей и компонентов для них
18.03.2025 [10:16],
Алексей Разин
За несколько десятилетий Китаю удалось стать крупнейшим поставщиком литийионных аккумуляторов в мире, а также подмять под себя ресурсную базу далеко за пределами страны. Власти КНР намерены усилить контроль за экспортом технологий, применяемых при обработке редкоземельных минералов и производстве аккумуляторов, поскольку считают данные ноу-хау стратегически важными для национальной экономики.  По данным Nikkei Asian Review, период публичных слушаний по новым ограничениям завершился в феврале, и вскоре они должны вступить в силу в Китае. Компаниям, желающим перенести производство за пределы страны или лицензировать технологии зарубежным клиентам, придётся получать специальное разрешение в Министерстве торговли КНР. На мировом рынке Китай занимает примерно 90 % в сфере производства материалов для катодов литийионных аккумуляторов и галлия. Кроме того, на территории страны применяются передовые технологии переработки сырья и производства аккумуляторов, поэтому их местные власти готовы оберегать от утечки за рубеж в недружественные страны. Галлий является побочным продуктом переработки алюминия, поэтому соответствующими технологиями в Китае занимаются именно представители цветной металлургии. К их зарубежной деятельности со стороны властей страны теперь будет повышенное внимание. Среди западных стран немало желающих заполучить предприятия по производству тяговых аккумуляторов на своей территории, импорт технологий при этом также подразумевается из Китая. Власти отдельных государств при этом требуют от китайских производителей делиться технологиями, чтобы предоставлять их местным конкурентам. До сих пор экспортные ограничения в Китае касались самого сырья, но теперь появилось осознание необходимости защиты ноу-хау. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
