Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

В помощь студенту: обзор российских ИИ-сервисов для учёбы и закрепления знаний

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Компьютер месяца — сентябрь 2026 года

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

Обзор смартфона Google Pixel 11 Pro: когда надо выпустить хоть что-то

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

Источник изображения: Kioxia

Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность.

При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности.

Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения.

Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году.

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Обзор смартфона Google Pixel 11 Pro: когда надо выпустить хоть что-то

Компьютер месяца — сентябрь 2026 года

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

В помощь студенту: обзор российских ИИ-сервисов для учёбы и закрепления знаний

Источник изображения: Kioxia

Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта.

Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:

• обеспечивают на 61 % более высокую производительность записи;
• на 12 % более высокую производительность чтения;
• на 36 % энергоэффективнее в рабочих нагрузках записи и на 27 % — в операциях чтения.

Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения.

Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом.