Сетевые источники сообщают о том, что стоимость флеш-памяти NAND будет расти в краткосрочной перспективе. Увеличение цены ожидается из-за того, что завод Toshiba Memory после недавнего отключения энергии восстанавливается медленнее, чем ожидалось изначально.

Речь идёт об инциденте, который произошёл 15 июня на главном заводе Toshiba Memory в Японии. Из-за 13-минутного отключения электроэнергии производитель был вынужден прекратить операции на всех производственных объектах. По мнению экспертов, это событие может привести к росту цен на флеш-память 2D NAND в третьем квартале текущего года. Кроме того, ожидается снижение падения цен на память 3D NAND, которое наблюдается последнее время.

Напомним, Toshiba Memory и Western Digital объявили о перебоях в подаче электроэнергии, которые окажут существенное влияние на объём поставляемой памяти в будущем. В основном последствия инцидента с электроэнергией будут заметны в третьем квартале. Стоит отметить, что перебои в подаче энергии на японском заводе Toshiba Memory, где преимущественно производятся продукты 2D NAND, вряд ли существенно повлияют на контрактные рынки в третьем квартале, поскольку в распоряжении поставщиков имеются избыточные запасы флеш-памяти 3D NAND. Скорее всего, этот инцидент лишь смягчит затянувшееся падение цен.

В сегментах контрактных поставок и розничной торговли цены, вероятно, будут расти из-за сокращения объёмов поставок Western Digital в третьем квартале. Кроме того, планы компании Micron Technology по дальнейшему сокращению производства памяти NAND могут оказать давление на повышение роста цен в краткосрочной перспективе.

Как сообщалось, в третьем квартале текущего года компания SK Hynix приступила к производству 36-слойной флеш-пмаяти 3D NAND. С этим она на два года запоздала по отношению к компании Samsung. Между тем, компания SK Hynix просто пропустила этап производства 24-слойной памяти, образцы которой были готовы ещё в прошлом году. Вместо этого SK Hynix активизировала производство памяти типа HBM, чем несказанно обрадовала поклонников видеокарт компании AMD. Так что 36-слойная память 3D NAND в виде 128-Гбит микросхем с двухбитовой MLC ячейкой относится ко второму поколению «вертикальной» флеш-памяти SK Hynix.

На недавнем саммите Flash Memory Summit 2015 компания SK Hynix обнародовала планы по освоению производства 3D NAND. Сообщается, что образцы 256-Гбит микросхем с трёхбитовой TLC ячейкой будут доступны партнёрам в четвёртом квартале 2015 года. Формально это будет третье поколение памяти 3D NAND SK Hynix. Также компания готовит 128-Гбит TLC микросхемы 3D NAND.

Массовое производство 256-Гбит и 128-Гбит TLC 3D NAND стартует в первом квартале 2016 года. Ожидается, что увеличение плотности произойдёт также за счёт перехода с 36-слойной структуры на 48-слойную. В перспективе, кстати, SK Hynix рассчитывает увеличить число слоёв до 190. Это почти в два раза больше, чем рассчитывает освоить компания Samsung. Но это произойдёт ещё не скоро, как минимум — в 2019 году.

Отметим, 128-Гбит MLC и 256-Гбит TLC-микросхемы SK Hynix разработаны с прицелом на создание SSD потребительского класса. Память 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит для серверных SSD компания выпустит только во втором квартале 2016 года. В подтверждение планов работать на широкую аудиторию на саммите компания представила эталонные образцы накопителей на памяти 3D NAND второго поколения (128 Гбит MLC). Образцы включали SSD с интерфейсами SATA, eMMC 5.1 и UFS 2.0. Иначе говоря, память SK Hynix 3D NAND готова дать бой конкурентам на рынках ПК, смартфонов и планшетов. Особенно радует, что компания готова осваивать выпуск 512-Гбайт и 256-Гбайт накопителей, цены на которые всё ещё кусаются. Неужели получится?

Как мы сообщали, компании Intel и Micron торжественно объявили о создании революционной энергонезависимой памяти 3D XPoint. Новый тип памяти в 1000 раз быстрее и устойчивее к износу, чем память NAND флеш, и в 10 раз плотнее традиционной оперативной памяти DRAM-типа. Что самое поразительное, новая технология выскочила как чёртик из табакерки. Вчера её не было, а сегодня разработчики говорят о готовности поставлять образцы новинки и обещают старт массового производства до конца текущего года. Если честно, так не бывает. Разве что в мечтах.

В настоящий момент мы не можем сказать, как работает память 3D XPoint. Специалистам ещё предстоит разобраться в материалах и техпроцессах. В Intel и Micron пока не собираются объяснять нюансы работы данной технологии. Судя по всему, сейчас начнётся или уже начался поиск определённых патентов обеих компаний. Ведь нельзя исключать, что оба разработчика скрывают детали просто потому, что использованный в 3D XPoint подход и (или) материалы давно кем-то разработаны и запатентованы, только называются по-другому. Например, мемристор.

Дело в том, что строение памяти 3D XPoint — это классический вариант так называемой перекрёстной памяти (cross-point). Чаще всего подобную структуру связывают со строением резистивной памяти ReRAM. Компания HP для подобной памяти придумала имя «мемристор» и даже назвала его четвёртым электротехническим элементом. Что мешало компаниям Intel и Micron назвать ReRAM памятью 3D XPoint? Да ничего! Представитель Intel, кстати, подтвердил, что принцип записи данных в ячейку памяти 3D XPoint опирается на метод изменения сопротивления материала. Казалось бы, вот он ответ, но его снова нет.

В случае классического варианта памяти ReRAM в ячейке памяти при приложении напряжения возникают устойчивые нитевидные структуры из ионов действующего вещества — серебра, меди или другого материала с высокой проводимостью. За счёт «нитей» ток течёт от одного электрода к другому и в ячейке памяти возникает среда с определённым сопротивлением. По словам Intel и Micron, принцип работы памяти 3D XPoint не имеет ничего общего с нитевидной структурой работы ячейки ReRAM. Рабочий материал ячейки XPoint переключает состояние целиком и полностью (в описании использован термин «bulk»).

Монолитный характер переключения состояния ячейки XPoint может возникнуть в двух известных случаях. Во-первых, это может быть такая  разновидность памяти ReRAM, как CeRAM (Correlated electron RAM, память с коррелированным электроном). В рабочем слое CeRAM как раз происходят условно монолитные изменения без образования нитевидных токопроводящих структур. Во-вторых, общее изменения состояния ячейки может быть в случае памяти с изменением фазового состояния вещества (PRAM или PCM). Компания HP, кстати, недавно изменила планы, и первые прототипы системы Machine будет выпускать на памяти PRAM, а не на памяти ReRAM, как планировалось изначально. Совпадение? Не думаю. (с)

Компания Micron давно приобрела ключевые патенты на память PRAM, и если она действительно смогла создать достаточно малую ячейку памяти PRAM в составе перекрёстной архитектуры — это действительно революция. До сих пор площадь ячейки памяти с изменением фазового состояния вещества была очень большая, что ограничивала её применение. Впрочем, пока вопросов о памяти XPoint больше, чем ответов. Ждём подробностей.

Японский институт физико-химических исследований RIKEN экспериментально доказал возможность создания высокоплотной энергонезависимой памяти на основе органических материалов. «Органика» используется в электронных схемах далеко не впервые. Наверное, не ошибёмся, если скажем, что практически все слышали об AMOLED-дисплеях Samsung и просто о дисплеях OLED. Также транзисторы на основе органических материалов используются при выпуске передовых солнечных панелей.

Но известен ещё один эффект органических материалов — фотохромный, который пока не нашёл в электронике широкого применения (очки-хамелеоны не в счёт). Этот эффект заключается в том, что под воздействием ультрафиолетового излучения молекулы из определённых соединений из прозрачных становятся цветными: жёлтыми, синими, красными. Этот эффект носит обратимый характер — облучение видимым источником света возвращает молекулам прозрачность. Пока повторной засветки не произошло, изменение цвета молекул не происходит — они сохраняют своё состояние без обязательной поддержки питанием (без освещения). Чем не память?

Отметим, что эффект фотохромизма изучен достаточно давно. Главной задачей было разработать технологию, которая могла бы превратить «бульон» из химического состава разнородных веществ в упорядоченную структуру, аналогичную массиву SRAM или DRAM. При этом молекулы должны воспроизвести подобие массива памяти на чём-то пригодном к дальнейшему созданию электронной схемы. Например — на подложке из меди. В институте RIKEN на основе химических механизмов самосборки молекулярных структур из диарилэтиленовых производных создали подобную технологию и на практике доказали её работоспособность. Ниже на слайде справа можно увидеть модель упорядоченной молекулярной сборки из повторяющихся элементов, а слева — изображение реального образца, сделанное с помощью сканирующего туннельного микроскопа.

По словам разработчиков, молекулярная структура позволяет записать данные с плотностью свыше 1 Тбит/квадратный дюйм. Это выше, чем даёт возможность записи традиционными средствами. Правда, пока технология RIKEN выйдет из лаборатории, современные технологии могут далеко продвинуться вперёд и ещё не факт, какая из них окажется по-настоящему прорывной.

Пару лет назад компания OCZ Technology появлялась в новостях в большинстве случаев по причине выпуска модулей оперативной памяти или блоков питания. Теперь же темой новостных заголовков чаще всего становятся новые модели SSD-накопителей. Так и на этот раз. Ассортимент американской компании пополнился очередной серией твёрдотельных дисков Solid 2, ориентированной на широкий круг пользователей. Разработчики предлагают новые накопители в качестве производительной, надёжной и экономичной альтернативы традиционным винчестерам, работающим в домашних и офисных настольных компьютерах и ноутбуках, и надеются разрушить устоявшееся мнение о чрезвычайной дороговизне и недоступности SSD-устройств. На момент анонса в серию Solid 2 вошло две модели, которые отличаются ёмкостью и быстродействием. Оба диска выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе и оснащёны интерфейсом SATA II с пропускной способностью 3 Гбит/с. Младший накопитель (OCZSSD2-2SLD60G) способен вместить до 60 Гб данных. Скорость чтения и записи в самых благоприятных ситуациях достигает 125 и 80 Мб/с соответственно. Старшая модель (OCZSSD2-2SLD120G) обладает ёмкостью 120 Гб. В операциях чтения её производительность аналогична 60-Гб накопителю. В режиме записи более ёмкая модификация демонстрирует на 20% большую скорость - 100 Мб/с. Что касается среднего времени поиска, для обеих моделей заявлено <1 мс. По данным производителя, новые накопители из серии Solid 2 основаны на высокоплотных многоуровневых микросхемах флэш-памяти MLC (Multi-Level Cell). Контроллером служит одна из последних разработок корейской компании Indilinx. Объём встроенной кэш-памяти составляет 64 Мб. Для оценки теоретической надёжности устройств опубликовано среднее расчётное время безотказной работы (MTBF) - 1,5 млн часов. По вопросам начала продаж и розничных цен, к сожалению, ничего не сообщается. Лишь известно, что OCZ Technology будет сопровождать новые продукты трёхлетней гарантией. Материалы по теме: - Тестирование четырех HDD объемом 1 Тб;
- WD Caviar Green WD20EADS - два быстрых терабайта;
- OCZ Vertex Turbo: SSD-диски тоже можно разогнать.

• ocztechnology.com

Твердотельные диски (SSD) от компании OCZ Technology представлены во всех основных ценовых категориях. Самыми доступными из накопителей с SATA-интерфейсом являются продукты из серии Solid. Решения из серий Core, Apex и Agility выступают в среднем классе, ориентируясь на массового покупателя, который стремится к наиболее выгодному соотношению цены, ёмкости и быстродействия. Отдельным флангом стоят самые производительные SSD-устройства для компьютерных энтузиастов, объединённые в серии Summit и Vertex. На днях таких накопителей стало ещё больше. В ассортименте компании появилась очередная флагманская SSD-серия Vertex Turbo. Её название подсказывает, что у новых решений должно быть много общего с продуктами, появившимися в конце прошлого года под именем Vertex. Так оно и есть. Приставка Turbo отражает повышение тактовой частоты кэш-памяти со 166 до 180 МГц. Примечательно, что, казалось бы, незначительный разгон 64-Мб буфера памяти заметно улучшил скоростные параметры накопителей. На примере старшей модели объёмом 250 Гб видно, что скорость линейного чтения и записи выросла с 250 и 160 Мб/с до 270 и 210 Мб/с соответственно. Скорость произвольной записи выросла со 100 до 120 Мб/с. Можно предположить, что секрет прироста быстродействия кроется не только в простом разгоне кэш-памяти, но и в более совершенной прошивке. На данный момент серия Vertex Turbo состоит из пяти моделей ёмкостью 30 (32), 60 (64), 120 (128) и 250 Гб (256 Гб). Все они выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе и оснащены дисковым интерфейсом SATA II. Производитель присвоил им соответствующие индексы: OCZSSD2-1VTXT30G, OCZSSD2-1VTXT60G, OCZSSD2-1VTXT120G и OCZSSD2-1VTXT250G. Разработчики надеются на успех серии Vertex Turbo у требовательных энтузиастов и делают всё, чтобы начать розничные продажи в самое ближайшее время. Рекомендованные цены (MSRP) не являются секретом. Младший накопитель ёмкостью 30 Гб будет продаваться примерно за $140. Модели объёмом 60 и 120 Гб - за $250 и $410. Старший накопитель производитель оценивает в $775. Как показал беглый мониторинг нескольких крупных онлайновых магазинов, в настоящее время предложения о покупке SSD-устройств из новой серии пока отсутствуют. Материалы по теме: - Рост цен на флэш-память ударяет по позициям SSD-накопителей;
- WD Caviar Green WD20EADS - два быстрых терабайта;
- Western Digital WD3202ABYS 320 Гб.

• ocztechnology.com

Каждое событие имеет свои как положительные стороны, так и отрицательные. Возьмем для примера кризис на рынке интегральных микросхем флэш-памяти. С одной стороны, кризис перепроизводства привел к заметному ухудшению финансового положения многих производителей микрочипов. Но с другой, постоянное снижение цен на флэш-память выгодно не только для потребителя, но и способствует росту популярности накопителей, главным образом, SSD-накопителей. Впрочем, такое положение дел не могло сохраняться долгое время – дабы снизить собственные потери и после долгих убыточных месяцев вновь вернуться в прибыль ведущие производители в массовом количестве снижают объемы выпуска микросхем флэш-памяти. К этому моменту, благодаря применяемым мерам, им удалось поднять цену на свою продукцию с $1,8, которая наблюдалась в четвертом квартале 2008 года, до $4,10 на второй квартал 2009 года. Цены указаны для микросхем флэш-памяти емкостью 16 Гбит. Но нельзя забывать, что повышение цен на интегральные микросхемы флэш-памяти больно ударить по рынку мобильных твердотельных накопителей. Именно в этом сегменте роль стоимости SSD-накопителей особенно сильно влияет на выбор потребителей в пользу того или иного типа устройств хранения информации. Наиболее важным для производителей твердотельных накопителей остается сектор серверных систем, однако здесь на первый план выходит производительность устройств и их надежность. А вот в секторе накопителей для ноутбуков ситуация иная – здесь на ведущие роли выходит именно их стоимость, и любое ее повышение может привести к заметным изменениям рыночной ситуации. Заглянем в будущее. Прогноз на несколько лет вперед для рынка микросхем флэш-памяти вполне благоприятный. По всей видимости, сейчас стоимость флэш-памяти максимально высокая, и в дальнейшем будет только снижаться – если верить аналитикам, то в четвертом квартале 2010 года стоимость MLC-микросхем емкостью 16 Гбит опустится до отметки $2,20. Дальнейшее развитие событий пока никто прогнозировать не решается. Материалы по теме: - Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит;
- 2,4 Тбит на квадратный дюйм к 2014 году;
- IT-Байки: За миллиард лет до стирания памяти.

Toshiba Corp. представила многослойную флэш-память с двумя битами на ячейку типа P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable). Компанией был создан прототип 32-Гбит чипа, состоящий из 16 слоев ячеек памяти, изготовленных по 60-нм техпроцессу, который соответствует их матричной технологии производства. Он имеет размеры 10,11 х 15,52 мм с эффективной площадью ячейки на каждый бит 0,00082 мкм², что меньше, чем у 32-нм флэш-памяти, запускаемой в производство в 2009 году. P-BiCS является улучшенной версией BiCS, трехмерная многослойная структура модуля флэш-памяти разрабатывалась Toshiba с 2007 года. BiCS использует технологию стеков ячеек памяти в многоуровневой структуре, чередующей укладку управляющего электрода в виде пленки и промежуточного диэлектрика, а в отверстие, проходящее через все эти слои, помещается поликристаллический кремниевый канал. При этом компания изменила форму NAND-цепочек для обеспечения многоуровневого процесса и его контроля на уровне массива. В BiCS ячейки соединены в прямолинейную NAND-цепочку, а для P-BiCS была выбрана U-образная форма. Кроме того, существуют два наиболее значимых достижения в их структуре. Первое, поскольку качество туннельно-изолирующей пленки повышено, была улучшена способность к хранению данных, реализуя многоуровневый процесс. Качество туннельно-изолирующей пленки улучшилось за счет того, что отпала необходимость ее удаления с нижней стороны сквозного отверстия. В BiCS туннельно-изолирующая пленка, формируемая на стороне сквозного отверстия, повреждается во время этого процесса, часто ухудшая запоминающие свойства. Toshiba представила метод снижения вероятности повреждения путем смены материала туннельно-изолирующей пленки с оксида кремния на нитрид кремния. Однако пока компания не может гарантировать достаточных запоминающих свойств при использовании нитрида кремния, заявляют ее представители. Второе, поскольку свойства селекторного транзистора и линейного источника, используемых для чтения и записи данных, улучшены, рабочая характеристика на уровне массива стала более жесткой. В BiCS, которая имеет прямолинейную форму цепочки, селекторный транзистор и линейный источник расположены на нижней части цепочки. С другой стороны, в P-BiCS, чьи цепочки имеют U-образную форму, они могут быть сосредоточены в конце цепочки. Поэтому, когда цепочка формируется, температура порядка 1 тыс. °С не прикладывается к селекторному транзистору или линейному источнику. В результате запирающие свойства селекторного транзистора улучшаются, уменьшая число ошибок чтения. В виду того, что металлические материалы могут применяться для линейного источника, скорость записи может быть выше, чем у BiCS. BiCS использует диффузионный слой, который стремится к высокому сопротивлению, как линейный источник. Когда сопротивление линейного источника высоко, колебание порогового напряжения становится значительным в этом массиве, что понижает скорость записи. Группа разработчиков P-BiCS намеревается организовать технологию серийного производства для многослойного модуля флэш-памяти в течение двух-трех лет в качестве меры по высокой интеграции флэш-модуля без использования микрообработки. И P-BiCS выглядит одним из главных кандидатов для осуществления этой цели. "Для дальнейшего снижения издержек требуется еще один прорыв, а именно, в методе укладки слоев", — говорит Хидеаки Аочи (Hideaki Aochi), ведущий специалист Отделения технологий передовых запоминающих устройств (Advanced Memory Device Technology Dept) и Центра исследований и разработки полупроводников (Center for Semiconductor Research & Development) Toshiba Corp. Например, сейчас отверстие может проходить одновременно через 8 уровней. А 16 уровней реализуются совмещением двух восьмислойных модулей. В будущем Toshiba планирует создать методику получения сразу 16 уровней и более. Материалы по теме: -NEC и Toshiba объединились с IBM для разработки 28-нм технологий;
-Германиевая электроника для 16-нм микросхем;
-Цены на NAND-память поползли вверх.

Около года назад компания OCZ Technology сделала первый шаг на пути к популяризации SSD-накопителей, выпустив серию Core, которая за меньшую цену предлагала сравнимую с конкурирующими продуктами ёмкость и производительность. Спустя полгода твёрдотельных дисков для массового рынка стало ещё больше благодаря появлению SSD-семейства OCZ Apex. На днях компания предприняла ещё одну попытку сделать новомодные накопители доступнее для широкой аудитории пользователей и анонсировала очередную массовую серию Agility. На данный момент в ней насчитывается три модели ёмкостью 30 (32), 60 (64) и 120 (128) Гб. Все новинки выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе и оснащены интерфейсом SATA II (3 Гбит/с). Производитель позиционирует их в качестве альтернативы традиционным винчестерам, работающим в составе настольных и мобильных компьютеров среднего класса, и надеется завоевать интерес самых разных категорий пользователей - от профессионалов до студентов. Замена накопителя на магнитных дисках на новое устройство на флэш-памяти OCZ Agility обещает, в первую очередь, принести заметный прирост производительности дисковой подсистемы и всего компьютера в целом. Особенно это касается старшей и средней модели. По данным разработчиков, благодаря применению контроллера последнего поколения и оснащению 64-Мб кэш-памятью, скорость чтения дисков объёмом 120 и 60 Гб удалось довести до 230 Мб/с, а скорость записи - до 135 Мб/с. У младшей 30-Гб модели эти показатели составляют 185 и 100 Мб/с соответственно. Что касается времени поиска, для всех трёх накопителей из представленной серии заявлено значение <0,1 мс. Кроме того, нельзя не упомянуть и другие преимущества твёрдотельных дисков над винчестерами, такие как устойчивость к ударам и падениям, широкий диапазон рабочих температур, незначительный вес, экономичность и абсолютная бесшумность. Для среднего времени безотказной работы (MTBF) производитель указывает 1,5 млн часов. Следует отметить, что практически сразу после анонса SSD-накопители OCZ Agility поступили в продажу в некоторых регионах. К примеру, на виртуальных прилавках популярного американского магазина младшая модель OCZSSD2-1AGT30G ёмкостью 30 Гб предлагается в настоящий момент за $156. Модели OCZSSD2-1AGT60G и OCZSSD2-1AGT120G объёмом 60 и 120 Гб оцениваются в $240 и $396. Материалы по теме: - Новинки miniPCI-E SSD от OCZ объёмом 16 и 32 Гб;
- ioDrive Duo: самый быстрый SSD ёмкостью до 1,28 Тб;
- 24 SSD-диска в одном ПК.

• ocztechnology.com

Проходящая в эти дни выставка Computex 2009 показала, что тема нетбуков еще далека от своего завершения – новый импульс для появления новейших устройств предоставит платформа NVIDIA ION, да и Tegra отнюдь не останется в стороне. В целом, складывается тенденция все растущей популярности компактных компьютеров, это показала и компания Intel, обновив свою платформу CULV. Ситуацией желают воспользоваться производители комплектующих для мобильных систем, в частности, компания SanDisk. Именно ее стенду с интересными устройствами для хранения информации мы посвятим этот материал. Начнем разговор с обновленных «нетбучных» твердотельных накопителей pSSD второго поколения – моделей P2 и S2. В данном случае разработчики решили повысить производительность устройств, а именно, скорость чтения/записи информации, за счет применения технологии nCache. Решение заключается в применение буфера объемом 320 Мб на основе более скоростных микросхем памяти. В результате получились накопители, производительность которых аналогична производительности виртуальных винчестеров со скоростью вращения 9 тыс. об/мин – так называемый vRPM параметр. Устройства выпускаются в нескольких вариантах, различающихся информационной емкостью: 8 Гб, 16 Гб, 32 Гб и 64 Гб. Помимо нетбуков, новинками SanDisk могут оснащаться POS-терминалы, принтеры, банкоматах и пр. Впрочем, среди экспонатов компании SanDisk можно было найти и менее эксклюзивные твердотельные накопители, зато в большем разнообразии. Особенно на их фоне выделяется продукт SanDisk G3 SSD, представляющий собой высокоскоростной 2,5-дюймовый накопитель. Решение явно предназначено для замены традиционных винчестеров, причем не столько в домашних компьютерах, сколько в серверных системах и мощных рабочих станциях. Дело в том, что они показывают высочайшую производительность – vRPM для них составляет 40.000. В плане "скорострельности" им уступают даже четыре "десятитысячника", объединенные в единый RAID-массив. Надо думать, что их стоимость будет очень высокой, однако у G3 есть и дополнительные преимущества, а именно отменная компактность – размеры накопителя 100,5 х 69,85 х 9,5 мм, при весе 65 грамм. К тому же они абсолютно бесшумны. Для полноты картины предлагаем читателям взглянуть на фотографии высокоскоростных сменных накопителей серии SanDisk Extreme: карты памяти формата CompactFlash и USB-накопители Extreme Cruzer. И последнее – пожалуйста, не спрашивайте номер телефона симпатичной девушки. Сами его ищем. Материалы по теме: - Computex 2009: день нулевой;
- Computex 2009: день первый;
- Samsung: SSD и HDD сравняются в цене.

• 3DNews

После семи лет, потраченных на исследования и разработки, компания Unity Semiconductor представила новую технологию энергонезависимой памяти, получившую название CMOx. В данном случае для построения ячеек используются определенные металлические оксиды, обладающие способностью к пропусканию ионов. Эффект запоминания основан на изменении проводящих свойств, однако CMOx является совершенно самостоятельным типом памяти, а не разновидностью RRAM. В отличие от остальных технологий энергонезависимых запоминающих устройств, CMOx не предусматривает использование транзисторов в составе ячейки. Unity разрабатывала 64 Кбит чип в течение двух лет, еще год ушел на подготовку 64 Мбит модели, а теперь компания сообщила, что близка к этапу передачи в производство 64 Гбит микросхем, с тем, чтобы во второй половине 2010 г. начать их пилотный выпуск, а во втором квартале 2011 г. приступить к массовому. Согласно стратегическому плану Unity, изначально CMOx выйдет на рынок в качестве более производительной альтернативы NAND-памяти в сегменте ресурсоемких приложений. В дальнейшем планируется повсеместное распространение, включая твердотельные накопители самых различных классов и память для разнообразных портативных устройств. Согласно заявлениям разработчиков, предложенная ими технология отличается целым рядом достоинств по сравнению с NAND-флэш памятью, включая в 4 раза более высокую плотность компоновки, в 5-10 раз более высокую скорость записи и возможность масштабирования для менее чем 20 нм техпроцессов. CMOx выигрывает в эффективности энергопотребления – для записи здесь достаточно тока менее чем 1 мкА, и, наконец, себестоимость этого типа памяти ниже, чем NAND. Вместе с представлением своих разработок Unity получила очередные инвестиции в размере 22 млн долл., это был уже третий этап финансирования компании, основными участниками которого стали August Capital, Lightspeed Venture Partners и Morgenthaler Ventures, а также ведущие производители жестких дисков. Таким образом, общий объем внешних инвестиций за всю историю Unity Semiconductor достиг приблизительно 75 млн долл. Материалы по теме: - «Универсальная память» все еще на старте;
- Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека.

Цены на интегральные микросхемы оперативной память уже взяли курс на повышение, теперь тенденция увеличения средних отпускных цен отмечается и на рынке микросхем NAND-памяти. Согласно отчетам аналитиков компании DRAMeXchange, по итогам первой половины мая максимальный зафиксированный рост цен составил 12-13% - в случае 16-гигабитных флэш-микросхем с многоуровневой архитектурой ячейки памяти. На данный момент средняя рыночная стоимость указанных выше устройств составляет $4,3, стоимость аналогичных микросхем, но емкостью 8 Гбит, составляет $3,46. В последнем случае хоть и был зафиксирован рост цен, но он оказался не столь значителен – всего 2,6%. По мнению специалистов, причинами такого развития событий становится некоторое повышение спроса на данный тип продукции, особенно со стороны китайских производителей электроники. Немалую роль играет и более грамотная рыночная политика самих производителей, которые начинают регулировать объемы выпуска NAND-памяти. Это и оказывает стабилизирующих эффект на рынок. Впрочем, пока о значительном успехе говорить рано – в краткосрочной перспективе цены на микросхемы флэш-памяти будут испытывать небольшие колебания в ту, или иную сторону. Дальнейшее развитие событий во многом зависит от действий самих производителей и от потребительского спроса на NAND-память. Материалы по теме: - IT-индустрия восстанавливается после кризиса;
- Samsung выпустила 32-Гб память "30-нм класса";
- Toshiba потеряла $3,5 млрд!.

Компания Spansion, занимающаяся выпуском различных решений на базе флэш-памяти, обратилась к 11 главе американского кодекса о банкротстве. Фирма не говорит о прекращении своих операций. Руководители просто хотят получить небольшое послабление от кредиторов и пересмотреть долги, реорганизовать производство, сместить акцент на создание продуктов, приносящих большую прибыль. Менеджеры исследуют сложившуюся ситуацию, пытаясь найти наиболее эффективные пути выхода из неё. В частности, Spansion рассматривает различные предложения о стратегическом партнёрстве. На первое время денежных ресурсов у компании должно хватить, но в дальнейшем будут нужны дополнительные средства. Руководство отмечает, что в период реорганизации поддержка клиентов будет осуществляться на все 100%. Другие подразделения Spansion, включая Spansion Japan, тоже сообщили о банкротстве. Материалы по теме: - Увольнения IT-специалистов по всему миру;
- Spansion открывает 300-мм фабрику по производству чипов NOR;
- Nokia и Samsung за новый стандарт флэш-памяти.

• biz.yahoo.com

Современные винчестеры пока выдерживают конкуренцию с устройствами хранения информации на основе микросхем флэш-памяти, предоставляя покупателю больший объем дискового пространства за меньшие деньги. Но сомнений в том, что через несколько лет флэш-память станет наиболее востребованным типом информационных накопителей, нет – постепенная миниатюризация микросхем позволяет не только повышать информационную емкость накопителей, но и делает их все более дешевыми. Но и век флэш-памяти вряд ли будет долгим – на горизонте уже появляются устройства нового поколения, которые обещают еще большую информационную емкость вкупе с высочайшими скоростями доступа к данным. Среди таких разработок фигурирует память на основе углеродных нанотрубок, а приглядеться к ней внимательнее заставляют сообщения о резком повышении скоростных характеристик устройств, которые теперь могут соперничать и с флэш-памятью. Впрочем, к успеху ученые шли долго – главным достоинством ячеек памяти на основе углеродных нанотрубок долгое время оставалось лишь рекордная компактность. Теперь же пришло время радикального улучшения скоростных характеристик устройств – сотрудники Технологического Университета Хельсинки и их коллеги из Университета Jyväskylä, разработали память, скорость которой увеличена сразу в сто тысяч раз. Такой «апгрейд» позволил устройствам на основе углеродных нанотрубок опередить в плане скорости флэш-память. Причем даже не в разы, а на два порядка (в сто раз). Главное достижение финских ученых – использование в качестве изолирующего материала оксида гафния, который используется для изоляции затвора. Именно благодаря такому нововведения удалось снизить время процедуры чтения/записи информации до сотни наносекунд, тогда как предыдущим достижением для «углеродной памяти» являлось значение в несколько миллисекунда, а аналогичный параметр для флэш-памяти составляет микросекунды. Более того, указанные значения могут оказаться не окончательными, ведь пока не ясно – достигнут ли предел скорости записи/чтения информации ячейкой памяти, либо просто измерительное оборудование не способно фиксировать более скоростные процессы. Вполне может оказаться, что производительность памяти куда выше указанных цифр в сотни наносекунд. Конструкция ячейки памяти в данном случае выглядит следующим образом: углеродная трубка «лежит» в горизонтальном положении и двумя своими концами контактирует с электродами. Непосредственно под ней, отделенный тонким слоем изолятора, располагается затвор, который и управляет процессом чтения/записи информации. Такая структура уже длительное время применяется для создания памяти на основе углеродных нанотрубок, и лишь скоростные параметры устройств оказывались не на высоте. Оксид гафния исправил и этот недочет. Следующим этапом работ исследователей становится объединение множества ячеек памяти в единую интегральную микросхему – до этого момента проводились исследования единичных ячеек памяти. Впрочем, существует и еще одна проблема – при отключении питания память сохраняет свое состояние в течение лишь нескольких дней. Другими словами, направлений исследований и разработок пока предостаточно, и вряд ли углеродные нанотрубки в ближайшее время смогут прописаться в персональных компьютерах. Материалы по теме: - IT-байки: нанотрубки - будущее электроники?;
- IT-байки: нанотехнологии – Клондайк или панацея?;
- IT-байки: про IBM и квадриллионы байт в спичечном коробке.

К концу текущего года Intel представит новую серию твердотельных дисков, обладающих вдвое большей емкостью по сравнению с текущими моделями, при этом максимальный объем составит 320 Гб – сообщается в документе, разосланном компанией своим заказчикам. Эти планы рассматриваются как часть общей программы развития рынка устройств хранения на базе флэш-памяти. Для выпуска чипов накопителей будет использоваться 32-нм техпроцесс, наиболее совершенный на сегодняшний производственный метод Intel. Фактически компания уже давно сделала ставку на то, что твердотельные диски со временем вытеснят магнитные носители в настольных и мобильных компьютерах, а также станут значительно популярнее в портативных устройствах, включая Apple iPhone и ему подобных. В качестве доказательства этих планов можно рассматривать организацию в 2005 г. совместного предприятия по выпуску NAND-флэш памяти с Micron Technology. Впрочем, пока что эта информация носит скорее внутренний характер, и компания воздерживается от комментариев до появления официальных и публичных анонсов. Из тех же закрытых источников стало известно о том, что первые процессоры Intel, содержащие встроенное графическое ядро (известные под кодовым названием Havendale) выйдут в первом квартале следующего года, то есть на три месяца позже прежде намеченного срока. Причины задержки не называются. Материалы по теме: - Intel выпустила SSD-накопители серии X25-M объёмом 160 Гб;
- Intel переносит срок релиза SSD-накопителей объемом 64 Гб.

• www.taipeitimes.com