Samsung расскажет в феврале о 280-слойной флеш-памяти 3D QLC NAND и 32-гигабитных чипах DDR5-8000

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм² и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.