Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsung и SK hynix не торопятся

Американские санкции подталкивают китайскую CXMT к ускоренному переходу на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы конкурировать с Samsung и SK hynix. Пока южнокорейские производители могут повышать плотность памяти более простыми методами, CXMT приходится осваивать сложные технологии раньше соперников — и теперь она рассчитывает первой наладить выпуск такой DDR5.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Источник изображения: CXMT

В конце прошлой недели президент китайской CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о намерениях компании начать выпуск DDR5 в исполнении RDIMM с передовой архитектурой ячеек 4F² до конца текущего года. Переход от традиционных для отрасли 6F² к ячейкам класса 4F² позволит увеличить плотность их размещения на кристалле и объём хранимой информации в удельном выражении. В этой сфере CXMT готова опередить своих южнокорейских и американского конкурентов.

Между тем, некоторые эксперты поясняют, что со стороны CXMT такое ускорение перехода на новую архитектуру ячеек памяти DRAM является в большей степени вынужденной мерой, продиктованной американскими санкциями, которые ограничивают доступ китайской компании к передовому литографическому оборудованию и как следствие не позволяют реализовать более простые методы увеличения плотности размещения ячеек памяти на кремниевом кристалле. Компании Samsung Electronics и SK hynix подобных ограничений лишены, а потому пока могут увеличивать плотность размещения ячеек на пластине более простыми техническими методами.

Старший аналитик Nomura Чан Вонь Чун (Changwon Chung) пояснил Nikkei Asian Review: «У корейских компаний есть несколько лёгких методов, которые они могут использовать, и как только они себя исчерпают, они возьмутся за более сложные. Но в случае с CXMT США наложили отграничения, предотвращающие продажу ей необходимого оборудования, поэтому легких решений нет. Поскольку нет лёгкого решения, компания сейчас вынуждена прибегнуть к крайним мерам, либо используя многократное экспонирование, либо пытаясь внедрить технологию 4F² чуть быстрее».

Представитель южнокорейской полупроводниковой отрасли добавил в комментариях для Nikkei, что увеличение плотности размещения полупроводниковых элементов также влечёт за собой необходимость эффективного отвода тепла. Производители памяти при переходе на 4F² и 3D DRAM вынуждены будут столкнуться с проблемой теплоотвода, и для CXMT вызов заключается не только в решении этой задачи, но и организации массового выпуска памяти с учётом данной проблемы.

SK hynix и Samsung Electronics тоже работают над переходом к архитектуре ячейки 4F², но если первая призналась в этом ещё в прошлом году, то вторая этого делать не спешит, хотя остаётся крупнейшим производителем DRAM в мире. По данным южнокорейских СМИ, Samsung планирует сочетать архитектуру 4F² с компоновкой транзисторов, подразумевающей вертикальную ориентацию канала. Кроме того, SK hynix и Samsung активно изучают оборудование ASML с высокой числовой апертурой (High-NA EUV), которое позволяет уменьшать размеры транзисторов и повышать плотность их размещения. Китайская CXMT лишена доступа даже к более зрелому поколению оборудования ASML из-за санкций США.