Kioxia начала поставки образцов более быстрых 218-слойных чипов TLC-флеш-памяти BiCS 9

Компания Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов флеш-памяти с трёхбитовыми ячейками (TLC) объёмом 512 Гбит, в которых используется технология BiCS Flash 9-го поколения. Массовое производство этих чипов памяти планируется начать в 2025 финансовом году.

Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная

Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО

Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Kioxia

Компания отмечает, что её новое решение предназначено для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности в системах хранения данных низкого и среднего уровня. Новые чипы памяти также будут использоваться в составе корпоративных твердотельных накопителей Kioxia, в частности, в тех, которые предназначены использования в составе систем искусственного интеллекта.

Новые чипы памяти BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения, как и 8 поколение, имеют 218 слоёв и производятся стекированием 120-слойных кристаллов на основе технологии BiCS Flash 5-го поколения. Однако в них в логическом слое реализации интерфейса используется новая технология производства. За счёт этого они демонстрируют значительное повышение производительности по сравнению с существующими продуктами BiCS Flash 6-го поколения той же ёмкости 512 Гбит. Новые чипы:

• обеспечивают на 61 % более высокую производительность записи;
• на 12 % более высокую производительность чтения;
• на 36 % энергоэффективнее в рабочих нагрузках записи и на 27 % — в операциях чтения.

Использующаяся в них технология Toggle DDR 6.0 обеспечивает производительность интерфейса NAND на уровне 3,6 Гбит/с на контакт. А благодаря планарному масштабированию плотность чипов удалось увеличить на 8 % по сравнению с продуктами предыдущего поколения.

Дополнительно Kioxia сообщает, что в рамках демонстрационных испытаний от чипов BiCS Flash 512 Gb TLC 9-го поколения удалось добиться скорости интерфейса NAND в 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка на основе таких решений будет определяться рыночным спросом.