|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китайские машины для выпуска чипов в действительности оказались далеки от 8-нм техпроцесса
19.09.2024 [16:01],
Алексей Разин
Первоначальная реакция ресурса TrendForce на появление в правительственном каталоге китайского оборудования для выпуска чипов с точностью межслойного перекрытия 8 нм была поверхностной, как теперь даёт понять тот же источник. Продвигаемое китайскими чиновниками оборудование пригодно для выпуска чипов от силы по 55-нм технологии или более грубым, и ему далеко до зарубежных образцов, позволяющих выпускать 8-нм чипы.
AMEC Более глубокий анализ китайских документов, как поясняет в новой публикации TrendForce, позволяет установить, что на местном рынке некие поставщики предлагают произведённое в Китае литографическое оборудование, позволяющее работать с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV). Один из образцов оснащён криптоновым источником лазерного излучения, а другой аргоновым. Первый способен работать с кремниевыми пластинами типоразмера 300 мм при длине волны лазера 248 нм и разрешающей способностью не более 110 нм, обеспечивая точность межслойного совмещения не более 25 нм. Вторая литографическая система китайского производства способна обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм при длине волны лазера 193 нм и разрешающей способности не более 65 нм, которая сочетается с пресловутой точностью межслойного совмещения не более 8 нм. Как поясняет источник, даже подобных параметров, передовых для китайского оборудования, будет недостаточно для изготовления чипов по 8-нм нормам. Точность межслойного совмещения при производстве 8-нм чипов должна укладываться в диапазон от 2 до 3 нм, а у описываемого китайского образца она в три или даже четыре раза хуже. В частности, для выпуска чипов по техпроцессам 10-нм класса требуется точность межслойного совмещения не более 3 нм, а для 7-нм чипов — не более 2 нм. Если же говорить о разрешающей способности, то для описываемых передовых техпроцессов она должна быть не выше 38 нм, а самый продвинутый китайский образец обладает разрешающей способностью на уровне 65-нм техпроцесса. На таком оборудовании, по словам представителей TrendForce, сложно наладить экономически обоснованное производство даже 40-нм чипов. Разумный предел на практике соответствует 55 нм, причём даже в этом случае придётся использовать сложную оснастку, которая не гарантирует приемлемого уровня брака. Компании SMIC удаётся выпускать 7-нм чипы для Huawei, но она для этого использует множественное экспонирование, которое обеспечивает довольно высокий уровень брака, а также оборудование нидерландской ASML класса DUV, завезённое ещё до введения актуальных санкций со стороны США и Нидерландов. Оборудование китайского производства подобных возможностей пока предоставить не может, и даже не приблизилось к ним на достаточную величину. Китай близок к началу производства 8-нм чипов без зарубежного оборудования
16.09.2024 [10:11],
Алексей Разин
Самые передовые 7-нм чипы, выпускаемые китайской SMIC по заказу Huawei, как принято считать, изготавливаются с использованием DUV-оборудования нидерландской ASML. Судя по обновлению каталога доступного для китайских производителей отечественного оборудования, у них скоро появится возможность выпускать 8-нм продукцию независимо от наличия доступа к зарубежным литографическим системам.
Источник изображения: AMEC К такому выводу приходит ресурс TrendForce, ссылающийся на публикацию Министерством промышленности и информационных технологий КНР обновлённого каталога, который составлен для продвижения технического оборудования китайского происхождения. В какой стадии готовности к выходу на рынок находится соответствующая система, не уточняется, но в документе подчёркивается, что она позволит выпускать чипы с точностью межслойного совмещения не более 8 нм. Разрешающая способность такого оборудования не превышает 65 нм, оно использует лазер с длиной волны 248 нм и кремниевые пластины типоразмера 300 мм. Другими словами, соответствующее оборудование позволяет создавать 8-нм чипы без перехода на лазеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Предполагается, что в разработке такой литографической системы приняли участие китайские компании AMEC и SMEE, а также представители научного сообщества КНР. В этом месяце Нидерланды ввели дополнительные ограничения на поставки в Китай литографических сканеров производства ASML, работающих с DUV-излучением. Если китайским производителям удастся наладить выпуск DUV-сканеров для выпуска 8-нм продукции, то местная полупроводниковая промышленность перестанет в некоторой части покрываемого ассортимента продукции зависеть от США, Нидерландов и Японии. SMEE стала на шаг ближе к созданию суверенных китайских EUV-сканеров — они нужны для выпуска передовых чипов
13.09.2024 [11:39],
Алексей Разин
Литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) способна заметно удешевить производство 7-нм и более совершенных полупроводниковых компонентов, поэтому санкции США против Китая направлены на ограничение доступа последней из стран к таким технологиям. Как выясняется, китайские производители оборудования создают свои решения для работы с EUV.
Источник изображения: ASML Во всяком случае, об этом позволяет судить патентная заявка на «Генераторы экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) и оборудование для литографии», поданная в КНР шанхайской компанией SMEE ещё в марте прошлого года. Как сообщает South China Morning Post, документ описывает принципы устройства литографического оборудования, предназначенного для работы с источниками сверхжёсткого ультрафиолетового излучения. Информация о регистрации такой патентной заявки стала известна только на этой неделе. До сих пор SMEE удавалось создавать только литографические сканеры, пригодные для работы с 28-нм и более грубыми технологическими нормами. Если китайская компания освоит выпуск EUV-сканеров, это существенно сократит отставание китайских производителей чипов от зарубежных конкурентов. Лидером в сфере поставок литографического оборудования является нидерландская компания ASML. Китайские производители чипов пока на 99 % зависят от зарубежных поставщиков, среди которых числятся компании из Нидерландов, США и Японии. Все три страны ограничивают поставку EUV-оборудования в Китай, причём Нидерланды такие меры ввели ещё в 2019 году. С текущего месяца власти Нидерландов требуют от работающих в юрисдикции этой страны компаний получать экспортные лицензии на поставку запасных частей для установленного в Китае оборудования ASML, а также программного обновления эксплуатируемых китайскими клиентами систем. Сервисное обслуживание данного оборудования тоже фактически запрещено. Непосредственно шанхайская компания SMEE в санкционный список США попала ещё в декабре 2022 года, что лишило её возможности использовать в создаваемом оборудовании технологии и компоненты американского происхождения. По всей видимости, компания решила самостоятельно создать оборудование для изготовления чипов с использованием EUV-литографии. Последняя подразумевает длину волны лазера 13,5 нанометра, что почти в 14 раз меньше присущего DUV-оборудованию параметра 193 нанометра. Китайская SMIC, как принято считать, выпускает для Huawei 7-нм чипы с помощью DUV-оборудования и многочисленной и громоздкой оснастки. Итоговая продукция получается довольно дорогой из-за высокого уровня брака. Переход на полноценное оборудование класса EUV позволил бы китайским производителям чипов экономить время и деньги при его эксплуатации. Нидерланды запретили ASML поставлять в Китай машины для DUV-литографии, на которых можно выпускать 5 и 7-нм чипы
07.09.2024 [05:55],
Алексей Разин
Смелые для современной политической конъюнктуры заявления нового руководителя ASML заявления о характере экспортных ограничений США не помешали компании подчиниться новым требованиям властей Нидерландов, которые расширили перечень контролируемых с точки зрения поставок в недружественные страны литографических сканеров на две модели.
Источник изображения: ASML Поскольку ASML не успела поставить в Китай ни одной передовой EUV-системы «благодаря» введённым властями Нидерландов ограничениям в 2019 году, внимание американских регуляторов с тех пор сосредоточилось на менее совершенном оборудовании, предназначенном для работы с глубоким ультрафиолетовым излучением и методом иммерсионной литографии (DUV). Наиболее продвинутые системы Twinscan NXT:2000i этого типа ограничивались в поставках в недружественные страны типа Китая с сентября прошлого года, но в США и Нидерландах существовало разногласие по поводу включения в этот перечень систем Twinscan NXT:1970i и NXT:1980i, которые используют DUV-литографию и позволяют выпускать чипы по нормам 5 и 7 нм.. Американцы считали, что подобные поставки нужно согласовывать с ними из-за наличия в составе оборудования компонентов, использующих разработанные в США технологии. В Нидерландах ограничения на экспорт двух моделей литографических сканеров, указанных выше, вступили в силу только сегодня, и теперь правила контроля двух стран синхронизированы. Более того, теперь желающие поставить указанное оборудование в Китай или другую недружественную страну компании должны будут получать экспортную лицензию не в США, а в Нидерландах. Компания ASML, которая эти системы производит, не считает изменения в правилах экспортного контроля настолько существенными, чтобы они могли повлиять на её прогноз по выручке на 2024 год. Министр внешней торговли Нидерландов Ренет Клевер (Reinette Klever) данный шаг прокомментировала следующим образом: «Это решение было принято по соображениям безопасности. Мы видим, что технологический прогресс увеличил риски безопасности, связанные с экспортом конкретного производственного оборудования, особенно в текущем геополитическом контексте». По словам чиновницы, выдающееся положение Нидерландов в сфере производства оборудования для выпуска чипов накладывает на страну определённую ответственность, и вводимые ограничения носят адресный и взвешенный характер. Они не должны нарушить товарооборот и цепочки поставок в мировой полупроводниковой промышленности. Техпроцесс 0,2 нм будет освоен к 2037 году, а 1,4 нм не получится без High-NA EUV — глава Imec
04.09.2024 [08:29],
Алексей Разин
Бельгийский исследовательский центр Imec сотрудничает с мировыми лидерами в сфере производства чипов, а потому его руководство может представлять путь развития всей полупроводниковой отрасли на несколько лет вперёд. По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм.
Источник изображения: Intel Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 0,2 нм или 2 ангстрема. Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 1 ангстрем, если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются. Свои заявления он сделал на технологическом форуме в Тайване, работу которого широко освещали местные СМИ. В следующем году полупроводниковая отрасль приступит к производству 2-нм чипов, причём в рамках этого техпроцесса произойдёт смена структуры транзисторов с FinFET на нанолисты (Nanosheet), а в 2027 году после перехода на техпроцесс A7 будет внедрена структура транзисторов CFET. По мнению представителя Imec, выпуск чипов по технологии A14 будет подразумевать обязательный переход на использование оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Для TSMC миграция на High-NA EUV становится почти предопределённой. Напомним, что крупнейший в мире контрактный производитель чипов неоднократно заявлял об отсутствии намерений использовать такое оборудование при выпуске продукции по технологии A16. Её тайваньский гигант собирается освоить со второй половины 2026 года. Intel и AIST построят в Японии центр исследований и разработок для передовых техпроцессов
03.09.2024 [20:17],
Владимир Мироненко
Японский национальный институт передовых промышленных наук и технологий (AIST) совместно с Intel создадут в Японии новый центр исследований и разработок. Он будет ориентирован на разработку техпроцессов для передовых чипов на основе EUV-литографии, пишет Nikkei со ссылкой на информированные источники.
Источник изображения: Intel На реализацию проекта, стоимость которого исчисляется сотнями миллионов долларов (цена одной установки для EUV-литографии составляет $273 млн), как ожидается, уйдёт 3–5 лет. В этом центре будет установлено передовое EUV-оборудование, на котором японские компании смогут отлаживать свои технологии. Создание нового центра обеспечит японским предприятиям возможность в сотрудничестве с AIST и Intel разрабатывать и внедрять новейшие технологические процессы, что позволит повысить их конкурентоспособность на мировом рынке. Сейчас японским компаниям приходится обращаться в зарубежные исследовательские центры, такие как бельгийский IMEC, для получения доступа к оборудованию EUV с целью разработки новых продуктов. Создание центра исследований на территории Японии позволит местным компаниям сократить зависимость от зарубежных ресурсов, что поможет ускорить процесс разработки новых чипов и повысить конкурентоспособность отечественной полупроводниковой промышленности. При этом такие японские компании, как Lasertec и JSR, уже являются мировыми лидерами в нескольких областях технологии EUV. Lasertec имеет 100-процентую долю на рынке оборудования для контроля EUV, в то время как JSR является одним из крупнейших в мире производителей фоторезистов — полимерных светочувствительных материалов, используемых в производстве микросхем. Участие в строительстве нового центра позволит Intel укрепить сотрудничество с этими компаниями. При этом её существующий конкурент TSMC (и будущий конкурент Rapidus с присутствием в Японии) не смогут обеспечить себе ключевые стратегические преимущества, такие как отношения с клиентами или лучшие инструменты и/или сырье, отметил ресурс Tom's Hardware. В свою очередь, Nikkei утверждает, что совместный центр исследований и разработки Intel и AIST имеет стратегическое значение, поскольку устранит для Японии необходимость в обращении в американские регулирующие органы для передачи исследовательских данных и технологий из США на фоне ужесточения экспортных ограничений. |