Компания Micron сообщила о начале поставок тестовых образцов первых в мире энергоэффективных чипов памяти LPDDR5X, произведённых по передовому техпроцессу 10-нм класса 1γ (гамма). Эти микросхемы ориентированы на повышение ИИ-производительности флагманских смартфонов.

Источник изображения: ZDNet

По данным южнокорейского издания ZDNet, техпроцесс 1γ знаменует собой шестое поколение памяти DRAM 10-нм класса, массовое производство которой, как ожидается, будет наращиваться к концу этого года. Узел имеет ширину линии порядка 11–12 нанометров и в полупроводниковой промышленности Южной Кореи обычно обозначается как 1c DRAM. LPDDR5X — это наиболее передовое поколение энергоэффективной DRAM, доступное на сегодняшний день на рынке. Основное применение данной памяти — мобильные устройства и ноутбуки.

Согласно пресс-релизу Micron, компания в настоящее время проводит испытания 16-гигабитных чипов LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ с избранными партнёрами и планирует предложить полный спектр ёмкостей — от 8 до 32 Гбайт — для использования во флагманских смартфонах 2026 года.

В пресс-релизе также говорится, что данная память LPDDR5X обеспечивает самую высокую в отрасли скорость для LPDDR5X — 10,7 Гбит/с — и демонстрирует до 20 % более высокую энергоэффективность по сравнению с другими аналогичными решениями. Память упакована в самый тонкий для LPDDR5X корпус толщиной всего 0,61 мм. По словам Micron, это на 6 % тоньше, чем у конкурирующих продуктов, и на 14 % тоньше по сравнению с её собственной памятью LPDDR5X предыдущего поколения. Компания также подчёркивает, что LPDDR5X на базе техпроцесса 1γ является её первым решением в сегменте мобильной памяти, при производстве которого применяется передовая EUV-литография.

В феврале этого года Micron объявила о первых поставках образцов памяти DDR5 на основе техпроцесса 1γ таким клиентам, как Intel и AMD. Согласно пресс-релизу, Micron также остаётся единственной компанией, поставляющей чипы памяти HBM3E и SOCAMM для ИИ-серверов. Производитель отмечает, что его память SOCAMM LPDDR5X, разработанная при поддержке Nvidia, поддерживает специализированный ИИ-чип GB300 Grace Blackwell Ultra.

Южнокорейские конкуренты Micron — компании Samsung и SK hynix — также разрабатывают собственные чипы памяти 1c DRAM. В августе прошлого года SK hynix объявила о создании первых в индустрии 16-гигабитных чипов памяти DDR5 на основе узла 1c — шестого поколения 10-нм техпроцесса. По данным MoneyToday от января 2025 года, компания завершила подготовку к массовому производству чипов 1c DDR5. Компания Samsung, в свою очередь, отложила развитие шестого поколения 10-нм техпроцесса DRAM (1c) до июня 2025 года.

Бренд Mastero представил оперативную память DDR5 объёмом до 32 Гбайт, работающую на частотах до 6400 МГц. В числе особенностей — брендовые чипы, штатные радиаторы, ARGB-подсветка и гарантия 10 лет.

Новинки — одиночные планки и комплекты ОЗУ DDR5 для игровых ПК и рабочих станций:

Память DDR5 DIMM 16Gb, 5600MHz, CL46 Mastero — 3500 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 5600MHz, CL46 Mastero — 7050 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6200MHz, CL36 Mastero — 7350 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL40 Mastero — 8300 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6000MHz, CL38 Mastero ARGB — 7800 руб.*

Комплект памяти DDR5 DIMM 32Gb (2x16Gb), 6400MHz, CL38 Mastero ARGB — 8400 руб.*

* Указаны базовые оптовые цены. Зарегистрированным участникам программы дисти предусмотрены скидки. Физические лица могут приобрести товар на маркетплейсах.

Флагман линейки — комплект памяти Mastero DDR5 на 32 Гбайт с частотой 6400 МГц. Его пропускная способность обеспечивает прирост FPS от 10 до 20 % в Cyberpunk 2077, Spider-Man и Horizon Zero Dawn по сравнению с ОЗУ на частоте 4800 МГц. Отличный выбор для геймеров, которые хотят прокачать свой ПК.

В скоростных модулях памяти Mastero используются чипы Samsung, известные высокой производительностью и стабильностью. В ОЗУ используются встроенные профили XMP 3.0 для установки рабочих параметров памяти в BIOS.

Модули памяти оснащены чёрными матовыми радиаторами с серебристыми вставками. Низкое рабочее напряжение в размере 1,25 В дополнительно помогает снизить нагрев чипов памяти.

Оперативная память DDR5 Mastero с ARGB-подсветкой представлена комплектами по 32 Гбайт (2×16 Гбайт), работающими на частоте 6000 и 6400 МГц с задержкой CL38.

В памяти с подсветкой используются чипы Micron, стабильно работающие на современных платформах AMD Ryzen и Intel. ARGB-подсветка синхронизируется через RGB-экосистемы: ASRock Polychrome RGB, ASUS Aura Sync, MSI Mystic Light и другие. Если материнская плата не поддерживает ARGB, цвета подсветки меняются автоматически.

Mastero — торговая марка компании Comepart, российского дистрибьютора компьютерной техники, который занимается оптовыми поставками компьютерных комплектующих. Comepart работает с проверенными поставщиками из топ-20 крупных производственных площадок Китая, предлагая высокое качество при конкурентной цене.

На выставке Computex 2025 производители материнских плат подтвердили, что платформы AMD Socket AM5 уже способны запускать модули оперативной памяти CUDIMM, однако пока лишь в так называемом обходном режиме (bypass mode). Полноценная поддержка этих модулей станет возможной только с выходом новых процессоров, сообщает ComputerBase.

Источник изображений: ComputerBase.de

Модули памяти CUDIMM отличаются от обычных наличием встроенного тактового генератора (CKD), который позволяет ОЗУ работать стабильнее на высоких частотах. Самыми быстрыми модулями памяти DDR5 являются именно модули CUDIMM. Если речь идёт о модуле памяти со скоростью 9000 МТ/с и выше, то CUDIMM становится единственным выбором. (Если не брать в расчёт новый формат памяти CAMM2, который также позволяет производить более скоростные модули памяти, но требует изменения конструкции материнских плат).

В настоящий момент модули памяти CUDIMM DDR5 сертифицированы и официально поддерживаются только платформой Intel Arrow Lake. В ней реализована поддержка DDR5-6400 CUDIMM без разгона, чего не позволяет добиться обычная UDIMM-память (она ограничена режимом DDR5-5600).

В платформе AMD ситуация иная. В составе процессоров AMD Ryzen 9000 используется чиплет ввода-вывода (I/O Die) со старым контроллером памяти, который применялся ещё в составе чипов предыдущего поколения Ryzen 7000. Именно это накладывает ограничение на использование памяти CUDIMM с платформой Socket AM5. Поддержки таких модулей памяти в актуальной версии контроллера попросту не предусмотрено изначально. При этом демонстрации работы модулей CUDIMM с высокой частотой на платформе AMD проводятся только с процессорами Ryzen 8000, которые имеют монолитную конструкцию и стабильнее работают со скоростной памятью.

Загрузка модулей CUDIMM на платформе AMD

Многие производители материнских плат выпустили свежие прошивки BIOS, которые позволяют использовать модули CUDIMM на платформе AMD Socket AM5, но лишь в так называемом обходном режиме. Эти прошивки позволяют отключить встроенный тактовый генератор модулей CUDIMM и взаимодействовать с ОЗУ, как с обычными модулями UDIMM. Однако следующее поколение процессоров AMD, вероятно, получит новый чиплет ввода-вывода и, соответственно, новый контроллер памяти, который позволит полноценно использовать память CUDIMM.

Производители плат пока не готовы говорить о том, какую скорость модулей CUDIMM будут поддерживать будущие процессоры AMD. Однако намёк на это может скрываться в анонсе новых высокопроизводительных процессоров Ryzen Threadripper Pro 9000 — они поддерживают память RDIMM DDR5-6400 ECC, которая как и CUDIMM, имеет встроенный тактовый генератор.

Компания V-Color привезла на Computex 2025 ряд интересных новинок. Одними из них являются модули памяти XFinity Manta DDR5 со встроенными ЖК-дисплеями размером около 1 дюйма. На эти экраны выводится информация о модуле: рабочее напряжение, температура, частота, тайминги, информация о ёмкости модуля и т.д.

Источник изображений: TechPowerUp

Насколько это всё практично — вопрос. Обычно пользователь видит лишь верхний торец модуля памяти, установленного в ПК, а не его боковую сторону, на которой, собственно, и расположен экран.

Производитель представил несколько модулей памяти с ЖК-экраном: DDR5-7800 CL38 с рабочим напряжением 1,4 В, DDR5-8000 CL38 с напряжением 1,35 В (оба ёмкостью 24 Гбайт), а также DDR5-6400 CL32 объёмом 32 Гбайт, DDR5-6000 CL28 объёмом 48 Гбайт и DDR5-7200 CL36 на 48 Гбайт— все с рабочим напряжением 1,4 В. Планки на 32 и 48 Гбайт, скорее всего, двухранговые.

Также на выставке показали двухканальный комплект DDR5-8000 CL44 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт, 1,4 В). Учитывая высокую скорость указанного комплекта, в нём, вероятно, используются одноранговые модули памяти или же они оснащены собственным тактовым генератором CKD.

Ещё примерами модулей высокой плотности являются XPrism DDR5-9600 CL48 с напряжением 1,45 В и объёмом 32 Гбайт, а также XSky ROG DDR5-8800 CL42 с напряжением 1,45 В и объёмом 24 Гбайт.

Производитель также показал разгоняемые модули памяти R-DIMM с RGB-подсветкой. Они оснащены хромированными радиаторами и пластиковыми ARGB-рассеивателями. V-Color позиционирует эти модули для рабочих станций и высокопроизводительных ПК на платформах Ryzen Threadripper или Xeon W.

Компания показала в качестве примера рабочую станцию, оснащённую памятью DDR5-6000 OC R-DIMM общим объёмом 128 Гбайт (8 × 16 Гбайт), процессором Threadripper PRO 7965WX, СЖО V-color XFution с поддержкой процессорного разъёма AMD Socket TR5, а также материнской платой Gigabyte TRX50 AI TOP в корпусе Cooler Master MasterFrame 600.

Компания G.Skill анонсировала на выставке Computex 2025 высокоскоростные модули оперативной памяти DDR5 и CAMM2. В числе первых — двухканальный комплект памяти Trident Z5 NeoX RGB общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с заявленной скоростью 10 600 МТ/с и таймингами CL58-63-63.

Источник изображений: TechPowerUp

Модули памяти серии G.Skill Neo поддерживают профили разгона AMD EXPO. В качестве демонстрации производитель показал систему на базе Ryzen 5 8500G (Phoenix 2), оснащённую ОЗУ с эффективной скоростью 5300 МГц (DDR5-10600) и таймингами 62-63-63-126, работающей при напряжении 1,4 В. Это весьма впечатляющий показатель для платформы AMD.

Производитель также представил новый модуль памяти CAMM2 объёмом 64 Гбайт, работающий на скорости DDR5-10000, что делает его, возможно, самым быстрым модулем ОЗУ в таком форм-факторе. Память функционирует с таймингами CL56-70-70.

Следует напомнить, что память CAMM2 — двухканальная. Благодаря этому в систему можно установить всего один такой модуль, и он будет сразу работать в двухканальном режиме. Для этого материнская плата должна поддерживать формат CAMM2, но это позволяет существенно сэкономить пространство на самой плате. Работа модуля CAMM2 DDR5-10000 была протестирована на системе с Intel Core Ultra 9 285K.

Также G.Skill продемонстрировала память Trident Z5 NeoX RGB, работающую в режиме DDR5-10747 с таймингами CL68-128-128. Модули были протестированы на ПК с Core Ultra 9 285K. Готовящиеся к выпуску планки памяти Trident Z5 NeoX RGB будут доступны в белом, оранжевом и флуоресцентно-зелёном вариантах исполнения.

Компания Silicon Power (SP) представила свои первые комплекты оперативной памяти DDR5 CUDIMM, а также новые комплекты памяти UDIMM DDR5 под новой серией Xpower. Объём комплектов составляет 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт).

Источник изображений: Silicon Power

Память CUDIMM отличается от обычной наличием собственного встроенного генератора частоты, который позволяет модулям ОЗУ работать на более высокой скорости по сравнению с обычными модулями DDR5. Благодаря этому комплекты памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM работают на скоростях от 8200 до 9200 МТ/с.

Для памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB CUDIMM производитель заявляет тайминги, CL40 (DDR5-8200 и DDR5-8400), а также CL42 (DDR5-8800 и DDR5-9200). Модули работают при напряжении 1,4 и 1,45 В. Следует добавить, что на текущий момент поддержка модулей памяти CUDIMM обеспечивается только на материнских платах Intel Z890 для процессоров Arrow Lake-S.

Модули памяти Xpower Cyclone DDR5 RGB UDIMM более универсальны и могут работать в том числе с платформой AMD Socket AM5. Для этих модулей производитель заявляет тайминги CL36 (DDR5-7200) и CL36 (DDR5-8000). Рабочее напряжение — 1,35 В.

Производитель заявляет, что все новинки оснащены эффективными радиаторами охлаждения толщиной 2 мм, которые снижают рабочую температуру памяти более чем на 10 градусов. Все представленные модули ОЗУ также поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и оснащены RGB-подсветкой.

V-Color представила первые в отрасли модули памяти DDR5 OC RDIMM RGB, предназначенные для рабочих станций и профессиональных задач. Максимальная ёмкость комплекта составляет 512 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

Комплекты V-Color DDR5 OC RDIMM RGB включают планки от 16 до 64 Гбайт, что даёт до 512 Гбайт в версии из восьми единиц. Предлагаются скорость до 8000 МТ/с и сверхнизкий тайминг RDIMM до CL26 — память оптимизирована для работы с процессорами AMD Ryzen Threadripper и Intel Xeon. Эстетическое оформление с использованием RGB-светодиодов дополняет технические возможности комплектов, предназначенных для разработки в области искусственного интеллекта, многозадачных профессиональных рабочих нагрузок, аналитики данных и творческой работы — вдобавок к высокой скорости производитель обещает надёжность и эффективность.

V-Color обеспечила соответствие строгим профессиональным и корпоративным нормам: модули DDR5 OC RDIMM RGB способны работать со стандартными скоростями JEDEC от 4800 до 5600 МТ/с. Продемонстрированы возможности разгона в конфигурации 128 Гбайт (4 × 32 Гбайт) с 8000 МТ/с, CL40 при 1,35 В — с процессорами AMD Ryzen Threadripper на материнской плате Gigabyte TRX50 AI TOP для высокопроизводительных вычислений и задач ИИ. Ещё одна демонстрация — стабильная скорость в конфигурации 96 Гбайт (4 × 24 Гбайт) с 6000 МТ/с, CL28 и процессорами Intel Xeon на плате ASUS PRO WS w790-SAGE SE.

Комплекты памяти V-Color DDR5 OC RDIMM RGB с чёрным и серебристым радиаторами поступят в продажу по всему миру 20 мая после их презентации на выставке Computex 2025. О ценах производитель пока умолчал.

Американская компания NEO Semiconductor сообщила о скорой демонстрации трёх новых технологий производства самой лучшей в мире оперативной памяти DRAM — сверхплотной, сверхбыстрой и даже немного энергонезависимой. Впервые новое решение в виде 3D DRAM было представлено в августе 2023 года и с тех пор превратилось в три разных версии технологии, хотя производители памяти мирового уровня всё ещё игнорируют эту революционную разработку.

Источник изображения: NEO Semiconductor

Компания NEO Semiconductor сделала ставку на вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, что было реализовано при производстве памяти 3D NAND. Очевидно, что это позволит значительно увеличить плотность хранения данных в оперативной памяти. Разработчик говорит о чипах DRAM плотностью 512 Гбит — более чем в 10 раз больше, чем у современных массовых чипов памяти. Также увеличение плотности памяти ведёт к относительному снижению энергопотребления, что в условиях дефицита энергии так же важно, как и наращивание банков памяти.

На выставке IEEE с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее, штат Калифорния, США, компания NEO Semiconductor покажет три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для выпуска стековым методом — это ячейки 1T1C, 3T0C и 1T0C. Причём все они или часть из них используют для транзисторных каналов материал IGZO, известный нам по производству тонкоплёночных транзисторов для дисплеев с высоким разрешением и низким потреблением.

Материалы IGZO или соединения оксидов индия-галлия-цинка — это конёк компании Sharp. В этом материале электроны обладают повышенной мобильностью без увеличения рабочих токов. По логике, оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, явив миру память с лучшими характеристиками по быстродействию и потреблению. В комплекте с многоуровневой архитектурой это может привести к революции в мире оперативной памяти, если технологией, наконец-то, заинтересуются Samsung, SK Hynix или кто-то подобный.

Добавим, как следует из обозначения архитектуры ячеек, ячейка 1T1C — это классическая DRAM с одним транзистором и одним конденсатором; ячейка 1T0C состоит из одного транзистора без конденсатора; а ячейка 3T0C — это три транзистора без конденсатора. Ячейки 1T1C и 3T0C, по признанию компании, способны сохранять данные без подачи питания в течение 450 с, что снизит потребление при регенерации. Скорость доступа достигает 10 нс. Но это всё расчётные данные, а экземпляры новой памяти должны быть впервые выпущены только в 2026 году. Ждём. Мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной DRAM.

Канадский оверклокер saltycroissant первым в мире преодолел барьер 12 800 МТ/с для оперативной памяти DDR5, установив новый рекорд скорости передачи информации в 12 806 МТ/с. Рекорд был достигнут на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF с использованием модулей Corsair Vengeance и экстремальным охлаждением жидким азотом.

Источник изображения: wccftech.com

Ещё несколько часов назад мировой рекорд принадлежал другому оверклокеру с никнеймом bl4ckdot, который разогнал DDR5 до 12 774 МТ/с. Однако, как пишет издание Wccftech, saltycroissant не только побил это достижение, но и стал первым, кто перешагнул отметку в 12 800 МТ/с. При этом он сохранил прежние тайминги (CL68-127-127-127-2), что делает результат ещё более впечатляющим.

Источник изображения: wccftech.com

Сообщается, что для достижения этих цифр использовался процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата ASRock Z890 Taichi OCF, которая уже не раз помогала другим энтузиастам устанавливать рекорды. Результат был проверен в CPU-Z и загружен на платформу HWBot для официального подтверждения. Компания ASRock также опубликовала новость о достижении в своём официальном канале в X, подчеркнув, что их продукт остаётся флагманским выбором среди профессиональных оверклокеров.

Источник изображения: wccftech.com

Эксперты ожидают, что новые рекорды будут появляться один за другим, и вскоре может быть достигнут рубеж в 13 000 MT/s. На данный момент лидерами в производстве высокочастотной DDR5-памяти остаются такие бренды, как Corsair, G.Skill и V-Color. Их модули чаще всего становятся основой для новых рекордов, поскольку они отличаются высоким заводским потенциалом для разгона. Тем не менее, переход от 12 800 к 13 000 MT/s может занять некоторое время, так как разница в 200 MT/s требует не только технических инноваций, но и определённых условий тестирования.

Компания G.Skill показала новое достижение в мире оперативной памяти — комплект DDR5-8400 CL44 объёмом 128 Гбайт (2×64 Гбайт). Работа этого набора была продемонстрирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E APEX в паре с процессором AMD Ryzen 9 9950X3D, доказав, что можно получить одновременно высокую скорость и большой объём памяти.

Источник изображения: G.Skill

Раньше память с такой частотой обычно ограничивалась меньшими объёмами, но теперь, похоже, эта проблема решена. Как подчёркивают в компании, комплект идеально подходит для задач искусственного интеллекта, машинного обучения, рендеринга и других ресурсоёмких процессов, где важны и быстрый доступ к данным, и большой объём памяти.

Тестирование на платформе AMD подтвердило стабильность работы памяти даже на предельных для текущего поколения DDR5 частотах. На скриншоте видно, как комплект прошёл проверку утилитой MemtestPro без ошибок. Это показывает, что инженерам G.Skill удалось не только разогнать память до 8400 МГц, но и обеспечить надёжность при высокой нагрузке. «Наш новый модуль DDR5 объёмом 64 Гбайт позволяет собирать конфигурации 128 Гбайт без потери скорости, — говорят в G.Skill. — И это открывает новые возможности для профессионалов, которым нужна максимальная производительность».

Источник изображения: G.Skill

Компания G.Skill, основанная в 1989 году, продолжает удерживать лидерство в сегменте высокоскоростной памяти. Благодаря собственной лаборатории тестирования и сильной команде разработчиков, компания регулярно выпускает инновационные решения для геймеров, оверклокеров и IT-специалистов. Новый рекорд DDR5-8400 128 Гбайт — очередное подтверждение её успеха.

Ожидается, что такие модули появятся в продаже в ближайшие месяцы. Пока неизвестно, какова будет их итоговая цена, но очевидно, что это решение ориентировано на верхний сегмент.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти DDR5-6000 большого объёма — 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ по 64 Гбайт каждый. Производитель отмечает, что в основе продукта используются чипы памяти DDR5 компании SK hynix.

Источник изображений: G.Skill

Работу комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт компания проверила на материнских платах Asus ROG Crosshair X870E Hero и MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессорами AMD Ryzen 7 9800X3D и Ryzen 9 9900X соответственно. Память показала стабильную работу с таймингами CL32-44-44-96, а также CL32-45-45-126.

Кроме того, указанный комплект памяти показал способность к эффективному разгону до DDR5-7000 при таймингах CL38-50-50-126 в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D и материнской платой MSI MEG X870E Godlike.

В дополнение к этому G.Skill показала работу комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 256 Гбайт с низкими задержками CL32-44-44-102. Тестирование проводилось на плате Asus ROG Crosshair X870E Hero с процессором Ryzen 9 9900X3D, а также на плате MSI MAG B850M Mortar WIFI с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Компания G.Skill сообщила о новом рекорде разгона оперативной памяти DDR5. Его установил оверклокер Seby, заставивший планку ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) с номинальным режимом DDR5-8000 и объёмом 24 Гбайт работать на скорости 12 772 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Новый рекорд был установлен на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex для энтузиастов в сочетании с флагманским процессором Intel Core Ultra 9 285K.

Для охлаждения CPU применялся жидкий азот. При эксперименте температура составила 4,0 градуса Цельсия.

Согласно данным CPU-Z Validator и базе данных HWBOT, разогнанный до 12 772 МТ/с модуль памяти G.Skill работал с таймингами 68-127-127-127. Эффективная частота модуля ОЗУ составила 6386,2 МГц.

Компания отмечает, что в составе модулей ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) используются чипы памяти SK hynix.

Компания G.Skill представила двухканальный комплект оперативной памяти DDR5-8000 большого объёма — 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Производитель называет его первым на рынке комплектом ОЗУ с такой скоростью и ёмкостью. Ещё совсем недавно максимальный доступный объём одного модуля DDR5 потребительской памяти составлял 48 Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти заявлены тайминги CL44-58-58-128. Память успешно протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Apex в сочетании с процессором AMD Ryzen 9 9950X.

G.Skill также продемонстрировала работу двухканального комплекта памяти DDR5-9000 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) с таймингами CL48-64-64-144 на другой платформе. Для тестов использовалась материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Представленные модули ОЗУ будут выпускаться в рамках фирменных серий производителя Trident Z5 и Trident Z5 Royal NEO. О стоимости анонсированных новинок компания ничего не сообщила. Также неизвестно, когда именно они поступят в продажу.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.