Комитет JEDEC опубликовал стандарт LPDDR6 в начале этого месяца, а крупнейшие производители микросхем памяти уже завершили разработку прототипов DDR6. Поэтому дальнейшая планомерная работа должна привести к тому, что системы с поддержкой этих типов памяти начнут появляться в следующем году, но о массовых поставках DDR6 можно будет говорить не ранее 2027 года.

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

Источник изображения: Samsung Electronics

Такого мнения придерживается ресурс China Times, опросивший традиционных участников рынка на Тайване. Лидирующие производители памяти в лице Samsung, SK hynix и Micron уже завершили разработку прототипов микросхем DDR6, и теперь сосредоточились на создании контроллеров памяти, а также совершенствованию методов упаковки и интеграции этих микросхем на модули. Ведётся взаимодействие с Intel и AMD в сфере тестирования интерфейсов памяти.

В следующем году начнут появляться на рынке процессоры с поддержкой DDR6, первоначально они получат распространение в сегменте серверов для систем искусственного интеллекта и наиболее производительных ноутбуков. Поставки модулей памяти DDR6 и LPDDR6 в значимых количествах начнутся позднее, уже в 2027 году. В черновом варианте стандарт DDR6 был утверждён JEDEC ещё в конце 2024 года, в случае с LPDDR6 он появился во втором квартале текущего года. Валидация на уровне платформ и сопутствующее тестирование начнутся в 2026 году, как поясняют тайваньские источники.

В серверном сегменте DDR6 сможет обеспечить существенный прирост быстродействия, поскольку её пропускная способность будет варьироваться от 8800 до 17600 Мт/с (миллионов транзакций в секунду). Это в два или даже три раза выше, чем у DDR5. Структурно DDR6 также перейдёт на использование многоканальной передачи информации с четырьмя субканалами по 24 бита против двух с 32 битами у DDR5. Это хотя и будет предъявлять более высокие требования к интерфейсу модулей памяти и целостности сигнала, позволит параллельно передавать больше информации в единицу времени. Кроме того, с появлением DDR6 получит распространение формфактор модулей памяти CAMM2, который сделает их не только более компактными и «плотными», но и быстрыми.

По некоторым оценкам, LPDDR6 начнёт внедряться даже раньше DDR6. По крайней мере, Qualcomm и MediaTek уже активно формируют необходимую экосистему, а Synopsys им помогает в части взаимодействия с другими разработчиками чипов. В идеале первые продукты с поддержкой LPDDR6 могут появиться уже к концу текущего года, а производством соответствующей памяти готовы заняться Samsung и SK hynix.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) подготовил презентацию, в которой обрисовал будущие стандарты оперативной памяти LPDDR6, LPDDR6 CAMM2 и DDR6.

Обзор рейтингового режима Warface: просто освоиться, сложно оторваться

HUAWEI Pura 80 Ultra глазами фотографа

Обзор ноутбука Acer Swift Go 14 (SFG14-63-R7T4) с процессором Ryzen 9 8945HS и OLED-экраном

Обзор смартфона HONOR 400: реаниматор

Пять причин полюбить HONOR 400

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Ultra: зум, которому нет равных

Источник изображения: VideoCardz

Стандарту энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5 уже пять лет. В JEDEC считают, что пришло время для обновления. Представленные компаниями Samsung и SK hynix переходные решения в виде памяти LPDDR5X и LPDDR5T недостаточно хороши и в течение 1–2 года индустрии потребуется более скоростная память с более высокой пропускной способностью.

Скорость передачи данных энергоэффективной памяти LPDDR разных стандартов:

• LPDDR4 — 3,2 Гбит/с;
• LPDDR5 — 6,4 Гбит/с;
• LPDDR5X — 8,533 Гбит/с;
• LPDDR5T — 9,6 Гбит/с (является частью стандарта LPDDR5X).

Согласно свежей презентации JEDEC, LPDDR6 предложит скорость передачи данных от 10,667 Гбит/с, однако в перспективе от неё можно будет добиться скорости до 14,4 Гбит/с. В презентации также отмечается, что первое поколение памяти LPDDR6 сможет обеспечить пропускную способность от 28,5 до 32 Гбайт/с, а более продвинутые варианты смогут выдать до 38,4 Гбайт/с. Для модулей памяти LPDDR6 CAMM2 прогнозируется скорость передачи данных от 9,2 до 14,4 Гбит/с.

Краткие тезисы по стандарту LPDDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys

Актуальный стандарт оперативной памяти DDR5 обеспечивает скорости передачи данных от 4,0 до 8,8 Гбит/с. Для будущего стандарта DDR6 прогнозируются гораздо более высокие скорости. Спецификации нового стандарта ещё недоработаны, JEDEC пока не определилась с тем, какой тип кодирования будет использоваться в DDR6 (PAM и NRZ). Тем не менее, сейчас для DDR6 прогнозируются скорости от 8,8 до 17,6 Гбит/с с потенциалом увеличения до 21 Гбит/с.

Краткие тезисы по стандарту DDR6. Источник изображения: JEDEC / Synopsys

Окончательный вариант спецификаций стандарта DDR6 планируется принять ко второму кварталу будущего года. Черновой вариант спецификаций ОЗУ нового стандарта будет подготовлен в этом году.