Компания TeamGroup представила модули оперативной памяти T-Create Classic и T-Create Expert стандарта DDR5 для настольных ПК и ноутбуков. Новинки будут выпускаться комплектами из двух модулей общим объёмом 32 и 64 Гбайт.

Источник изображений: TeamGroup

Серия модулей оперативной памяти для настольных компьютеров TeamGroup T-Create Classic представлена комплектами из двух модулей объёмом по 16 и 32 Гбайт каждый стандартов DDR5-5600 и DDR5-6000. В первом случае память работает с таймингами CL46-46-46-90, во втором — CL48-48-48-96. Новинки оснащены компактными алюминиевыми радиаторами охлаждения чёрного цвета.

Комплекты ОЗУ T-Create Classic DDR5-5600 общим объёмом 32 и 64 Гбайт производитель оценил в 180 и 350 долларов соответственно. Более скоростные комплекты памяти T-Create Classic DDR5-6000 тех же объёмов оцениваются производителем в 200 и 400 долларов соответственно.

Комплекты памяти T-Create Classic DDR5-5200 формата SO-DIMM для ноутбуков общим объёмом 32 и 64 Гбайт компания оценила в 160 и 320 долларов. Более скоростные комплекты T-Create Classic DDR5-5600 оцениваются в 180 и 360 долларов.

Память T-Create Expert стандарта DDR5 представлена модулями памяти стандартов DDR5-6000 и DDR5-6400. Для комплектов DDR5-6000 общим объёмом 32 Гбайт производитель заявляет тайминги CL38-38-38-78 и рабочее напряжение в 1,25 В. Модули памяти DDR5-6000, входящие в комплект общим объёмом 64 Гбайт, обладают таймингами CL34-44-44-84 и работают при напряжении 1,3 В. Данные наборы памяти компания оценила в 200 и 400 долларов соответственно.

Для комплектов памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 и 64 Гбайт производитель заявляет тайминги CL40-40-40-84 и CL34-44-44-84, а также показали рабочего напряжения в 1,35 и 1,4 В соответственно. Новинки оцениваются производителем в 250 и 500 долларов. Все модули ОЗУ T-Create Expert стандарта DDR5 оснащены компактными алюминиевыми радиаторами.

Источник изображения: VideoCardz

На все представленные модули ОЗУ серий T-Create Classic DDR5 и T-Create Expert DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Поступление в продажу указанных комплектов ОЗУ ожидается в начале февраля будущего года.

Китайская компания Netac выпустит модули оперативной памяти стандарта DDR5 со скорость передачи данных до 8000 МТ/с, пишет китайское издание ITHome. Новинки вышли в серии Netac DDR5 Z-RGB.

Источник изображений: ITHome

В ассортименте производителя уже имеются несколько комплектов ОЗУ серии Z-RGB стандартов DDR5-4800, DDR5-5600 и DDR5-6000, обладающих таймингами CL40. В ближайшее время серия пополнится новыми комплектами ОЗУ общим объёмом 32 Гбайт. Каждый комплект будет состоять из двух модулей ОЗУ объёмом по 16 Гбайт. В серию войдут модули памяти стандартов DDR5-6200, DDR5-6600, DDR5-7600 и DDR5-8000, обладающие соответственно таймингами CL32, CL34, CL36 и CL38, и работающие при напряжении от 1,35 до 1,5 В.

Для модулей ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 заявляется полная совместимость с материнскими платами на чипсетах Intel и AMD. Однако источник новости не уточняет, какие профили разгона они поддерживают — Intel XMP 3.0 или AMD EXPO.

По данным самой Netac, её новые скоростные модули ОЗУ DDR5 Z-RGB используют чипы памяти DRAM A-Die от SK hynix. Новинки оснащены радиаторами охлаждения с ARGB-подсветкой, которая может синхронизироваться с подсветкой материнских плат самых популярных брендов. В продаже будут доступны модули ОЗУ с радиаторами чёрного и серебряного цветов.

В продажу модули ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 с частотой до 8000 МГц поступят в следующем году. Однако информации о точной дате старта продаж, а также стоимости будущих комплектов памяти пока нет.

Компания SK hynix сообщила о создании самых быстрых серверных модулей оперативной памяти DDR5 — они обладают скоростью 8000 МТ/с (или 8 Гбит/с). Это примерно на 80 % быстрее стандартных модулей DDR5-4800, применяемых в серверном сегменте. При этом производитель не разгонял саму память, но всё равно сделал модули чуть ли не вдвое быстрее.

Источник изображений: SK hynix

Ключевой особенностью серверной памяти SK hynix DDR5-8000 является технология Multiplexer Combined Ranks (MCR), разработанная в сотрудничестве с компаниями Intel и Renesas. С помощью специального чипа, разработанного Renesas и выступающего в роли буфера данных, SK hynix обеспечила возможность одновременно задействовать два ранга памяти (чипы с обеих сторон модуля) для увеличения ширины канала данных до 128 бит вместо привычных 64 бит. Микросхема Renesas выступает промежуточным звеном между центральным процессором и модулем ОЗУ, как показано на схеме ниже.

Новая архитектура памяти предоставляет возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону центрального процессора по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без необходимости в увеличении частоты самих чипов памяти.

По словам вице-президента и генерального директора подразделения по разработке интерфейсов памяти в Renesas, Самира Куппахалли (Sameer Kuppahalli), разработка буфера данных заняла три года интенсивной работы. В Intel в свою очередь отмечают, что с нетерпением ждут применения технологии MCR будущими платформами Xeon. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, однако сроков начала массового производства памяти MCR DIMM пока не называет.