Опрос
|
реклама
Быстрый переход
В феврале Intel расскажет, как будет развиваться после освоения техпроцесса 18A
29.12.2023 [18:14],
Алексей Разин
В уходящем году генеральный директор Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) уже отмечал, что возглавляемая им компания преодолела более половины пути к освоению пяти новых техпроцессов за четыре года. К середине десятилетия она должна наладить массовый выпуск чипов по технологии Intel 18A, причём не только для своих нужд, но и для сторонних клиентов. Последних предлагается познакомить с перспективными планами Intel на мероприятии в феврале наступающего года. 
Источник изображения: Intel На официальном сайте Intel уже появилась страница, призванная привлекать потенциальных участников мероприятия, которое состоится в калифорнийском Сан-Хосе 21 февраля 2024 года. Исходя из названия — IFS Direct Connect 2024 — можно понять цель этого мероприятия. Руководители Intel и контрактного бизнеса компании в частности готовы выступить перед потенциальными и действующими клиентами, рассказав о перспективных планах процессорного гиганта в этом сегменте рынка. Помимо генерального директора Патрика Гелсингера, участие в мероприятии примут Стюарт Панн (Stuart Pann) — старший вице-президент и руководитель подразделения Intel Foundry Service (IFS), Кейван Эсфарджани (Keyvan Esfarjani) — исполнительный вице-президент и руководитель Intel по производству, цепочкам поставок и операциям, а также доктор Энн Келлехер (Ann Kelleher), которая в должности исполнительного вице-президента руководит в компании разработкой техпроцессов. Более представительного состава докладчиков для клиентов контрактного бизнеса Intel и придумать сложно. Помимо представителей Intel, на мероприятии выступят с докладами компании, входящие в экосистему IFS — такие как Synopsys, Cadence, Siemens и Ansys. Кто-то из приглашённых экспертов составит компанию Энн Келлехер при рассказе о намерениях Intel развивать полупроводниковый бизнес на том этапе, когда пять новых техпроцессов за четыре года уже будут освоены. То есть нам расскажут о более отдалённых перспективах развития контрактного бизнеса Intel. Внимание будет уделено и технологиям упаковки чипов и их тестирования. Программа мероприятия рассчитана на один день. Российские физики возродят синхротрон времён СССР для производства микросхем
26.12.2023 [13:47],
Геннадий Детинич
Директор ИЯФ, академик РАН Павел Логачев, сообщил, что специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск) планируют за три года восстановить технологический накопительный комплекс (ТНК) в Зеленограде. ТНК был построен к 1991 году, но в связи с распадом СССР не был запущен в работу. Фактически, это ускоритель частиц, энергию которых можно использовать для полупроводниковой литографии. 
ИИ-генерация по запросу «российский синхротрон». Источник изображения: Кандинский 3.0/3DNews «Технологический накопительный комплекс будет востребован для разработки отечественной технологической цепочки производства микроэлектроники. Это будет основной инструмент, который позволит создавать, испытывать и отлаживать технологию так называемых литографов, которые делает, фактически, одна компания в мире. Нашим заказчиком является Курчатовский институт, и мы очень тесно работаем с их командой над этой большой и важной для страны задачей», — сказал Логачев. Академик имеет в виду литографические сканеры, производимые нидерландской компанией ASML. Установки ASML достаточно компактные, чтобы их можно было перевозить в любой уголок мира на завод для выпуска чипов. Чтобы создать отечественный литограф, нужен инструмент для разработки его элементов, их проверки и испытаний. Таким инструментом и может стать синхротрон. ТНК — это и есть синхротронная установка, которую строили в Зеленограде для последующего использования в производстве чипов. Очевидно, что восстановить комплекс будет быстрее и проще, чем создать заново. Физики обещают восстановить работу установки за три года, и обойдётся это в 500 млн руб., вместо 10 млрд, если бы всё пришлось строить с нуля. Параллельно будут разрабатываться литографы, их разработчики смогут получать излучение от синхротрона. Ускоритель будет оставаться самостоятельным промышленным объектом, а такой проект плохо поддаётся как масштабированию, так и тиражированию. Но так как данная система будет ориентирована в лучшем случае на мелкосерийное производство критически важных компонентов литографов, вопрос рентабельности привязанного к ускорителю производства стоит на втором месте. Кстати, с учётом синхротронного излучения в России начали разрабатывать безмасочные технологии полупроводниковой литографии. Маски — это отдельная и больная тема. Для мелкосерийного производства безмасочная технология станет настоящим спасением. Технология вполне может быть готова к запуску литографов через пять лет. Сегодня корпус с ТНК принадлежит Курчатовскому институту. Расположен корпус рядом с заводом «Микрон» в Зеленограде. Вторым по стоимости прибором после литографа в технологиях микроэлектроники является имплантер. Это два самых высокотехнологичных устройства во всех технологических цепочках изготовления микросхем. Работы на этом направлении ведутся совместно с НИИ точного машиностроения (Зеленоград). В частности, новосибирские физики разрабатывают ускорительную часть для имплантора. С его помощью пластины будут насыщаться ионами и приобретать необходимые свойства, требуемые для работы микросхем. «Здесь тоже за три года мы сделаем опытный образец машины на средние энергии и на высокие энергии, и, таким образом, совместно с НИИ точного машиностроения постараемся эту позицию закрыть в [отечественной] технологической цепочке», — добавил академик. Дополнено: Стоит добавить, что летом 2019 года президент России подписал указ №356 о мерах по развитию синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры, в котором помимо прочего были обозначены сроки создания новых научных установок в этой сфере, пишет «Зеленоград.ру». Правительству России было поручено к 2022 году обеспечить проектирование синхротронного центра на острове Русский (Владивосток) и здания для переноса в него конструктивных блоков и агрегатов источника синхротронного излучения «Зеленоград». По состоянию на 2022 год были озвучены планы по строительству необходимой инфраструктуры для установки синхротрона. Проект планируется завершить к 2026 году. На данный момент неизвестно, начался ли перенос частей зеленоградского синхротрона на другой конец России и на какой стадии находится проект. Развитие под санкциями: китайская SMIC разрабатывает технологии выпуска 3-нм чипов без EUV
22.12.2023 [18:50],
Сергей Сурабекянц
Несмотря на отсутствие доступа к оборудованию для выпуска чипов с литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) из-за санкций, китайская компания SMIC продолжает разработку 5-нм и 3-нм техпроцессов производства чипов. Ранее SMIC удалось наладить серийное производство 7-нм микросхем, опираясь исключительно на литографию в глубоком ультрафиолете (DUV), что само по себе не является невозможным — техпроцесс TSMC N7P также не использует EUV. 
Источник изображения: SMIC В отчёте Nikkei утверждается, что сразу после запуска 7-нм техпроцесса 2-го поколения, SMIC создала исследовательскую группу для работы над 5-нм и 3-нм техпроцессами. Команду возглавляет ранее работавший в TSMC и Samsung содиректор SMIC Лян Монг-Сонг (Liang Mong-Song). «Нет более умного учёного или инженера, чем этот парень, — так охарактеризовал его Дик Терстон (Dick Thurston), бывший главный юрисконсульт TSMC. — Он действительно один из самых блестящих умов, которых я видел в области полупроводников». SMIC прошла долгий путь от небольшой полупроводниковой фабрики до пятого по величине контрактного производителя микросхем в мире. На фоне растущей напряжённости между США и Китаем компания была включена в санкционный список Министерства торговли США и потеряла доступ к передовым инструментам для обработки кремниевых пластин, что серьёзно замедлило её развитие и внедрение новых технологических процессов. На данный момент литографические машины ASML Twinscan NXT:2000i являются лучшими инструментами, которыми располагает SMIC — они могут производить травление с разрешением до 38 нм. Этот уровень точности обеспечивает экспонирование с шагом 38 нм с использованием двойной фотомаски, чего достаточно для производства чипов класса 7 нм. Согласно исследованиям ASML и IMEC, при 5 нм шаг металла уменьшается до 30-32 нм, а при 3 нм — до 21-24 нм, что уже требует применения EUV. 
Источник изображения: ASML Но использование инструментов литографии со сверхвысоким разрешением (13 нм для EUV с низкой числовой апертурой) — не единственный путь к достижению сверхмалых размеров транзисторов. Другой вариант предусматривает нанесение нескольких последовательных масок, но это сложный процесс, который увеличивает продолжительность производственного цикла, снижает процент выхода годных изделий, увеличивает износ оборудования и повышает затраты. Однако без доступа к EUV-литографии у SMIC просто нет другого выбора, кроме как использовать тройное, четверное или даже пятикратное паттернирование. Терстон считает, что под руководством Лян Монг-Сонга SMIC сможет производить (если уже не производит) 5-нм чипы в больших количествах без использования инструментов EUV. Однако сегодняшний отчёт Nikkei впервые сообщает о возможной способности SMIC разработать в обозримом будущем 3-нм производственный процесс на оборудовании класса DUV. ASML отгрузила Intel первый литографический сканер с высокой числовой апертурой
22.12.2023 [06:29],
Алексей Разин
Длительное время способность Intel выпускать чипы по передовому для компании техпроцессу 18A привязывалась к литографическому оборудованию с высоким значением числовой апертуры (High-NA), но недавно выяснилось, что оно имеет значение лишь для экспериментов, а не серийного производства. Тем не менее, первая такая система производства ASML лишь недавно была отгружена поставщиком для нужд Intel. 
Источник изображения: Intel, ASML, X Представители Intel уже давно не без гордости регулярно говорили о намерениях компании стать первым клиентом ASML, получающим литографические сканеры с увеличенным с 0,33 до 0,55 значением числовой апертуры. Данная характеристика позволяет при использовании сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV) добиться линейного разрешения 8 нм против 13 нм у оборудования со значением числовой апертуры 0,33. Формально, последнее тоже позволяет изготавливать чипы по технологиям «тоньше» 2 нм, но потребует более сложной оснастки из-за необходимости двойной экспозиции и увеличит продолжительность производственного цикла. Впрочем, если учесть, что ASML лишь на этой неделе подтвердила отправку первого литографического сканера с высокой числовой апертурой для нужд Intel, и в массовом производстве по техпроцессу 18A последняя всё равно будет полагаться на оборудование предыдущего поколения, для данного клиента это событие в большей степени обеспечивает некоторую фору при освоении последующих техпроцессов, которые в массовом производстве будут внедрены уже в 2026 и 2027 годах. Напомним, что во второй половине десятилетия Intel рассчитывает войти в число двух крупнейших контрактных производителей чипов, и новейшие техпроцессы она будет предлагать сторонним клиентам с минимальной задержкой относительно момента внедрения на собственном производстве. К середине десятилетия Intel рассчитывает превзойти TSMC и Samsung по степени продвинутости используемых техпроцессов. Первые образцы изделий, выпускаемых по технологии Intel 18A, появятся уже в следующем квартале. В заявлениях ASML не говорится о модели литографического сканера, который был отгружен компании Intel, ни о конечном адресе доставки, но из неофициальных источников известно, что речь идёт о прототипе Twinscan EXE:5000, который будет доставлен в исследовательский центр Intel в штате Орегон, где расположена передовая лаборатория компании. Система упакована в 250 крупных ящиков и занимает 13 контейнеров, с учётом времени доставки и последующего монтажа Intel сможет приступить к её эксплуатации лишь через несколько месяцев. Считается, что в серийном производстве Intel будет использовать более совершенные сканеры Twinscan EXE:5200, которые будут поставлены позже. Стоимость каждой такой системы измеряется несколькими сотнями миллионов долларов США. По крайней мере, Twinscan EXE:5200 оценивается аналитиками в 250 млн евро. Китайская SMEE представила литографический сканер для выпуска 28-нм чипов вопреки санкциям
20.12.2023 [17:36],
Сергей Сурабекянц
Китайский разработчик инструментов для производства чипов Shanghai Micro Electronics Equipment Group (SMEE) представил свой первый литографический сканер, способный обрабатывать пластины по технологическому процессу 28-нм класса. Сообщается, что сканер называется SSA/800-10W и представляет собой крупный прорыв для компании, поскольку существующие машины серии SSA600 поддерживают технологические процессы 90, 110 и 280 нм. 
Источник изображения: SMEE Похоже, что SMEE выполнила ранее данное обещание представить инструмент для литографии с поддержкой 28-нм технологии к концу 2023 года. Это достижение представляет собой крупный скачок в стремлении Китая сократить технологический разрыв в мировой индустрии микросхем, хотя новое устройство уступает инструментам лидера рынка ASML, а перспективы его массового производства неясны. После появления сообщения о новой литографической машине акции SMEE выросли на 8 %. Затем упоминание о создании нового устройства было удалено из сообщения, возможно, по соображениям конфиденциальности. Необходимо отметить, что лидер отрасли TSMC производит чипы по 28-нм техпроцессу с 2011 года, тогда как китайская компания SMIC внедрила аналогичную технологию в 2015 году. Однако и SMIC, и TSMC используют литографические инструменты ASML для изготовления соответствующих чипов. Последние экспортные правила, установленные правительством США, не позволяют китайским производителям микросхем приобретать необходимое оборудование и технологии для производства современных непланарных транзисторных логических микросхем по техпроцессам менее 14/16 нм, микросхем 3D NAND с более чем 127 активными слоями и микросхем DRAM с полушагом менее 18 нм. Дополнительные ограничения со стороны Нидерландов, Японии и Тайваня, вступившие в силу в начале этого года, ещё сильнее ограничили китайским компаниям доступ к сложным инструментам. Эти ограничения мешают им производить чипы с использованием новейших техпроцессов, в частности 14/12-нм и 7-нм процессов второго поколения, а также 128- и 232-слойных чипы 3D NAND YMTC. В прошлом году Министерство торговли США включило SMEE в список организаций, подлежащих контролю, пытаясь помешать Китаю развивать свою полупроводниковую промышленность с помощью собственных инструментов. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)