Сегодня 31 мая 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → 3d tlc nand

Micron представила 276-слойные чипы памяти 3D TLC NAND и первые SSD на их основе

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

 Источник изображения: Blocks and Files

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.

Micron представила самые компактные микросхемы флеш-памяти UFS 4.0 для смартфонов

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

 Источник изображений: Micron

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Суд склоняется к мягким мерам по устранению монополии Google в онлайн-поиске, но окончательное решение придётся подождать 2 ч.
Google запустила ИИ-генератор видео Veo 3 для мобильных устройств на Android и iOS 8 ч.
Microsoft добавила в «Блокнот» возможности форматирования текста почти как в Word 9 ч.
Новая статья: The Slormancer — Diablo без заморочек. Рецензия 16 ч.
Моддер уже добавил в Elden Ring Nightreign режим для двух игроков, о котором забыли разработчики 17 ч.
Sony сняла региональные ограничения со Stellar Blade на ПК, а в Steam вышла демоверсия игры 18 ч.
«Microsoft любыми способами должна отбить эти $70 млрд»: Activision возмутила игроков новой рекламой в Call of Duty: Black Ops 6 и Warzone 19 ч.
Российская «Майкрософт» собралась объявить о банкротстве 21 ч.
Никогда такого не было и вот опять: майское обновление Windows 11 вызывает массовые сбои с кодом 0xc0000098 21 ч.
Власти ЕС запустят приложение для проверки возраста людей в интернете 22 ч.
Dell получила рекордный объём заказов на ИИ-серверы и повысила прогноз по прибыли на год 2 ч.
Samsung осталась единственным мировым производителем смартфонов, который выпускает их полностью самостоятельно 2 ч.
Шум во благо: физики добились квантовой «гиперзапутанности» атомов при помощи лазерного пинцета 2 ч.
Скидки на iPhone сработали: продажи иностранных смартфонов в Китае слегка подросли в апреле 2 ч.
InnoGrit представила SSD серии N3X — альтернативу Intel Optane с показателем IOPS до 3,5 млн 3 ч.
OpenYard представила серверы RS102I и RS202I на базе Intel Xeon Emerald Rapids 4 ч.
Илон Маск начал проталкивать в США закон о беспилотном транспорте 4 ч.
Synopsys уже прекратила обслуживать разработчиков чипов на территории Китая 8 ч.
TSMC рассматривает возможность строительства в ОАЭ предприятия по производству чипов 9 ч.
Microsoft отложила разработку портативной Xbox и сосредоточится на консолях партнёров 17 ч.