Компания G.Skill без лишнего шума начала продажи двухканального комплекта небинарной оперативной памяти Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. В состав комплекта общим объёмом 48 Гбайт входят два модуля ОЗУ нестандартного объёма 24 Гбайт каждый.

Источник изображений: G.Skill

Напомним, что модули ОЗУ G.Skill серии Trident Z5 Neo DDR5 оптимизированы для работы с процессорами AMD Ryzen 7000. Выпущенный компанией комплект памяти, поддерживающий пропускную способность на уровне 6000 МТ/с, работает с профилем DDR5-6000, для которого заявляются тайминги CL40 48-48-96 и рабочее напряжение в 1,35 В. Без использования профиля разгона AMD EXPO память сертифицирована на работу с пропускной способностью 5600 МТ/с при напряжении 1,10 В.

Традиционно серия оперативной памяти G.Skill Trident рассчитана на энтузиастов разгона. Модули Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 оснащаются алюминиевыми радиаторами и, как предполагает имя, предусматривают RGB-подсветку. Поскольку напряжение в 1,35 В для памяти стандарта DDR5 является весьма высоким, а сами модули ОЗУ оснащены собственными контроллерами питания, наличие радиаторов на них определённо не будет лишним.

На этапе выхода небинарных модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт они поддерживались только платформой Intel LGA 1700, а потому оснащались только поддержкой профилей разгона Intel XMP 3.0. В ранних отчётах говорилось, что на системах AMD они вели себя крайне нестабильно. Судя по всему, AMD вместе с производителями материнских плат и оперативной памяти в конечном итоге решила этот вопрос. Весьма вероятно, что для полноценной поддержки указанных модулей ОЗУ потребуется обновление UEFI BIOS материнских плат для процессоров Ryzen 7000.

На момент написания данной заметки двухканальный комплект памяти G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 48GB (маркировка F5-6000J4048F24GX2-TZ5NR) предлагался западным ретейлером Newegg за $159,99.

Производители материнских плат и модулей оперативной памяти продолжаются соревноваться между собой в разгоне модулей DDR5. Для этих целей компании нередко нанимают специалистов по разгону компонентов ПК. Компания Gigabyte сообщила, что её штатный оверклокер Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известный под псевдонимом HiCookie, установил новый мировой рекорд разгона памяти DDR5, достигнув эффективной частоты в 11 254 МГц.

Источник изображений: Gigabyte

Для эксперимента использовалась флагманская материнская плата Z790 Aorus Tachyon, а также один модуль ОЗУ Gigabyte Aorus ARS32G5D83 объёмом 16 Гбайт. Скорость передачи данных последнего энтузиаст смог повысить до 11 254 МГц. Это всего на 14 МГц больше прошлого рекорда, принадлежащего Seby9123, о котором сообщалось ранее. По сравнению с изначальным заявленным значением частоты в 5600 МГц для модуля памяти Aorus ARS32G5D83 прирост составил 101 %. Тайминги составили CL64-127-127-127.

В основе системы использовался флагманский процессор Intel Core i9-13900K. У чипа в процессе разгона оставались активны все ядра, однако их частота работы была снижена до 800 МГц.

Не удивимся, если новый установленный рекорд разгона памяти DDR5 в скором времени будет побит очередным оверклокером.

Всего спустя год после выпуска серии 5000 PRO компания AMD обновила серию процессоров Ryzen PRO. Чипы Ryzen PRO 7000, построенные на архитектуре Zen 4, будут использовать новую платформу Socket AM5, которая поддерживает стандарт оперативной памяти DDR5. Ещё одним ключевым обновлением серии процессоров Ryzen PRO является поддержка интерфейса PCIe 5.0 и гораздо более высокие тактовые частоты.

Источник изображений: AMD

Процессоры Ryzen PRO 7000 работают на частоте до 5,4 ГГц, что на 700 МГц выше, чем у процессоров на базе Zen 3. Максимальная частота при динамическом разгоне была увеличена с 400 до 700 МГц, при этом базовая частота была увеличена на величину от 100 до 700 МГц для сопоставимых моделей. Стоит отметить, что все новые процессоры имеют одинаковый показатель тепловыделения TDP 65 Вт, как и их предшественники. Интересно, что количество ядер также не изменилось: флагманский Ryzen 9 PRO 7945 имеет 12 ядер, Ryzen 7 PRO 7745 — 8 ядер, а Ryzen 5 PRO 7645 — 6 ядер.

Кроме того, AMD запускает мобильную серию Ryzen PRO 7000, включающую три модели семейства HS (35–54 Вт) и три варианта U (15–28 Вт). Эти чипы предложат шесть или восемь ядер, а максимальная частота составит до 5,2 ГГц для семейства HS и 5,1 ГГц для U-серии.

Серия процессоров AMD Ryzen PRO с улучшенными функциями безопасности, реализованными на уровне кремния, предназначена для коммерческого и бизнес секторов. В ближайшее время ожидается презентация нескольких ноутбуков HP и Lenovo с Ryzen PRO 7040 и 7030.

Компания G.Skill не просто так демонстрировала на Computex 2023 свои новинки в сегменте комплектов оперативной памяти, она организовала в столице Тайваня традиционное соревнование по экстремальному разгону для оверклокеров со всего мира с ценными и денежными призами. Победителем стал американский энтузиаст Seby9123 (на фото в центре), который смог разогнать одиночный модуль памяти до режима DDR5-11240.

Источник изображения: G.Skill

По условиям конкурса, организаторы выдавали участникам одинаковые компоненты. Если G.Skill предоставила американцу единственный необходимый для таких экспериментов модуль памяти объёмом 16 Гбайт серии Trident Z5 RGB, который он при помощи жидкого азота разогнал до режима DDR5-11240 при значениях таймингов 62-126-126-127-127-2. Центральный процессор Intel Core i9-13900KS по соседству тоже охлаждался жидким азотом и был установлен в материнскую плату ASUS ROG Maximus Z790 Apex.

Источник изображения: HWBot

В совокупности с другими достижениями, этот результат принёс американскому энтузиасту победу в состязаниях G.Skill по экстремальному разгону и денежный приз в размере $10 000, а также резервуар для жидкого азота, устанавливаемый на графические процессоры, который был предоставлен одним из спонсоров мероприятия. К слову, обычно в экстремальном разгоне памяти лучшие результаты достигаются азиатскими оверклокерами, и появление на вершине рейтинга представителя США вносит в картину новые краски.

Последние месяцы характеризуются для Intel отказом от планов по строительству новых исследовательских центров, поскольку компания вынуждена экономить в условиях одновременного снижения выручки и роста затрат на строительство новых предприятий и освоение новых техпроцессов. Тем интереснее узнать, что до конца года в Южной Корее начнёт свою работу новая лаборатория по сертификации микросхем памяти.

Источник изображения: Intel

Об этом в начале месяца сообщило издание The Korea Herald, которое подчеркнуло, что на мероприятии Intel Vision 2023 на Тайване, которое прошло недавно, руководство Intel заявило партнёрам о готовности компании построить шесть исследовательских лабораторий в шести странах — не только в Южной Корее, но и в США, Индии, Китае, Мексике и на Тайване. Корейская лаборатория расположится в Сеуле и будет носить полное наименование Advanced Data Center Development Lab, намекая на ориентацию на серверный сегмент. Свою работу эта лаборатория уже начнёт в этом году.

Партнёрами Intel по этой площадке станут местные производители памяти в лице Samsung Electronics и SK hynix. Лаборатория сосредоточится на сертификации модулей и микросхем памяти на совместимость с центральными процессорами Intel. В Южной Корее сосредоточены крупнейшие производители оперативной памяти, поэтому выбор места для новой лаборатории абсолютно оправдан и логичен. Среди стандартов, изучаемых лабораторией на совместимость, будут DDR5 и CXL. Оба начинают находить всё более широкое применение в серверном сегменте, поэтому запуск профильной лаборатории запланирован компанией Intel весьма своевременно.

Компания G.Skill привезла на выставку Computex несколько новинок. Одной из них стал самый быстрый комплект оперативной памяти Trident Z5 DDR5 нестандартного объёма, состоящий из двух модулей ОЗУ объёмом по 24 Гбайт. Каждый из модулей работает на частоте 8800 МГц и обладает таймингами CL40-52-52-140. Новинки демонстрировались в составе системы с Intel Core i9-13900K и материнской платой ASUS ROG Z790 Apex.

Источник изображений: TechPowerUp

Компания также показала двухканальные комплекты DDR5-8000 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с таймингами CL40-48-48-128 и новые восьмиканальные комплекты памяти R-DIMM DDR5-6000 общим объёмом 384 Гбайт с таймингами CL 30-39-39-96. Последние предназначены для новейших высокопроизводительных процессоров Intel Xeon четвёртого поколения.

Для компактных систем Intel NUC производитель представил двухканальные комплекты памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и таймингами CL36-42-42-102.

Платформа AMD тоже не осталась в стороне. G.Skill представила для материнских плат на чипсете AMD X670 серию памяти Trident Z5 Neo с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Эти комплекты будут предлагаться в объёмах до 192 Гбайт.

Среди представленных модулей ОЗУ были варианты, оснащённые радиаторами золотого и серебряного цвета — все с RGB-подсветкой.

SK hynix объявила сегодня о завершении разработки самой передовой в отрасли технологии изготовления памяти 1b нм — пятого поколения 10-нм технологического процесса. Вместе с Intel компания уже начала проверку новых модулей DDR5, предназначенных для платформ Intel Xeon Scalable. Новый техпроцесс 1b нм будет использоваться для производства как серверной, так и потребительской памяти DDR5, а позднее для HBM3E и других видов памяти. Поступить в массовое производство чипы DDR5, произведённые по технологии 1b нм, должны во второй половине года.

Источник изображений: SK hynix

SK hynix ожидает, что с валидацией DDR5-памяти на базе 1b-нм технологического процесса проблем не возникнет. Согласно пресс-релизу, оперативная память DDR5 на новых чипах сразу обеспечит скорость передачи данных 6,4 Гбит/с, и это на 33 % лучше, чем у DDR5-продуктов прошлого поколения. Что ещё более важно, память DDR5, изготовленная по нормам 1b нм, будет потреблять на 20 % меньше энергии, чем более ранние продукты. Это связано с тем, что в техпроцессе используется материал с высокой диэлектрической проницаемостью, который снижает токи утечки и улучшает ёмкостные характеристики ячеек, отмечает компания.

SK hynix также подтвердила, что техпроцесс нового поколения будет использоваться и для производства HBM3E-памяти. Он позволит поднять скорость обработки данных до 8 Гбит/с на контакт, что на 25 % лучше, чем у HBM3, и в 8 раз лучше, чем у памяти HBM первого поколения. Чипы для HBM3E должны поступить в массовое производство в 2024 году.

Компания подчеркнула, что разработка новейшей технологии 1b нм позволит компании обеспечить своих клиентов продуктами DRAM, обладающими как высокой производительностью, так и эффективностью. Это позволит ей и дальше удерживать лидерство среди производителей модулей памяти. Напомним, недавно о переходе на новую технологию производства памяти объявила Samsung. Компания заявила о запуске массового производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 на базе технологического процесса 12-нм класса.

Отборные модули ОЗУ, опыт, терпение и жидкий азот позволили установить новый мировой рекорд разгона оперативной памяти DDR5. Достижением похвастался оверклокер Seby9123, добившийся от комплекта памяти G.Skill Trident Z5 скорости передачи данных в 11 202 МТ/с.

Источник изображений: Seby9123

Для эксперимента энтузиаст использовал материнскую плату ASUS ROG Maximus Z790 APEX, а также комплект модулей ОЗУ, сертифицированный на работу в режиме DDR5-7800 с помощью профилей разгона Intel XMP.

Оверклокеру удалось повысить фактическую частоту памяти до 5607 МГц, добившись от неё скорости передачи 11 202 МТ/с. В таком режиме комплект памяти заработал лишь при очень высоких задержках 62-126-126-127-127. Правда, в вопросе разгона ОЗУ до самой высокой возможной частоты работы это не имеет никакого значения.

История рекордов разгона ОЗУ DDR4 и DDR5. Источник изображения: Skatterbencher

Seby9123 побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до частоты 5567,5 МГц (11 135 МТ/с), установленный оверклокером Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известного под псевдонимом HiCookie.

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале серийного производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 DRAM на базе новейшего технологического процесса 12-нм класса. Применение данной технологии позволяет снизить энергопотребление чипов, а также получать больше микросхем с одной пластины.

Источник изображений: Samsung Newsroom

«Используя дифференцированный технологический процесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечивает выдающуюся производительность и энергоэффективность. Наша последняя версия DRAM отражает наше постоянное стремление лидировать на рынке DRAM не только с помощью высокопроизводительных и высокоёмких продуктов, которые удовлетворяют потребности вычислительного рынка в крупномасштабной обработке данных, но и путём коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую производительность» — сказал Джуён Ли (Jooyoung Lee) исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

По сравнению с предыдущим поколением, новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung снижает энергопотребление на 23 % и повышает выход микросхем с пластины на 20 %. в Samsung отмечают, что высокая энергоэффективность делает техпроцесс идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, которые хотят снизить энергопотребление и выбросы углекислого газа в своих серверах и центрах обработки данных.

Разработка компанией Samsung техпроцесса класса 12 нм для выпуска чипов оперативной памяти стала возможной благодаря использованию нового материала (диэлектрика) со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. Большая ёмкость увеличивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное различение.

Семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.

Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD в декабре прошлого года. Планируется, что новая линейка памяти будет использоваться в центрах обработки данных, для вычислений в области искусственного интеллекта и ещё широкого ряда задач.

В прошлом году бренд Crucial компании Micron прекратил выпуск модулей оперативной памяти Ballistix. Сегодня Crucial представил новую серию оперативной памяти Pro. В ней производитель будет выпускать модули ОЗУ стандартов DDR5-5600 и DDR4-3200. На фоне обычных модулей памяти Crucial UDIMM Classic новинки выделяются наличием радиатора охлаждения.

Источник изображений: Crucial

Модули ОЗУ Crucial DDR4-3200 Pro используют зелёные печатные платы. В свою очередь планки памяти Crucial DDR5-5600 Pro будут выпускаться с чёрным текстолитом, как и прочие модули памяти Crucial стандарта DDR5.

Память Crucial DDR5 серии Pro поддерживает профили разгона AMD EXPO и Intel XMP 3.0. Модули DDR4 той же серии работают с профилями разгона Intel XMP 2.0. Для планок Crucial DDR5-5600 Pro заявляется работа при таймингах CL46-46-45-45 и напряжении 1,1 В. Они будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт).

Модули Crucial DDR4-3200 Pro в свою очередь работают с таймингами CL22-22-22, при напряжении 1,2 В, и также будут выпускаться в виде двухканальных комплектов объёмом 32 Гбайт.

Стоимость двухканального комплекта памяти Crucial DDR5-5600 Pro общим объёмом 32 Гбайт составляет $115, что на $11 дороже комплекта памяти того же стандарта, но без радиатора охлаждения. В свою очередь комплект памяти Crucial DDR4-3200 Pro объёмом 32 Гбайт производитель оценил в $70, что на $12 дороже версии без радиатора.