Теги → 3d tlc nand
Быстрый переход

ADATA представила твердотельный накопитель Ultimate SU800 ёмкостью 2 Тбайт

Компания ADATA выпустила серию твердотельных накопителей Ultimate SU800 в середине 2016 года для конкуренции с производительными SATA-накопителями, вроде Samsung 850 Evo. В данном семействе представлены накопители на памяти 3D TLC NAND объёмом от 128 Гбайт до 1 Тбайт. Теперь же к ним присоединился 2,5-дюймовый SATA-накопитель ёмкостью 2 Тбайт.

Как и в версиях меньшей ёмкости, в новинке используется контроллер Silicon Motion SM2258G и твердотельная память 3D TLC NAND производства компании Micron. У 2-Тбайт модели Ultimate SU800 имеется DRAM-буфер, а также до 8 % её объёма может выделяться под SLC-кеш.

По словам производителя, новинка способна обеспечить скорость последовательного чтения до 560 Мбайт/с, и скорость последовательной записи до 520 Мбайт/с. Производительность в операциях с произвольным доступом достигает 80 тыс. IOPS.

Производитель предоставляет гарантию сроком на три года. Суммарный объём данных, который можно будет записать без потери гарантии на накопитель Ultimate SU800 объёмом 2 Тбайт, составляет 1600 Тбайт. Ориентировочная стоимость новинки составит $379.

Maxio Technology продемонстрировала SSD на базе «китайской» 3D NAND

Правительство Китайской Народной Республики вкладывает десятки миллиардов долларов в развитие современной полупроводниковой промышленности, поэтому неудивительно, что эта отрасль развивается в стране очень быстрыми темпами. Ранее в этом году компания Xi’an UniIC Semiconductors начала поставки чипов DDR4-2133, а теперь союз двух компаний, Yangtze Memory Technologies Co. и UNIC Memory Technology, готовится к началу массовых поставок 64-слойной памяти TLC NAND. Maxio Technology, располагающая китайским подразделением, продемонстрировала прототип твердотельного накопителя на базе контроллера собственной разработки MAS0902, оснащённого чипами флеш-памяти с маркировкой UNIC. Обсуждаемый прототип относится к решениям начального уровня: его ёмкость составляет всего 256 Гбайт, а используемый интерфейс — SATA.

Вряд ли он заинтересует энтузиастов, для этого его производительность слишком невысока, но вот используемой флеш-памяти стоит уделить более пристальное внимание. Компании Yangtze Memory Technologies Co. И UNIC Memory Technology принадлежат холдингу Tsinghua Unigroup, который, в свою очередь, контролируется правительством КНР. Первая из компаний уже обладает технологиями, необходимыми для производства 32-слойной флеш-памяти и, как сообщают источники, вовсю готовится развернуть производство чипов с вдвое большим количеством слоёв. UNIC Memory Technology при этом отвечает за продажи самой памяти и продуктов на её основе. Она располагает возможностями приобретения неразрезанных кремниевых пластин и партий кристаллов, а также мощностями для их упаковки, тестирования и производства модулей eMMC или накопителей SSD.

Поскольку 32-слойная NAND UNIC во многом является тестовым продуктом, послужившим для отработки техпроцессов, вряд ли она появится на рынке в мало-мальски заметных масштабах. Массовый выпуск 64-слойной памяти ещё только предстоит начать, поэтому дабы помочь своим коллегам-производителям SSD и индустрии в целом, компания UNIC Memory Technology в настоящее время продаёт под своей маркой 64-слойные чипы TLC NAND производства Intel ёмкостью 256 Гбит. Планами Tsinghua Unigroup по развитию индустрии NAND-устройств может активно воспользоваться Maxio Technology — это поможет компании развить своё производство и увеличить объёмы продаж SSD-контроллеров. Возможно, чипы Intel могут иметь больше возможностей, нежели их собратья с маркировкой UNIC, но на данный момент какая-либо информация по этому вопросу отсутствует. Тем временем, дела у Yangtze идут по плану и вскоре мы увидим память UNIC, действительно имеющую китайское происхождение.

Накопители Transcend SSD430K используют чипы 3D TLC NAND

Компания Transcend известна своим взвешенным подходом к формированию новых серий накопителей, особенно если это касается SSD, предназначенных для корпоративного сегмента рынка и использования в составе промышленных ПК. В новых моделях SSD430K для встраиваемых систем с широким спектром применения тайваньский производитель впервые, в рамках сегмента, прибегнул к чипам флеш-памяти 3D TLC NAND. Предшествующая серия SSD420K базировалась на микросхемах MLC NAND, но поскольку многолетняя «обкатка» TLC-памяти (в частности, в многослойной компоновке) оказалась успешной, у компании Transcend не было причин не перейти на 3D TLC NAND в накопителях «430-й» серии.

Устройства Transcend SSD430K, как и их предшественники, выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, в корпусе толщиной 6,8 мм. Материалом изготовления последнего, скорее всего, служит алюминий. Интерфейсом подключения служит «классический» SATA 6 Гбит/с. Вариантов объёма у новых накопителей, по крайней мере первое время, будет немного — особенно на фоне SSD420K с их ёмкостью от 64 Гбайт до 1 Тбайт. На данный момент известно о планах Transcend вывести на рынок 64-, 128-, 256- и 512-Гбайт модели SSD430K. Их предзаказ в магазинах Западной Европы обойдётся в €54, €77, €127 и €216 соответственно. Стоимость гигабайта варьируется в пределах 0,42–0,84 евро, 0,50–0,99 доллара или 31–62 руб.

Цены в магазинах с низким рейтингом несколько скромнее

Цены в магазинах с низким рейтингом несколько скромнее

Максимальные скорости чтения и записи у Transcend SSD430K типичны для современных SATA-накопителей — до 550 и 500 Мбайт/с соответственно. Модель контроллера пока не определена, но, скорее всего, им является перемаркированный Silicon Motion SM2258, который, в отличие от SM2246EN (составляющая SSD420K), специально создавался для работы с 3D NAND. Как и «2246-я» модель, «2258-я» имеет четырёхканальную архитектуру, DRAM-буфер и поддержку контроля ошибок. Вместо алгоритма BCH ECC используется более актуальный LDPC ECC.

Сравнительные характеритистики контроллеров Silicon Motion

Сравнительные характеритистики контроллеров Silicon Motion

Среди прочего, новые накопители характеризуются равномерным распределением операций записи между ячейками (технология Advanced Global Leveling), поддержкой функции «сбора мусора» (Advanced Garbage Collection), команды TRIM и энергосберегающего состояния DEVSLP. Среднее энергопотребление SSD удалось снизить почти на 40 % — с 3,46 Вт у SSD420K до 2,11 Вт у SSD430K. Срок официальной гарантии по-прежнему составляет три года.

Семейство SSD Kingston A400 пополнилось моделью на 960 Гбайт

Серия твердотельных накопителей Kingston A400 пользуется большой популярностью среди желающих приобрести SSD при ограниченном бюджете. До недавнего времени в рамках семейства A400 предлагались три модели форм-фактора 2,5 дюйма/7мм — объёмом 120 Гбайт (SA400S37/120G), 240 Гбайт (SA400S37/240G) и 480 Гбайт (SA400S37/480G). Спустя год после их появления на рынке американский производитель принял решение расширить ассортимент, выпустив SSD A400 объёмом 960 Гбайт (SA400S37/960G). Данное событие не было удостоено отдельного анонса, потому как сегодня Kingston предпочитает акцентировать внимание публики на новых сериях продуктов, в частности, скоростных M.2 SSD с интерфейсом PCI Express.

Возможности Kingston A400 довольно хорошо изучены. Эти накопители характеризуются относительно скромной для SATA SSD производительностью и небольшим заявленным ресурсом. С другой стороны, стоимость A400 весьма демократична, а используемый набор компонентов позволяет надеяться на многократное превышение паспортного срока службы (до исчерпания ресурса). Отметим, что в ресурсных испытаниях 3DNews 240-гигабайтный SSD A400 выдержал запись 90 Тбайт данных (и продолжает работать) при заявленном ресурсе 80 Тбайт.

В Kingston подчёркивают, что 960-Гбайт модель A400 рассчитана на запись не менее 300 Тбайт данных в течение трёхлетнего гарантийного срока. В спецификации 480-Гбайт накопителя указан ресурс в 160 Тбайт. Согласно результатам внутреннего тестирования утилитой ATTO Disk Benchmark, скорости последовательных чтения и записи у обоих SSD составляют 500 и 450 Мбайт/с соответственно.

«Начинка» Kingston A400 представлена изготовленной по 15-нм техпроцессу флеш-памятью 3D TLC NAND Micron первого поколения и двухканальным безбуферным контроллером Phison PS3111-S11 (сокращённо — S11). Интерфейсом подключения служит SATA 6 Гбит/с.

В магазинах Западной Европы продажи A400 960GB уже начались: за накопитель просят от €255, что довольно много на фоне минимальной стоимости 480-Гбайт версии (от €115). Параллельно Kingston готовится выпустить в розничную продажу M.2 SSD A1000 с существенно более высоким уровнем быстродействия.

Накопители SanDisk X600 вышли в двух форм-факторах

Принадлежащая корпорации Western Digital компания SanDisk анонсировала дебют на рынке новой серии твердотельных накопителей с лаконичным названием X600. Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт, имеют два варианта исполнения — 2,5 дюйма/7 мм и M.2 2280. Несмотря на внешние различия, прикладные характеристики моделей одного объёма совпадают. В новых накопителях SanDisk X-серии используются интерфейс SATA 6 Гбит/с, неназванный контроллер (предположительно, производства Marvell) и 64-слойная флеш-память Western Digital 3D TLC NAND.

По сравнению с предшественниками семейства X400, модели 2018 года характеризуются более высоким уровнем быстродействия и, в среднем, бóльшим ресурсом. Кроме того, стоит отметить, что среди устройств SanDisk X400 не было и, очевидно, уже не будет двухтерабайтного SSD.

Как и в предыдущей серии, младшие накопители SanDisk X600 уступают в производительности старшим. В то же время у «загрузочного» 128-Гбайт SSD увеличены скорость последовательной записи и количество IOPS при записи (с 340 до 490 Мбайт/с и с 60 000 до 74 000 соответственно). Ресурс самой доступной модели семейства X600 остался таким же — 72 Тбайт, а вот у остальных накопителей он вырос.

Среди прочего, производитель отмечает снижение энергопотребления SSD в рабочем режиме на величину до 25 % (относительно X400). Средний показатель теперь составляет всего 52–60 мВт, а пиковые значения — от 2,05 до 3,8 Вт. Режим сна (DEVSLP) помогает минимизировать энергопотребление. Также для SanDisk X600 заявлена поддержка технологии кеширования данных nCache 2.0 и алгоритм коррекции ошибок DataGuard Client.

Новые накопители SanDisk уже предлагаются в США и странах Западной Европы. В отсутствие рекомендованных цен приведём фактические:

  • SanDisk X600 128 Гбайт, 2,5 дюйма: $70,90 (newegg.com)/€61,14 (geizhals.eu);
  • SanDisk X600 256 Гбайт, 2,5 дюйма: $105,38/€95,42;
  • SanDisk X600 512 Гбайт, 2,5 дюйма: $180,79/€169,22;
  • SanDisk X600 1 Тбайт, 2,5 дюйма: $312,59/€324,80;
  • SanDisk X600 2 Тбайт, 2,5 дюйма: $681,13/€651,97;
  • SanDisk X600 128 Гбайт, M.2 2280: $70,90/€63,56;
  • SanDisk X600 256 Гбайт, M.2 2280: $107,14/€94,19;
  • SanDisk X600 512 Гбайт, M.2 2280: $177,09/€167,05;
  • SanDisk X600 1 Тбайт, M.2 2280: $323,99/€330,99;
  • SanDisk X600 2 Тбайт, M.2 2280: $776,56/€691,99.

Первые сведения об Intel SSD 760p, 700p и 660p на 64-слойной 3D NAND

Конкуренты Intel на рынке твердотельных накопителей не сидят сложа руки, и калифорнийская компания готовит новые устройства на основе 3D NAND флеш-памяти, сочетающие в себе высокий уровень производительности и, судя по всему, демократичную цену. Как удалось выяснить ресурсу Tom's Hardware, в ассортименте Intel в обозримом будущем появятся три новые серии SSD — 760p и 660p в форм-факторе M.2 2280 и 700p в формате BGA SSD.

Лучшую производительность среди вышеперечисленных накопителей обеспечат Intel SSD 760p. Благодаря интерфейсу PCI Express 3.0 x4 (до 3,94 Гбайт/с), протоколу NVMe и неназванному контроллеру в сочетании с 64-слойной флеш-памятью 3D TLC NAND скорость считывания данных у устройств 760p будет достигать 3,2 Гбайт/с, а скорость записи — 1,6 Гбайт/с. Показатели IOPS также обещают быть весьма достойными: до 350 000 при чтении и до 280 000 при записи.

Вышеприведённые цифры, скорее всего, относятся к одному-двум старшим накопителям серии. Всего же будет выпущено пять устройств — «загрузочные» SSD объёмом 128 и 256 Гбайт, и ёмкие накопители на 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

Не такие высокие скоростные показатели у Intel SSD 700p. Данное семейство, также использующее 64-слойную 3D TLC NAND-память, предназначено для интеграции в состав тонких и при этом довольно «шустрых» ноутбуков и «2-в-1». И, разумеется, BGA-исполнение предполагает, что SSD 700p ни при каких условиях не появятся на прилавках розничных магазинов в качестве отдельных продуктов. Накопители «700-й» серии будут потреблять в среднем вдвое меньше собратьев 760p — 0,05 Вт против 0,1 Вт.

Устройства объёмом 128, 256 и 512 Гбайт характеризуются производительностью до 1,8/1,2 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). На все рассматриваемые в данной заметке накопители распространяется пятилетняя гарантия Intel. В их число входят и SSD 660p, которые, по слухам, получат 64-слойную память типа 3D QLC NAND. Отметим, что в прошлом году разработчики NAND флеш-памяти добились значительного прогресса в повышении ресурса ячеек, хранящих четыре бита данных.

WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

WD уже начала производство 96-слойной памяти 3D QLC NAND

Максимальные показатели быстродействия у Intel SSD 660p весьма достойные для технологии QLC: 1,8/1,1 Гбайт/с и 150 000/150 000 IOPS (чтение/запись). Объём накопителей составит 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт.

По первым ценникам можно получить лишь приблизительное представление о стоимости SSD Intel 2018 года. Так, популярный за океаном интернет-магазин TigerDirect предлагает младший 128-Гбайт SSD 760p по цене $87,99 (без учёта налога с продаж). Другой американский сайт, connection.com, оценил двухтерабайтную модель той же серии в $841,19. Кроме того, в Индонезии замечен 256-Гбайт Intel SSD 660p с ценником 2,32 млн рупий (9822 руб. или $174).

По следам CES 2018: накопители Kingston A1000 как альтернатива SATA SSD

Компания Kingston может быть довольна бойкими продажами 2,5-дюймовых твердотельных накопителей A400 и UV400 в прошлом году. Тем не менее 2018-й обещает стать годом более быстрых M.2 PCI-E SSD, стоимость которых будет постепенно снижаться до уровня устройств с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Успех вышеупомянутого дуэта вполне могут повторить M.2-накопители Kingston A1000, опытные образцы которых демонстрировались на выставке CES 2018. На первый взгляд они могут показаться довольно крупными, однако на деле их типоразмер стандартен — 22 × 80 мм, что позволит устанавливать данные SSD практически в любых вычислительных системах с разъёмом(-ами) M.2 Key M.

Kingston обещает паритет цен на A1000 и на некие эталонные SATA SSD соответствующего объёма (240, 480, 960 Гбайт). Это вряд ли означает, что A1000 будут стоить столько же, сколько и другие представители бюджетной A-серии (в частности A400), но, думается, покупка 240-гигабайтного A1000 будет необременительной для большинства владельцев ПК.

Конечно, в Kingston постарались сэкономить на компонентах SSD, чтобы впоследствии A1000 продавались не хуже предшественников. Устройства сочетают в себе интерфейс PCI Express 3.0 x2 (теоретический предел — 1,97 Гбайт/с), флеш-память 3D TLC NAND и неназванный контроллер. Кроме прочего, заявлена поддержка протокола NVMe 1.3.

Ключевой показатель для оценки быстродействия SSD — IOPS (количество операций с 4-Кбайт блоками данных в секунду), согласно тестированию в программе Iometer, составляет 190 286 IOPS при чтении и 202 151 IOPS при записи. Последовательные скорости чтения и записи данных у A1000 значительно превышают таковые у SATA SSD: как минимум старший 960-гигабайтный накопитель характеризуется скоростью чтения до 1623 Мбайт/с и скоростью записи до 1040 Мбайт/с. У лучших SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с эти показатели не достигают и 600 Мбайт/с.

Другие тесты также демонстрируют явное превосходство A1000 над неназванными SATA SSD. Справедливости ради стоит заметить, что лучший результат среди соперников — 315,22 Мбайт/с в PCMark 8 — соответствует уровню накопителей Samsung 850 PRO, относящихся к числу самых дорогих предложений среди SSD с разъёмом SATA 6 Гбит/с.

Результаты тестов в PCMark 8 и AS SSD Benchmark

Результаты тестов в PCMark 8 и AS SSD Benchmark

Сроки начала продаж устройств Kingston A1000 не называются. Полагаем, что об их дебюте на рынке компания-производитель сообщит отдельно.

Plextor анонсировала семейство SSD M9Pe

Известный производитель твердотельных накопителей Plextor представил серию устройств M9Pe, о грядущем выпуске которой стало известно ещё семь месяцев назад на выставке Computex 2017 в Тайбэе. Новинки являются преемниками моделей M8Pe, сочетающих в себе интерфейс PCI Express 3.0 x4, контроллер Marvell 88SS1093 и микросхемы флеш-памяти Toshiba MLC NAND. В M9Pe применяются 64-слойные чипы флеш-памяти BiCS3 3D TLC NAND, с помощью которых достигается высокая пиковая производительность.

Накопители Plextor M9Pe будут предлагаться в двух форм-факторах: M9PeG и M9PeGN выполнены в виде компактного модуля M.2 2280, а M9PeY — в виде карты расширения HHHL PCI Express x4 для настольных ПК и рабочих станций. Различие между M9PeG и M9PeGN соответственно заключается в наличии либо отсутствии предустановленного радиатора. Последний выполнен в виде рельефной пластины. Похожим образом выглядит радиатор и у карты M9PeY, но стоит заметить, что у самого крупного представителя семейства M9Pe теплосъёмник оснащён индикатором активности на основе RGB-светодиодов.

Модели серии Plextor M9Pe одного объёма имеют одинаковую производительность независимо от форм-фактора (по крайней мере, официально). Самыми высокими показателями быстродействия могут похвастаться SSD ёмкостью 1 Тбайт. В свою очередь, у 256-Гбайт версий производительность примерно вдвое ниже. Независимо от объёма, срок гарантии на устройства семейства M9Pe составляет пять лет.

Сравнительные характеристики накопителей Plextor серии M9Pe
Параметры/объём256 Гбайт512 Гбайт1 Тбайт
Интерфейс PCI-E 3.0 x4
Протокол NVMe 1.1
Форм-фактор M.2 2280, HHHL
Контроллер Marvell 88SS10934
DRAM-буфер LPDDR3, Мбайт 512 1024
Флеш-память 64-слойная Toshiba BiCS3 3D TLC NAND
Последоват. чтение, Мбайт/с 3000 3200 3200
Последоват. запись, Мбайт/с 1000 2000 2100
IOPS (чтение) 180 000 340 000 400 000
IOPS (запись) 160 000 280 000 300 000
Ресурс, Тбайт 160 320 640

Заявленные показатели производительности новинок довольно неплохи для NVMe-накопителей 2018 года, однако в будущих прошивках (Plextor сама трудится над микрокодом для 88SS1093) есть над чем работать, в частности, обращает на себя внимание невысокая скорость чтения.

С ценами производитель уже определился, хотя до фактического релиза SSD Plextor M9Pe пройдёт ещё немало времени (ориентировочно — несколько месяцев). Расценки для рынка США, без налога с продаж, следующие:

  • M9PeG 256 Гбайт (MX-256M9PeG): $122,10;
  • M9PeG 512 Гбайт (MX-512M9PeG): $221;
  • M9PeG 1 Тбайт (MX-1TM9PeG): $427,39;
  • M9PeGN 256 Гбайт (MX-256M9PeGN): $109,89;
  • M9PeGN 512 Гбайт (MX-512M9PeGN): $208,79;
  • M9PeGN 1 Тбайт (MX-1TM9PeGN): $415,19;
  • M9PeY 256 Гбайт (MX-256M9PeY): $146,59;
  • M9PeY 512 Гбайт (MX-512M9PeY): $245,49;
  • M9PeY 1 Тбайт (MX-1TM9PeY): $451,79.

SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

Как сообщают отраслевые источники, компания SK Hynix на своём южнокорейском предприятии M12 в Чхонджу приступила к серийному выпуску многослойной (трёхмерной) флеш-памяти четвёртого поколения. Такая NAND-память наделена 72-слойным дизайном и была анонсирована три месяца назад. Теперь же выход годных кристаллов достиг приемлемой для массового производства величины, и образцы продукции начали рассылаться ключевым потребителям. В ближайшей перспективе 72-слойная память также должна начать изготавливаться и на втором предприятии SK Hynix — на заводе M14 в Ичхоне. Это позволит компании существенно нарастить объёмы поставок трёхмерной флеш-памяти, которые обгонят поставки планарной памяти уже к концу текущего года.

Стоит отметить, что за последние месяцы SK Hynix совершила существенный рывок в освоении технологий 3D NAND. Так, 48-слойная память прошлого поколения появилась у компании только в ноябре 2016 года, однако её качество не позволяло начать внедрение таких чипов в твердотельные накопители. С тех пор прошло всего полгода, но SK Hynix смогла не только в полтора раза нарастить плотность кристаллов, но и добилась заметного улучшения выносливости и скоростных характеристик. В частности, сделанная в четвёртом поколении 3D NAND оптимизация логической схемы чипов удвоила скорость внутренних операций и на 20 % подняла пропускную способность интерфейса.

В результате, новая 72-слойная 3D TLC NAND компании теперь может применяться в том числе и в твердотельных накопителях. Как ожидается, конечные продукты на её основе станут доступны к концу текущего года. Причём, скорее всего, это будут какие-то оригинальные решения, ведь благодаря приобретению в 2012 году независимого разработчика контроллеров Link_A_Media Devices (LAMD) компания SK Hynix, как и Samsung, получила всё необходимое для выпуска SSD исключительно из собственных компонентов.

Впрочем, догнать и отчасти перегнать конкурентов не только по наращиванию числа слоёв 3D NAND, но и в деле увеличения ёмкости кристаллов, SK Hynix пока не удаётся. 72-слойные устройства 3D TLC NAND компании имеют объём 256 Гбит, в то время как современная 64-слойная 3D TLC NAND авторства IMFT, Toshiba, WD или Samsung производится в виде 512-гигабитных кристаллов.

Доля SK Hynix на рынке NAND составляет в настоящее время 11,4 %.

Контроллеры Phison получили сертификацию Toshiba BiCS3

Планарная флеш-память потихоньку уступает место многослойным чипам MLC и TLC, поскольку те позволяют нарастить объём без существенного повышения себестоимости готового устройства и к тому же имеют повышенную надёжность за счёт использования 3D-структур. Компания Phison объявила о том, что её контроллеры PS3110-S10 и PS3110-S11 готовы для совместной работы с 64-слойными чипами BiCS 3D NAND, разработанными Toshiba.

Прототип устройства с новыми чипами памяти Toshiba

Прототип устройства с новыми чипами памяти Toshiba

В пресс-релизе говорится о том, что вышеупомянутые контроллеры прошли сертификацию Toshiba и способны полноценно работать с новыми 64-слойными микросхемами BiCS3. Об их разработке было объявлено ещё в июле 2016, но массовое производство новых чипов намечается на первую половину этого года, а значит, мы скоро увидим соответствующие модели SSD.

Чипы Toshiba BiCS3 выпускаются с применением 15-нм техпроцесса и могут хранить три бита в ячейке, то есть, являются вариацией на тему 3D TLC. Пионером в применении данного типа памяти является Samsung, разработавшая свою версию под названием TLC 3D V-NAND и использовавшая её в популярной серии накопителей 850 EVO.

Структура и особенности чипов BiCS 3D NAND

Структура и особенности чипов BiCS 3D NAND

Как показывают испытания и практика в целом, 3D TLC имеет некоторые недостатки, унаследованные от прародителя — в частности, относительно медленную скорость записи, что вынуждает разработчиков SSD использовать SLC-кеширование. Однако в отличие от планарной TLC, у трёхмерной памяти этого же типа с надёжностью всё в порядке. Так, накопитель Samsung 850 EVO, базирующийся на 48-слойной памяти TLC V-NAND, всё ещё продолжает функционировать, хотя на него уже было записано свыше двух петабайт данных. Такой ресурс заявляется даже не для всех серверных флеш-накопителей, не говоря уж о скромном потребительском SSD. Как только в наших руках окажется накопитель на базе новой 64-слойной памяти Toshiba, мы постараемся включить его в список испытуемых.

Накопитель Crucial MX300 ёмкостью 2 Тбайт появился в продаже

Серия твердотельных накопителей Crucial MX200 в своё время завоевала заслуженную любовь покупателя благодаря сочетанию быстрого контроллера Marvell, памяти MLC NAND, технологии кеширования, при которой до половины объёма диска могло работать в SLC-режиме, и доступной цены. Следующая модель, MX300, была переведена на использование 3D TLC NAND производства Micron. Трёхмерная память TLC достаточно надёжна, но, увы, она медленнее MLC, а объём кеша SLC был ограничен величиной порядка 30 Гбайт, да и контроллер новая платформа получила более слабый — Marvell 88SS1074 вместо Marvell 88SS9189.

Но в своём классе MX300 показал хорошую производительность, а технология сборки мусора работала просто великолепно: достаточно было 15 минут простоя, чтобы накопитель полностью восстановил свою производительность после двухчасовой непрерывной нагрузки. Хотя MX300 и не достиг уровня своего предшественника, в классе накопителей на базе 3D TLC он оказался вовсе неплох, а моделям на базе планарной TLC и вовсе не оставил шансов. Изначально в серии были заявлены модели накопителей ёмкостью до 2050 Гбайт, но последняя модель в продаже появилась не к осени, как ожидалось, а лишь недавно. Планов по выпуску модели объёмом 4 Тбайт у Crucial пока нет, и в этом она уступает Samsung, в арсенале которой имеется соответствующая модель 850 EVO.

Перечисление характеристик Crucial MX300 следует начать с цены: $512 за накопитель объёмом 2 Тбайт с не самой плохой производительностью выглядит очень привлекательной цифрой. Несмотря на использование первого поколения 3D TLC, выносливость у модели ёмкостью 2050 Гбайт весьма впечатляет, поскольку составляет 720 Тбайт; даже не все накопители класса enterprise могут похвастаться такими значениями. Но все недостатки MX300 старшая модель унаследовала — это и не самый мощный четырёхканальный контроллер, и меньший объём SLC-кеша. В ряде сценариев она заметно уступает MX200, но чего не может предложить последний, так это ёмкости на уровне 2 Тбайт. Иными словами, Crucial CT2050MX300SSD1 являет собой недорогой для своего объёма и достаточно быстрый накопитель с хорошим уровнем надёжности.

Micron возлагает большие надежды на 3D NAND и GDDR6

На днях в ходе мероприятия Micron Analyst Conference топ-менеджеры американской компании Micron Technology рассказали о перспективах и векторах развития рынка памяти, а также поделились информацией о текущих проектах. По прогнозам производителя, 2017 год станет весьма успешным для компаний, выпускающих и оперативную память, и память NAND Flash. К их числу относится и сама Micron.

Неудачи 2016 года сменятся новым периодом роста

Неудачи 2016 года сменятся новым периодом роста

После освоения 20-нм техпроцесса производства RAM и связанной с этим модернизации цехов Micron взяла курс на 16-нм технологию, обозначенную в планах компании как «1X нм». Ожидается, что новый рубеж будет покорён инженерами уже в текущем году. При этом гигабайт оперативной памяти станет дешевле в производстве на 20 %. Вслед за успешным налаживанием выпуска 32-слойной памяти TLC NAND компания рассчитывает внедрить 64-слойные микросхемы того же типа. Их максимальная ёмкость будет в полтора раза меньше (256 Гбит против 384 Гбит), но занимаемая площадь также уменьшится — примерно в два раза.

Micron NAND

256 Гбит (32 Гбайт) данных можно будет записывать на микросхемы площадью 59 кв. мм

256 Гбит (32 Гбайт) данных можно будет записывать на микросхемы площадью 59 кв. мм

Значительный процент выхода годных (рабочих) 64-слойных кристаллов TLC NAND должен стать реальностью до конца 2017 финансового года Micron, то есть не позднее сентября. А уже во втором полугодии календарного 2017 г. начнётся пробный выпуск чипов нового (третьего) поколения.

Micron NAND

Многослойная NAND флеш-память с достойными показателями энергоэффективности — основа появления в будущем терабайтных накопителей в смартфонах и планшетах. По самому оптимистичному сценарию, таковые дебютируют на рынке в 2018 г.

Micron NAND

В конце 2017 — начале 2018 года Micron анонсирует новую буферную память для графических адаптеров и консольных SoC — GDDR6. В отличие от GDDR5X она значительно — в два раза — превзойдёт показатели скорости GDDR5. Пропускная способность до 16 Гбит/с на контакт и более экономичная архитектура должны обеспечить GDDR6 активный спрос и долгий жизненный цикл. В серийных продуктах новая VRAM появится в следующем году и будет оставаться актуальной ещё как минимум несколько лет. Игровые приставки мигрируют с GDDR5 на GDDR6 позже видеокарт, но сам переход будет более быстрым.

Вопреки ожиданиям, Micron не конкретизировала свои планы по выпуску накопителей на основе памяти 3D XPoint. Для их серийного производства необходим переход на чипы второго и третьего поколений, поэтому анонсы последуют ближе к концу года. Для 3D XPoint у Micron уже имеется бренд QuantX.

Micron 3D XPoint

Phison продемонстрировала возможности контроллера E8

Тайваньская компания Phison хорошо зарекомендовала себя как производитель недорогих контроллеров для SSD-накопителей и в текущем году намерена упрочить свои позиции в разных сегментах рынка «умных» микрочипов. Один из способов сделать это — предлагать партнёрам PCI-E контроллеры с протоколом NVMe по цене обычных SATA-контроллеров. Таковыми обещают стать PS5008-E8 (сокращённо — E8) и Phison PS5008-E8T (E8T) со скоростными показателями чтения и записи данных, превышающими 1 Гбайт/с.

Чип Phison E8, как и его «младший брат», наделён двумя линиями PCI Express 3.0 x2, поддержкой флеш-памяти 3D TLC NAND и алгоритма контроля ошибок StrongECC. Накопители на его основе могут быть выполнены в виде карт M.2 2280/2242 и PCI Express 3.0 x2/x4. Последовательные скорости чтения и записи у модели E8 теоретически могут достигать 1,6 Гбайт/с и 1,3 Гбайт/с соответственно, количество IOPS — 240 000 и 220 000 (чтение/запись).

Контроллер Phison E8T удешевлён за счёт отсутствия в его составе DRAM-кеша. Данную микросхему рекомендовано использовать в накопителях форм-фактора M.2 2280, однокристальных BGA SSD и картах памяти CompactFlash. Заявленные показатели производительности E8T таковы: 1,6/1,3 Гбайт (скорости чтения и записи) и 120 000/130 000 IOPS.

Опытный образец контроллера E8 (партнёры Phison получат семплы уже в этом месяце) при тестировании не достиг заявленных показателей скоростей считывания и записи, впрочем, они всё равно оказались примерно двое выше, чем у самых быстрых SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с — 1132 Мбайт/с и 1056 Мбайт/с соответственно. Надеемся, что серийные экземпляры E8 будут производительнее выпущенных на сегодняшний день. В свою очередь, контроллер Phison E8T появится в виде инженерных семплов в июле текущего года, поэтому до его публичных испытаний пока далеко.

Помимо ключевых новинок, Phison показала образцы ёмких и «шустрых» карт памяти microSD семейства Max IOPS, а также карты UFS ёмкостью 256 Гбайт.

Phison Max IOPS
Phison UFS

Свой уголок был отведён для компактных накопителей с интерфейсом USB-C. Один из них — C-Thru — способен при подключении параллельно заряжать смартфон или планшет.

Среди прочего, Phison показала флеш-накопитель в виде «трансформера», обладающего тремя разъёмами — USB 3.1 типов A и C, а также microUSB.

Phison USB-C

Внешний SSD CalComp на базе технологий Phison:

SSD CalComp

Скрытый ресурс: Intel изменила один из важных параметров SSD 600p

В конце августа компания Intel представила несколько серий твердотельных накопителей, предназначенных как для корпоративного, так и для потребительского сегментов рынка. Многим поклонникам бренда приглянулись недорогие устройства SSD 600p форм-фактора M.2 (PCI-E 3.0 x4), сочетающие в себе контроллер Silicon Motion SM2260 и флеш-память Intel 3D TLC NAND (384-Гбит).

anandtech.com

anandtech.com

Тем, кто подробно изучал характеристики накопителей 600p разного объёма (128, 256, 512 и 1024 Гбайт), наверняка бросилось в глаза то, что данные модели имеют один и тот же ресурс записи — 72 Тбайт. Если применительно к 128-гигабайтному устройству это значение вполне приемлемо (особенно с учётом использования памяти 3D TLC), то для остальных SSD — нет. Очевидных аргументов тут два: во-первых, эксплуатационный ресурс становится не надуманной, а вполне реальной проблемой, а во-вторых, конкуренты Intel предлагают накопители в соответствующих ценовых сегментах с гораздо бóльшей устойчивостью к износу.

Intel SSD 600p

В компании долгое время не комментировали малый ресурс записи старших SSD 600p, а после — без особой огласки внесли изменения в спецификации. 128-гигабайтное устройство по-прежнему имеет ресурс 72 Тбайт, соответствующее значение для 256-гигабайтного SSD теперь составляет 144 Тбайт, 512-гигабайтного — 288 Тбайт, терабайтного — 576 Тбайт. Журналисты Tom's Hardware попросили производителя объяснить наличие исправлений в актуальных спецификациях и получили на это следующий ответ:

«Intel обновила параметр ресурса записи накопителей 600p на основе их непрерывного оценивания и изучения, — сообщил директор по маркетингу Intel Дэвид Ланделл (David Lundell). — Новые значения лучше отражают износоустойчивость устройств разного объёма. Первоначальные спецификации содержали консервативную оценку ресурса записи, но дальнейшее тестирование подтвердило, что мы можем повысить её для накопителей большого объёма».

Данное объяснение было бы вполне логичным, если бы модели SSD 600p на 128, 256, 512 и 1024 Гбайт изначально имели различный ресурс записи (например, «консервативные» 36–288 Тбайт), поэтому напрашивается вывод, что в Intel, скорее всего, попросту не хотят признавать допущенную ошибку. Согласно предположению источника, в связи с переоценкой ресурса M.2-накопителей 600p будет выпущено обновление их прошивок, которое исправит значение износа ячеек у SSD объёмом 256–1024 Гбайт.

Утилита Intel SSD Toolbox поможет обновить firmware

Утилита Intel SSD Toolbox поможет обновить прошивку

Intel представила новые SSD-накопители на базе 3D NAND

Известно, что Intel активно продвигает новую технологию энергонезависимой памяти 3D XPoint, но это отнюдь не значит, что компания остановила работы по проектированию и выпуску SSD на базе более традиционных технологий. Так, буквально на днях компания анонсировала целый ряд новых накопителей, использующих память типа 3D NAND — как в двухъячеечном, так и в трёхъячеечном вариантах. Несколько анонсированных серий включают в себя ряд моделей с интерфейсом SATA в форм-факторе 2,5″, несколько моделей в формате M.2 с интерфейсом PCI Express 3.0 x4, а также модель в формате платы расширения с разъёмом PCIe 3.0 x4. Основные технические характеристики новинок приведены ниже в соответствующих таблицах.

Intel DC P3520 PCI Express

Intel DC P3520 PCI Express

Новые накопители имеют разное позиционирование: так, модели SSD 600p и SSD Pro 6000p предназначены для потребителей и бизнес-клиентов, варианты SSD E 6000p и SSD E 5240s нацелены на рынок встраиваемых решений и «Интернета вещей», а модели SSD DC S3520 и DC P3520 оптимизированы для использования в серверных решениях, включая крупные ЦОД и ЦХД. Время начала массовых поставок пока остаётся неизвестным, но очевидно, что Intel стремится уйти от использования планарной флеш-памяти: в моделях, которым на смену пришли новинки, используется либо дорогая 20-нм память производства самой Intel, либо 16-нм NAND, которую компания вынуждена закупать на открытом рынке, поскольку Intel решила не использовать 16-нм технологию в IMFT.

Intel SSD 600p

Intel SSD 600p

Intel SSD E 5240s

Intel SSD E 5240s

Модели в форм-факторе M.2 отличаются незначительно: бизнес-версия поддерживает удалённое безопасное стирание данных, которое является частью Intel Active Management Technology. Они должны прийти на замену громоздкому и дорогому накопителю Intel 750, который с самого начала являл собой серверное решение, на скорую руку переделанное под нагрузки, характерные для настольных ПК и рабочих станций. А версия для встраиваемых приложений будет отличаться малой ёмкостью, максимальное значение которой составит всего 256 Гбайт. Это означает неполный параллелизм, проистекающий из использования чипов IMFT 3D TLC ёмкостью 384 Гбит, так что производительность этой модели может быть ограниченной. Во всех случаях используется контроллер сторонней разработки, возможно, Silicon Motion SM2260 или другая модель этого производителя.

Intel SSD DC S3520

Intel SSD DC S3520

Накопители для рынка встраиваемых решений будут выпускаться в объёмах 150 и 240 Гбайт, в их основе будет лежать 32-слойная память IMFT 3D MLC. Показатели производительности у этих моделей сравнительно невысоки, зато они имеют полную защиту от пропадания питания и рассчитаны на одну полную перезапись всего объёма данных каждый день в течение пяти лет. Ранее этот показатель составлял лишь 0,3 перезаписи в день. Наконец, серия для центров обработки данных относится к решениям среднего класса, ориентированным на нагрузки, связанные, в основном, с чтением данных. Это третье поколение серии Intel S3500. Версия DC S3520 в форм-факторе M.2 будет иметь максимальный объём 960 Гбайт, в то время как вариант в корпусе 2,5″ будет доступен в ёмкостях вплоть до 1,6 Тбайт. Надежность у этих моделей также составляет одну ежедневную перезапись в течение пяти лет.

Intel SSD DC P3520 U.2

Intel SSD DC P3520 U.2

Наконец, в секторе производительных решений с интерфейсом PCI Express компания представила накопитель DC P3520. Ранее была запланирована ещё одна модель, DC P3320, но Intel отказалась от её использования, решив выпустить только DC P3520, причём по цене, близкой к аналогичным по объёму SSD с интерфейсом SATA. Производительность в сравнении с DC P3500 несколько упала из-за меньшего параллелизма при прежней ёмкости — это следствие использование кристаллов 3D MLC ёмкостью 256 Гбит. Но прочая аппаратная база, в частности, контроллер, осталась той же, что и в остальной серии накопителей Intel, предназначенных для использования в ЦОД и ЦХД. Об этом свидетельствует даже практически не изменившийся дизайн печатной платы и использование корпуса с радиатором охлаждения в варианте платы расширения.

Поставки новых SSD Intel будут стартовать постепенно в течение оставшегося в 2016 году времени. На следующей неделе стартуют поставки DC P3520, а также SSD 600p и Pro 6000p в вариантах ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Модель DC S3520 поступит в продажу в начале сентября, а остальные варианты запланированы на более позднее время в четвёртом квартале.