Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Чипы DDR5 китайской CXMT оказались на 40 % крупнее продукции Samsung, поскольку отстают в технологиях производства
01.01.2025 [08:23],
Алексей Разин
Закон Мура, долгое время определявший принципы развития полупроводниковой отрасли, указывал на получение производителями чипов преимущества в себестоимости за счёт уменьшения площади кристаллов. Первый анализ характеристик изготовленных китайской CXMT микросхем DDR5 указывает на использование более старых технологий производства по сравнению с доступными Samsung. 
Источник изображения: CXMT Как сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на одного из китайских исследователей, площадь кристалла 16-гигабитной микросхемы DDR5 производства CXMT на 40 % выше, чем у сопоставимой микросхемы DDR5 производства южнокорейской Samsung Electronics. Последняя является крупнейшим производителем памяти в мире и использует передовые литографические технологии. Площадь кристалла выпущенного CXMT чипа DDR5 автором исследования определяется путём нехитрых вычислений. При ширине и длине 8,25 мм соответственно она составляет 68,06 мм2. Компания Samsung свою микросхему вписывает в более скромные габариты 6,46 × 7,57 мм, что в итоге даёт площадь кристалла 48,9 мм2. Это и позволяет говорить о почти 40-процентном преимуществе микросхемы Samsung с точки зрения уменьшения площади. По данным TechInsights, когда в 2021 году Micron, Samsung и SK hynix начали выпускать 16-гигабитные чипы DDR5, площадь их кристаллов варьировалась от 66,26 до 72,21 мм2, но с тех пор им удалось её уменьшить. Соответственно, продукция CXMT на данном этапе развития сопоставима по характеристикам с чипами DDR5 зарубежных производителей первого поколения, отставая от современных решений на четыре или пять лет. Выше должны быть и затраты китайской компании, не говоря уже о возможных проблемах с высоким уровнем брака. Так или иначе, партнёрам CXMT удаётся выпускать модули памяти типа DDR5-6000 на базе её чипов, поэтому с точки зрения быстродействия они кажутся достаточно современными. Китайским клиентам компании, так или иначе, приятнее иметь доступ к такой памяти, чем не иметь его вовсе. Китай завалит рынок недорогой памятью DDR5 — CXMT запустила массовое производство таких чипов
20.12.2024 [16:04],
Павел Котов
Несколько китайских производителей модулей памяти начали выпускать адресованную энтузиастам продукцию стандарта DDR5 на чипах ChangXin Memory Technologies (CXMT). Компания не делала публичных заявлений о работе с DDR5, но если она действительно наладила массовый выпуск таких чипов, то при достаточно высоких объёмах производства CXMT способна оказать некоторое влияние на рынок. 
Источник изображения: cxmt.com Память DDR5 от CXMT производится с использованием собственного техпроцесса G3 с шириной линии 17,5 нм, утверждает ZDNet Korea со ссылкой на собственные источники. Выход годной продукции, по оценкам опрошенных ресурсом экспертов, составляет около 80 %, хотя они не уточнили, какие чипы изучили. Первые сообщения о чипах SDRAM DDR5 от CXMT появились в 2022 году — тогда сообщалось о техпроцессе 17 нм. По версии аналитиков TechInsights, китайский производитель для производства SDRAM DDR5 применяет технологию G4. Компании KingBank и Gloway выпустили в продажу модули DDR5 ёмкостью 32 Гбайт на чипах, имеющих маркировку как «отечественные». Производитель чипов в явном виде не упоминается, но известно, что CXMT является самым передовым производителем DRAM в Китае. В середине ноября CXMT и Fujian Jinhua начали продавать память DDR4 со скидкой 50 % — дешевле, чем бывшие в употреблении чипы. Если теперь CXMT наладила выпуск DDR5, важно понять, какие у компании планы: наводнить рынок дешёвыми чипами, чтобы завоевать свою долю, или работать на максимальную прибыль. Сейчас непросто установить, способна ли компания наводнить рынок дешёвыми чипами. Она располагает внушительными производственными мощностями, но нет ясности, какая их часть будет работать на открытый рынок; основной целью китайских производителей является удовлетворение местного спроса, в том числе со стороны госзаказчиков. Если CXMT действительно отнимет доли рынка у Micron, Samsung и SK hynix в Китае, эти компании будут вынуждены наладить выпуск DDR5 в других регионах, что усилит конкуренцию и снизит цены. Это было бы хорошей новостью для потребителя и не очень — для трёх крупнейших компаний, которые установили своего рода перемирие и отказались от ценовых войн. Lexar выпустила быструю оперативную память для Ryzen 7 9800X3D — ARES DDR5-6000 с задержками CL26
16.12.2024 [11:26],
Дмитрий Федоров
Lexar представила оперативную память ARES DDR5-6000 CL26, которая оптимизирована для платформы AMD AM5 и процессоров Ryzen, включая флагманский Ryzen 7 9800X3D. Как отражено в названии, новые модули отличаются крайне низкими задержками, обеспечивая до 10 % прироста производительности в играх по сравнению с модулями CL30. 
Источник изображений: Lexar, VideoCardz Геймеры, выбирающие системы на платформе AMD AM5, сталкиваются с необходимостью искать баланс между оптимальной скоростью оперативной памяти и её стабильностью. Частоты в диапазоне 6000–6400 MT/с считаются наиболее подходящими для синхронной работы с шиной Infinity Fabric, что обеспечивает надёжную производительность. Однако выбор частот выше этого диапазона может нарушить синхронизацию, что ведёт к падению производительности всей системы.  Память с задержкой CL30 уже зарекомендовала себя как достаточно практичный вариант, однако Lexar ARES DDR5-6000 CL26 отличается ещё более низкой задержкой CAS Latency 26, что делает её особенно привлекательной для геймеров. Производитель утверждает, что эта характеристика улучшает частоту кадров на 1 % в самых динамичных игровых сценах, а общий прирост производительности достигает 10 % в сравнении с популярными модулями CL30. Таким образом, новый комплект памяти становится оптимальным выбором для пользователей, стремящихся получить максимальную производительность без значительного увеличения расходов.  Комплект памяти ARES DDR5-6000 CL26 разработан с учётом специфики работы процессоров AMD Ryzen 7 9800X3D. В данной конфигурации достигается минимальная задержка, составляющая менее 55 нс, что положительно сказывается на быстродействии системы. Модули памяти, построенные на базе чипов SK hynix A-die, поддерживают стабильную работу при напряжении 1,45 В на частоте 6000 MT/с. Однако ёмкость комплекта ограничена всего двумя модулями по 16 Гбайт каждый, что может оказаться недостаточным для профессиональных пользователей, работающих с ресурсоёмкими задачами.  На данный момент оперативную память Lexar ARES DDR5-6000 CL26 можно приобрести исключительно на китайском рынке. Её стоимость составляет 899 юаней ($126). Комплект выпускается в двух цветовых вариантах — чёрном и серебристом, что позволяет подобрать модули под стиль игровой системы. В то же время производитель не объявил о планах продажи новинки за пределами Китая или увеличения объёма каждого модуля до 24 или 32 Гбайт, что существенно ограничивает её потенциальную аудиторию. Установлен новый рекорд разгона памяти DDR5 — 12 666 МТ/с на модуле CUDIMM
03.12.2024 [19:36],
Николай Хижняк
Среди производителей оперативной памяти, материнских плат, а также оверклокеров продолжается гонка лидерство в разгоне ОЗУ. Каждая команда пытается разогнать модули нового формата DDR5 CUDIMM до рекордных скоростей. Недавними успехами похвасталась ASRock, сообщившая о разгоне планки памяти G.Skill Trident Z5 CK объёмом 24 Гбайт до новой рекордной скорости— 12 666 МТ/с (6333 МГц). 
Источник изображений: Splave / ASRock Сама ASRock не производит оперативную память. Однако компания выпускает материнские платы. Последний рекорд разгона частоты памяти был установлен именно на её плате Z890 Tachi OCF, предназначенной специально для оверклокинга. Очевидно, что при работе на таких скоростях памяти не обойтись обычным воздушным охлаждением. Поэтому для установки рекорда использовался жидкий азот.  Разгон проводился оверклокером Алленом Мэтью (Allen Matthew), более известным под псевдонимом Splave. Его результат побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до режима DDR5-12634 или 6317 МГц, о котором было заявлено 27 ноября. Для нового эксперимента также использовался флагманский процессор Intel Core Ultra 9 285K. У чипа были отключены энергоэффективные E-ядра, а производительные P-ядра работали с частотой 2088,8 МГц.  Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу на высоких скоростях. Именно по этой причине последние недели различные команды заявляют о новых рекордах разгона памяти. Вполне возможно, в перспективе нас ожидают ещё более высокие результаты оверклокинга DDR5 CUDIMM. Практической пользы для обычных потребителей такие скорости не имеют, но показывают запас прочности новых модулей ОЗУ. Corsair выпустила память Vengeance RGB DDR5 CUDIMM с тактовым генератором и разгоном до 9200 МТ/с
03.12.2024 [19:23],
Николай Хижняк
Компания Corsair объявила о старте продаж модулей памяти Vengeance RGB DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с. Новинки доступны в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 и 96 Гбайт соответственно из пар 24- и 48-Гбайт модулей. 
Источник изображений: Corsair На момент публикации данной заметки через официальный сайт компании был доступен комплект из двух модулей по 24 Гбайт в версии со скоростью до 8800 МТ/с стоимостью $358,99, а также в версии без RGB-подсветки и со скоростью 9200 МТ/с по цене $377,99. Для первого заявлены тайминги CL42-54-54-141, а для второго — CL44-56-56-148. Оба имеют рабочее напряжение 1,1 В. Компания также сообщила, что протестировала память с таймингами CL40-52-52-135 при напряжении 1,4 В.  Модули Corsair Vengeance RGB DDR5 CUDIMM оснащены алюминиевыми радиаторами серебристого цвета с 10 зонами RGB-подсветки. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу ОЗУ на высоких скоростях. 
 На данный момент память DDR5 CUDIMM официально поддерживается только платформой LGA 1851 на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии. Китайские производители памяти захватывают рынок, предлагая DDR4 за полцены
18.11.2024 [19:40],
Сергей Сурабекянц
Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга. 
Источник изображения: unsplash.com Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4. Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей. Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти. Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках. Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов. CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация. Colorful представила память iGame Shadow DDR5 со скоростью до 8000 МТ/с и iGame Shadow DDR5 CKD со скоростью до 9600 МТ/с
16.11.2024 [14:37],
Николай Хижняк
Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах. 
Источник изображений: Colorful Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В.  Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает.  Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.  По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186). Apacer представила память NOX RGB DDR5 со скоростью до 8000 МТ/с
14.11.2024 [18:21],
Николай Хижняк
Компания Apacer выпустила серию модулей оперативной памяти NOX RGB DDR5. Новинки будут предлагаться как в виде отдельных планок объёмом 16 и 32 Гбайт, так и в составе двухканальных комплектов общим объёмом 32 и 64 Гбайт. В серии будут представлены планки и комплекты со скоростью до 8000 МТ/с. 
Источник изображений: Apacer Память NOX RGB DDR5 со скоростью 5200, 5600 и 6000 МТ/с обладает таймингами CL40-40-40-80 или CL38-48-48-96 и рабочим напряжением 1,25 В. Память со скоростью 6200, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МТ/с обладает таймингами от 32-39-39-84 до 40-40-40-76 и работает с напряжением 1,35 или 1,45 В. Все поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.  Модули ОЗУ Apacer NOX RGB DDR5 оснащены радиаторами чёрного или серебряного цвета с RGB-подсветкой. Высота планок не превышает 44 мм, так что они не должны мешать установки большинства современных кулеров.  В продаже память Apacer NOX RGB DDR5 доступна с 14 ноября. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил. Установлен новый рекорд разгона памяти DDR5 — 12 350 МТ/с на модуле CUDIMM
14.11.2024 [18:05],
Николай Хижняк
Компания V-Color похвасталась рекордным разгоном модуля оперативной памяти Manta DDR5 CUDIMM. Если ещё вчера производитель сообщал о рекорде разгона до 12 264 МТ/с, то сегодня компания озвучила цифру 12 350 МТ/с. Оба рекорда были установлены на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF. 
Источник изображения: Wccftech Для эксперимента использовался модуль оперативной памяти V-Color Manta XFinity RGB CUDIMM DDR5 объёмом 24 Гбайт, который сначала был разогнан американским оверклокером AKM до эффективной частоты 6131,9 МГц (или 12 264 МТ/с). Память заработала при таймингах CL 52-92-92-127. 
Источник изображения: HWBOT Позже результатами разгона такого же модуля памяти и на той же материнской плате поделился канадский оверклокер saltycroissant. Он разогнал модуль памяти до эффективной частоты 6175,4 МГц (12 350,8 МТ/с). В обоих случаях для охлаждения компонентов использовался жидкий азот.  В эксперименте также принимал участие флагманский процессор Core Ultra 9 285K. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
