Micron представила 276-слойные чипы памяти 3D TLC NAND и первые SSD на их основе

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.