Теги → флеш-накопитель
Быстрый переход

SSD-накопители ADATA Falcon обеспечивают скорость чтения до 3100 Мбайт/с

Компания ADATA Technology представила быстрые твердотельные накопители семейства Falcon, которые можно применять в настольных и портативных компьютерах, в том числе в системах игрового класса.

Изделия выполнены в формате M.2 2280: габариты составляют 22 × 80 мм. Применены микросхемы флеш-памяти 3D NAND. Для подключения служит интерфейс PCIe 3.0 x4, благодаря чему обеспечивается высокая пропускная способность.

В семейство ADATA Falcon вошли четыре модели — вместимостью 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 3100 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1500 Мбайт/с.

Накопители способны выполнять до 180 тыс. операций ввода/вывода в секунду (показатель IOPS) при произвольном чтении и записи данных блоками по 4 Кбайт.

Заявленный диапазон рабочих температур простирается от 0 до 70 градусов Цельсия. Средняя наработка на отказ (величина MTBF) — 1,8 млн часов. Изделия обеспечиваются пятилетней гарантией.

Накопители наделены охлаждающим радиатором из алюминиевого сплава. Поддерживается шифрование информации по алгоритму AES с ключом длиной 256 бит.

Сведений об ориентировочной цене пока нет. 

Новые SSD-накопители GIGABYTE UD Pro используют интерфейс SATA

Компания GIGABYTE анонсировала новые твердотельные (SSD) накопители семейства UD Pro, рассчитанные на применение в персональных компьютерах для массового рынка.

Дебютировали модели GP-UDPRO256G, GP-UDPRO512G и GP-UDPRO1T вместимостью соответственно 256 Гбайт, 512 Гбайт и 1 Тбайт. Решения выполнены с применением 96-слойных чипов флеш-памяти Kioxia 3D TLC NAND: данная технология предусматривает хранение трёх бит информации в одной ячейке.

Накопители имеют 2,5-дюймовый форм-фактор, а для подключения служит интерфейс SATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Скорость последовательного чтения информации у всех устройств достигает 550 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 530 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 97–98 тыс. и 89 тыс. при произвольном чтении и записи соответственно.

Поддерживаются средства мониторинга S.M.A.R.T. и команды TRIM (служат для увеличения срока службы и оптимизации производительности). На накопители предоставляется пятилетняя гарантия.

Информации об ориентировочной цене новых SSD семейства GIGABYTE UD Pro на данный момент, к сожалению, нет. 

Team Group выпустила флеш-накопитель T-Force Spark RGB

Компания Team Group сообщила о начале продаж новых устройств хранения данных на основе флеш-памяти — изделий T-Force Spark RGB и Elite SDXC.

T-Force Spark RGB — это флеш-брелок, оборудованный выдвижным коннектором USB. Благодаря такой конструкции устройству не требуется защитный колпачок.

Накопитель наделён многоцветной подсветкой. В среде Windows синий, жёлтый, и красный сигналы отображают уровень оставшегося свободного места при чтении и записи данных.

Вместимость составляет 128 Гбайт. Накопитель выполнен в корпусе чёрного цвета. Цена — 25 долларов США.

Карты памяти Elite SDXC, в свою очередь, предлагаются в версиях ёмкостью 64, 128 и 256 Гбайт. Эти изделия стоят соответственно 15, 23 и 41 доллар США.

Карты памяти Elite SDXC способны работать в широком диапазоне температур и имеют защиту от влаги, сотрясений, статического электричества и рентгеновских лучей.

Поддержка спецификации UHS-I Class 30 (V30) обеспечивает скорость чтения/записи до 90/45 Мбайт/с. 

Новый игрок на рынке SSD и модулей памяти: BIWIN планирует выйти за пределы Китая

Компания BIWIN едва ли широко известна за пределами Китая, однако она производит твердотельные накопители и модули оперативной памяти для целого ряда крупных поставщиков оборудования вроде HP. В этом месяце китайская компания представила новое семейство продукции для розницы и заявила о планах войти на рынки Европы и Северной Америки под собственной торговой маркой.

BIWIN: Быстрый взгляд

BIWIN: Быстрый взгляд

BIWIN была основана в 1995 году в Шэньчжэне и в настоящее время является одним из крупных производителей решений на базе энергонезависимой флеш-памяти NAND, а также динамической памяти с произвольным доступом DRAM. Компания владеет собственными производственными мощностями, которые включают в себя линии по сортировке и тестированию микросхем памяти, упаковке их в обычные или system-in-package (SiP) корпуса, а также линии поверхностного монтажа. Кроме того, BIWIN располагает отделом, занимающимся научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими работами в области аппаратного и программного обеспечения любой сложности.

Компания является одним из ведущих поставщиков SSD для центров обработки данных (ЦОД) в Китае. К примеру, в прошлом году BIWIN представила один из первых в мире SSD c интерфейсом PCIe 4.0 x4, поддержкой протокола NVMe 1.4 (отличающимся важными нововведениями для ЦОД) и ёмкостью до 32 Тбайт.

Твердотельный накопитель BIWIN PH001

Твердотельный накопитель BIWIN PH001

За пределами КНР компания BIWIN известна главным образом модулями памяти и твердотельными накопителями, продающимися под торговой маркой HP. Последняя лишь лицензирует китайским партнёрам свой бренд на определённых условиях, но разработка, производство и тестирование устройств осуществляется исключительно BIWIN. По мере расширения семейства продукции для розничного рынка, использование чужой торговой марки не всегда оптимально, потому компания планирует выход на рынки Европы и Северной Америки с собственным брендом. Насколько успешным будет такой старт в условиях замедления экономики, сказать трудно, но учитывая возможности BIWIN, компания вполне может составить конкуренцию производителям вроде ADATA, G.Skill, Kingston, Patriot Memory, Team Group и другим.

Продукция BIWIN

Продукция BIWIN

Надо сказать, что BIWIN пытается войти на рынки за пределы Китая не в первый раз. В декабре 2011 года компания создало дочернее предприятие Biwin America c целью продажи SSD для пользователей и встраиваемых решений для предприятий на территории США. Представив несколько продуктов и натолкнувшись на конкуренцию со стороны уже состоявшихся игроков, компания ушла с рынка в начале 2013 года. Мы не знаем, насколько успешным будет новая попытка, но увеличивающаяся конкуренция почти всегда идёт на пользу конечным потребителям, а потому начинание BIWIN можно лишь приветствовать.

BIWIN на FMS2019

BIWIN на FMS2019

Что касается новых продуктов, представленных на пресс-конференции в Китае, то семейство включает твердотельный накопитель Bang (M.2, PCIe, 3400 Мбайт/с), недорогой SSD Wookong (M.2, PCIe, 1900 Мбайт/с), портативный SSD Swift (1000 Mбайт/с), портативный SSD в металлическом корпусе Puffin (ёмкостью до 1 Тбайт), а также 2,5-дюймовый твердотельный накопитель Kunlun. Судя по названиям, некоторые из этих устройств предназначены исключительно для Китая, тогда как другие могут продаваться по всему миру.

Kioxia готовит флеш-накопители с интерфейсом UFS 3.1 объёмом до 1 Тбайт

Большой объём энергонезависимой памяти и быстрый интерфейс ― что ещё надо смартфонам или умной электронике автомобиля? Японская компания Kioxia Corporation свела вместе одно и другое и представила новое поколение ёмких и быстрых однокорпусных флеш-накопителей с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом до 1 Тбайт.

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Однокорпусные флеш-накопители Kioxia с интерфейсом UFS 3.1

Всего новая линейка однокорпусных флеш-накопителей компании Kioxia содержит чипы памяти ёмкостью 128, 256, 512 Гбайт и 1-Тбайт версию. Но пока компания распространяет среди клиентов только образцы 256-Гбайт чипов. Образцы остальной продукции компания начнёт распространять после марта. Важной особенностью новинок стала адаптация спецификаций UFS 3.1, чистовая редакция которых была утверждена всего месяц назад.

Интересно отметить, что хотя спецификации UFS 3.1 не повысили скорость обмена по шине данных по сравнению с предыдущей версией спецификаций UFS 3.0, чипы Kioxia в новом исполнении обеспечивают 30-процентный прирост в режиме последовательного чтения данных. В пресс-релизе нет точных цифр, но, исходя из доступных на сайте спецификаций, от флеш-памяти с шиной UFS 3.1 можно ожидать максимальную скорость чтения до теоретически допустимой стандартом или до 2,9 Гбайт/с для двух линий передачи данных.

Скорость записи, очевидно, будет меньше. Исходя из данных, обнародованных производственным партнёром Kioxia компанией Western Digital, для 256-Гбайт сборки скорость устоявшейся записи будет достигать 800 Мбайт/с.

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

Версия однокорпусных флеш-накопителей Western Digital с интерфейсом UFS 3.1

В целом же Kioxia предлагает рассматривать новые однокорпусные накопители в свете поддержки спецификаций UFS 3.1, что даёт рост скорости записи до трёх раз благодаря новому режиму WriteBooster (за счёт введения буфера из памяти NAND SLC), а также обещает лучшую энергоэффективность благодаря новому и более глубокому режиму сна UFS-DeepSleep Power Mode вместо ранее используемого режима UFS-Sleep Power Mode.

Наконец, флеш-память с поддержкой новых спецификаций UFS 3.1 обеспечивает опциональный режим кеширования карты логических и физических адресов накопителя в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). Это позволит ускорить работу с накопителем при чтении случайных блоков из памяти. Также новые спецификации позволяют контроллеру памяти сообщать хосту о снижении производительности при перегреве.

Накопители становятся умнее, быстрее и более ёмкими. В смартфонах, судя по всему, эти новинки окажутся во второй половине текущего года.

Team Group превратила флеш-брелок в чертёжный инструмент

Компания Team Group анонсировала весьма необычную новинку — флеш-брелок T193 Stationery, который, помимо хранения данных, может выполнять ряд дополнительных функций.

По сути, T193 Stationery — это карманный чертёжный инструмент. Устройство имеет раскладную конструкцию: в раскрытом состоянии корпус накопителя превращается в линейку длиной 12 см.

Применять новинку можно в качестве транспортира для измерения углов и в качестве циркуля. В области крепления двух половинок корпуса располагается увеличительное стекло.

Наконец, устройство может выполнять функции магнита для притягивания, скажем, канцелярских скрепок. Размеры брелока в сложенном состоянии составляют 72 × 24 × 4,6 мм; весит изделие всего 19 г.

Что касается характеристик собственно накопителя, то он имеет вместимость 32, 64 и 128 Гбайт. Для подключения к компьютеру служит интерфейс USB 3.0. Скорость чтения информации достигает 90 Мбайт/с, скорость записи — 35 Мбайт/с.

Накопитель не боится влаги и пыли. Производитель предоставляет на T193 Stationery пожизненную гарантию. Цена не уточняется. 

Western Digital iNAND MC EU521: модули памяти UFS 3.1 для 5G-смартфонов

Компания Western Digital анонсировала модули флеш-памяти iNAND MC EU521, рассчитанные на использование в смартфонах топового уровня с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G).

Представленные изделия соответствуют стандарту UFS 3.1 (Universal Flash Storage), который обеспечивает высокую производительность и небольшое энергопотребление.

В основу модулей iNAND MC EU521 положены 96-слойные микрочипы 3D NAND. Заявленная скорость записи информации достигает 800 Мбайт/с.

В настоящее время в семейство входят модули вместимостью 128 Гбайт и 256 Гбайт. В дальнейшем, по всей видимости, будут представлены изделия ёмкостью 512 Гбайт.

Размеры составляют 11,5 × 13 × 1,0 мм. Заявленный диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Помимо 5G-смартфонов, называются и другие сферы применения модулей iNAND MC EU521: это устройства виртуальной и дополненной реальности, планшеты, хромбуки, камеры высокого разрешения и пр. 

Быстрее и холоднее: стандарт Universal Flash Storage обновили до версии UFS 3.1

Совершенствуются не только производство и микросхемы флеш-памяти. Интерфейсы также претерпевают изменения. Около 10 лет назад на смену параллельному интерфейсу eMMC вышел последовательный интерфейс UFS. Последняя версия UFS 3.0 одобрена два года назад. Сегодня она получила важные расширения.

Комитет JEDEC сообщил, что выпущен новый стандарт для интерфейса UFS и дополнение к нему. В частности, версия стандарта подросла до индекса 3.1. Версия 3.0 была принята 31 января 2018 года. За прошедшие с тех пор два года рабочая группа комитета разработала, согласовала и выпустила чистовую редакцию в виде основного стандарта JESD220E и дополнительного JESD220-3.

Интерфейс UFS или Universal Flash Storage проник в флагманские смартфоны и в смартфоны среднего класса. Микросхемы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0 компании начали выпускать и использовать в течение 2019 года. Шина UFS показывает себя с лучшей стороны в мобильных устройствах за счёт высокой производительности со скоростью передачи данных до 2,9 Гбайт/с всего по двум линиям. Эффективность и простота обеспечили памяти с шиной UFS путь в автомобильную электронику, которая начала стремительно нуждаться в ёмкой памяти.

Новая версия UFS 3.1 не принесла роста скорости обмена. Вместо этого она добавила три новых важных функции. Во-первых, предложена архитектура с энергонезависимым кеш-буфером из памяти NAND SLC (Write Booster). Несомненно, что это приведёт к росту скорости записи. Тем самым однокорпусные накопители с шиной UFS стали полностью похожи на SSD. На монтажной плате смартфонов теперь будет располагаться полноценный флеш-диск.

Во-вторых, устройства с UFS получат новое состояние DeepSleep для наименее дорогих платформ. Иначе говоря, для простых схематических решений, когда накопитель UFS использует регулятор напряжения совместно с другими элементами платформы, теперь будет доступен режим перехода в сон. Третьей новой функцией стала возможность UFS-накопителя информировать хост о снижении производительности при перегреве. Очевидно, что это будет нужно для автомобильной электроники, от работы которой зависит безопасность, поэтому она должна быть безукоризненной.

Что касается дополнительного стандарта JESD220-3, то он предоставляет опциональную возможность кешировать карту логических и физических адресов устройства UFS в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). В случае значительных объёмов системной памяти эта опция позволит ускорить работу с массивом памяти с интерфейсом UFS. Можно ожидать, что карты памяти и массивы памяти с поддержкой спецификаций UFS 3.1 появятся в текущем году ближе к его концу.

Проникновение твердотельных накопителей в 2019 году превысит 60 %

Спрос на твердотельные накопители (SSD) продолжает расти. По итогам текущего года проникновение этих устройств хранения данных на компьютерном рынке, как ожидается, превысит 60 %.

Toshiba

Toshiba

Как сообщает DigiTimes, ссылаясь на отраслевые источники, некоторые поставщики SSD отмечают увеличение заказов со стороны поставщиков компьютеров. Этому способствует снижение цен на флеш-память NAND.

Отмечается, что сборщикам систем накопители PCIe SSD вместимостью 512 Гбайт сейчас обходятся в $47. Устройства SATA SSD такого же объёма отгружаются по цене в $45.

Рядовые потребители в Китае могут приобрести накопитель NVMe M.2 SSD ёмкостью 512 Гбайт за $58. Стоимость устройств вместимостью 1 Тбайт снизилась до уровня в $120.

Samsung

Samsung

Таким образом, решения SSD продолжают теснить традиционные жёсткие диски. Если уровень проникновения SSD по итогам 2019-го превысит упомянутые выше 60 %, то более половины новых компьютеров будут поставлены на рынок именно с твердотельным накопителем.

Можно предположить, что в дальнейшем стоимость SSD продолжит снижаться. А это будет способствовать ещё большему укреплению позиций твердотельных решений на компьютерном рынке. 

Китайский бренд Longsys нацелен на выпуск «стопроцентно китайских» флеш-накопителей

На днях крупнейший китайский OEM- и ODM-производитель разнообразных флеш-накопителей компания Longsys торжественно отметил 20-летний юбилей. В ходе праздничных мероприятий было озвучено много интересного. В частности, среди многих партнёров по поставкам флеш-чипов и контроллеров была названа компания Yangtze Memory Technologies (YMTC). Напомним, это первый в Китае производитель многослойной флеш-памяти 3D NAND. В настоящий момент YMTC поставляет ограниченные партии 32-слойной 3D NAND и готовится к производству в конце года 64-слойных чипов. Используя микросхемы YMTC компания Longsys планирует вскоре начать выпуск «100% китайских» флеш-накопителей.

В качестве контроллеров SSD и карт памяти Longsys также использует разработки китайских компаний. Это контроллеры таких разработчиков, как Yeetor Microelectronics и Maxio Technology. Упаковкой чипов будут заниматься компании Payton technology и Zhen Kun Technology. Вместе с местными партнёрами Longsys намерена взрастить в Китае отрасль по выпуску микросхем памяти, контроллеров и продуктов на их основе. При этом не следует полагать, что компания не думает о поставках этой продукции за рубеж. Ещё в 2017 году Longsys приобрела у Micron бизнес по выпуску флеш-накопителей и известный на западе бренд Lexar. В США, Европе и в других регионах мира эта полностью китайская продукция может появиться под привычным там брендом и не будет вызывать отторжения.

Возвращаясь к памяти YMTC, уточним, что в ноябре 2018 года Longsys заключила стратегическое партнёрское соглашение с «мамой» YMTC компанией Tsinghua Unigroup. Последняя через свои дочерние структуры планирует поставлять Longsys как память производства YMTC, так и память производства Intel с завода в городе Далянь. Интересно, будет ли как-то отмечено на флеш-накопителях Longsys использование памяти YMTC и Intel?

Team Group MP34: быстрые твердотельные накопители в формате M.2

Компания Team Group анонсировала высокопроизводительные твердотельные накопители серии MP34, подходящие для использования в настольных и портативных компьютерах.

Решения выполнены в формате M.2 2280: это означает, что габариты составляют 22 × 80 мм. Толщина устройств — всего 3,8 мм.

Накопители соответствуют стандарту NVMe 1.3. Данная спецификация описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express (в данном случае PCIe 3.0 x4), что обеспечивает высокую производительность.

В серию Team Group MP34 вошли три модели — вместимостью 256 Гбайт и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт. Гарантирована совместимость с компьютерами под управлением операционных систем Microsoft Windows и Linux с ядром 2.6.33 и выше.

Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 3000 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 2600 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 190 тыс. при произвольном чтении данных и до 160 тыс. при произвольной записи.

Средняя заявленная наработка на отказ (величина MTBF) — 1,8 млн часов. На накопители предоставляется гарантия сроком три года. О цене пока ничего не сообщается. 

ADATA SD600Q: внешний твердотельный накопитель с оригинальным дизайном

Компания ADATA Technology анонсировала портативные твердотельные накопители семейства SD600Q, продажи которых начнутся в ближайшее время.

Устройства получили оригинальный дизайн. Покупатели смогут выбирать между тремя вариантами цветового исполнения — синим, красным и чёрным.

Накопители выполнены в соответствии с американским военным стандартом MIL-STD-810G 516.6. Это означает повышенную устойчивость к внешним воздействиям. К примеру, устройства способны выдерживать падения с высоты до 1,22 метра.

В новинках применяются микрочипы флеш-памяти 3D NAND Flash. Вместимость составляет 240 Гбайт, 480 Гбайт и 960 Гбайт.

Для подключения к компьютеру или мобильному гаджету служит порт USB 3.1. Говорится о совместимости с операционными системами Microsoft Windows, Apple macOS, Linux и Android.

Габариты составляют 80 × 80 × 15,2 мм, вес — приблизительно 60 граммов. На накопители предоставляется трёхлетняя гарантия.

Информации об ориентировочной цене новинок на данный момент нет. Более подробную информацию о накопителях можно найти здесь

Toshiba начинает поставки новых флеш-модулей eMMC 5.1 для потребительской электроники

Корпорация Toshiba объявила о начале пробных отгрузок встраиваемых флеш-модулей eMMC 5.1, которые рассчитаны на использование в различных потребительских устройствах.

Reuters

Reuters

Изделия выполнены с применением флеш-памяти BiCS Flash 3D, которая объединена в одном корпусе с контроллером. Использована упаковка 153Ball FBGA.

В семействе представлены решения в четырёх вариантах вместимости — 16 Гбайт, 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт. Габариты первых трёх модулей составляют 11,5 × 13,0 × 0,8 мм, четвёртого — 11,5 × 13,0 × 1,0 мм.

Напряжение питания варьируется от 2,7 В до 3,6 В. Модули рассчитаны на работу при температурах от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Изделия могут применяться в смартфонах и планшетах, недорогих портативных компьютерах и других потребительских электронных устройствах.

Пробные поставки новых флеш-модулей eMMC 5.1 начнутся в марте. Массовое производство запланировано на третий квартал текущего года. 

Samsung наделит смартфоны флеш-накопителями eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 вместимостью 512 Гбайт.

Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. Модули eUFS 3.0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.1.

Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. Для сравнения: у eUFS 2.1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное.

Скорость записи у модуля eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND. Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер.

Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.0 вместимостью 1 Тбайт. 

Для смартфонов и VR Toshiba представила первую в мире флеш-память с шиной UFS 3.0

Компания Toshiba Memory представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. Чистовая версия спецификаций UFS 3.0 была представлена комитетом JEDEC почти ровно год назад ― в конце января 2018 года. Тем самым до появления первых образцов коммерческих чипов памяти с новым интерфейсом пришлось ждать целый год. Увы, это реалии хорошей и удобной для мобильного применения последовательной шины Universal Flash Storage (UFS), которая в устройства пробивается с изрядными трудностями. Предпочтением для производителей по-прежнему остаются память и интерфейс eMMC, хотя UFS не уступает по скорости передачи данных и имеет массу других положительных характеристик: сниженное энергопотребление, улучшенную систему команд и другое.

С шиной UFS 3.0 компания Toshiba выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Образцы 128-Гбайт чипов доступны для рассылки немедленно, а остальные два будут доступны после марта. Все чипы набраны из кристаллов новейшей 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности. Высокая плотность и возросшая скорость передачи данных будут востребованы для работы с медийными файлами, тогда как размеры чипов памяти остаются достаточно маленькими, чтобы без проблем разместиться в компактных и тонких устройствах.

Размеры корпуса памяти Toshiba с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек и другое, что значительно упрощает жизнь разработчикам устройств (фактически чип с шиной UFS ― это готовый к немедленному использованию однокорпусной SSD).

Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %. Это хорошее предложение для проектировщиков смартфонов. Воспользуются ли?

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥