Недавно крупнейший полупроводниковый производитель TSMC в числе первых в своей отрасли подвёл итоги работы в четвёртом квартале календарного 2018 года и сделал прогноз по выручке на первый квартал 2019 года. Компания огорошила общественность сообщением об ожидании сильнейшего за 10 лет снижения выручки.

Почти одновременно TSMC сообщила о своём намерении пересмотреть условия поставок продукции поставщиками кремниевых пластин в сторону уменьшения цены. Это вызвано желанием компании сократить производственные издержки на печать полупроводниковых кристаллов.

Сразу вслед за этим заявлением на местной фондовой бирже поползли вниз акции тайваньских компаний, занимающихся производством тех самых кремниевых пластин. Речь идёт о таких именах, как GlobalWafers, Formosa Sumco Technology (FST) и Wafer Works.

Стоит отметить, что TSMC объясняет плохие прогнозы на первый квартал преимущественно неблагоприятными макроэкономическими условиями и относительно слабым спросом на смартфоны. Кстати, вряд ли на первой четверти текущего года проблемы закончатся: компания также выразила пессимизм по поводу роста рынка полупроводникового производства в целом в 2019 году.

Российская компания «Микрон», производитель интегральных схем, отрапортовала о достижении, которое, как ожидается, позволит существенно снизить стоимость ряда выпускаемых в нашей стране электронных компонентов.

Сообщается, что в прошлом месяце «Микрон» завершил испытания библиотеки сложных функциональных кремниевых СВЧ-компонентов, работающих на частоте до 3 ГГц. Они могут стать альтернативой дорогостоящим изделиям на основе арсенида галлия.

В рамках проделанной работы сформирована библиотека блоков, что позволит разработчикам осуществлять проектирование собственных кремниевых СВЧ-чипов и производить их на «Микроне». Созданные блоки позволят существенно удешевить приёмо-передающие модули и повысить энергоэффективность радиолокационных систем, применяемых в навигации и автоэлектронике.

«Рынок уже ждёт эту разработку, так как дорогую арсенид-галлиевую технологию можно заменить на кремний без потери в стойкости, надёжности и качестве, что актуально, например, в локационных системах аэропортов, в судоходстве и автомобилях будущего», — заявляет «Микрон».

Следующим шагом предприятия станет создание чипа, интегрирующего функции приёма-передачи и обработки цифрового сигнала. Это позволит сделать радиотехнические системы более компактными и энергонезависимыми, что востребовано в автомобильных системах помощи водителю и автопилотируемом транспорте. 

Ещё в 2015 году компания Intel выделила на исследования в области разработки квантовых вычислителей $50 млн. К настоящему времени эти и другие инвестиции привели к созданию интересных, хотя и опытных продуктов. Как признались в Intel, компания движется в двух направлениях. Одно из них — это классические суперпроводимые квантовые вычислители, а второе — спиновые кубиты на кремниевой основе.

Ранее в прошлом году и на январской выставке CES 2018 компания рассказывала о начале опытных поставок семейства суперпроводимых чипов Tangle Lake для сверхпроводящих квантовых систем. Это большие по объёму занимаемого пространства системы с охлаждением до 20 мК. Своему партнёру по разработкам нидерландскому институту QuTech компания поставляет 17-кубитные и 49-кубитные процессоры. Тогда же в январе Intel намекнула на разработку квантовых процессоров на спиновых кубитах, хотя формальный анонс квантовых процессоров на спиновых кубитах состоялся только на днях.

Анонс совпал с публикацией на сайте Nature статьи группы учёных из института QuTech о создании первой квантовой вычислительной системы из двух спиновых кубитов с возможностью произвольного программирования. На конференции American Association for the Advancement of Science (AAAS), которая начала работу 15 февраля, представители QuTech продемонстрировали работу на системе двух простых квантовых алгоритмов. Это маленький шаг, который обещает привести к созданию программируемых систем с тысячами и миллионами кубитов.

Опытные квантовые процессоры на спиновых кубитах компания Intel выпускает на изотопно чистых кремниевых пластинах на тех же заводах, на которых она выпускает классические процессоры. В течение пары месяцев техпроцесс обещает оказаться настолько отлаженным, что компания рассчитывает выпускать «массу» пластин в неделю, на каждой из которых будут тысячи маленьких кубитовых массивов.

Кремниевые спиново-кубитные процессоры Intel также требуют пониженных рабочих температур. Но это будут температуры уже в районе 1 К, что в 50 раз выше, чем в случае сверхпроводимых кубитовых систем. Данное обстоятельство поможет сделать квантовые системы немного компактнее. В заключение добавим, что в теоретических разработках кремниевых процессоров на квантовых кубитах значительно продвинулась группа учёных из Университета Нового Южного Уэльса (University of New South Wales, UNSW). Освежить воспоминания можно по этой ссылке. Это примерно то же самое, что делает Intel.

Университет Нового Южного Уэльса (University of New South Wales, UNSW) имеет собственную позицию в сфере разработки квантовых компьютеров. Квантовые вычислительные системы могут использовать сверхпроводящие элементы, оптические ловушки, атомы, ионы, спины или что-то ещё. Но все они сталкиваются с проблемами масштабирования и со сложностями удержать квантовые состояния согласованным (когерентными) так долго, чтобы можно было с высокой точностью произвести расчёты и прочитать результат. Обе эти проблемы UNSW собирается решить в одном устройстве — в квантовом кремниевом процессоре.

На днях в сетевом журнале Nature Communications в открытом доступе появилась статья «Кремниевая КМОП-архитектура для квантовых компьютеров на спинах» за авторством работников университета. Инженеры и учёные представили проект кремниевого процессора, который оперирует спинами одиночных электронов в качестве квантовых объектов (точек). Для производства такого процессора подходят классические КМОП (CMOS) технологические процессы и традиционные материалы. В данном случае проект разработан для выпуска решений на обычной кремниевой пластине со слоями изоляции из диоксида кремния. Рабочий уровень, в котором хранятся кубиты-электроны, это слой, насыщенный изотопами silicon-28. При этом следует помнить, что даже такой кремниевый процессор должен работать при криогенных температурах порядка 1K или ниже.

Проект процессора создан модульным с возможностью расширения. Минимальный строительный кирпичик процессора — это блок со сторонами 4 × 20 кубитов. Весь процессор спроектирован как массив 24 × 20 кубитов и состоит из 480 кубитов. Допускается дальнейшее горизонтальное масштабирование для увеличения числа кубитов в процессоре, как и уменьшение масштаба техпроцесса производства. Представленный проект, как заявляют разработчики, хорошо ложится на 14-нм техпроцесс Intel, где расстояние между затворами приближается к 70 нм. Для надёжной работы спроектированного кремниевого квантового процессора необходима ячейка для электрона (кубита) со сторонами 63 нм.

Выбранная учёными 2D-архитектура расположения кубитов преследует главную цель — снизить вероятность появления ошибок в ходе квантовых вычислений. Вернее, они на практике реализовали так называемый поверхностный код (surface code). Поверхностный код подразумевает, что часть кубитов не участвуют в хранении данных, а используются для исправления ошибок в кубитах, отвечающих за данные. Это сравнимо с аппаратной схемой ECC. Например, информационные кубиты и условно ECC-кубиты могут располагаться на плоскости в шахматном порядке. Это позволяет загружать в квантовый процессор программный код и обеспечивать надёжность расчётов.

В предложенной конструкции и схеме нет ничего сложного для современного производства. Схемотехника и её реализация также близка к широко использующейся при выпуске чипов. В общем случае кремниевый квантовый процессор напоминает организацию и работу памяти DRAM. Квантовая точка (электрон) загружается в предназначенную для него область и управляется обычным плавающим затвором (транзистором), как и соседствующая с ним область (J-переход), которая контролирует связанность/взаимодействие соседних квантов. Выглядит просто. Может именно так делается революция?

Преобразование солнечной энергии в электрическую с помощью кремниевых фотопанелей является на сегодня одним из самых простых способов приобщения к возобновляемым источникам. Однако имеется у солнечных батарей помимо явных преимуществ в виде низкой стартовой цены на систему, удобства в её эксплуатации, не слишком требовательных условий для организации инфраструктуры в сравнении с теми же ветроагрегатами, и ряд своих недостатков.

Генерация электричества от энергии солнца хоть и бесплатный процесс, но с чёткими ограничениями по временным и сезонным рамкам. А потому энергию необходимо накапливать в аккумуляторных батареях. О несовершенстве последних на данном этапе лучше не упоминать, так как в обозначенном сегменте никаких серьёзных изменений не наблюдается вот уже почти два десятка лет. Вторым немаловажным фактором значится КПД солнечных батарей, который для коммерческих экземпляров на основе кремниевых фотоэлементов как правило не превышает 15 %.

Даже при большой номинальной мощности среднесуточное количество произведённой фотопанелями энергии может варьироваться в очень широком диапазоне из-за климатических особенностей региона. Учёные пытаются «выжать» из кремниевых панелей максимум от их потенциала. Но часто подобные попытки оказываются пусть и успешными, но коммерчески нецелесообразными. 

Решением проблемы низкой эффективности потребительских солнечных панелей занялись специалисты японской Kaneka Corporation. В конечном итоге им всё-таки удалось побить существующий рекорд КПД кремниевой фотопластины, отмеченный значением 25,6 %. Инженеры добились прироста в 0,7 %, сделав солнечную панель с КПД 26,3 % лучшей в своём классе.

Но главная заслуга Kaneka Corporation заключается в том, что зарегистрированный показатель КПД стал следствием неглубокой доработки фотоэлектрической панели. К её массовому изготовлению можно приступить без серьёзных затрат на модернизации производственной линии. Добившись снижения оптических потерь — потерь вследствие неполного использования спектра солнечного излучения и потерь на отражение света от поверхности преобразователя — Kaneka Corporation создала кремниевую ячейку с возросшей продуктивностью.

Наладить серийный выпуск солнечных батарей с рекордным значением КПД, сделав их доступными широкому кругу потребителей, теоретически станет реальным уже в ближайшие несколько лет.

Наверняка каждый из наших читателей подтвердит, что батарейка его мечты всё ещё где-то там — за горизонтом. Несмотря на колоссальные усилия разработчиков, характеристики аккумуляторов фактически остановили свой качественный рост. Между тем метаться от розетки к розетке приходится всё чаще и чаще. Выходом, хотя бы промежуточным, могут стать аккумуляторы с кремниевым анодом. В качестве электролита будет использоваться всё тот же старый добрый литиево-ионный наполнитель, но кремниевая основа перспективных анодов обещает лучше и полнее с ним взаимодействовать. В перспективе ёмкости аккумуляторов с кремниевыми анодами могут оказаться в 10 раз больше, чем у современных батарей.

Разработкой кремниевых анодов несколько лет в содружестве занимаются группа учёных из Университета Стэнфорда и группа из SLAC National Accelerator Laboratory. Свежая публикация на сайте SLAC даёт понять, что уже придуман и опробован способ получения устойчивых к разрушению кремниевых анодов. Дело в том, что в процессе заряда частицы кремния в составе анода увеличиваются в размерах до трёх раз. Это приводит к быстрому разрушению частиц на более мелкие части, что ухудшает параметры аккумуляторов. Также частицы анода от взаимодействия с электролитом покрываются тонкой плёнкой вещества, что также ухудшает их характеристики, поскольку проводимость в этом случае снижается. Ранее группа предложила создавать аноды в виде условного фрукта граната, в котором зёрна-частицы разделены оболочкой. Предложенная методика инкапсулирования частиц кремния как раз отвечает этой задумке.

Крупные частицы кремния — до трёх микрон — заключаются в оболочку из никеля. Затем на никеле, который выступает в роли катализатора, вокруг частицы выращивается графеновая оболочка. После этого следует процесс травления в кислоте, вымывающий никель. В результате на выходе мы имеем набор тесно связанных графеновых оболочек, внутри каждой из которых «болтается» частичка из кремния.

Графеновые оболочки отчасти гибкие, но не теряют основную форму, поэтому структура анода практически постоянная, хотя может немного «дышать». Частички кремния в процессе заряда раздуваются до определённого размера и в случае разрушения всё равно остаются внутри оболочки. Обволакивания их электролитом в данном случае не происходит. Иначе говоря, батарея с таким анодом может выдержать большее число циклов разряда и заряда.

Выше на изображении вы можете видеть поведение частички кремния в оболочке в процессе заряда. Пока это единичные вкрапления. На новом этапе разработчики собираются создать технологию, которая даст возможность выпускать кремний в оболочке в достаточном для производства анодов количестве.

Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.

Силицен — это двумерное соединение кремния, подобное графену. Несмотря на потенциальную совместимость с существующей полупроводниковой техникой, получение элементов на основе силицена представляет собой крайне трудоёмкий процесс из-за сложности и нестабильности материала при воздействии воздуха.

Для получения силиценовых транзисторов толщиной в один атом американские учёные разработали новую методику. На первом этапе в вакуумной камере было осуществлено осаждение атомов кремния из разогретого пара с формированием на серебряной плёнке силиценового слоя. Далее поверх него исследователи нанесли нанометровый слой оксида алюминия. После этого полученную структуру удалось перенести на кремниевую подложку, расположив серебряной плёнкой вверх. Наконец, на заключительном этапе путём высокоточного скобления серебряной плёнки учёные смогли сформировать транзисторы.

Разумеется, пока говорить о практическом использовании силиценовых транзисторов рано, но исследователи намерены продолжить свои изыскания. Не исключено, что в перспективе результаты работы помогут в создании сверхбыстрых и экономичных компьютерных чипов. 

Корпорация Intel вынуждена отложить поставки первых модулей, позволяющих реализовать высокоскоростные системы передачи данных на основе технологии кремниевой фотоники (Silicon Photonics).

Кремниевая фотоника — новый подход к использованию света для передачи больших объёмов данных на высокой скорости через оптические соединения. Технология предусматривает использование кремния для создания фотонных устройств, включая лазеры, преобразователи и датчики. В перспективе оптические линии заменят традиционные медные проводники, возможностей которых в условиях постоянного роста трафика оказывается недостаточно.

Intel планировала начать поставки кремниево-фотонных компонентов в начале 2015-го. Однако, как сообщается, первая произведённая партия модулей не удовлетворила требованиям спецификации Intel и стандартам качества. В результате, эти изделия пойдут в тестовые системы, а выпуск новых образцов теперь намечен лишь на конец года.

Задержка означает, что коммерческая реализация систем передачи данных на основе технологии Silicon Photonics станет возможна не ранее 2016 года. Серверы нового поколения получат специальные коннекторы MXC. В таких линиях связи вместо электрических сигналов и медных кабелей используется свет и тонкие оптоволоконные соединения. Это позволяет передавать большие объёмы данных с высокой скоростью. Теоретически пропускная способность канала связи может достигать 1,6 терабита в секунду на расстоянии до 300 метров. 

Российские учёные из «Роснано», занятой разработками в области нанотехнологий, совместно со специалистами из «Ренова» сумели добиться рекордного показателя КПД фотоэлементов отечественного производства. Для создания солнечных модулей была выбрана применяемая в аналогичных разработках компанией Panasonic технология Heterojunction with Intrinsic Thin-layer (HIT), позволившая инженерам достичь максимальной эффективности преобразования солнечной энергии среди серийно изготавливающихся в РФ систем. Данный параметр представленных и одобренных членами научного совета кремниевых фотопанелей практически достиг значения 20 %.

Конечно, озвученное достижение не претендует на звание мирового рекорда эффективности преобразования солнечной энергии, который принадлежит японский фирме Panasonic и для аналогичного типа продукции составляет 25,6 %. Однако продемонстрированные успехи говорят о стремлении российских научных организацией не отставать от своих западных коллег и постепенно переходить на более совершенные в техническом плане решения. Это, в свою очередь, может способствовать популяризации среди населения альтернативного источника электроснабжения. 

Выход на рекордные для отечественного производства параметры при создании солнечных батарей принадлежит Научно-техническому центру тонкоплёночных технологий в энергетике при институте им. Иоффе, собственником которого является компания «Хевел» — совместное предприятие озвученных выше компаний «Ренова» и «Роснано».

Что касается использованной технологии HIT, то она представляет собой метод изготовления фотоэлементов, при котором используются преимущества как кристаллической, так и тонкоплёночной технологий для создания высокопроизводительных солнечных батарей. Это позволяет сочетать в конечном продукте сразу два ключевых преимущества — максимальное значение КПД кремниевых панелей в совокупности со сведённой к нулю световой деградацией. Дополняют перечисленные преимущества невысокая себестоимость и тот факт, что для HIT-фотомодулей с ростом температуры характерны минимальные потери КПД, что лишь способствует применению установок в условиях жаркого климата.

Но главное, что солнечные батареи с 20-процентной эффективностью преобразования являются не просто поводом для гордости сотрудников «Хевела», «Роснано» и российской науки в целом, но и имеют важное практическое значение. Опробованную технологию не составит труда адаптировать с минимальными затратами под текущее производство тонкоплёночных модулей, выпускаемых российскими предприятиями. К примеру, кремниевые HIM-панели нового образца после модернизации оборудования могут пополнить перечень продукции завода «Хевел» в Новочебоксарске, где прежде серийно выпускались менее производительные солнечные установки. 

Похоже, у ведущих производителей микрочипов возникли затруднения с переходом на кремниевые подложки диаметром 450 мм. По крайней мере, как сообщают сетевые источники, внедрение соответствующей технологии корпорацией Intel задерживается.

Сейчас Intel работает с 300-миллиметровыми пластинами. У подложек диаметром 450 мм площадь поверхности больше в два раза, что позволяет удвоить выпуск конечной продукции. Благодаря этому понижается себестоимость отдельного кристалла.

Предполагалось, что Intel будет применять 450-миллиметровые пластины на орегонском заводе D1X, на котором в настоящее время используются подложки диаметром 300 мм и 22-нанометровая технология. Но, как теперь сообщается, новая методика будет внедрена, скорее всего, только к концу текущего десятилетия.

Дело в том, что Intel пересмотрела в сторону уменьшения инвестиции в ASML. Эта нидерландская компания является одним из крупнейших производителей фотолитографических систем для микроэлектронной промышленности. Компания производит оборудование для изготовления СБИС, таких как чипы памяти RAM, флеш-память и микропроцессоры.

Intel уже вложила в ASML «миллиарды долларов», но теперь, как отмечается, финансирование скорректировано в соответствии с собственным графиком нидерландской компании. Это, впрочем, не означает, что проект по внедрению оборудования для работы с 450-миллиметровыми подложками будет свёрнут. 

Работа над усовершенствованием существующих ныне аккумуляторов не останавливается ни на секунду. Ранее сообщалось, что ученые планируют использовать модифицированные вирусы для создания электродов  с подходящей структурой. Теперь же стало известно, что для улучшения характеристик аккумуляторов предлагает использовать кремний.

Ученые уже давно рассматривали кремний в качестве материала для электродов, так как данный материал способен удерживать большое количество энергии во время зарядки. Однако есть у кремния один существенный недостаток — при зарядке аккумулятора кремниевые электроды расширяются и очень быстро разрушаются. Это делает невозможным использование кремния в аккумуляторах, так как их срок службы сильно ограничен. Ученые из SLAC National Accelerator Laboratory (Стэнфордский центр линейного ускорителя) предложили свое решение данной проблемы.

Исследователи вдохновились самовосстанавливающейся кожей роботов и предложили похожий способ восстановления кремниевых электродов. Они создали полимер на основе кремния со слабыми химическими связями. В результате разрушенная структура такого электрода восстанавливается сама собой в течение нескольких часов — химические связи между молекулами полимера образуются вновь. На сегодняшний день удалось добиться стабильной работы на 100 циклов зарядки-разрядки. Цель ученых — 3000 циклов.

Если данного результата удастся добиться, технология станет пригодной для применения в коммерческих образцах. Причем для этого не придется принципиально менять строение батарей — новыми будут только электроды и технологии их изготовления.

В настоящее время работу над аккумуляторами ведут несколько крупных научных центров по всему миру, каждая команда исследователей предлагает свои решение. Сказать, какое в итоге станет промышленным стандартом, пока невозможно. 

Компания United Microelectronics Corporation (UMC), как сообщает со ссылками на собственные источники ресурс Digitimes, собирается потратить $300 млн на строительство фабрики по производству чипов на 300-мм кремниевых пластинах в китайском городе Сямынь при участии местной администрации. Если строительство будет завершено, то это будет первое подобное предприятие, сооружённое тайванскими компаниями в Китае.

300-мм фабрика UMC также станет третьей из когда-либо построенных иностранными инвесторами в Китае. Samsung Electronics и Intel уже возвели 300-мм предприятия в Сиане и Даляне. Впрочем, как сообщается, окончательного решения о строительстве тайваньская UMC пока не приняла.

Согласно существующим на Тайване ограничениям, планируемая к строительству в Китае фабрика UMC сможет печатать чипы только с соблюдением норм не тоньше 55 нм — компания не может разворачивать в Китае более современные производственные линии — 40 нм и 28 нм. Также источник говорит о том, что UMC прорабатывает вариант приобретения 200-мм фабрики в Азии — кандидатами на поглощение выступают малазийская Silterra и тайваньская Nanya Technology.

Одним из самых наглядных показателей благополучия мировой полупроводниковой промышленности является рынок кремниевых пластин. Они являются полуфабрикатом, без которого невозможно изготовление ни одной интегральной микросхемы, а значит, высокие объемы продаж пластин указывают на благополучие отрасли, и наоборот, проблемы производителей пластин связаны с плохим самочувствием всей полупроводниковой промышленности.

 

В первом квартале 2010 года общая площадь выпущенных кремниевых пластин увеличилась на 5% по сравнению с предыдущим отчетным периодом. Площадь всех изготовленных в первые три месяца пластин составила 2 млрд 214 млн квадратных дюймов. В четвертом квартале предыдущего года аналогичный показатель составил 2 млрд 109 млн квадратных дюймов. Цифры оказываются рекордно высокими с третьего квартала 2008 года, после которого существенное влияние на полупроводниковую отрасль оказал разразившийся финансовый кризис. Такую статистику приводит аналитическая компания SEMI.

Если сравнивать результаты первого квартала 2009 года и нынешнюю ситуацию, то можно заметить, что объемы продаж кремниевых пластин всего за год выросли более чем вдвое. В первые три месяца предыдущего года производители смогли продать менее одного миллиарда квадратных дюймов пластин. Но уже во втором квартале положение начало выправляться – объемы продаж резко подскочили, увеличившись за считанные месяцы на 50%. С тех пор скорость роста объемов продаж снизилась, но тенденция их повышения до сих пор сохранилась.

Материалы по теме:

• Кремний снова в цене;
• IT-байки: Графеновая электроника: из лаборатории в производство;
• "Деформированный" кремний – будущее высокопроизводительных чипов.

Источник:

• DigiTimes

Существует множество способов очистки воды – простых и высокотехнологичных. Тем не менее, многим такие решения не по карману обычным людям. По этой причине, миллионам людей во всем мире часто приходится сталкиваться с проблемами, связанными с использованием недоочищеной воды, среди которых – тяжелые инфекционные заболевания. Решить проблему доступности высокоэффективных и недорогих очистителей воды намерены инженеры Массачусетского Университета (Massachusetts Institute of Technology). Новая технология, основанная на принципах работы компьютерных чипов, позволит создавать недорогие компактные решения, которые по эффективности не будут уступать традиционным системам. В разработанном учеными очистителе реализована технология очистки воды от бактерий, соли и радионуклидных примесей с помощью электромагнитных волн. На фото видно, что существующий прототип по размерам сопоставим с обычной почтовой маркой. Несмотря на миниатюрные габариты, решение оказалось достаточно эффективным – в ходе последнего теста устройству удалось извлечь из специально приготовленной смеси (морская вода с кровью и частицами пластика) 99% вредных веществ. Необходимо отметить, что для «производства» достаточного для домашнего применения количества чистой воды устройства размером с почтовою марку будет недостаточно. В течение двух ближайших лет ученые планируют разработать очиститель, основу которого составит 40-см «плата», выполненная по новой технологии. Работать это устройство будет от солнечных батарей (энергопотребление на уровне 60 Вт). Возможности решения позволят обеспечить чистой водой небольшую семью. Материалы по теме:

• Отколовшийся айсберг может стать причиной глобальных изменений;
• Panasonic: насыщенная кислородом вода ускоряет рост растений;
• Американцы начнут пить морскую воду.

Источник:

• news.discovery.com

Ученые из университета Южной Флориды смоделировали аномалию, которая позволит графену заменить кремний в качестве основного сырья для производства электронных устройств. Предыдущие попытки оказались неэффективными, так как только часть полученных молекул графена обладали нужной дефектной структурой. Команда университета разработала метод, который основан на внедрении октагональных и пентагональных углеродных колец в пласт графена, вследствие чего получаются атомы необходимой чётко определённой вытянутой формы. Для получения аномалии использовался субстрат монокристаллического никеля, обладающий способностью к самоорганизации и металлическая поверхность в качестве площадки для синтеза двух половин графенового полотна. Учёные отметили, что будущее компьютеростроения напрямую зависит от разработки и использования новых видов материалов для их производства, внедрение инновационных технологий сделает компьютеры производительнее, меньше и дешевле. Отказ от применения нового сырья может привести к конечной точке закона Мура, а металлические компоненты графена смогут продлить эру микропроцессорных технологий на длительный срок. Материалы по теме:

• Старые грампластинки покупают для добычи графена;
• Первый в мире графеновый оптический канал;
• IT-байки: Графеновая электроника: из лаборатории в производство.