SK hynix считается старожилом рынка памяти типа HBM, поскольку начала разрабатывать её в сотрудничестве с NVIDIA ещё в 2013 году, но крупнейший производитель микросхем памяти в лице Samsung готов бросить ей вызов в данном сегменте. В этом году корейский гигант увеличит капитальные затраты на выпуск HBM более чем в два с половиной раза, в следующем году данная сумма останется на таком же уровне.

Источник изображения: Samsung Electronics

К четвёртому кварталу текущего года, как отмечает Business Korea, компания Samsung Electronics собирается увеличить объёмы выпуска микросхем до 150–170 тысяч изделий в месяц. В текущем полугодии конкурирующая SK hynix начнёт выпускать микросхемы HBM3e по технологиям пятого поколения, и такая память найдёт применение в новейших ускорителях вычислений NVIDIA самое позднее в следующем году. Samsung свою память типа HBM3 четвёртого поколения выпускает с прошлого квартала, и стремится посоперничать с SK hynix за заказы NVIDIA на поставку HBM3e. Последняя из компаний уже завершила разработку HBM3e и сейчас проводит её сертификацию на соответствие требованиям NVIDIA.

По некоторым оценкам, в прошлом квартале SK hynix впервые выручила от поставок HBM свыше $749 млн — для южнокорейской компании это важный психологический рубеж, поскольку он соответствует сумме в 1 трлн вон. Принято считать, что ёмкость рынка микросхем типа HBM в прошлом году приблизилась к $4 млрд, а компания SK hynix занимает на нём лидирующие позиции с долей около 20 %. Перед Samsung стоит задача поколебать позиции конкурента, поэтому она решительно вкладывается в расширение производства HBM.

В китайском научном журнале Spacecraft Environment Engineering вышла статья, в которой сообщается о создании на борту орбитальной станции «Тяньгун» рекордного по масштабам стенда по тестированию чипов. На платформе одновременно проходят испытания свыше 100 процессоров космического назначения. Основная цель экспериментов — создать современную элементную базу чипов, устойчивых к космическому излучению.

Источник изображения: Pixabay

Создание собственной орбитальной станции позволило Китаю ничем не ограничивать себя при разработке космических чипов гражданского и военного назначения. Проведение подобных работ на Международной космической станции, например, ограничено запретом на тестирование чипов военного назначения, а также сопряжено с фактическим досмотром грузов. Каждая из стран обязана максимально полно рассказать о том, что она отправляет на борт МКС. В таких условиях обеспечить секретность и разработку проектов с ограниченным допуском достаточно проблематично. По крайней мере, это нельзя провернуть в большом объёме.

Тестовый стенд для испытания полупроводников на станции «Тяньгун» располагает возможностью одновременно проверять в работе свыше 100 чипов. Именно в работе в процессе запуска и работы приложений, что невозможно переоценить. Чипы подвергаются воздействию жёсткой космической среды — холоду и вакууму, но главным испытанием для них становится воздействие высокоэнергетических космических частиц.

На Земле нетрудно воспроизвести вакуум, холод и радиацию. Всё это есть, и чипы военного назначения проходят испытания на таких стендах. Другое дело — частицы высоких энергий, которые невозможно воспроизвести ни на каком земном ускорителе. Они могут приходить один раз в несколько месяцев, и нужно особое терпение, чтобы оценить их воздействие на работающие микросхемы. Обширный стенд на китайской космической станции как раз позволяет рассчитывать на такой случай.

Наличие тестового стенда на станции позволяет Китаю создать реестр сертифицированной для работы в космосе элементной базы. Вместо того, чтобы отбирать производителей и тестировать уникальные разработки, была выбрана стратегия создания массовой пригодной для космоса полупроводниковой продукции, из которой потом можно будет выбирать нужное. Китай ожидает, что в космос будут запускаться всё больше и больше спутников и кораблей, и претендует на звание мирового производителя космической электроники. Если когда-то будет снят ремейк фильма «Армагеддон», российский космонавт Лев Андропов вместо фразы об электронике на борту, что «всё сделано на Тайване», теперь должен будет сказать «всё сделано в Китае».

Но есть ещё один аспект гонки за космическими чипами. США и NASA сильно отстали в техпроцессах и архитектурах. Космическим телескопом «Джеймс Уэбб», например, управляет процессор, произведённый с нормами 250 нм. Китайцы же испытывают в космосе чипы с нормами от 28 до 16 нм. Более 20 микросхем уже прошли испытания, если верить китайским источникам. Китай уже впереди государственного космоса США. Остаётся угроза со стороны частных компаний, в частности, массово современную электронику на орбиту запускает космическая компания Илона Маска. Есть подозрение, что она не рассчитана на длительную работу в космосе, но процесс идёт, и результат со временем будет улучшен.

В NASA тоже понимают, что необходимо развивать новое поколение космической электроники. Летом 2022 года агентство выбрало разработчика новой архитектуры процессоров для космоса. Им стала компания Microchip Technology из Аризоны. Позже пришло подтверждение, что за основу выбрана архитектура RISC-V и конкретно ядра компании SiFive. Это позволит в 100 раз увеличить производительность космических процессоров по сравнению с предыдущим поколением.

Отчётное мероприятие компании Texas Instruments, которая является одним из старейших поставщиков полупроводниковых компонентов, разочаровало инвесторов не итогами прошедшего квартала, а прогнозом на текущий. Ожидается, что спрос на чипы в автомобильном и промышленном сегменте будет достаточно слабым, диапазон выручки в текущем квартале из прогноза Texas Instruments оказался ниже ожиданий рынка.

Источник изображения: Texas Instruments

Как отмечается, в этом квартале компания ожидает выручить от $3,45 до $3,75 млрд, тогда как консенсус аналитиков накануне упоминал сумму в $4,09 млрд. Удельная прибыль на одну акцию Texas Instruments составит от $0,96 до $1,16, что также ниже ожидавшихся инвесторами $1,42 на акцию. Подобный прогноз руководства компании говорит о том, что восстановление спроса в ключевых сегментах рынка полупроводниковых компонентов затягивается. Продукция Texas Instruments представлена почти во всех секторах промышленности в очень широком ассортименте, поэтому по прогнозам этой компании можно составлять представление о положении дел на рынке.

Генеральный директор Texas Instruments Хавив Илан (Haviv Ilan) заявил: «В прошлом квартале мы заметили растущую слабость в промышленном сегменте и последовательное снижение в автомобильном». О том, что спрос на электромобили не оправдывает ожиданий, говорят и многие автопроизводители. После публикации отчётности акции Texas Instruments упали в цене на 4,5 % в ходе дополнительной торговой сессии.

В прошлом квартале выручка компании сократилась год к году на 13 % до $4,08 млрд против ожидаемых $4,13 млрд. Удельная прибыль на одну акцию сократилась с $2,13 до $1,49. Годовая выручка Texas Instruments тоже упала на 13 %, продемонстрировав самое сильное снижение более чем за десять лет. По словам финансового директора компании Рафаэля Лизарди (Rafael Lizardi), текущий кризис в отрасли отличается от всех предыдущих: различные секторы рынка снижаются в разные периоды времени, а не синхронно. В промышленном секторе, например, спрос снижается три квартала подряд, тогда как автомобильный только начал сжиматься. Компоненты для персональных электронных устройств уже миновали острую фазу кризиса и теперь пользуются более стабильным спросом.

Являясь крупнейшим в мире производителем аналоговой электроники, Texas Instruments рассчитывает вложить в модернизацию профильных производственных линий $5 млрд до конца 2026 года. Руководство считает, что удельное содержание чипов в промышленном и автомобильном сегментах будет расти, а потому сейчас самое время задуматься об инвестициях в модернизацию производства. Правда, ещё не так давно компании пришлось снижать производительность своих предприятий, чтобы контролировать объём складских запасов готовой продукции — его в денежном выражении удалось сократить до $4 млрд.

Выручка Texas Instruments в аналоговом сегменте по итогам прошлого квартала сократилась на 6,9 % последовательно до $3,12 млрд и на 12,3 % в годовом сравнении. Встраиваемые решения последовательно сократили выручку на 15,5 % до $752 млн, а в годовом сравнении они убавили 10,2 %. Выручка на прочих направлениях сократилась на 29,1 % последовательно до $205 млн, в годовом сравнении она упала на 25,5 %.

По прогнозам аналитиков Summit Insights, в текущем квартале производители автомобилей продолжат сокращать складские запасы чипов, но во втором полугодии ситуация нормализуется. Ещё недавно автомобильный сегмент в структуре бизнеса Texas Instruments был самым активно растущим, а в прошлом квартале выручка на этом направлении сократилась на 4–6 %. Основную часть выручки компания продолжала получать от реализации чипов производителям промышленного оборудования, но в четвёртом квартале выручка на этом направлении сократилась на 14–16 %.

Аналитики TrendForce уже предрекали, что в натуральном выражении поставки памяти типа HBM вырастут более чем вдвое в текущем году. В свою очередь, представители Gartner ориентируются на денежный оборот этого сегмента рынка, и считают, что он удвоится в следующем году. Это будет означать, что выручка производителей памяти типа HBM вырастет с 2 до 4,98 млрд долларов — почти в два с половиной раза, если сравнивать с уровнем прошлого года.

Источник изображения: AMD

Данный прогноз опубликовало тайваньское издание Business Times со ссылкой на данные Gartner. Уже в этом году на рынке появятся ускорители вычислений, использующие память типа HBM3e: компания NVIDIA представит H200 и B100, а компания AMD выведет на рынок ускорители Instinct MI300X. Поставщики памяти типа HBM3e уже готовы начать снабжать ею своих клиентов со второго квартала текущего года.

Бурное развитие рынка и хорошая прибыль помогут Samsung Electronics и Micron Technology отыграть часть позиций в сегменте HBM у компании SK hynix, которая на правах старожила занимает доминирующее положение. Расширение конкуренции будет способствовать не только наращиванию объёмов поставок, но и снижению цен.

Тайваньские производители в изготовлении HBM пока готовы участвовать опосредованно, хотя та же Nanya и имеет опыт выпуска такой памяти. Поставщик оборудования Licheng собирается наладить выпуск решений для тестирования и упаковки стеков памяти типа HBM, уже к концу текущего года соответствующее оборудование начнёт производиться. Компания Creative сотрудничает с TSMC и SK hynix с целью применения интерфейса GLink-2.5D, разработанного ею, при производстве микросхем памяти типа HBM3 в упаковке CoWoS. Интересуются сопутствующими технологиями и более мелкие компании.

Ещё в прошлом году китайские контрактные производители полупроводников начали снижать цены на свои услуги, чтобы переманить к себе на конвейер тайваньских разработчиков чипов, сообщает TrendForce со ссылкой на IJIWEI. Если учесть, что речь идёт о зрелой литографии, то подобный план сработал, и теперь тайваньские, американские и корейские компании вынуждены конкурировать с китайскими за клиентов.

Источник изображения: ASML

Первоисточник отмечает, что в прошлом году цены на свои услуги по контрактному производству чипов снизили китайские компании SMIC, Huahong Group и Nexchip, избрав тайваньских разработчиков чипов в качестве своих потенциальных клиентов. Компании Samsung, GlobalFoundries, UMC и PSMC в итоге столкнулись с тем, что тайваньские разработчики расторгли свои контракты с ними, чтобы переключиться на услуги китайских конкурентов.

Тайваньские контрактные производители в лице UMC и PSMC решили снизить цены на свои услуги, чтобы лучше противостоять китайским конкурентам. Если первая опустила цены на обработку кремниевых пластин типоразмера 300 мм на 10–15 %, то в сегменте 200-мм пластин снижение цен достигло 20 %, и новые цены уже вступили в силу в четвёртом квартале прошлого года. Заметим, что китайские контрактные производители в прошлом году пошли на более радикальное снижение цен, достигавшее 20–30 %, в зависимости от типоразмера пластины и номенклатуры предлагаемых техпроцессов.

Samsung тоже не осталась в стороне от тенденции, и предложила клиентам в первом квартале текущего года не только сниженные на 5–15 % цены, но и возможность переговоров об их дальнейшем снижении. В прошлом году, по данным TrendForce, на долю Тайваня приходилось 46 % производственных мощностей по выпуску чипов, на втором месте расположился Китай с 26 %, Южная Корея заняла третье место с 12 %, США довольствовались 6 %, а Япония ограничилась 2 %. Все перечисленные страны полны решимости активно развивать полупроводниковое производство на своей территории. Эксперты считают, что к 2027 году расстановка сил на рынке изменится таким образом, что Тайвань сохранит за собой не более 41 % мощностей, а Южная Корея удержит только 10 %.

Больше недели назад аналитики Barclays уже выступали со своим прогнозом относительно темпов развития китайской полупроводниковой промышленности. Производители из КНР должны удвоить свои мощности за пять или семь лет. Эксперты TrendForce ожидают, что уже к концу этого года на территории Китая будут действовать 32 предприятия по выпуску чипов по зрелым техпроцессам и в ближайшие годы развитие отрасли будет очень бурным.

Источник изображения: SMIC

Сейчас на территории Поднебесной, как отмечает TrendForce, функционируют 44 предприятия по выпуску чипов, из них 25 обрабатывают кремниевые пластины типоразмера 300 мм, 15 специализируются на пластинах типоразмера 200 мм, а четыре оставшихся довольствуются типоразмером 150 мм. Ещё 23 завода в Китае в настоящее время строятся, из них 15 ориентируются на типоразмер 300 мм, а 8 специализируются на 200-мм пластинах.

Источник изображения: TrendForce

Компании SMIC, Nexchip, CXMT и Silan собираются построить до конца этого года 10 предприятий, девять из которых будут обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 300 мм, и только одно сосредоточится на 200-мм пластинах. Итого, к концу 2024 года в Китае будет функционировать 32 фабрики по крупносерийному производству чипов, которые будут специализироваться на зрелой литографии. Под последней в данном контексте принято понимать 28-нм и более грубые техпроцессы. По данным аналитиков TrendForce, китайские мощности по производству микросхем вырастут на 60 % за три года, а за 5 лет удвоятся.

По мнению представителей TrendForce, к 2027 году доля зрелых техпроцессов в мировой полупроводниковой промышленности (более 28 нм) достигнет 70 %, а на долю техпроцессов с нормами 16 нм и меньше будет приходиться около 30 % мировых производственных мощностей. Непосредственно доля Китая в сфере зрелой литографии к 2027 году вырастет с нынешних 29 до 33 %. При этом Тайвань свои позиции в этой сфере сократит с 49 до 42 %, США опустятся с 6 до 5 %, а Южная Корея будет довольствоваться стабильными 4 %.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), лидирующий мировой производитель полупроводников, объявил о начале строительства двух новых фабрик для разработки и изготовления чипов, основанных на передовом 2-нанометровом техпроцессе (N2). Дополнительно ведутся подготовительные работы для строительства третьей фабрики, которое предстоит начать после получения одобрения от правительства Тайваня.

Источник изображения: TSMC

Марк Лю (Mark Liu), председатель совета директоров TSMC, поделился планами компании во время разговора с аналитиками и инвесторами, выразив уверенность в начале массового производства чипов с использованием 2-нм техпроцесса уже в 2025 году. Он также упомянул о стремлении компании развернуть несколько производственных площадок в научных парках Хсинчу и Каосюн для удовлетворения растущего спроса.

Первая фабрика будет размещена вблизи Баошаня в Хсинчу, недалеко от исследовательского центра R1, который был специально создан для разработки 2-нм технологии. Ожидается, что фабрика приступит к массовому производству 2-нм полупроводников уже во второй половине 2025 года. Вторая фабрика, также предназначенная для производства 2-нм чипов, будет находиться в научном парке Каосюн, входящем в состав Южного научного парка Тайваня. Её запуск планируется на 2026 год.

Дополнительно, TSMC активно работает над получением разрешений от властей Тайваня на строительство ещё одной фабрики в научном парке Тайчжун. Если строительство этого объекта начнётся в 2025 году, он сможет начать свою работу уже в 2027 году. С вводом в строй всех трёх фабрик, способных выпускать чипы с использованием 2-нм техпроцесса, TSMC существенно укрепит свои позиции на мировом рынке полупроводников, предложив клиентам новые мощности для производства чипов нового поколения.

В планах компании на ближайшее будущее — начало массового производства с применением 2-нм техпроцесса, включающего использование транзисторов с нанолистами и круговыми затворами (GAA) во второй половине 2025 года. К 2026 году предполагается внедрение усовершенствованной версии этого техпроцесса, который, как ожидается, будет предусматривать подачу питания с обратной стороны кристалла, расширяя таким образом возможности массового производства.

Компания TSMC вместе с учёными Тайваньского НИИ промышленных технологий (ITRI) представила совместно разработанную память SOT-MRAM. Новое запоминающее устройство предназначено для вычислений в памяти и для применения в качестве кеша верхних уровней. Новая память быстрее DRAM и сохраняет данные даже после отключения питания, и она призвана заменить память STT-MRAM, потребляя при работе в 100 раз меньше энергии.

Экспериментальная пластина с чипами SOT-MRAM. Источник изображения: TSMC / ITRI

На роль кеш-памяти верхних уровней (от L3 и выше) и для вычислений в памяти, среди прочих перспективных вариантов энергонезависимой памяти, долгое время претендовала магниторезистивная память с записью с помощью переноса спинового момента (STT-MRAM). Этот вариант памяти передавал намагниченность запоминающей ячейке через туннельный переход с помощью спин-поляризованного тока. За счёт этого потребление энергии STT-MRAM оказалось кратно меньше потребления обычной памяти MRAM, в которой запись осуществлялась наведённым электромагнитным полем.

Память SOT-MRAM идёт ещё дальше. Запись (намагниченность) ячейки — слоя ферромагнетика — происходит с помощью спин-орбитального вращательного момента. Эффект проявляется в проводнике в основании ячейки в процессе комбинации двух явлений: спинового эффекта Холла и эффекта Рашбы—Эдельштейна. В результате на соседний с проводником ферромагнетик воздействует индуцированное магнитное поле со стороны спинового тока в проводнике. Это приводит к тому, что для работы SOT-MRAM требуется меньше энергии, хотя настоящие прорывы ещё впереди.

Маршруты токов записи и чтения для двух типов ячеек MRAM. Источник изображения: National University of Singapore

Другие преимущества памяти SOT-MRAM заключаются в раздельных схемах записи и чтения, что положительно сказывается на производительности, а также увеличенная устойчивость к износу.

«Эта элементарная ячейка обеспечивает одновременное низкое энергопотребление и высокоскоростную работу, достигая скорости до 10 нс, — сказал доктор Ши-Чи Чанг, генеральный директор исследовательских лабораторий электронных и оптоэлектронных систем ITRI. — Её общая вычислительная производительность может быть дополнительно повышена при реализации схемотехники вычислений в памяти. Заглядывая в будущее, можно сказать, что эта технология обладает потенциалом для применения в высокопроизводительных вычислениях (HPC), искусственном интеллекте (AI), автомобильных чипах и многом другом».

Память SOT-MRAM с задержками на уровне 10 нс оказывается ближе к SRAM (задержки до 2 нс), чем обычная память DRAM с задержками до 100 нс и выше. И конечно, она существенно быстрее популярной сегодня 3D NAND TLC с задержками от 50 до 100 мкс. Но в процессорах и контроллерах память SOT-MRAM появится не завтра и не послезавтра, как не стала востребованной та же память STT-MRAM, которая разрабатывается свыше 20 лет. Всё это будущее и не очень близкое, хотя, в целом, необходимое для эффективных вычислений в памяти и устройств с автономным питанием.

Компания STMicroelectronics выпустила самые большие в мире датчики изображений с разрешением примерно 18К × 18К пикселей. На одной 300-мм кремниевой пластине можно изготовить всего четыре таких сенсора. Это не процессор Cerebras размером с целую пластину, но всё равно — это кремниевый чип, который не может не впечатлить.

Источник изображений: STMicroelectronics

Датчик разработан и производится для уникальной цифровой камеры Big Sky. Камера, в свою очередь, разрабатывалась для съёмок видеоматериалов для самого большого в мире сферического кинотеатра MSG Sphere в Лас-Вегасе. Благодаря огромному и производительному датчику камера снимает видео на 316-Мп сенсор со скоростью 120 кадров в секунду с производительностью 60 Гбайт/с.

Чтобы успевать записывать материал камера подключается к специальному накопителю по нескольким оптическим интерфейсам. С питанием инженерам тоже пришлось повозиться, ведь только один датчик потребляет 23 Вт.

Спецификации датчика изображений

Внешние размеры датчика для камеры Big Sky составляют 8,31 × 9,92 см. Выше на снимке можно увидеть его сравнение с современным датчиком для цифровой камеры. Подобное решение нельзя назвать массовым, но мелкосерийное производство датчиков и камер наверняка будет продолжено.

В разработку и подготовку к производству датчиков было вложено немало средств, и они должны окупиться. Вместе с тем возникают опасения, что отснятый в высочайшем разрешении материал потребует ещё больше цифровых хранилищ, а ведь их можно использовать для чего-то более ценного, чем рядовые, в общем-то, шоу.

Сферический кинотеатр MSG Sphere в Лас-Вегасе. Источник изображения: Sphere Entertainment

Ещё в конце июня 2022 года Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска продукции по 3-нм технологии, но позже выяснилось, что первыми клиентами корейского контрактного производителя в данном случае оказались китайские разработчики чипов для майнинга, обладающих достаточно простой структурой. Сейчас Samsung начинает выпускать чипы по 3-нм технологии второго поколения и делает на неё большие ставки.

Источник изображения: Samsung Electronics

Во всяком случае, южнокорейское издание The Chosun Daily со ссылкой на осведомлённые источники сообщило, что Samsung Electronics уже приступила к производству продукции по второму поколению 3-нм техпроцесса. Как и в рамках первого поколения, используется структура транзисторов с окружающим затвором (GAA), что делает соответствующий техпроцесс достаточно сложным в освоении. Сейчас Samsung выпускает прототипы чипов по второму поколению 3-нм технологии для внутреннего тестирования, и в ближайшие шесть месяцев рассчитывает довести уровень выхода годных чипов более чем до 60 %.

Первыми серийные 3-нм чипы второго поколения в исполнении Samsung примерят носимые умные устройства, а именно — часы Galaxy Watch 7, дебют которых должен состояться в текущем году. Уже в следующем году выйдет семейство смартфонов Galaxy S25, которое тоже будет оснащаться собственными процессорами Samsung семейства Exynos 2500, изготавливаемыми по 3-нм технологии второго поколения.

Если 3-нм продукция второго поколения Samsung окажется достаточно удачной, то компания рассчитывает привлечь заказы компании Qualcomm, с которой у неё сложились не самые простые отношения в рамках 4-нм технологии. Сейчас Qualcomm размещает заказы на производство своих мобильных процессоров у TSMC, но Samsung рассчитывает получить от неё новые заказы уже в рамках второго поколения 3-нм технологии. В третьем квартале прошлого года TSMC контролировала 57,9 % мирового рынка услуг по контрактному производству чипов, а Samsung Electronics довольствовалась только 12,4 %. В интересах Samsung привлекать новых клиентов на этом направлении бизнеса.

В июле прошлого года руководство TSMC пообещало нарастить мощности по упаковке чипов методом CoWoS в два раза к концу текущего года, тем самым рассчитывая победить дефицит подобных услуг, порождённый ростом спроса на ускорители для систем искусственного интеллекта. Теперь TSMC признаётся, что наращивать мощности придётся и в следующем году, но при этом компания готовит новое поколение упаковки CoWoS.

Источник изображения: NVIDIA

Напомним, именно упаковку CoWoS используют ускорители вычислений NVIDIA, используемые в составе многих систем искусственного интеллекта. По сути, дефицит таких ускорителей во многом порождён ограниченностью возможностей TSMC по упаковке и тестированию чипов с использованием данной технологии. Компания делает всё возможное для устранения дефицита, хотя с точки зрения величины капитальных затрат на текущий год изменения в этой не прослеживаются. На этой неделе стало известно, что в этом году TSMC потратит от $28 до $32 млрд на расширение производственных мощностей и освоение новых технологий, причём на упаковку будет потрачено в лучшем случае не более 10 % этой суммы. Данные затраты примерно сопоставимы с прошлогодними, из чего можно сделать вывод, что экспансия профильных мощностей будет происходить линейно, без резких скачков в производительности.

Генеральный директор TSMC Си-Си Вэй (C.C. Wei) на квартальной отчётной конференции признал, что спрос на услуги в сфере упаковки чипов очень высок. Ситуация по-прежнему такова, что TSMC не в силах удовлетворить спрос со стороны клиентов. «Это состояние, возможно, продлится вплоть до следующего года. Впрочем, мы очень активно работаем над тем, чтобы увеличить мощности. В этом году, например, мы их удваиваем, но этого всё равно недостаточно, поэтому мы продолжим их увеличивать и в следующем году», — заявил глава TSMC, добавив, что компания вкладывает средства в сопутствующие технологии на протяжении более 10 лет. По его оценкам, в ближайшие пять лет сегмент CoWoS будет расти более чем на 50 % ежегодно в среднем. TSMC вполне по силам покрыть весь спрос со стороны клиентов.

Глава компании отказался отвечать на вопрос о темпах роста упаковочных мощностей TSMC в следующем году. Говоря о крупном клиенте, в котором угадывается NVIDIA, руководитель TSMC заявил об усердной работе над обеспечением его потребностей адекватными производственными мощностями, но до 100-процентного решения проблемы пока далеко. Для этого клиента TSMC уже разрабатывает новое поколение упаковки CoWoS, и её характеристиками уже впечатлён не только данный клиент, но и все прочие, поэтому компания не сомневается в необходимости дальнейшего увеличения профильных мощностей.

Обсуждение планов TSMC по строительству предприятий за пределами Тайваня вчера преимущественно свелось к новостям о задержке со строительством второй фабрики в Аризоне, но в действительности руководство компании на отчётном мероприятии подробно говорило и о проектах в других странах. В частности, в Японии может появиться второе предприятие TSMC, которое освоит выпуск 7-нм чипов.

Источник изображения: TSMC

Представители компании на отчётной конференции сочли нужным напомнить, что первое производство TSMC в Японии, которое будет эксплуатироваться совместно с партнёрами в лице Sony и Denso, уже построено и готово начать серийный выпуск продукции в четвёртом квартале текущего года. На 24 февраля намечена торжественная церемония его открытия. Руководство TSMC пояснило, что на этом предприятии будет выпускаться продукция по 12-нм, 16-нм, 22-нм и 28-нм технологиям.

Председатель совета директоров TSMC Марк Лю (Mark Liu) отметил, что сейчас серьёзным образом рассматривается возможность строительства в Японии второго предприятия. По крайней мере, активные переговоры с японскими властями уже ведутся, и местное правительство демонстрирует высокую готовность к сотрудничеству. Какой на новом предприятии будет использоваться техпроцесс, пока не решено окончательно, но выбирать предстоит из сочетания 7-нм, 12-нм и 16-нм. Попутно представитель TSMC заявил, что тайваньская фабрика компании в Гаосюне, которое первым освоило выпуск продукции по 28-нм и 7-нм технологиям, сейчас модернизируется для выпуска 2-нм изделий.

Относительно первого завода TSMC в Аризоне было сказано, что выпуск продукции по технологии N4 на нём планируется начать в первой половине 2025 года. Представители компании уверены, что эта площадка сможет обеспечить такой же уровень качества продукции, как и предприятия на Тайване.

В Европе TSMC намеревается при поддержке местных промышленных партнёров построить предприятие по контрактному производству чипов с использованием зрелых техпроцессов. Власти Германии, по словам представителей TSMC, по-прежнему демонстрируют готовность оказать всемерную поддержку данному проекту на всех уровнях, с этой точки зрения ничего не изменилось. Строительство немецкого завода TSMC планируется начать в четвёртом квартале текущего года.

Безусловно, при этом TSMC продолжает активно инвестировать в развитие своих производственных мощностей на Тайване. В соответствии с ростом спроса расширяется выпуск 3-нм продукции. Следующим этапом в 2025 году станет выпуск изделий по техпроцессу N2. В технопарках Синьчжу и Гаосюна планируется ввести в строй несколько предприятий или корпусов, специализирующихся на выпуске 2-нм продукции.

Дополнительно финансовый директор TSMC Уэнделл Хуанг (Wendell Huang) пояснил, что из запланированных на 2024 год капитальных вложений в размере от $28 до $32 млрд на освоение передовой литографии планируется потратить от 70 до 80 % указанной суммы, на долю зрелых техпроцессов останется от 10 до 20 %, а производство масок, упаковка и тестирование чипов сообща будут довольствоваться 10 % данной суммы. В текущем году амортизационные расходы компании вырастут на 30 %, поскольку переход на 3-нм технологию потребует быстрее обновлять эксплуатируемое оборудование.

Амбиции Intel по превращению в лидера отрасли производства полупроводников к 2025 году с некоторой неохотой оспариваются вербально представителями действующего лидера в лице тайваньской TSMC. Руководство этой компании сочло нужным напомнить, что к моменту освоения технологии Intel 18A в 2025 году TSMC будет более двух лет выпускать в большом ассортименте продукцию по технологии N3P, которая предлагает сопоставимые возможности.

Источник изображения: Intel

Фактически, подобное сопоставление двух техпроцессов генеральный директор TSMC и будущий председатель совета директоров Си-Си Вэй (C.C. Wei) делал ещё в октябре, поэтому на минувшей отчётной конференции на этой неделе он лишь подтвердил справедливость сказанного ранее, когда аналитики попросили дать актуальную оценку ситуации. Напомним, что в октябре глава TSMC признал собственную технологию N3P сопоставимой с Intel 18A по достигаемым параметрам производительности, энергопотребления и плотности размещения транзисторов. Сейчас эта оценка не изменилась, хотя у TSMC и появились некоторые новые данные в этой сфере.

Глава компании также отметил, что зрелость технологии является большим преимуществом с точки зрения охвата рынка. В частности, если Intel к 2025 году только начнёт выпускать в массовых количествах свои чипы, изготавливаемые по технологии Intel 18A ангстремного класса, то TSMC к тому моменту уже более двух лет будет производить по технологии N3P изделия для широкого круга клиентов и в широчайшей номенклатуре — от чипов серверного назначения до компонентов смартфонов.

Действующий председатель совета директоров Марк Лю (Mark Liu) добавил, что вертикально интегрированный производитель, коим исторический считалась Intel, ориентируется на оптимизацию новых техпроцессов под собственные изделия. «Мы, как контрактный производитель, оптимизируем технологию для продуктов наших клиентов. В этом заключается существенная разница», — пояснил он. Генеральный директор TSMC заявил: «Мы собираемся сохранить за собой лидерство в сфере технологий, и у нас будет шире круг клиентов — нашими услугами будут пользоваться буквально все». Не является исключением и сама Intel, поэтому руководство TSMC предпочло не особо вдаваться в обсуждение конкуренции с ней.

Вчера на квартальной конференции глава TSMC заявил, что выручка компании в текущем году может вырасти на величину от 21 до 26 %, и этот оптимизм передался инвесторам. По итогам вчерашней торговой сессии совокупная капитализация компаний полупроводникового сектора увеличилась на $165 млрд, а ценные бумаги AMD вообще обновили рекорд на отметке $162,67 за акцию.

Источник изображения: AMD

Для курса акций AMD это самое высокое значение за всё историю, а всего с начала текущего года они укрепились на 10,36 % после того, как выросли в цене на 127,6 % по итогам предыдущего года. Безусловно, лидером рынка компонентов для систем искусственного интеллекта продолжает оставаться NVIDIA, чьи акции в прошлом году подорожали на 238,8 %, но конкурирующая AMD, по мнению инвесторов, в этом смысле таит более заметный потенциал для дальнейшего роста.

Руководство TSMC вчера заявило, что в ближайшие пять лет компоненты для систем ИИ будут формировать до 15–20 % выручки компании, а в целом темпы роста выручки в сегменте искусственного интеллекта составят до 50 % в год. Аналитики Morgan Stanley отчасти разделяют этот оптимизм, утверждая, что к 2027 году выпуск компонентов для систем ИИ будет формировать до 15 % выручки TSMC, а это подразумевает средние темпы её роста на 18 %. В целом, доля выручки компании от реализации высокопроизводительных компонентов вырастет до 50 % с нынешних 43 %. Некоторую проблему для TSMC может представлять лишь рост затрат на освоение передовой литографии, который снизит норму прибыли компании. Напомним, что в прошлом квартале техпроцессы «тоньше 7 нм» формировали солидные 67 % выручки TSMC, чего никогда не наблюдалось ранее.

В текущем квартале руководство компании рассчитывает как минимум на 8-процентный рост выручки до $18–18,8 млрд. Это выше ожиданий аналитиков, которые рассчитывают на $18,23 млрд выручки в среднем. Спад спроса на рынке смартфонов будет отчасти компенсирован высоким спросом на высокопроизводительные компоненты.

Акции и депозитарные расписки самой TSMC вчера тоже продемонстрировали рост — на 6 % в Тайбэе и почти на 10 % в США. Попутно выросли котировки акций поставщиков оборудования для производства чипов. Например, акции Tokyo Electron и Advantest выросли в цене более чем на 5 % на торгах в Токио, а ценные бумаги ASML прибавили сразу 4 % в Европе. По оценкам Bloomberg, компании полупроводникового сегмента в США, Европе и Азии прибавили к своей капитализации $165 млрд после публикации квартального отчёта TSMC и прогноза компании на текущий год. Американский индекс PHLX продемонстрировал максимальный дневной прирост с 11 декабря.

Компания TSMC сейчас создаёт два предприятия по контрактному производству чипов на территории штата Аризона. И теперь выяснилось, что не только первая, но и вторая фабрика чипов начнут массовый выпуск чипов значительно позже первоначально намеченных сроков.

Источник изображения: TSMC

Первая фабрика начнёт выпуск чипов по технологии N4 в следующем году — на год позже, чем планировалось изначально, но об этом было известно ещё с июля. А на сегодняшней квартальной отчётной конференции руководство компании TSMC было вынуждено заявить, что возводимое в Аризоне второе предприятие начнёт работу не ранее 2027 или 2028 года, как пишет Bloomberg. Первоначально планировалось, что оно освоит массовый выпуск 3-нм продукции в 2026 году. При этом первое предприятие TSMC в Аризоне начнёт выдавать продукцию с использованием технологии N4 в первой половине 2025 года, как подчеркнули представители компании. Церемония открытия совместного предприятия TSMC в Японии намечена на 24 февраля текущего года, а первую продукцию оно выдаст уже в четвёртом квартале. На нём будут выпускаться чипы по 12-нм, 16-нм, 22-нм и 28-нм техпроцессу.

«Наши решения за пределами Тайваня принимаются в зависимости от потребностей клиентов и наличия необходимой финансовой поддержки местных властей в виде субсидий», — пояснил на квартальной конференции председатель совета директоров Марк Лю (Mark Liu), который в этом году будет отправлен в отставку. Принято считать, что именно задержка с реализацией американского проекта TSMC стоила ему места председателя совета директоров компании.

Руководство TSMC также более не склонно настаивать на внедрении именно 3-нм технологии на втором предприятии в Аризоне. По словам представителей компании, степень продвинутости применяемого на нём техпроцесса будет зависеть от уровня финансовой поддержки со стороны властей США. По словам финансового директора TSMC Уэнделла Хуанга (Wendell Huang), задержка со строительством первого предприятия в Аризоне повлекла за собой и смещение сроков по второму предприятию.

Сейчас ведутся переговоры об условиях субсидирования проекта с американскими властями, одновременно идёт взаимодействие с представителями профессиональных объединений рабочих строительной отрасли США. Как отмечалось ранее, нехватка квалифицированной рабочей силы в этой сфере негативно сказалась на темпах строительства предприятий TSMC в Аризоне. Смещение сроков строительства предприятий компании в США может обернуться их отставанием от тайваньских площадок с точки зрения литографии, ведь к 2028 году они уже продвинутся за пределы 3-нм технологии.