Как сообщалось, в третьем квартале текущего года компания SK Hynix приступила к производству 36-слойной флеш-пмаяти 3D NAND. С этим она на два года запоздала по отношению к компании Samsung. Между тем, компания SK Hynix просто пропустила этап производства 24-слойной памяти, образцы которой были готовы ещё в прошлом году. Вместо этого SK Hynix активизировала производство памяти типа HBM, чем несказанно обрадовала поклонников видеокарт компании AMD. Так что 36-слойная память 3D NAND в виде 128-Гбит микросхем с двухбитовой MLC ячейкой относится ко второму поколению «вертикальной» флеш-памяти SK Hynix.

На недавнем саммите Flash Memory Summit 2015 компания SK Hynix обнародовала планы по освоению производства 3D NAND. Сообщается, что образцы 256-Гбит микросхем с трёхбитовой TLC ячейкой будут доступны партнёрам в четвёртом квартале 2015 года. Формально это будет третье поколение памяти 3D NAND SK Hynix. Также компания готовит 128-Гбит TLC микросхемы 3D NAND.

Массовое производство 256-Гбит и 128-Гбит TLC 3D NAND стартует в первом квартале 2016 года. Ожидается, что увеличение плотности произойдёт также за счёт перехода с 36-слойной структуры на 48-слойную. В перспективе, кстати, SK Hynix рассчитывает увеличить число слоёв до 190. Это почти в два раза больше, чем рассчитывает освоить компания Samsung. Но это произойдёт ещё не скоро, как минимум — в 2019 году.

Отметим, 128-Гбит MLC и 256-Гбит TLC-микросхемы SK Hynix разработаны с прицелом на создание SSD потребительского класса. Память 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит для серверных SSD компания выпустит только во втором квартале 2016 года. В подтверждение планов работать на широкую аудиторию на саммите компания представила эталонные образцы накопителей на памяти 3D NAND второго поколения (128 Гбит MLC). Образцы включали SSD с интерфейсами SATA, eMMC 5.1 и UFS 2.0. Иначе говоря, память SK Hynix 3D NAND готова дать бой конкурентам на рынках ПК, смартфонов и планшетов. Особенно радует, что компания готова осваивать выпуск 512-Гбайт и 256-Гбайт накопителей, цены на которые всё ещё кусаются. Неужели получится?

Как мы сообщали, компании Intel и Micron торжественно объявили о создании революционной энергонезависимой памяти 3D XPoint. Новый тип памяти в 1000 раз быстрее и устойчивее к износу, чем память NAND флеш, и в 10 раз плотнее традиционной оперативной памяти DRAM-типа. Что самое поразительное, новая технология выскочила как чёртик из табакерки. Вчера её не было, а сегодня разработчики говорят о готовности поставлять образцы новинки и обещают старт массового производства до конца текущего года. Если честно, так не бывает. Разве что в мечтах.

В настоящий момент мы не можем сказать, как работает память 3D XPoint. Специалистам ещё предстоит разобраться в материалах и техпроцессах. В Intel и Micron пока не собираются объяснять нюансы работы данной технологии. Судя по всему, сейчас начнётся или уже начался поиск определённых патентов обеих компаний. Ведь нельзя исключать, что оба разработчика скрывают детали просто потому, что использованный в 3D XPoint подход и (или) материалы давно кем-то разработаны и запатентованы, только называются по-другому. Например, мемристор.

Дело в том, что строение памяти 3D XPoint — это классический вариант так называемой перекрёстной памяти (cross-point). Чаще всего подобную структуру связывают со строением резистивной памяти ReRAM. Компания HP для подобной памяти придумала имя «мемристор» и даже назвала его четвёртым электротехническим элементом. Что мешало компаниям Intel и Micron назвать ReRAM памятью 3D XPoint? Да ничего! Представитель Intel, кстати, подтвердил, что принцип записи данных в ячейку памяти 3D XPoint опирается на метод изменения сопротивления материала. Казалось бы, вот он ответ, но его снова нет.

В случае классического варианта памяти ReRAM в ячейке памяти при приложении напряжения возникают устойчивые нитевидные структуры из ионов действующего вещества — серебра, меди или другого материала с высокой проводимостью. За счёт «нитей» ток течёт от одного электрода к другому и в ячейке памяти возникает среда с определённым сопротивлением. По словам Intel и Micron, принцип работы памяти 3D XPoint не имеет ничего общего с нитевидной структурой работы ячейки ReRAM. Рабочий материал ячейки XPoint переключает состояние целиком и полностью (в описании использован термин «bulk»).

Монолитный характер переключения состояния ячейки XPoint может возникнуть в двух известных случаях. Во-первых, это может быть такая  разновидность памяти ReRAM, как CeRAM (Correlated electron RAM, память с коррелированным электроном). В рабочем слое CeRAM как раз происходят условно монолитные изменения без образования нитевидных токопроводящих структур. Во-вторых, общее изменения состояния ячейки может быть в случае памяти с изменением фазового состояния вещества (PRAM или PCM). Компания HP, кстати, недавно изменила планы, и первые прототипы системы Machine будет выпускать на памяти PRAM, а не на памяти ReRAM, как планировалось изначально. Совпадение? Не думаю. (с)

Компания Micron давно приобрела ключевые патенты на память PRAM, и если она действительно смогла создать достаточно малую ячейку памяти PRAM в составе перекрёстной архитектуры — это действительно революция. До сих пор площадь ячейки памяти с изменением фазового состояния вещества была очень большая, что ограничивала её применение. Впрочем, пока вопросов о памяти XPoint больше, чем ответов. Ждём подробностей.

Японский институт физико-химических исследований RIKEN экспериментально доказал возможность создания высокоплотной энергонезависимой памяти на основе органических материалов. «Органика» используется в электронных схемах далеко не впервые. Наверное, не ошибёмся, если скажем, что практически все слышали об AMOLED-дисплеях Samsung и просто о дисплеях OLED. Также транзисторы на основе органических материалов используются при выпуске передовых солнечных панелей.

Но известен ещё один эффект органических материалов — фотохромный, который пока не нашёл в электронике широкого применения (очки-хамелеоны не в счёт). Этот эффект заключается в том, что под воздействием ультрафиолетового излучения молекулы из определённых соединений из прозрачных становятся цветными: жёлтыми, синими, красными. Этот эффект носит обратимый характер — облучение видимым источником света возвращает молекулам прозрачность. Пока повторной засветки не произошло, изменение цвета молекул не происходит — они сохраняют своё состояние без обязательной поддержки питанием (без освещения). Чем не память?

Отметим, что эффект фотохромизма изучен достаточно давно. Главной задачей было разработать технологию, которая могла бы превратить «бульон» из химического состава разнородных веществ в упорядоченную структуру, аналогичную массиву SRAM или DRAM. При этом молекулы должны воспроизвести подобие массива памяти на чём-то пригодном к дальнейшему созданию электронной схемы. Например — на подложке из меди. В институте RIKEN на основе химических механизмов самосборки молекулярных структур из диарилэтиленовых производных создали подобную технологию и на практике доказали её работоспособность. Ниже на слайде справа можно увидеть модель упорядоченной молекулярной сборки из повторяющихся элементов, а слева — изображение реального образца, сделанное с помощью сканирующего туннельного микроскопа.

По словам разработчиков, молекулярная структура позволяет записать данные с плотностью свыше 1 Тбит/квадратный дюйм. Это выше, чем даёт возможность записи традиционными средствами. Правда, пока технология RIKEN выйдет из лаборатории, современные технологии могут далеко продвинуться вперёд и ещё не факт, какая из них окажется по-настоящему прорывной.

Компания Samsung объявила о начале массового производства первых на рынке серверных твердотельных накопителей, выполненных на основе флеш-памяти NAND по технологии 3-bit MLC (3 бита на ячейку).

Новые устройства хранения данных (PM853T SSD) предназначены прежде всего для серверов, выполняющих задачи, связанные с социальными сервисами, интернет-сёрфингом, электронной почтой и т. п.

Накопители PM853T SSD представлены моделями ёмкостью 240, 480 и 960 Гбайт. Они выполнены в формфакторе 2,5 дюйма; для подключения к компьютеру служит интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Samsung утверждает, что в накопителях используется флеш-память «10-нанометрового класса». Применение технологии 3-bit MLC позволяет повысить производственную эффективность на 30 % по сравнению с памятью, в каждой ячейке которой хранится 2 бита информации.

Заявленная скорость последовательного чтения достигает 530 Мбайт/с, скорость записи — 420 Мбайт/с. В режиме произвольного чтения блоков данных показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 90 000.

По прогнозам IHS iSuppli, объём глобального рынка твердотельных накопителей в нынешнем году увеличится по сравнению с 2013-м приблизительно на треть — с $9,4 до $12,4 млрд. В 2017-м, как ожидается, показатель достигнет $20 млрд. 

Корпорация Toshiba объявила о начале массового производства флеш-памяти BENAND (Built-in ECC NAND) ёмкостью 8 Гбайт, изготавливающейся по 24-нанометровой (2xnm) технологии.

Изделия используют одноуровневые ячейки (SLC) и имеют встроенный 8-разрядный механизм коррекции ошибок (ECC). Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND.

Toshiba подчёркивает, что традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в главные контроллеры, что делало переход на более новые и дешёвые модули NAND дорогостоящей и времяёмкой задачей, так как для обеспечения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять главный процессор.

Представленные изделия BENAND изменяют эту парадигму благодаря перемещению механизма коррекции ошибок непосредственно в микросхему памяти. Такой подход освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, и позволяет использовать устаревшие контроллеры с новейшей технологией NAND.

Модули BENAND объёмом 8 Гбайт доступны в корпусах TSOP и BGA. Чипы рассчитаны на широкий спектр устройств: это бытовая электроника, мультимедийные гаджеты, интеллектуальные измерительные приборы, промышленное оборудование и пр. 

Эксперты по вопросам безопасности обнаружили поддельный веб-сайт соцсети Facebook, который был создан исключительно для того, чтобы пользователи устанавливали ПО под названием «YouTube Player», якобы необходимое для воспроизведения видеофайлов.

Как утверждает Крис Бойд (Chris Boyd), сотрудник Malwarebytes, ложный флеш-плеер опубликован по адресу с доменом .pw. Правда, для того, чтобы сайт выглядел подлинным, злоумышленники создали несколько поддоменов.

При установке вредоносное ПО загружает несколько исполняемых файлов, один из которых пытается подключиться к P2Pool —генератору виртуальной валюты Bitcoin. Правда, в большинстве случаев попытки вируса практически безуспешны.

Бойд подчеркивает тот факт, что поддельные страницы флеш-плеера используются не впервые. Так, их активность уже фиксировали в сентябре 2012 года и июле 2013 года.

Специалисты из Malwarebytes настоятельно рекомендуют устанавливать программы только с доверенных веб-сайтов. Это касается также генераторов биткоинов. Кроме того, стоит обращать внимание на наличие домена .pw, поскольку именно его зачастую используют злоумышленники.

Более подробно с результатами исследования Криса Бойда из Malwarebytes можно ознакомиться здесь.

Глобальный рынок флеш-памяти демонстрирует явные признаки снижения темпов роста в течение третьего и четвёртого кварталов этого года, несмотря на то, что на конец года традиционно приходится повышенный спрос на электронные компоненты. Согласно отчёту аналитической компании IHS, рост поставок NAND-памяти в третьем квартале составил только 8 процентов, уменьшившись по сравнению с 9-процентной прибавкой, произошедшей во втором квартале этого года. В последнем же квартале 2013 года прогнозируется лишь 5-процентное увеличение отгрузок, хотя годом ранее рынок флеш-памяти вырос за аналогичный период на внушительные 16 процентов.

В целом, рынок флеш-памяти формируется под влиянием очень большого числа факторов, так как чипы NAND применяются в широком разнообразии различных устройств. Однако в то время как в одних областях спрос на флеш память растёт, во многих рыночных сегментах наблюдается застой. В результате, хотя о стагнации речь пока не идёт, текущая динамика спроса выглядит наихудшей за последние 18 месяцев.

Для объяснения текущей ситуации аналитики IHS приводят несколько иллюстраций. Например, в сфере коммуникаторов наибольший спрос сейчас приходится на недорогие модели, снабжённые ограниченным объёмом памяти. Продукты же верхней ценовой категории, в которых могут быть востребованы большие ёмкости, нередко вместо этого оборудуются слотом microSD. К тому же модельный ряд недавно выпущенных флагманских смартфонов Apple, Samsung и Sony пока не включает в себя варианты с большим, чем раньше, объёмом памяти. Примерно такие же процессы, как и с коммуникаторами, происходят и в сфере планшетных компьютеров: львиная доля потребителей переориентируются на обладающие невысокой ценой модели с 7-8 дюймовым экраном и небольшими объёмами памяти. Не лучшим образом на рынок NAND влияют и бурно развивающиеся облачные сервисы и функции для потокового вещания медиа-контента. Такие возможности, присутствующие во всех трёх основных мобильных операционных системах, Apple iOS, Google Android и Microsoft Windows, снижают ценность большого объёма памяти в клиентских устройствах, так как возлагают хранение информации на удалённые дата-центры.

Не воспринимается в качестве точки роста и рынок традиционных компьютерных систем. Продажи персональных компьютеров и основанных на флеш-памяти устройств хранения данных, а также продажи игровых консолей, поводов для оптимизма не дают уже очень давно.

Попутно аналитики отмечают, что на фоне постепенного снижения спроса на традиционные чипы NAND, индустрия может повернуться в сторону недорогих eMMC модулей памяти, которые представляют собой полностью интегрированные решения хранения данных для мобильных устройств. Применение eMMC вместо стандартных чипов UFS (Universal Flash Storage) позволяет снизить производственные расходы при изготовлении смартфонов и планшетных компьютеров, поэтому производители флэш-памяти уделяют большое внимание развитию этого направления.

Впрочем, несмотря на общее снижение темпов роста продаж флэш-памяти, цены на неё продолжают расти. Например, только в течение октября NAND-чипы подорожали в среднем на 8 процентов, что создаёт на рынке некоторую напряжённость. Косвенное влияние на ценообразование продолжает оказывать памятный пожар на одном из заводов SK Hynix. Хотя на пострадавшем предприятии производились лишь чипы DRAM, последовавшее снижение их поставок потребовало от Samsung и SK Hynix переориентации части собственных линий по выпуску NAND, что и вызвало нервозность у боящихся дефицита покупателей.

В преддверии Китайского нового года потребители не спешат бежать в магазины за покупкой электроники, что приводит к низкому спросу на чипы флеш-памяти и, соответственно, падению цен на NAND-микросхемы. Согласно данным аналитического агентства DRAMeXchange, в первой половине января контрактные цены незначительно упали.

 

 

В настоящее время производители имеют достаточные складские запасы флеш-чипов. После праздников спрос на память возобновится. Также отрасли поможет выпуск новых смартфонов, планшетов и ультрабуков в первом квартале текущего года. В начале месяца контрактная цена 16-Гбит MLC-чипов осталась на уровне $2,48, тогда как чипы ёмкостью 32 и 64 Гбайт упали в цене на 3% и 6% соответственно.

В ближайшее время ожидается оживление на рынке DRAM. Возможно, позитивные изменения затронут и отрасль флеш-микросхем.

Материалы по теме:

• Спрос на NAND-чипы резко вырастет в 2012 году;
• CES 2012: SanDisk анонсировала 19-нм чипы iNAND Ultra;
• Hynix анонсировала NAND-чипы поколения 1Xnm.

Источник:

• Digitimes

Компания RunCore расширила свой ассортимент накопителей новым семейством SSD-дисков для нетбуков ASUS Eee PC T91 - Pro IV Light. Новинки позволяют повысить производительность дисковой подсистемы портативного компьютера. SSD-накопители выполнены в виде платы расширения Mini PCI Express, спроектированы на базе микросхем MLC NAND и характеризуются скоростями чтения и записи 125 и 80 Мб/с соответственно (при произвольном чтении/записи 4-Кб порциями данных скорости падают до 18 и 5 Мб/с соответственно). В семействе Pro IV Light насчитывается три модели емкостью 16, 32 и 64 Гб с ценами $88, $118 и $198 соответственно. Производитель даёт на свои продукты двухлетнюю гарантию. Также покупателям предлагается кейс, позволяющий превратить SSD-диск в переносной USB-накопитель. Согласно внутренним тестам компании, стандартный 16-Гб SSD-диск показал следующий результат в бенчмарке CrystalDiskMark 2.2. При установке в Eee PC T91 накопителей RunCore Pro IV Light быстродействие выросло на несколько мегабайт в секунду. А вот с использованием переходника PCIe-to-USB добиться выдающейся производительности не удалось. Материалы по теме: - Micron RealSSD C300: самые быстрые потребительские SSD;
- My DigiBank 1.5G производства Leadtek;
- Внешний накопитель ZIV PRO.

• RunCore

День Святого Валентина ещё очень нескоро, но у нас уже есть подарок для всех влюблённых парочек — шикарная флеш-игра Colour My World. Это абсолютно великолепный платформер с романтическим оттенком, пробежать который можно за 5 минут. Игра очень простая. Вы управляете маленьким человечком, который преодолевает многочисленные препятствия, чтобы добраться до любимой. Очень романтичное и красивое приключение с примитивным оформлением в стиле рисунков на листке школьной тетрадки. По атмосфере очень напоминает Machinarium. Разработкой проекта занимался некто Silver Stitch, а музыку написал композитор, скрывающийся под псевдонимом Coin. Надеемся, что позднее это произведение превратится в более крупную игру.

• Флэш-игра Colour My World.

Компания OCZ объявила о выпуске SSD-накопителей Z-Drive с интерфейсом PCIe, которые впервые были представлены на выставке CeBIT. До сих пор продукт оставался только предметом размещения заказов в магазинах. OCZ подготовила две модели высокоскоростной альтернативы жёстким дискам и обычным флэш-накопителям: е84 и р84. Первая основана на технологии одноуровневых ячеек памяти (SLC), вторая отличается более продвинутой технологией многоуровневых ячеек (MLC). Изделия подключаются к компьютеру посредством интерфейса PCI-Express x8, имеют 256 Мб кэш-памяти, встроенный контроллер RAID. Наработка на отказ составляет 900 тыс. часов. Серия е84 включает устройства с 256 Гб и 512 Гб памяти. Максимальные скорости чтения и записи соответственно равны 800 Мб/с и 750 Мб/с. В линейку р84 входит также версия с 1 Тб, но пропускная способность более скромная – 750 Мб/с для чтения и 650 Мб/с для записи. Максимальная производительность Z-Drive в единицах IOPS (Input/Output Operations Per Second – операций ввода/вывода в секунду) равна 10000 и 16000 для р84 и е84 соответственно (при случайной записи 4-Кб порций данных). Z-Drive обеспечиваются трёхлетней гарантией. Стоимость на данный момент неизвестна, однако она должна быть заметно ниже $4999 – цены новой модели SSD RAIDDrive от Super Talent с тем же интерфейсом PCI-Express x8, активным охлаждением и скоростью последовательного чтения 1,4 Гб/с, а записи – 1,2 Гб/с. Материалы по теме: - SSD G-Monster Promise пишут на скорости 1 Гб/с;
- Super Talent RAIDDrive: SSD ёмкостью до 2 Тб;
- A-Data SSD - тест в трех OS на двух платформах.

• www.ocztechnology.com

Впервые анонсированные в апреле, SSD-диски от компании Super Talent под названием TeraByte RAIDDrive с интерфейсом PCI Express x8 предстают в новом облике. Карта с габаритами 258 х 112 х 25 мм заключена в алюминиевый корпус, имеет активное охлаждение, 512 Мб кэш-памяти, 1,5 млн часов наработки на отказ и максимальную последовательную скорость чтения/записи соответственно 1,4/1,2 Гб/с. "RAIDDrive – это значительный шаг вперёд по сравнению с существующими дисками SSD в скорости последовательного доступа благодаря нашей архитектуре RAID, совмещённой с последними технологиями флэш-памяти, и пропускной способности интерфейса PCI Express. RAIDDrive преодолевает "бутылочные горла" предыдущих систем хранения информации и устанавливает новые стандарты производительности", - отметил главный операционный директор Super Talent С. Х. Ли (CH Lee). Реализация нового продукта начнётся в октябре в виде трёх версий. Модель RAIDDrive ES основана на технологии одноуровневой структуры ячеек флэш-памяти (SLC NAND), имеет ёмкость от 256 Гб до 1 Тб и позиционируется для корпоративных серверов, выполняющих задачи виртуализации и работы с базами данных. RAIDDrive ES может быть сконфигурирована для работы в режиме RAID 0 или RAID 5 и поставляется с модулем резервного питания. Следующая модель, RAIDDrive WS, также основана на SLC и имеет ёмкость до 1 Тб, но рекомендуется для применения в категориях задач с повышенными требованиями: анимация, обработка видео, моделирование CAD/EDA, научные исследования. Доступные режимы включают RAID 0 или RAID 5. Наконец, старшая модель RAIDDrive GS ёмкостью до 2 Тб использует микросхемы с многоуровневыми ячейками памяти (MLC) и предназначена для геймеров и энтузиастов, которые стремятся к максимальной производительности подсистемы ввода-вывода. Стоимость 1-Тб RAIDDrive GS для OEM-производителей составляет $4999. Материалы по теме: - Super Talent RAIDDrive: SSD ёмкостью до 2 Тб;
- Pilant дебютировала на рынке SSD;
- Intel Braidwood может вытеснить SSD.

• www.supertalent.com

Получая жалобы на медленную загрузку операционной системы Windows, компания Hewlett-Packard решила представить новую модель ПК бизнес-класса с диском SSD. 64-Гб флэш-диск будет установлен в HP Compaq 6005 Pro, который появится на прилавках 22 октября – в день выхода Windows 7. Для хранения пользовательской информации в составе системы будет традиционный жёсткий диск с подключением через интерфейс SATA. HP называет такую конфигурацию из двух накопителей технологией RapidDrive. Стоимость компьютера на платформе AMD составит $774 – на $200 больше, чем цена 6000 Pro без SSD. Насколько же быстр новый ПК, HP достоверно не знает. "Мы не запускали детальные тесты. Но загружается он достаточно быстро. Вы определённо заметите разницу", - заявил представитель компании. SSD производства Samsung, модель PM800 с многоуровневой структурой ячеек (multi-level cell, MLC). Его последовательная скорость чтения равна 225,4 Мб/с, записи – 160 Мб/с. Это вдвое выше, чем показатели HDD с наибольшей плотностью записи и скоростью вращения шпинделя 7200 об/мин. Тем не менее, производительность PM800 – особенно при записи небольших порций данных – не настолько впечатляет. Скорость случайных чтения и записи соответственно равна 27,4 Мб/с и 4,2 Мб/с, что значительно медленнее жёстких дисков. SSD медлительны, когда происходит перезапись старых блоков данных и выполнение других операций с "мусором". По словам независимого аналитика из EndPoint Technology Associates Роджера Кэя (Roger Kay), это не первый раз, когда производитель компьютерных систем пытается ускорить работу Windows. Samsung и Seagate представили гибридные дисковые подсистемы для ноутбуков, где комбинируется обычный жёсткий диск и небольшой носитель флэш-памяти, используемый для загрузки ОС и запуска часто используемых приложений. Intel также анонсировала технологию Robson, предполагающую оснащение материнских плат портативных ПК флэш-памятью. Пока подобные решения не завоевали популярность, по большей части из-за отсутствия крайней необходимости в них. Большинство мобильных компьютеров могут быстро входить в режим гибернации и "просыпаться" также быстрее, чем длится загрузка компьютера. По мнению Кэя, RapidDrive в данной реализации не появится в ноутбуках, потому как требует наличия двух дисков. Помимо производителей аппаратного обеспечения, ускорением Windows занимается и Microsoft. Функция ReadyBoost в Vista позволяет с помощью флэш-носителя расширить объём виртуальной памяти. Материалы по теме: - Утечка информации о грядущих ноутбуках HP;
- Результаты деятельности HP в третьем квартале 2009;
- A-Data SSD - тест в трех OS на двух платформах.

Не так давно накопители SSD позиционировались как идеальные устройства для применения микросхем NAND и кандидаты на замену жестких дисков. Теперь же полупроводниковые диски получают свою порцию критики. Во-первых, стоимость серверных систем с SSD остаётся слишком высокой. Угроза дискам с флэш-памятью исходит и от технологии Braidwood от Intel, которая может "задушить популярность SSD", согласно оценке аналитической компании Objective Analysis. Braidwood – это ещё одна попытка поместить чипы NAND на материнскую плату, которые должны послужить ускорению загрузки ПК. Технология является частью будущей серии чипсетов Intel 5 Series. Intel и Microsoft планируют включить флэш-память в системную логику с одной и той же целью, однако до сих пор труд их инженеров не увенчался успехом. Неудачные усилия чипмейкера воплотились в виде Turbo Memory. Тем не менее, Braidwood может стать верным решением. Потребители компьютеров, собиравшиеся приобрести SSD-диск, обнаружат в расположенных на системной плате чипах NAND дешёвую альтернативу с теми же преимуществами. "NAND определённо найдется место в компьютерных платформах, а Braidwood обещает стать правильной реализацией в правильное время, - говорит аналитик Джим Хэнди (Jim Handy). – Хотя это не первый раз, когда Intel пытается внедрить NAND в ПК – ранний продукт Turbo Memory провалился по многим причинам". По иронии, Intel и многие другие производители электронных компонентов также выпускают SSD-диски. Устройства компании основаны на 34-нм микросхемах – первыми в индустрии, согласно её заявлению. Переход на новый техпроцесс поможет снизить цены на полупроводниковые диски до 60% для рынка настольных и портативных ПК. Материалы по теме: - Глава SanDisk предсказывает будущее NAND;
- Intel и Micron разработали 34-нм флэш-память с 3 битами на ячейку;
- NAND-память подорожала на 20% во II кв..

Основатель, председатель и исполнительный директор компании SanDisk Эли Харари (Eli Harari) дал некоторые предсказания относительно развития связанного с флэш-памятью на основе NAND бизнеса на саммите Flash Memory Summit. В своем докладе Харари предупредил, что индустрия NAND находится на перекрестке, поскольку существует несоответствие между будущей емкостью чипов и спросом на нее. Вот какие перспективы ожидают рынок: 1. NAND находится на пути к восстановлению после спада. Баланс текущего соотношения предложения и спроса выглядит лучше. 2. Средняя цена предложения уже не показывает такого падения, как прежде. Ежегодное снижение стоимости NAND составит около 40% между 2010 и 2013 годами, по сравнению с 60% в течение 2005-2009 годов. 3. Сегодня наиболее распространены чипы с двумя битами на ячейку, однако в интервале между 2009 и 2015 годами рынок перейдет к трем и даже четырем битам на ячейку. 4. Флэш-память управляется контроллерами, производящими операции в устройствах хранения, таких как SSD. Намечается тенденция к переходу от обособленных компонентов к интеграции управления в микросхемы NAND. 5. Универсальной более совершенной альтернативны NAND пока нет. Так называемая замена – ферроэлектрическая технология RAM, MRAM, смена фаз и другие – на сегодня не демонстрируют жизнеспособности. 6. В гонке за универсальную память может быть только одно исключение: технология 3D чтения/записи. SanDisk и Toshiba работают над 3D-технологией, которая может вытеснить NAND, "учитывая будущие прорывы в материалах. Этот переход может занять годы". 7. В ближайшее время производство NAND не перейдет с 300-мм на 450-мм кремниевые пластины. Затраты слишком велики. 8. В настоящий момент самые совершенные микросхемы NAND производятся с применением 193-нм иммерсионной литографии. Переход к технологии экстремальной ультрафиолетовой (EUV) литографии поставщики могут расценить как сложный и "комплексный". Материалы по теме: - Intel и Micron разработали 34-нм флэш-память с 3 битами на ячейку;
- NAND-память подорожала на 20% во II кв.;
- Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит.