Теги → 22-нм
Быстрый переход

В рамках борьбы с дефицитом Intel представила 22-нм чипсет B365 Express

Компания Intel представила новую системную логику B365 Express для настольных компьютеров, которая станет промежуточным звеном между чипсетами B360 Express и H370 Express. Эта модель выпущена в рамках политики Intel по переносу части своих чипсетов на старые 22-нм нормы HKMG+, чтобы высвободить дефицитные мощности 14 нм++ для более дорогих кристаллов — прежде всего, центральных процессоров.

Несмотря на это, TDP чипсета остаётся неизменным: на уровне 6 Вт. Однако в B365 есть несколько дополнительных функций и упрощений по сравнению с B360. Начнём с того, что он поддерживает 20 линий PCI-Express 3.0, как более продвинутая модель H370 Express. B360 оснащается только 12-ю линиями PCIe 3.0. Это означает, что материнские платы B365 могут получить дополнительные разъёмы формата M.2 и U.2.

С другой стороны, страница характеристик B365 Express указывает, что новому чипсету не хватает встроенного контроллера USB 3.1 10 Гбит/с. Возможно, расширение линий PCIe понадобилось производителям материнских плат, чтобы использовать сторонние контроллеры USB 3.1 10 Гбит/с. Впрочем, системная логика по-прежнему позволяет размещать на плате до 8 портов USB 3.0 5 Гбит/с (стоит обратить внимание, что это не USB 3.1 5 Гбит/c, так что на функции скоростной зарядки можно не рассчитывать).

Чипсет также потерял встроенный модуль Wireless AC для упрощённой реализации беспроводной связи. Все это указывает на то, что B365 Express может выступать просто переименованным Z170 с заблокированной функцией разгона процессора. Подтверждением этой теории может служить и то, что B360 использует прошивку ME 12-й версии, а B365 более старую ME 11. Так же, как H310C, B365 может иметь поддержку платформы Windows 7.

GlobalFoundries будет выпускать 22-нм продукты STMicroelectronics

Франко-итальянская компания STMicroelectronics одной из первых приступила к производству полупроводников с технологическими нормами 28 нм на пластинах из полностью обеднённого кремния на изолирующем слое (FD-SOI, fully depleted silicon-on-insulator). Пластины FD-SOI позволяют создавать транзисторы со значительно меньшими токами утечек, что даёт возможность поднять рабочие частоты или снизить потребление, что обычно достигается снижением масштаба технологических норм производства. Проще говоря, 28-нм техпроцесс на подложках FD-SOI дешевле и не хуже с точки зрения характеристик чипов, чем 20-нм техпроцесс на подложках из монолитного кремния. Соответственно, 22-нм техпроцесс на пластинах FD-SOI обещает характеристики решений, свойственные техпроцессу 14 нм с транзисторами FinFET по цене 22-нм планарного техпроцесса. Вот только STMicroelectronics, как внезапно оказалось, не собирается осваивать техпроцесс 22 нм FD-SOI.

Как сообщает официальным пресс-релизом американо-арабская компания GlobalFoundries, заказы на производство 22-нм чипов на пластинах FD-SOI компания STMicroelectronics будет размещать на её заводах. Для этого нет никаких технологических препятствий, поскольку техпроцесс 22FDX GlobalFoundries разработан и лицензирован у STMicroelectronics. Будем надеяться, что STMicro не прервёт цепочку изысканий и совершенствования интересных техпроцессов, как это произошло, например, в случае японского производителя компании Fujitsu. Напомним, Fujitsu не смогла самостоятельно разработать и внедрить на своих производствах 40-нм техпроцесс и сначала пользовалась услугами компании TSMC, а потом (в 2014 году) лицензировала 40-нм техпроцесс у тайваньской компании UMC. Лет десять назад подобное казалось бы за гранью, но времена меняются, да.

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Техпроцесс 22FDX компания GlobalFoundries внедряет на заводах в Дрездене (приём заказов начнётся в текущем году) и на новом заводе в Китае, который сейчас строится и войдёт в строй в 2019 году. Судя по всему, к GlobalFoundries также перейдут заказы по выпуску следующего поколения национальных китайских процессоров Godson. В настоящий момент производством Godson с нормами 28 нм на подложках FD-SOI занимается STMicroelectronics. Также подложки FD-SOI оптимальны для выпуска радиочастотных компонентов и аналоговых чипов. Компания STMicroelectronics рассчитывает воспользоваться всем этим в полной мере.

Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET

Техпроцессы с нормами 14 нм и транзисторами FinFET считаются достаточно дорогими решениями для массового использования. В то же время 14-нм FinFET полупроводники выгодно отличаются своими характеристиками от чипов с планарными транзисторами, выполненными с технологическими нормами 28 нм. Это снова заставляет искать золотую середину. С точки зрения компаний GlobalFoundries и Samsung, доступной по цене условной альтернативой техпроцессу 14 нм FinFET станет 22-нм планарный техпроцесс на пластинах FD-SOI из полностью обеднённого изолирующего слоя.

Так, согласно планам GlobalFoundries, чипы с использованием техпроцесса 22FDX начнут выпускаться в Китае в 2019 году и в Германии на заводе компании в Дрездене. Учитывая, как тяжело внедряются новые техпроцессы класса 10 нм, техпроцессам класса 20 нм ещё жить и жить. Это подводит Intel к мысли, что для развития направления по контрактному производству чипов, которое компания вернула к жизни примерно пять лет назад, ей потребуется предложить какую-то достойную альтернативу техпроцессу на пластинах FD-SOI. Таким техпроцессом, как сообщили в Intel, станет упрощённый 22-нм техпроцесс с использованием FinFET транзисторов.

Сравненние техпроцесса Intel 22FFL с актуальными техпроцессами компании (Intel)

Сравнение техпроцесса Intel 22FFL с актуальными техпроцессами компании (Intel)

В компании разработали две версии техпроцесса 22FFL: производительную, которая будет лишь немного уступать техпроцессу 14 нм FinFET, и энергоэффективную, со 100-кратным снижением токов утечек по сравнению с обычным 22-нм FinFET техпроцессом Intel. К сожалению, в компании отказались сравнить техпроцесс 22FFL и техпроцесс GlobalFoundries 22FDX. Также техпроцесс Intel 22FFL будет конкурировать с планарным 28-нм техпроцессом, который за годы всё ещё не растерял свою привлекательность в секторе производительных решений.

Сравненние размеров элементов для актуальных техпроцессов и техпроцесса 22FFL (Intel)

Сравнение размеров элементов для актуальных техпроцессов и техпроцесса 22FFL (Intel)

По сравнению с 22 FinFET техпроцесс 22FFL использует чуть более крупную топологию, что скажется на плотности размещения транзисторов, но будет проще и дешевле с точки зрения производства. Например, шаг металлизации увеличен с 80 до 90 нм, что позволило использовать для литографической проекции всего один фотошаблон вместо двух, как раньше. Также в техпроцессе 22FFL увеличен шаг затворов с 90 до 108 нм. Добавим, что шаг рёбер составит 45 нм, а ячейка SRAM получит площадь 0,088 мкм2. Всего на одном квадратном миллиметре кристалла в техпроцессе 22FFL может разместиться до 18,8 млн транзисторов.

На заводе DX1 Intel в штате Орегон (Intel)

На заводе DX1 Intel в штате Орегон (Intel)

По мнению Intel, техпроцесс 22FFL значительно укрепит контрактное производство компании. С помощью упрощённого техпроцесса можно будет выпускать сетевые процессоры и решения для вещей с подключением к Интернету. Малые токи утечки будут весьма кстати в устройствах с длительным временем ожидания и малым периодом активной работы.

Intel прекращает выпуск процессоров Core i7 Extreme поколения Haswell-E

Корпорация Intel объявила о начале программы по сворачиванию производства процессоров Intel Core i7 Extreme поколения Haswell-E. Прекращение производства данных микросхем связано как с моральным устареванием, так и с тем фактом, что они производятся по технологическому процессу 22 нм, использование которого постепенно сокращается. Впрочем, данная продукция останется на рынке ещё на некоторое время.

Подложка с микросхемами Intel

Подложка с микросхемами Intel

Процессоры Intel Core i7 Extreme (Haswell-E) были впервые представлены в августе 2014 года и стали первыми микросхемами Intel для клиентских ПК, которые поддерживали память DDR4-2133, инструкции AVX2, а также поставлялись в форм-факторе LGA2011-3. Модельный ряд Haswell-E состоит из трёх микросхем: Core i7-5960X, Core i7-5930K и Core i7-5820K. Флагман семейства имеет восемь вычислительных ядер, тогда как остальные модели по шесть. При этом рекомендованная стоимость Core i7-5820K составляет $389, что является самой низкой ценой шестиядерного процессора Intel с разблокированным множителем для настольных компьютеров. На фоне дефицита процессоров Skylake-S в начале 2016 года стоимость модели 5820K падала до $320, что делала эту микросхему чрезвычайно привлекательной для энтузиастов (шесть ядер с HT, разблокированный множитель, припаянный теплораспределитель практически гарантируют хороший разгонный потенциал с 3,3 ГГц). Впрочем, Core i7 Extreme поколения Haswell-E остаются неплохим выбором для домашней рабочей станции вследствие низкой стоимости относительно более новых процессоров Core i7 Extreme поколения Broadwell-E.

Ранее в этом месяце корпорация Intel уведомила своих партнёров о том, что приём заказов на процессоры Haswell-E закончится 25 августа 2017 года. В тот же день прекратится возможность отменить уже сделанные заказы. Последние поставки Core i7-5800/5900 будут сделаны до 9 февраля 2018 года. Таким образом, микросхемы Haswell-E останутся на рынке ещё довольно долгое время, но их доступность в ближайшие месяцы станет несколько ниже, что может повлечь за собой некоторый рост цен. Во всяком случае, едва ли в ближайшее время мы увидим новые Core i7-5820K за $320.

Intel Core i7 поколения Haswell-E

Intel Core i7 поколения Haswell-E

Intel объясняет намерение прекратить выпуск процессоров Haswell-E снижением спроса по причине смещения внимания на более производительные микросхемы (Broadwell-E). Тем не менее, стоит отметить и тот факт, что Intel сокращает производство процессоров по технологии 22 нм в принципе (многие модели Haswell уже не выпускаются, выпуск Ivy Bridge прекращён). В настоящее время Intel производит 22-нм микросхемы на фабриках D1C, Fab 32 и, возможно, на Fab 28. При этом две первые также используют 14 нм технологический процесс, а фабрика в Кирьят-Гате (Израиль) должна быть модернизирована для изготовления чипов по технологии 10 нм. Неизвестно, в каком состоянии находится модернизация и каково количество коммерческих пластин, обрабатываемых Fab 28 сегодня. Однако, очень может быть, что вскоре использование 22-нм технологии будет сокращено столь существенно, что у Intel не останется возможности производить на данных производственных линиях CPU для клиентских ПК.

Помимо всего прочего, в середине этого года компания Intel готовится представить новую платформу для высокопроизводительных настольных ПК на основе набора логики Intel X299. Платформа HEDT следующего поколения будет использовать микропроцессоры Skylake-E и Kaby Lake-X. Таким образом, принимая во внимание все упомянутые факторы, Haswell-E пришла пора уходить со сцены.

Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет использоваться, главным образом, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем вряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.

Техпроцесс, разрабатываемый в стенах GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, а также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) того же разработчика, но 14-нанометровые. Следует знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как известно, требуют меньше слоёв металлизации и более простые фотомаски, в сравнении с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология увеличения плотности размещения элементов), что существенно упростит проектирование чипов по этой технологии.

Поскольку 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Следовательно, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет немного, поскольку это лишь увеличит себестоимость продукции — подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, ориентированных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, поскольку стоимость разработки останется практически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при неизменной экономичности можно будет существенно поднять.

Изначально GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. Со временем он может стать экономически интересным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и других аналогичных решений. Следует отметить, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, поэтому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим воспользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.

GlobalFoundries рассматривает технологию 22-нм FD SOI

Современные техпроцессы класса FinFET великолепно справляются с задачей снижения уровня энергопотребления микрочипов и при этом способствуют повышению частотного потенциала. К сожалению, ничто не даётся даром — разработка и производство микросхем, использующих FinFET, является крайне дорогим удовольствием, которое могут позволить себе далеко не все разработчики современной микроэлектроники. Но на помощь им может прийти компания GlobalFoundries, в настоящее время рассматривающая возможность внедрения новой технологии — 22-нм FD SOI, которая обещает быть существенно дешевле FinFET, но при этом обеспечит сопоставимые характеристики.

Принцип работы FD SOI

Принцип работы FD SOI

Расшифровывается FD SOI, как Fully Depleted Silicon-on-Insulator (полностью обеднённый кремний-на-изоляторе). Этот техпроцесс также гарантирует высокие тактовые частоты и минимальное энергопотребление в режиме простоя, что важно для компактных устройств, решений класса «Интернет вещей» и прочей носимой электроники. С точки зрения стоимости разработки, 22-нанометровый техпроцесс FD SOI сопоставим с классической 28-нанометровой технологией, и, соответственно, намного дешевле технологии 14-нм FinFET. Разработчики GlobalFoundries надеются, что им удастся довести 22-нанометровую технологию FD SOI до уровня, при котором она успешно сможет конкурировать по параметрам с техпроцессами класса FinFET.

Как заявил представитель компании, Джейсон Горсс (Jason Gorss), в настоящее время GlobalFoundries оценивает возможности внедрения нового техпроцесса, но пока не готова раскрывать свои платы в деталях. Он отметил также, что техпроцесс FD SOI проще в реализации, нежели FinFET, как минимум за счёт использования масок с меньшим количеством слоёв. На словах заявление GlobalFoundries выглядит многообещающе, но пока не известно, будет ли новый недорогой техпроцесс вообще реализован на практике и смогут ли получить к нему доступ разработчики, которым такой техпроцесс жизненно необходим.

Процессоры Intel Haswell получат встроенный модуль управления напряжением

С каждым годом производители материнских плат по вине AMD и Intel теряют функции, которые они могут встроить в свои новые продукты. Всё дело в том, что процессоры получают всё больше и больше интегрированных блоков, выносимых ранее за пределы кристалла CPU на материнские платы. До сих пор VRM-модуль располагался на плате, и в качественных системах обеспечивал многофазное питание мощных ПК, но Intel, по-видимому, не удовлетворена текущим положением дел.

Согласно данным японского ресурса PCWatch, четвёртое поколение процессоров Intel Core i с кодовым именем Haswell, производимое с соблюдением 22-нм норм, получит встроенный модуль управления напряжением. Это будет отдельная микросхема под общей с процессором упаковкой с 20 ячейками, каждая из которых будет представлять собой небольшой 16-фазный модуль стабилизации напряжения, рассчитанный на максимальный ток в 25 А. Это даёт в совокупности 320 фаз на процессор.

В результате разгон должен стать более простым занятием, причём если все процессоры Haswell получат такие модули, то проще разгонять можно будет даже процессоры в ноутбуках. Также такой модуль должен обеспечить улучшенное энергопотребление грядущих чипов Intel, обеспечивая более эффективное управление питанием каждого вычислительного ядра.

Материалы по теме:

Источник:

Intel перейдет на трехмерные транзисторы для мобильных SoC-чипов

Компания Intel приняла для себя новую стратегию развития интегральных микросхем для мобильных гаджетов: смартфонов и планшетных компьютеров. Именно этот сегмент потребительских устройств в последнее время показывает наиболее быстрые темпы развития, так что любой чипмейкер желает откусить от него как можно больший кусок. По мнению Intel, ее новая доктрина даст компании дополнительный импульс на рынке благодаря выпуску более производительных и экономичных микросхем.

Новая доктрина подразумевает под собой изготовление мобильных интегральных микросхем с применением технологии “трехмерных” транзисторов. Такая технология уже достаточно давно и вполне успешно применяется при выпуске центральных процессоров для персональных компьютеров, и сейчас Intel говорит о готовности расширить для этой технологии область применения.

 

Что сулит для мобильных SoC-микросхем переход на технологию с трехмерным транзистором? Во-первых, это означает переход с выпуска 32-нм микросхем типа “систем-на-чипе” к выпуску 22-нм SoC-чипов. Во-вторых, повышается производительность полупроводниковых приборов — от 22% до 65% — при снижении потребляемой мощности. Последний фактор особенно важен для мобильной электроники, так как означает большую чем раньше автономность гаджетов.

Всё это выглядит очень неплохо, однако интересен вопрос относительно сроков появления новых 22-нм SoC-микросхем. Согласно озвученным сведениям, первый готовые устройства сойдут с конвейера во второй половине 2013 года. К сожалению, большего официальные представители Intel пока не рассказали, но даже небольшой анализ рынка может предоставить информацию о стоимости микросхем. Микрочипы семейства Intel Atom продаются по цене от $42, а конкурирующие фирмы выпускают изделия того же класса еще дешевле. Вряд ли компания Intel сможет успешно играть на рынке с ценником значительно выше отметки в $40 за самые дешевые схемы. Но передовой техпроцесс и конкурентные преимущества позволят устанавливать достойные цены — слишком агрессивная ценовая политика и значительные скидки вряд ли понадобятся.

Материалы по теме:

Поставки процессоров Intel Ivy Bridge столкнутся с дефицитом

Компания Intel, как мы уже сообщили, представила Ivy Bridge — семейство первых 22-нм процессоров, произведённых с использованием 3D-транзисторов. Компания утверждает, что благодаря внедрению 3D-транзисторов ей удалось предложить в Ivy Bridge на 20% более высокую производительность при 20% экономии энергии по сравнению с 32-нм чипами поколения Sandy Bridge. Несмотря на возросшую сложность, по данным Intel, стоимость производства растёт лишь на 2—3%.

В ближайшие дни производители анонсируют массу продуктов на основе процессоров Intel Core iX третьего поколения, а на рынке первые решения появятся в ближайшие несколько недель.

Изначально компания представила 13 четырёхъядерных процессоров, большая часть из которых ориентирована на настольный высокопроизводительный сегмент рынка. Среди них — флагман Core i7 3770K (3,5 ГГц, Turbo Boost — до 3,9 ГГц), а также Core i7-3770, Core i5-3570K и Core i3-3240. Изначально Intel представила лишь три 4-ядерных процессора Ivy bridge для ноутбуков: Core i7-3920XM, Core i7-3820QM и Core i7-3720QM с ценой соответственно $1096, $568 и $378 в партиях от 1000 штук. Все они рассчитаны на мощные ноутбуки и имеют энергопотребление до 55 Вт.

В мае и июне Intel нацелена представить ещё 10 моделей процессоров в сериях Core i5, Core i3 и Pentium. Отгрузки 2-ядерных чипов для второго поколения ультрабуков компания начнёт позже этой весной, причём они будут включать модели Core i7-2677M, Core i7-2637M и Core i5-2557M стоимостью соответственно $317, $289 и $250.

Intel и производители ПК ожидают, что запуск позволит стимулировать новую волну продаж ПК. Кирк Скауген (Kirk Skaugen), глава ПК-подразделения Intel, отмечает, что импульс Ivy Bridge удивляет. «Разрабатывается более 300 мобильных продуктов и ещё более 270 настольных ПК, многие из которых представлены моноблоками», — говорит он.

Intel уже построила три завода для производства новых чипов, а четвёртый будет запущен в этом году.  По словам господина Скаугена, это самое быстрое развёртывание нового техпроцесса Intel. «Поставки будут на 50% выше, чем на раннем этапе появления наших чипов прошлого поколения Sandy Bridge в 2011 году. И мы всё равно не можем удовлетворить спрос, с которым сталкиваемся на рынке», — отметил он.

Интересно, что тайваньский ресурс Digitimes, ссылаясь на свои источники в среде производителей ПК, сообщает, что поставки новых процессоров обещают быть заметно ниже предполагаемого ранее уровня, что продиктовано низким уровнем выхода годных кристаллов, а также ситуацией, когда Intel должна скорректировать пропорции поставок чипов для ноутбуков по отношению к процессорам для настольных ПК.

Господин Скауген отмечает, что те пользователи ПК, которые используют только интегрированную графику, получат наиболее существенную пользу от появления новых чипов, ибо в эту область компания принесла больше всего улучшений. Он отмечает, что производительность встроенной графики существенно возросла по сравнению с Sandy Bridge. Кроме того, в чипах впервые появилась поддержка DirectX 11 и технологии вычислений общего назначения OpenCL 1.1, благодаря чему в некоторых задачах можно ожидать значительного прироста. Наконец, графика получила возможность аппаратно декодировать видеопотоки в разрешении до 4K (некоторые видеокамеры уже способны захватывать видео в разрешении 3840x2160, что в 4 раза выше Full HD). Качество и скорость кодирования видео при помощи GPU тоже заметно возросли. Графика новых процессоров называется Intel Graphics HD 4000. Некоторые чипы будут использовать HD 2500, которая лишь на 10—20% быстрее HD 2000.

Также процессоры получили интегрированный контроллер PCI-Express 3.0, удваивающий пропускную способность по отношению к PCI-Express 2.0. Для тех, кто собирается обновлять компьютеры с Sandy Bridge, хорошей новостью является то, что процессоры совместимы с существующей контактной площадкой LGA1155. Чипы Core i5 и Core i7 поддерживают улучшенную технологию автоматического разгона Intel Turbo Boost 2.0, но технологией Hyper-Threading, повышающей производительность в многозадачных режимах, оснащены только процессоры i7.

Не стоит забывать и о новых чипсетах для процессоров Ivy Bridge, главной особенностью которых станет родная поддержка USB 3.0 (скорость передачи данных в 10 раз превышает показатели USB 2.0). Благодаря этому внедрение технологии станет дешевле и проще для производителей ПК, и она будет предлагаться по стандарту в ноутбуках и материнских платах. Ранее поддержка обеспечивалась с помощью сторонних контроллеров. По прогнозам аналитиков из In-Stat, в этом году будет поставлено 400 млн устройств с поддержкой USB 3.0.

По прогнозам финансового директора Intel Стейси Смит (Stacy Smith), озвученным во время отчётной конференции за первый квартал, уже во второй четверти текущего года около четверти всех отгружаемых чипов компании будет производиться с соблюдением 22-нм техпроцесса.

Как бы ни были привлекательны чипы Ivy Bridge, по-настоящему новая архитектура обещана в 22-нм процессорах следующего поколения Haswell, которые выйдут в 2013 году. Например, как обещает Intel, в Haswell энергопотребление в режиме ожидания с подключением к Сети будет уменьшено в 20 раз. Эта технология будет поддерживаться в Windows 8 и позволит принимать почту и скачивать обновления в режиме глубокого сна.

Материалы по теме:

Источники:

Intel: 8-нм чипы к 2017 году

Процессоры Intel, созданные с соблюдением норм 32-нм техпроцесса, вошли в жизнь пользователей и некоторые уже используют их вычислительные резервы для своих нужд. С переходом на архитектуру Ivy Bridge компания Intel предложит 22-нм процессоры. Увидеть такие чипы получиться не ранее 2011 года. Ресурс Extremetech.com рассказал о планах Intel по переходу на более прогрессивные проектные нормы на ближайшие десять лет.
Intel
Действительно, переход на 22-нм техпроцесс намечен на 2011 год и препятствий для появления чипов, основанных на этом техпроцессе, нет. Предполагается, что 15-нм техпроцесс будет освоен уже к 2013 году, 11-нм техпроцесс к 2015 году, а решения на базе 8-нм проектных норм мы увидим не ранее 2017 года. Для создания 8-нм микросхем понадобится перейти на технологию «III-V». Речь идет о так называемых "полупроводниках III-V" (III-Vs), которые могут стать материалом для изготовления транзисторов следующего поколения. Такое название отображает тот факт, что они состоят из химических элементов с валентностями III и V. Полевые транзисторы на базе углеродных нанотрубок (Carbon nanotube FET) в случае нормального развития методик их массового производства, а также другие новые технологии позволят к 2019 году перейти на 5-нм проектные нормы. Материалы по теме: Источник:

GlobalFoundries раскрыла планы по освоению 22-нм техпроцесса

Один из крупнейших контрактных производителей микросхем, компания GlobalFoundries, продолжает осваивать все более тонкие техпроцессы. В соответствии с намеченным графиком, фирма планирует прийти к 22-нм производству к 2012 году. Ранее предполагалось, что выпуск подобных микросхем будет налажен после запуска фабрики Fab 8, строительство которой ведется в данный момент в Нью-Йорке, однако, если верить главному менеджеру Fab 1 Юдо Нотелферу (Udo Nothelfer), первые 22-нм продукты от GlobalFoundries могут появиться и раньше.
GlobalFoundries
Представитель компании заявил, что Fab 1 не только перейдет на использование 32-нм и 28-нм технологий до конца этого года, но и займется активным освоением 22-нм техпроцесса. Связано это в первую очередь с желанием «обкатать» тонкую технологию до начала массового производства микросхем на Fab 8. Кроме того, GlobalFoundries уверена, что 22-нм чипы будут востребованы заказчикам раньше, чем будет завершено строительство новой фабрики. Словом, миниатюризация приходит в нашу жизнь даже быстрее, чем мы рассчитывали. Материалы по теме: Источник:

Фото дня: первые в мире 22-нм чипы

Несколько часов назад в Сан-Франциско стартовал традиционный осенний Форум Разработчиков Intel, IDF 2009. На официальном открытии президент и CEO Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) продемонстрировал пластину с первыми в мире работающими чипами, выполненными по 22-нм техпроцессу. Предлагаем вашему вниманию снимки, сделанные нашим специальным корреспондентом:
первые в мире 22-нм чипы
первые в мире 22-нм чипы
Демонстрация подтверждает, что Intel не отстаёт от своих планов — так, с момента показа первых работающих 32-нм чипов прошло два года. Также Отеллини отметил приверженность компании Закону Мура — размер транзисторов уменьшается, показатель производительность-на-ватт растёт, а стоимость одного транзистора снижается. Материалы по теме:

Globalfoundries - теневой лидер среди чипмейкеров

История компании Globalfoundries не насчитывает еще и года, она не может похвастать рекордно высокими объемами поставок полупроводниковой продукции на мировой рынок. Однако у нее есть и свои достоинства, причем существенные, считают аналитики компании Gartner. По их мнению, новоявленный чипмейкер может считаться одним из лидеров среди производителей интегральных микросхем в плане технологической оснащенности и потенциала для развития. Более того, по этому параметру Globalfoundries не просто не уступает, но даже и опережает такого крупного производителя, каким является тайваньская компания TSMC. Среди явных преимуществ Globalfoundries отмечаются: наличие производственного оборудования для проведения такого сложного и передового процесса, каким является иммерсионная литография. В ближайшее время планируется освоение еще более прогрессивной фотолитографии с использованием экстремального ультрафиолета (EUV (extreme ultra violet) lithography). Именно эти две технологии сегодня рассматриваются специалистами в качестве наиболее сложного процесса при изготовлении интегральных микросхем следующих поколений.
Globalfoundries
Сейчас Globalfoundries специализируется на изготовлении полупроводниковой продукции с использованием 40-нм технологического процесса. В это же время один из основных ее конкурентов, тайваньская компания TSMC выпускает в основном 65-нм продукцию, и с большими проблемами берется за освоение 40-нм технологии изготовления микросхем. В среднесрочной перспективе положение Globalfoundries на мировом рынке будет только усиливаться. Это подразумевает не только разработку 28-нм технологического процесса, которая запланирована на конец следующего года, но и строительство крупнейшего завода близ Нью-Йорка с самым передовым оборудованием. Несмотря на то, что завод представляет собой единое предприятие, объемы выпуска будут столь велики (до 35 тысяч кремниевых пластин в месяц только в начале его работы), что по этому параметру его можно сравнивать сразу с двумя аналогичными фабриками. Одновременно с этим планируется и модернизация оборудования и на фабрике в Дрездене - при помощи иммерсионной фотолитографии в будущем планируется выпускать 28-нм интегральные микросхемы с возможностью перехода на еще более прецизионный 22-нм техпроцесс. Таким образом, компания Globalfoundries сегодня является теневым лидером рынка интегральных микросхем - осуществление планов на ближайшее время сделают нового чипмейкера одним из передовым производителем микрочипов. При этом Globalfoundries вполне под силу бороться не только с тайваньской TSMC, но и с более крупными игроками. Материалы по теме: - Строительство фабрики Globalfoundries Fab 2 началось;
- GlobalFoundries осваивает 22-нм техпроцесс;
- NEC и Toshiba объединились с IBM для разработки 28-нм технологий.

TSMC говорит о своей R&D-стратегии

На днях тайваньская компания TSMC провела пресс-конференцию, в ходе которой рассказала публике о своих планах в отношении дальнейшего развития всего предприятия. Надо отметить, что в последнее время тайваньский чипмейкер является одним из самых быстро развивающихся производителей интегральных микросхем – существенные средства вкладываются в развитие собственных производственных мощностей, разработку новых технологий изготовления микросхем, увеличение персонала.
TSMC
Итак, в качестве одного из важнейших направлений развития руководство TSMC видит разработку передовых технологий по производству CMOS-микросхем. Впрочем, помимо этого существенное внимание будет уделяться аналоговым, радиочастотным микросхемам, сенсорам изображения и микроэлектромеханическим системам. Это означает не только усовершенствование технологий изготовления уже разработанных устройств, но и выпуск новых типов продукции, расширение её ассортимента. Отдельно стоит отметить работу по подписанию соглашения с французскими исследователями и разработчиками из института CEA-Leti. В случае заключения договоренности обе стороны будут в совместном режиме работать над проектом IMAGINE. Главным направлением исследований станет разработка технологии изготовления интегральных микросхем с использованием так называемой «безмасковой» литографии. Этот метод планируется применять при изготовлении 22-нм полупроводниковой продукции, и микросхем следующих поколений.
TSMC
Впрочем, руководство говорило и о менее отдаленных планах. Например, уже в первом квартале 2010 года TSMC планирует начать изготовление первых 28-нм интегральных микросхем. Примерно год уйдет на доводку техпроцесса, и если все пойдет по заранее намеченному плану, уже в начале 2011 года 28-нм микросхемы поступят в серийное производство. Не менее важным оказывается и расширения персонала компании. На данный момент во благо TSMC трудятся около 1800 специалистов, но уже в скором времени их числе увеличится на треть. Одновременно руководство компании рассчитывает на двадцать процентов поднять бюджет, выделяемый на проведение исследовательских работ. Материалы по теме: - Слухи: роль TSMC в платформе Intel Moorestown;
- Завод Intel в Китае сразу будет выпускать 65-нм чипы;
- TSMC покажет первую 28-нм микросхему в июле.

TSMC вкладывает средства в 22-нм техпроцесс

Даже нестабильная экономическая ситуация, наблюдаемая сегодня в мире, не повод останавливаться в развитии. Так считает руководство тайваньской компании Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), решившееся в непростой для индустрии период на продолжение инвестиций в собственное развитие. Основными направлениями станут: привлечение новых инженерных кадров, освоение технологии изготовления и увеличение объемов выпуска 40-нм интегральных микросхем, подготовка новых технологий изготовления сенсоров изображения, начало освоения 22-нм техпроцесса.
TSMC
Руководство TSMC не ставит под сомнение сложное положение всех игроков на мировом рынке интегральных микросхем – рецессия привела к серьезным коррективам в планах всех участников IT-индустрии. И у самой TSMC, после отличных темпов роста, показанных в трех первых кварталах 2008 года, в период с четвертого квартала прошлого года по сегодняшний день дела шли далеко не лучшим образом. Прибыль чипмейкера за короткий срок снизилась на 60%, что вынудило руководство принимать срочные меры. В частности, компании пришлось сократить свой штат на 200 человек. Теперь же, достигнув дна падения, рынок интегральных микросхем будет постепенно восстанавливать утраченные позиции, и TSMC считает, что пришло время для развития собственного бизнеса. Среди основных планов тайваньского чипмейкера значатся:
  • в данный момент на TSMC работают около 1200 инженеров, занятых в R&D-области, в течение ближайшего времени планирует увеличить их число на 30%;
  • около 600 инженеров TSMC заняты разработкой дизайна интегральных микросхем, в скором времени их штат увеличится на 15%;
  • развитие партнерских отношений с компанией Intel, в частности, развитие платформы Intel Atom;
  • разработка технологии изготовления CMOS-сенсоров изображения – создание устройств разрешением 2, 5 и 8 млн пикселей, изготовление микросхем будет осуществляться по 0,11-мкм техпроцессу;
  • развитие таких направлений, как изготовление RFID-устройств, смарт-карт, SSD-решений;
  • развитие 3D-микросхем – к июню будет готова 300-мм фабрика, специализация которой – TSV-решения;
  • постепенное переоборудование фабрики Fab 12 для освоения 22-нм технологического процесса.
Отметим, что компании TSMC рассчитывает в 2010 году начать изготовление интегральных микросхем по 28-нм техпроцессу. К сожалению, детали пока остаются неизвестными – сообщается лишь о применении таких технологий, как high-k-диэлектрики и технология формирования металлического затвора. В нынешнем же году компания рассчитывает начать выпуск 32-нм микросхем, а спустя два года – уже 22-нм решений. Материалы по теме: - TSMC объявила о наборе сотен новых сотрудников;
- Битва чипмейкеров за освоение 22-нм техпроцесса;
- TSMC станет производителем процессоров Intel Atom.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥