Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику.

Источник изображения: Samsung

Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем.

Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель.

Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось».

Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года.

Канадский оверклокер saltycroissant первым в мире преодолел барьер 12 800 МТ/с для оперативной памяти DDR5, установив новый рекорд скорости передачи информации в 12 806 МТ/с. Рекорд был достигнут на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF с использованием модулей Corsair Vengeance и экстремальным охлаждением жидким азотом.

Источник изображения: wccftech.com

Ещё несколько часов назад мировой рекорд принадлежал другому оверклокеру с никнеймом bl4ckdot, который разогнал DDR5 до 12 774 МТ/с. Однако, как пишет издание Wccftech, saltycroissant не только побил это достижение, но и стал первым, кто перешагнул отметку в 12 800 МТ/с. При этом он сохранил прежние тайминги (CL68-127-127-127-2), что делает результат ещё более впечатляющим.

Источник изображения: wccftech.com

Сообщается, что для достижения этих цифр использовался процессор Intel Core Ultra 7 265K и материнская плата ASRock Z890 Taichi OCF, которая уже не раз помогала другим энтузиастам устанавливать рекорды. Результат был проверен в CPU-Z и загружен на платформу HWBot для официального подтверждения. Компания ASRock также опубликовала новость о достижении в своём официальном канале в X, подчеркнув, что их продукт остаётся флагманским выбором среди профессиональных оверклокеров.

Источник изображения: wccftech.com

Эксперты ожидают, что новые рекорды будут появляться один за другим, и вскоре может быть достигнут рубеж в 13 000 MT/s. На данный момент лидерами в производстве высокочастотной DDR5-памяти остаются такие бренды, как Corsair, G.Skill и V-Color. Их модули чаще всего становятся основой для новых рекордов, поскольку они отличаются высоким заводским потенциалом для разгона. Тем не менее, переход от 12 800 к 13 000 MT/s может занять некоторое время, так как разница в 200 MT/s требует не только технических инноваций, но и определённых условий тестирования.

Компания G.Skill показала новое достижение в мире оперативной памяти — комплект DDR5-8400 CL44 объёмом 128 Гбайт (2×64 Гбайт). Работа этого набора была продемонстрирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E APEX в паре с процессором AMD Ryzen 9 9950X3D, доказав, что можно получить одновременно высокую скорость и большой объём памяти.

Источник изображения: G.Skill

Раньше память с такой частотой обычно ограничивалась меньшими объёмами, но теперь, похоже, эта проблема решена. Как подчёркивают в компании, комплект идеально подходит для задач искусственного интеллекта, машинного обучения, рендеринга и других ресурсоёмких процессов, где важны и быстрый доступ к данным, и большой объём памяти.

Тестирование на платформе AMD подтвердило стабильность работы памяти даже на предельных для текущего поколения DDR5 частотах. На скриншоте видно, как комплект прошёл проверку утилитой MemtestPro без ошибок. Это показывает, что инженерам G.Skill удалось не только разогнать память до 8400 МГц, но и обеспечить надёжность при высокой нагрузке. «Наш новый модуль DDR5 объёмом 64 Гбайт позволяет собирать конфигурации 128 Гбайт без потери скорости, — говорят в G.Skill. — И это открывает новые возможности для профессионалов, которым нужна максимальная производительность».

Источник изображения: G.Skill

Компания G.Skill, основанная в 1989 году, продолжает удерживать лидерство в сегменте высокоскоростной памяти. Благодаря собственной лаборатории тестирования и сильной команде разработчиков, компания регулярно выпускает инновационные решения для геймеров, оверклокеров и IT-специалистов. Новый рекорд DDR5-8400 128 Гбайт — очередное подтверждение её успеха.

Ожидается, что такие модули появятся в продаже в ближайшие месяцы. Пока неизвестно, какова будет их итоговая цена, но очевидно, что это решение ориентировано на верхний сегмент.

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти DDR5-6000 большого объёма — 256 Гбайт, состоящий из четырёх модулей ОЗУ по 64 Гбайт каждый. Производитель отмечает, что в основе продукта используются чипы памяти DDR5 компании SK hynix.

Источник изображений: G.Skill

Работу комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт компания проверила на материнских платах Asus ROG Crosshair X870E Hero и MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессорами AMD Ryzen 7 9800X3D и Ryzen 9 9900X соответственно. Память показала стабильную работу с таймингами CL32-44-44-96, а также CL32-45-45-126.

Кроме того, указанный комплект памяти показал способность к эффективному разгону до DDR5-7000 при таймингах CL38-50-50-126 в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D и материнской платой MSI MEG X870E Godlike.

В дополнение к этому G.Skill показала работу комплекта памяти DDR5-6400 объёмом 256 Гбайт с низкими задержками CL32-44-44-102. Тестирование проводилось на плате Asus ROG Crosshair X870E Hero с процессором Ryzen 9 9900X3D, а также на плате MSI MAG B850M Mortar WIFI с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Данные берутся из публикации Почему DDR5 CUDIMM — это шаг вперёд: подробности и тесты

Компания G.Skill сообщила о новом рекорде разгона оперативной памяти DDR5. Его установил оверклокер Seby, заставивший планку ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) с номинальным режимом DDR5-8000 и объёмом 24 Гбайт работать на скорости 12 772 МТ/с.

Источник изображений: G.Skill

Новый рекорд был установлен на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex для энтузиастов в сочетании с флагманским процессором Intel Core Ultra 9 285K.

Для охлаждения CPU применялся жидкий азот. При эксперименте температура составила 4,0 градуса Цельсия.

Согласно данным CPU-Z Validator и базе данных HWBOT, разогнанный до 12 772 МТ/с модуль памяти G.Skill работал с таймингами 68-127-127-127. Эффективная частота модуля ОЗУ составила 6386,2 МГц.

Компания отмечает, что в составе модулей ОЗУ G.Skill Trident Z5 DDR5 (F5-8000J3848F24GX2-TZ5K) используются чипы памяти SK hynix.

Компания G.Skill представила двухканальный комплект оперативной памяти DDR5-8000 большого объёма — 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Производитель называет его первым на рынке комплектом ОЗУ с такой скоростью и ёмкостью. Ещё совсем недавно максимальный доступный объём одного модуля DDR5 потребительской памяти составлял 48 Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти заявлены тайминги CL44-58-58-128. Память успешно протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Apex в сочетании с процессором AMD Ryzen 9 9950X.

G.Skill также продемонстрировала работу двухканального комплекта памяти DDR5-9000 объёмом 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт) с таймингами CL48-64-64-144 на другой платформе. Для тестов использовалась материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Представленные модули ОЗУ будут выпускаться в рамках фирменных серий производителя Trident Z5 и Trident Z5 Royal NEO. О стоимости анонсированных новинок компания ничего не сообщила. Также неизвестно, когда именно они поступят в продажу.

Представленная несколько дней назад материнская плата Z890 Aorus Tachyon Ice компании Gigabyte уже успела отличиться в двух последовательных рекордах разгона оперативной памяти. На момент анонса ей покорился рубеж DDR5-12726, а чуть позже результат был улучшен до DDR5-12752, и теперь это новый абсолютный рекорд разгона памяти.

Источник изображения: Gigabyte Technology

Вполне предсказуемо, что оба эксперимента были организованы при участии энтузиаста Hicookie, который является штатным специалистом Gigabyte Technology по экстремальному разгону. Любопытно, что единственный модуль памяти, который разгонялся до указанного режима и при этом охлаждался жидким азотом, выпущен не очень известной компанией V-Color Technology и относится к серии Manta Xfinity RGB. В режиме DDR5-12752 модуль памяти сохранил задержки на уровне CL68-127-127-127-2 и соседствовал с центральным процессором Intel Core Ultra 9 285K, который также охлаждался жидким азотом, но довольствовался активностью всего двух производительных ядер и частотой 420 МГц.

Источник изображения: HWBot

По традиции, применялся инженерный образец центрального процессора, который выбран среди множества других и к тому же имеет более широкий диапазон изменения множителя. Предыдущий рекорд в сфере разгона памяти типа DDR5 был установлен в начале февраля американцем Splave с использованием материнской платы ASRock Z890 Taichi OCF и модуля памяти G.Skill Trident Z5. Производители памяти любят подобного рода рекламу, но в данном случае основное внимание досталось именно производителю материнской платы, чьи интересы представлял организатор эксперимента.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания Biwin представила OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 — первые в мире модули оперативной памяти DDR5 с поддержкой двух профилей разгона AMD EXPO. Новинки разработаны в коллаборации с экспертами OC Lab.

Источник изображений: Biwin

Модули памяти OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 поставляются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Первый профиль разгона AMD EXPO соответствует DDR5-8000 CL34/CL36, а второй — DDR5-6400 CL28. Таким образом, пользователи могут выбирать между повышенной частотой или пониженными задержками.

Компания заявляет, что новые модули ОЗУ поддерживают дополнительный ручной разгон до 8400 МТ/с при сохранении низких таймингов CAS на уровне CL34. Это возможно при использовании материнских плат Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Biwin предоставила скриншоты из программы Memtest, демонстрирующие работу новых модулей ОЗУ на материнских платах с чипсетами AMD X870, B850 и B840 в сочетании с процессорами серии Ryzen 9000.

Производитель отмечает, что модули памяти могут работать при таймингах CL28. Однако с помощью дополнительной ручной оптимизации можно понизить задержки до CL26. Компания также добавляет, что новинки были протестированы при рабочих напряжениях 1,45 и 1,50 В, при этом их средняя рабочая температура составляла менее 50 градусов Цельсия.

В продаже модули памяти Biwin OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 должны появиться в конце марта. Их стоимость будет начинаться от $169.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов.

Источник изображений: Micron

Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.

Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.

Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.