Подразделение DRAMeXchange торговой площадки TrendForce продолжает сеять надежду в сердцах истосковавшихся по модернизации подсистем памяти пользователей ПК. На прошлой неделе аналитики посулили к концу 2019 года курс на двукратное снижение цен на память NAND (в идеале ― на SSD), а сегодня они делятся прогнозом о более резком, чем ожидалось снижении контрактных цен на оперативную память типа DRAM как в первом квартале, так и в течение всего 2019 года.

Прогноз DRAMeXchange на начало декабря 2018 года

В декабре 2018 года, отмечают в DRAMeXchange, а у них на руках всегда есть либо данные о заключаемых контрактах, либо возможность опроса обеих договаривающихся сторон, цены на память DRAM практически не изменились по сравнению с ценами в ноябре. Ожидание новогодних праздников заставило покупателей из Северной Америки и Европы взять паузу в закупках памяти. Тем самым средняя контрактная цена продаж 8-Гбайт модулей застыла возле отметки $60, а модулей объёмом 4 Гбайт ― возле отметки $30. Но с началом нового года контрактные цены на модули неуклонно пошли вниз.

По данным аналитиков, поставщики памяти и производители OEM начали переговоры о заключении контрактов на закупку DRAM в первом квартале 2019 года ещё в декабре 2018 года. Скопившиеся инвентарные запасы памяти, слабый спрос со стороны производителей, пессимизм в вопросах прогноза развития мировой экономики как в среднесрочной, так и длительной перспективе привели к тому, что на начало января контрактные цены на 8-Гбайт модули снизились до $55 и ниже или на 10 % по сравнению с декабрём прошлого года. Тем самым возникла вероятность, что цены продолжат снижаться в феврале и в марте. И если раньше DRAMeXchange прогнозировали в первом квартале снижение цен на DRAM до 15 %, то теперь аналитики ожидают в первом квартале более резкого снижения: до 20 % и даже сильнее.

Наибольшей проблемой для рынка DRAM в DRAMeXchange считают преждевременное достижение критических объёмов инвентарных запасов. Дело не в том, что производство памяти в пересчёте на ёмкость увеличивается (растёт доля 8-Гбайт модулей и модулей большей ёмкости). Проблема в том, что  традиционный вялый сезон снижения спроса на память начался не в январе, а ещё в ноябре-декабре 2018 года. Быстрее всех на это отреагировала компания Micron, начав снижать контрактные цены ещё до замедления спроса. Благодаря наибольшим в индустрии скидкам компания смогла оптимизировать свои инвентарные запасы, тогда как компании Samsung и SK Hynix пропустили этот момент и сейчас подошли к критическому уровню затоваривания, хотя цены на память старались не снижать. В дальнейшем это приведёт к превышению предложения над спросом и может продлиться до конца 2019 года.

Интересно отметить, что производители модулей памяти страдают от олигополии на рынке DRAM не меньше своих клиентов. Основную часть сверхприбыли от дорожавшей два года оперативной памяти забрали производители микросхем. Производители модулей могли получать сверхприбыли только в 2017 году и только в том случае, если имели значительные инвентарные запасы памяти, закупленной до подорожания. В 2018 году маржа снизилась до критической отметки, благодаря конкуренции на рынке модулей, а после второй половины 2018 года те из них, кто имел затоваривание на складах, вошли в фазу нулевой прибыли или даже убытков. Память начала дешеветь, а для выпуска модулей приходилось использовать ранее купленную дорогую память. Тем самым часть производителей модулей памяти покажет в 2018 году не прибыль, а убытки. Новый 2019 год также не сулит им ничего хорошего, поскольку память продолжит дешеветь и не позволит получать стабильную маржу.

В конце декабря ряд аналитиков уже высказались на тему сокращения инвестиций в производство твердотельной памяти NAND. Потребители NAND в виде производителей смартфонов теряют темп развития, что ведёт к снижению спроса и перепроизводству продукции. У производителей памяти образуются угрожающие по объёмам складские запасы нереализованного товара, что, в свою очередь, требует сокращать выпуск NAND-флеш. Не продавать же её за копейки? Кстати, ещё сто лет назад практика уничтожения товара (прежде всего — продовольствия) имела законное хождение.

Но вернёмся к NAND. Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовали прогноз, согласно которому производители NAND-флеш будут снижать капитальные затраты на расширение производства NAND в 2019 году. Конкретно это будет выражаться в том, что в пересчёте на ёмкость объёмы поставок памяти NAND в 2019 году вырастут в меньшей степени, чем ожидалось. В 2018 году компании Samsung и SK Hynix уже сократили капитальные затраты на 10 %, но, как видим, это не остановило перепроизводство. В 2019 году этим же приёмом обещают воспользоваться компании Micron и Intel, что снизит суммарные инвестиции в расширение производства NAND в 2019 году до $22 млрд или на 2  % меньше, чем в 2018 году.

Снижение инвестиций в развитие производства NAND означает, что переход на выпуск 92/96-слойной 3D NAND будет замедлен. Практически все производители (кроме SK Hynix) уже массово выпускают 92/96-слойную 3D NAND. К концу 2019 года, тем не менее, свыше 50 % выпускаемой 3D NAND будет оставаться 64/72-слойной, тогда как объём выпуска 92/96-слойной 3D NAND обещает оказаться на уровне 32  %. Это также означает, что в 2019 году увеличение производства NAND в пересчёте на биты вырастет всего на 38 %, хотя в 2018 году рост производства в пересчёте на ёмкость превысил 45 % в год. Это значительно больше, чем можно ожидать в текущем году, что явно не радует нас как потребителей.

Компания Samsung, как считают в DRAMeXchange, увеличит производство памяти в пересчёте на биты на 35 %. Поскольку Samsung удерживает около 30 % мирового рынка NAND, её решение притормозить окажет влияние на весь рынок в целом. Снижение объёмов Samsung следует из двух факторов. Во-первых, компания уменьшает выпуск планарной NAND. Во-вторых, выпуск 92-слойной 3D NAND (Samsung выпускает именно 92-слойную память) требует больших производственных площадей, чем выпуск той же 64-слойной 3D NAND. Это связано с тем, что 92-слойная 3D NAND собирается фактически из двух пластин с 48-слойными кристаллами 3D NAND, тогда как 64-слойную 3D NAND можно выпускать в виде одного монолитного кристалла на одной пластине.

Компании SK Hynix и Toshiba/Western Digital также имеют все шансы снизить объёмы производства 3D NAND. Каждая из них запустила в 2018 году по новому заводу (M15 и, соответственно, Fab 6), но они могут притормозить переход на выпуск 96-слойной памяти. Тем самым аналитики прогнозируют, что ранее запланированный рост выпуска памяти в битах на 50 % и, соответственно, 40 % трансформируется в рост менее 50 % и 35 %.

Что касается компании Micron, то её новый завод в Сингапуре начнёт массово выпускать 3D NAND только после 2020 года. Следовательно, объёмы производства Micron останутся теми же самыми, как в четвёртом квартале 2018 года. Компания Intel продолжит расширять производство на китайском заводе в городе Далянь, но молчит об инвестициях в другие производственные площадки. Суммарный вклад Micron и Intel в рост объёмов производства 3D NAND обещает оказаться в 2019 году на уровне 40  %, хотя этот показатель в 2018 году был на уровне 45 %.

Интересно отметить, что, несмотря на снижение инвестиций, перепроизводство 3D NAND приведёт к резкому — на 20 % — снижению отпускных цен на эту память уже по итогам первого квартала 2019 года. Во втором квартале аналитики ожидают дополнительного снижения цен на 15 % и дальше на 10 % за квартал. Всего в 2019 году по сравнению с 2018 годом отпускные цены на NAND обещают снизиться в два раза.

Как сообщает DRAMeXchange, подразделение TrendForce, контрактные цены на продукцию DRAM начали снижаться начиная с последнего квартала текущего года. Для некоторых контрактов стоимость чипов была снижена вдвое, что очень редко наблюдается на рынке. Ситуация указывает на то, что OEM-производители в настоящее время прогнозируют дальнейшие проблемы рынка, так что снижение цен на память в первом квартале 2019 года должно продолжиться.

В ноябре этого года средние цены на модули DRAM низкого и среднего класса объёмом 4 и 8 Гбайт начали падать, в то время как цены модулей высокого класса остались на прежнем уровне. Средняя контрактная цена 4-Гбайт модулей DRAM за ноябрь снизилась на 3,2 % с $31 до $30. В то же время средняя контрактная цена модулей DRAM на 8 Гбайт уменьшилась на 1,6 % с $61 до $60.

DRAMeXchange считает, что средние отпускные цены на DRAM снизятся почти на 8 % в четвёртом квартале года по сравнению с третьим. В частности, память DRAM для ПК, серверов и специализированных решений продемонстрирует падение, близкое к 10 %. Для сравнения: средняя стоимость мобильной DRAM опустится лишь на 5 %, потому что ранее рост цен на этот вид памяти был более умеренным.

Если же говорить о первом квартале 2019 года, то ожидается дальнейшее увеличение предложения за счёт наращивания доли продуктов, выпускаемых по 1Y-нм нормам, повышения доли выхода годных чипов и дальнейшего расширения производственных мощностей на фабрике Samsung в Пхёнтхэке в последней четверти этого года. В то же время традиционно первый квартал года отличается пониженным спросом, к тому же рост рынка смартфонов почти остановился по сравнению с предыдущими годами. В результате снижение цен мобильной DRAM в начале 2019 года может усилиться, да и в целом ожидается более сильное падение стоимости DRAM, чем в последней четверти 2018 года.

На снижение цен также будут оказывать последствия торговые споры в США и Китая. В частности, продукты DDR4 могут продемонстрировать более резкое падение цен по сравнению с DDR3 из-за слабого спроса со стороны ПК и серверов.

По словам аналитиков из DRAMeXchange, ведущие поставщики оперативной памяти DRAM смогли добиться роста операционной прибыли до рекордных уровней в третьем квартале 2018 года, хотя рост средней стоимости их продукции начал замедляться. Компании сейчас сосредоточены на повышении своих результатов с использованием более совершенных технологических процессов для оптимизации структуры затрат.

Операционная маржа (отношение операционной прибыли к объёму продаж) бизнеса DRAM у Samsung, согласно оценкам аналитиков, достигла 70 % в III квартале 2018 года. Samsung уже использует 1x-нм технологический процесс в массовом производстве и приступила в третьем квартале к развёртыванию более продвинутых 1y-нм норм.

В свою очередь, у SK Hynix, согласно выкладкам DRAMeXchange, операционная маржа бизнеса DRAM выросла в прошлом квартале с 63 % до 66 %, также благодаря значительному увеличению доли выхода годной 1x-нм продукции. SK Hynix начала печать чипов с использованием 1x-нм норм в конце 2017 года и сосредоточилась на повышении показателя годных кристаллов. Кроме того, SK Hynix планирует завершить до конца текущего года строительство своей второй 300-мм фабрики в китайском городе Уси. Новый объект начнёт вносить свой вклад в общий объем продукции DRAM в первой половине 2019 года, но наращивание объёмов производства будет происходить относительно медленно из-за неопределённости в мировой экономике.

Наконец, в третьем квартале операционная маржа Micron Technology увеличилась до 62 % c 60 % во втором, что DRAMeXchange также связывает с увеличением доли выпуска чипов, производимых с соблюдением 1х-нм норм в общем объёме производства. Тайваньская дочерняя компания Micron Memory Taiwan вскоре переведёт все свои производственные мощности на 1x-нм техпроцесс и приступит к освоению более совершенных 1z-нм норм. Тем не менее, последние вряд ли будут готовы к массовой печати до 2020 года. Другая тайваньская дочерняя компания, Micron Technology Taiwan, перешла на массовое 1x-нм производство и в конце 2018 года начнёт развивать свои 1y-нм нормы.

По мнению DRAMeXchange, у всех трёх ведущих производителей DRAM операционная маржа не возрастёт в последней четверти текущего года, поскольку их усилия по сокращению затрат вряд ли компенсируют влияние наметившегося постепенного падения цен на чипы памяти.

Октябрьские отчёты производителей памяти DRAM о работе в третьем квартале календарного 2018 года позволили аналитикам свести воедино данные о рынке памяти за указанный период. Как рапортуют в DRAMeXchange, подразделении компании TrendForce, рынок памяти за квартал разросся на 9 % и достиг нового пика. При этом квартальное повышение цен на DRAM для основных рынков (ПК, серверов и смартфонов) составило всего от 0 до 2 %, а память типа DDR3 так и вовсе продавалась дешевле, чем кварталом ранее, как и память для видеокарт (–3 %), спрос на которые упал после спада ажиотажа на криптовалютном рынке.

Исходя из представленных цифр, рост рынка в отчётный период происходил не за счёт подорожания памяти, а за счёт увеличения выпуска как микросхем DRAM, так и за счёт увеличения производства в пересчёте на ёмкость. Но дальше ситуация начнёт развиваться не в пользу производителей, предостерегают в DRAMeXchange. С октября контрактные цены на отдельные виды памяти начали снижаться. В четвёртом квартале цены на память начнут падать на всех направлениях, в чём будет виновно перепроизводство на рынке DRAM. В первом квартале нового года ситуация усугубится ещё сильнее, поскольку к перепроизводству и затовариванию складов добавится сезонный фактор.

При достижении точки перелома на кривой роста цен на память крупные производители памяти и производители второго звена по-разному отреагировали на это событие. Тройка лидеров продолжила последовательно набирать выручку, а компании помельче сразу ушли в минус. Среди тройки лидеров отметилась компания Samsung. Средняя цена продажи памяти Samsung за квартал выросла всего на 1 %, но её выручка за квартал подскочила на 13,6 %. Произошло это за счёт наращивания объёмов производства в виде запуска в эксплуатацию только что построенных линий. Компания SK Hynix увеличила за квартал выручку от поставок DRAM на 6 %, а Micron — на 6,8 %. Micron также ввела в эксплуатацию новые мощности и заработала премию не на росте цен, а на увеличении выпуска продукции. Добавим, Samsung и SK Hynix вместе удерживаю 74,6 % мирового рынка памяти (в терминах выручки), из которых Samsung принадлежит 45,5 %, а SK Hynix — 29,1 %.

Интересно отметить, что хотя цены на память почти не росли, рентабельность производства памяти у каждой из компаний выросла до нового рекордного уровня. За это надо благодарить внедрение более тонких техпроцессов, что экономит средства на производство. Так, внедрение второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Y-nm) позволило Samsung за квартал увеличить операционную рентабельность с 69 % до 70 %. Компания SK Hynix за это же время увеличила операционную рентабельность с 63 % до 66 % (но за счёт перехода на техпроцесс 1X-nm — первого поколения 10-нм класса). Компания Micron увеличила операционную рентабельность с 60 % до 62 %, что произошло за счёт увеличения объёмов производства памяти с использованием техпроцесса 1X-nm.

Что касается перехода на новые техпроцессы, то Samsung удерживает наибольшую в индустрии долю производства DRAM с использованием техпроцесса. 1X-nm. Параллельно компания расширяет мощности с использованием техпроцесса 1Y-nm на заводе Line 17 и Line 18. До конца текущего года, как считают в Samsung, около 70 % DRAM компании будет выпускаться с использованием техпроцессов 1X-nm и 1Y-nm. В 2019 году компания будет планомерно переходить на техпроцесс 1Y-nm (второго поколения класса 10 нм).

Компания SK Hynix начала эксплуатировать техпроцесс 1X-nm в конце 2017 года с прицелом снизить уровень брака в течение первой половины 2018 года. Но самый значительный прогресс в этом произошёл в только третьем квартале этого года. В дополнение к этому до конца года SK Hynix завершит строительство в Китае своей второй 300-мм фабрики по выпуску DRAM. Этот завод начнёт поставлять память в первой половине 2019 года, но объёмы производства будут зависеть от развития торговых отношений США и Китая.

Подразделение Micron Memory Taiwan (бывшая компания Rexchip) всю память выпускает с использованием техпроцесса 1X-nm. Это предприятие пропустит внедрение техпроцесса 1Y-nm и сразу перейдёт к техпроцессу 1Z-nm, но это будет не раньше 2020 года. Другое подразделение американской компании — Micron Technology Taiwan (бывшая компания Inotera) — начала переходить на техпроцесс 1X-nm с 20-нм техпроцесса со второго квартала этого года. Техпроцесс 1Y-nm она начнёт внедрять до конца 2018 года и будет наращивать его долю в 2019 году.

Что касается некрупных тайваньских производителей памяти, то они не делают погоды, а состояние дел у них можно узнать из таблицы выше. Отметим только, что компании Powerchip и Winbond стали получать больше выручки от оказания услуг по проектированию чипов и от производства NAND SLC, чем от выпуска DRAM. Следовательно, при ухудшении ситуации им есть на что переориентироваться.

Аналитики DRAMeXchange опубликовали результаты статистики поведения цен на флеш-память в течение октября. По данным, собранными этой торговой площадкой, на которой проводятся электронные торги на поставку памяти DRAM и NAND, в октябре произошло сильнейшее за последние 12 месяцев последовательное (месячное) снижение цен на память типа NAND. Точнее, сильнее всего в октябре упали контрактные (оптовые) цены на чипы и пластины с памятью 3D NAND TLC — на 13–17 %. Это самая массовая на сегодня память NAND, которая находится в производстве.

Столь сильное падение договорных цен на 3D NAND TLC аналитики связывают с прогнозом плохого спроса в первой половине 2019 года на продукцию с использованием NAND (в первую очередь, можно полагать, речь идёт о смартфонах). Поэтому производители и поставщики флеш-памяти спешат снизить цену на продукцию намного раньше, чтобы успеть избавиться от складских запасов.

Складские запасы, кстати, принято распродавать до начала квартальных отчётов, чтобы показать инвесторам и акционерам хорошую картинку, а затоваривание складов — это огромный минус производителю. Тем самым контрактные цены на чипы и пластины с NAND-флеш обычно дешевеют в конце каждого квартала. Так было и в этот раз, но особенность третьего квартала в том, что за ним следует четвёртый квартал и годовая инвентаризация запасов не только у поставщиков, но также у их клиентов, которым по итогам года тоже нельзя показывать раздувшиеся складские запасы. Как результат, поставки (и закупка) флеш-памяти в декабре будут идти ни шатко, ни валко.

Аналитики добавляют, что, несмотря на приближающийся предпраздничный сезон распродаж, октябрьское снижение договорных цен не сможет стимулировать покупателей наращивать складские запасы NAND. По крайней мере, если говорить о краткосрочной перспективе. Так что дополнительного снижения цен на флеш-память можно ждать и в ноябре, и в декабре. Интересно добавить, что контрактные цены на 3D NAND TLC рухнули сильнее, чем на 2D NAND. Это возродило интерес к наращиванию производства планарной NAND, но также повлекло за собой дополнительное падение контрактных цен на 2D NAND на 4–10 %. Рынок не даёт расслабиться и найти производителям лазейку обойти наметившуюся тенденцию.

Что касается продолжающейся торговой войны между США и Китаем, то этот конфликт подогревает и так непростую ситуацию с затовариванием NAND. Например, не оправдали себя ожидания на разрешение компании ZTE возобновить бизнес в США. В третьем квартале это должно было вылиться в сокращении запасов NAND в сетях ODM-производителей телекоммуникационного оборудования. В должной мере этого не произошло и теперь затоваривание негативно скажется на последующих кварталах. Что это даст потребителям? Интересные цены на продукцию, но заставит производителей искать выход из кризисной ситуации, который вряд ли нам понравится.

Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce отметили начало падения контрактных (оптовых) цен на микросхемы памяти типа DRAM и модули памяти DDR4. Рост контрактных цен на память наблюдался девять кварталов подряд, что привело к росту цен на оперативную память всех типов и, в конечном итоге, увеличило стоимость продукции с использованием памяти. Признаки улучшения ситуации начали проявляться с начала текущего года. Это выразилось в том, что спотовые цены — продажа памяти в виде мгновенных сделок — начали снижаться в первом квартале 2018 года. В сентябре эти тенденции также себя проявили, а уже в октябре снижаться начали контрактные цены, что открывает тенденцию к повсеместному снижению цен на память и продукцию.

Согласно наблюдению DRAMeXchange, в четвёртом квартале снижение средней цены продажи памяти по контрактам составит 10,14 % по сравнению с третьим кварталом этого же года. Говорить о таком снижении можно уверенно по той причине, что большинство договоров на поставку уже заключено. Это означает, что оптовая цена на 4-Гбайт модули DDR4 в среднем уменьшится с $34,5 до $31. Модули памяти объёмом 8 Гбайт упадут за квартал в цене на 10,29 % или с $68 до $61. Поскольку рынок памяти вошёл в состояние перепроизводства, аналитики не исключают, что в ноябре и декабре память станет ещё дешевле. Также специалисты ожидают более сильного падения цен на 8-Гбайт модули, чем на 4-Гбайт. Кстати, в 2019 году 8-Гбайт модули DDR4 станут для DRAMeXchange базовыми для оценки рыночных тенденций. Это отражает курс производителей на выпуск более плотных 8-Гбит микросхем DRAM.

Отчасти в перепроизводстве DRAM виновна компания Intel. Дефицит процессоров не позволяет производителям модулей памяти увеличить выпуск и продажу модулей. На них банально нет должного спроса — некуда ставить. Эта тенденция затронет всю вторую половину 2018 года и будет усугублена традиционно вялым спросом на комплектующие в первом квартале 2019 года. Иными словами, кризис перепроизводства памяти со всеми негативными для производителя последствиями только усилится. Эти же тенденции будут наблюдаться как в сегменте памяти для смартфонов, так и в серверном сегменте. В целом в 2019 году снижение цен на память в годовом сравнении обещает составить до 20 %. Чтобы этот сценарий не воплотился в жизнь или закончился «мягкой посадкой», производители памяти намерены сократить расходы на расширение производства для выпуска DRAM.

Заканчивается первая декада октября и аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce готовы вновь корректировать прогноз о будущем состоянии рынка памяти DRAM и NAND. Предыдущий прогноз, напомним, предсказывал снижение цен на DRAM к концу четвёртого квартала 2018 года на величину до 5 %. Обновлённый прогноз, который компания опубликовала во вторник, подтверждает этот уровень и предсказывает возможность более сильного дальнейшего снижения цен как на DRAM, так и на память NAND.

Несмотря на приближающийся сезон праздников и ожидаемый рост покупательской активности, в четвёртом квартале должно произойти последовательное (поквартальное) снижение средней цены продаж на DRAM на величину не менее 5 %, что прервёт длившийся 9 кварталов «суперцикл» роста цен на оперативную память. О приближении этого события предупреждает вялый рост цен на память DRAM в третьем квартале (на уровне до 2 %) и ряд объективных факторов.

Во-первых, рынок смартфонов в этом году не показал и не обещает удивительных продаж. Во-вторых, поставки серверов всё ещё не могут считаться удовлетворительными. В-третьих, дефицит процессоров Intel снижает объёмы выпуска компьютеров и, как следствие, требует меньше памяти. Производители памяти понимают проблему и будут стремиться сократить вложения в производство, чтобы опустить поставки до или ниже уровня спроса. Но перепроизводства в 2019 году всё равно не удастся избежать, уверены аналитики. Так, в 2019 году снижение цен на DRAM в годовом отношении составит уже 15–20 %.

Квартальное снижение цен на NAND на уровне 10 % наблюдалось уже в третьем квартале 2018 года. В четвёртом квартале ожидается снижение цен ещё на величину от 10 % до 15 %. При этом контрактные цены на 3D NAND TLC как на самую популярную у производителей память снизятся более чем на 15 %, за что надо благодарить конкуренцию в этом сегменте рынка. Также к снижению цен на NAND ведёт торговая война США и Китая и снижение темпа продаж смартфонов.

QLC 3D NAND компании Toshiba

Удержать небольшой разрыв между предложением и спросом на NAND производители смогут, если задержат перевод производства на выпуск 96-слойной 3D NAND. По оценкам специалистов, к четвёртому кварталу 2019 года объём производства NAND в годовом сравнении увеличится на 5 %. При этом производство 3D NAND за это же время обещает увеличиться на 20 %. Следовательно, производители могут пересмотреть планы по модернизации линий по выпуску многослойной памяти в сторону уменьшения. Если этого не сделать, в 2019 году цены на NAND в годовом сравнении уменьшатся на 25–30 %, что не понравится как производителям памяти, так и их акционерам.

По мнению аналитиков DRAMeXchange (подразделения компании TrendForce), наблюдаемый сегодня дефицит 14-нм процессоров Intel и перенос сроков релиза очередных моделей CPU и SoC оказывают непосредственное влияние как на рынок компьютерных систем в сборе, так и на рынок оперативной памяти. Из-за дисбаланса объёма отгрузки процессоров Intel и микросхем и модулей DRAM, с одной стороны, оптовые заказчики и рядовые пользователи могут приобрести память по более низким ценам, а с другой — компании-производители энергозависимой памяти выручат по итогам квартала меньше средств и будут вынуждены экономить на внедрении новых технологий.

Главной причиной проблемной ситуации на рынке DRAM специалисты DRAMeXchange назвали перенос сроков выхода мобильных SoC Whiskey Lake, которые изначально должны были появиться в новых ноутбуках в течение третьего квартала текущего года. Из-за нарушения сроков по итогам года будет продано меньше лэптопов, чем в 2017-м — на 0,2 %. В целом дефициту оказались подвержены не только модели Whiskey Lake, но и их предшественники Coffee Lake — всё из-за неудачи Intel с освоением 10-нм технологической нормы, вследствие чего 14-нм производственные линии оказались перегружены. По оценке DRAMeXchange, в августе для сборки запланированного числа ноутбуков не хватало 5 % процессоров, в сентябре несоответствие между DRAM и CPU/SoC будет находиться в диапазоне от 5 % до 10 %, а в четвёртом квартале оно может увеличиться до 10 % и выше. Ожидается, что исправить положение удастся только в первом квартале 2019 г., поэтому как минимум в ближайшие несколько месяцев будет наблюдаться общее снижение цен на оперативную память.

Предварительный прогноз DRAMeXchange оценивал уменьшение стоимости памяти в четвёртом квартале в 2 % последовательно. Однако проблемы Intel должны привести к увеличению этого показателя (в пользу потребителя). Ожидается, что снижение цен затронет не только DRAM, но и SSD, что создаст благоприятные условия для распространения бюджетных твердотельных накопителей на смену жёстким дискам. Отмечается, что дефицит процессоров ощущается не только в потребительском, но и серверном сегментах рынка вычислительных систем. Так, ряд OEM-производителей серверов, участвуя в опросе DRAMeXchange, пожаловались на проблемы с переходом от платформы Intel Grantley к Purley, не говоря уже о Purley Refresh.

В конце июля и аналитики, и производители памяти типа DRAM уже выразили ожидания, что очередной период роста цен на микросхемы памяти приблизился к своему завершению. С середины августа начался обычный процесс переговоров поставщиков и клиентов по закупкам памяти в течение четвёртого квартала, что даёт возможность предсказать поведение цен на DRAM и продукцию на её основе в четвёртом квартале текущего календарного года. Забегая вперёд, отметим, с большой вероятностью память начнёт дешеветь или, по меньшей мере, перестанет расти в цене.

В третьем квартале контрактные цены на модули памяти для ПК и серверов по сравнению со вторым кварталом выросли на 1–2 %. Память для смартфонов и электроники почти не изменилась в цене, а память для видеокарт начала дешеветь. За этот же период спотовые цены на DRAM (быстрые сделки за наличные), тем не менее, временами оказывались меньше контрактных, что считается первым признаком грядущего снижения цен на эту продукцию.

Другим индикатором поведения цен на рынке памяти служила стоимость микросхем и модулей памяти для ПК. Рынок этой продукции удерживает всего 15 %  всеобщего рынка памяти, но в умении предугадать тенденции он вне конкуренции. В четвёртом квартале 2018 года, несмотря на предпраздничный сезон продаж, память для ПК либо не изменится в цене, либо подешевеет на величину до 4 %. Производители вычислительных систем имеют достаточно инвентарных запасов, чтобы не создавать ажиотаж вокруг памяти и справедливо ожидают снижения цен на продукцию в 2019 году.

Цены на память для серверов в четвёртом квартале тоже могут остаться на нулевой отметке роста или даже сбросить до 2 % стоимости. Однако реальное поведение цен в данном сегменте будет зависеть от спроса на рынке серверов в США и в Китае.

Память для мобильных устройств восстанавливается в объёмах производства, удовлетворяющих спрос. Реальная ситуация с мобильной DRAM будет зависеть от успеха или неудачи новых моделей Apple iPhone и флагманских смартфонов под управлением Android. Рост рынка смартфонов в четвёртом квартале ожидается на уровне 5–10 %. Производители памяти готовы к такому сценарию, а компании SK Hynix и Micron работают как над повышением объёма выхода годной продукции, так и над миграцией производства мобильной DRAM на более мелкие техпроцессы. Тем самым чипы памяти для смартфонов могут потерять в цене до 2 %, а модули eMCP с DRAM и NAND подешевеют на величину от 2 % до 5 %. Похожая тенденция на рынке памяти для потребительской электроники, с чем всех нас можно только поздравить.

В течение примерно последних двух лет цена на чипы оперативной памяти (DRAM) постоянно повышалась. Причиной этому в первую очередь было значительное повышение спроса, ведь оперативная память сейчас используется не только в компьютерах или смартфонах, но даже, например, в «умных» лампочках, являющихся частью Интернета вещей. Но, похоже, в скором времени ситуация изменится, потому как целый ряд источников утверждает, что цены на память начнут снижаться.

Например, тайваньский полупроводниковый производитель Nanya Technology считает, что в текущем квартале цены на чипы оперативной памяти достигнут своего максимума и после начнут снижаться. Как отметил президент Nanya Ли Пей-Ин (Lee Pei-Ing), уже заметно снижение цен на некоторые виды чипов оперативной памяти, в частности на компьютерную DRAM-память. Можно было подумать, что это связано с продолжающимся снижением спроса на настольные ПК и ноутбуки, но сегмент серверов и ЦОД продолжает показывать устойчивую динамику, тем самым компенсируя это падение.

Было также отмечено, что в текущем квартале цены на оперативную память останутся примерно на том же уровне, и колебания составят 1–2%. Ранее глава Nanya делал более оптимистичные прогнозы, утверждая, что в третьем квартале 2018 года DRAM-чипы смогут ещё набрать в цене. Однако после начала расследования антимонопольных органов в отношении Samsung, SK Hynix и Micron, а также обострения технологического противостояния США и Китая он изменил свою точку зрения.

Отметим, что Nanya Technology является четвёртым по величине производителем чипов оперативной памяти, после Samsung, SK Hynix и Micron, и по сравнению с ними занимает небольшую часть этого рынка. Тем не менее компания поставляет свои полупроводниковые изделия таким производителям, как HP, Dell, Kingston, Huawei, Lenovo, Xiaomi и многим другим производителям электроники.

Слова главы Nanya подтвердил и аналитик Шон Ян (Sean Yang) из шанхайской компании CINNO. Он заявил, что в настоящее время роста цен на оперативную память не наблюдается. Также он прогнозирует, что в следующем году цена должна снизиться в связи с уменьшением спроса на ПК и смартфоны. И такие перспективные сферы, требующие довольно много DRAM-памяти, как системы искусственного интеллекта и автомобили с автопилотом, пока что не могут компенсировать это снижение.

Ресурс The Wall Street Journal приводит несколько другие данные, которые, тем не менее, также указывают на снижение стоимости памяти. Ссылаясь на аналитиков DRAMeXchange авторитетный американский ресурс сообщает, что в этом году падение стоимости как оперативной, так и твердотельной памяти составило 16 % и 37 % соответственно.

Отмечается, что в январе текущего года цены на оперативную память достигли своего максимума в $4,90 за чип DDR4 объёмом 4 Гбит. К июню цена снизилась до $4,07. Связано это с уменьшением дефицита, образовавшегося ранее. Тем не менее, на сегодняшний день оперативная память стоит более чем вдвое выше, нежели в момент начала значительного повышения цен в 2016 году.

Также отмечается, что цены на твердотельную память (NAND) снижаются быстрее, чем на оперативную. За год стоимость упала более чем на треть, и продолжит снижаться, хотя, возможно, и не столь быстрыми темпами.

Причины для снижения цен на оперативную память называются те же. Главной причиной является снижение продаж смартфонов и последовавшее за этим уменьшение спроса со стороны их производителей. Также свою роль играет продолжающееся сокращение рынка настольных ПК и ноутбуков. И, наконец, свою лепту вносит повышенное внимание со стороны регулирующих органов к основным производителям памяти.

Судя по всему, в скором времени действительно можно ожидать снижения цен на оперативную память, а также на твердотельные накопители. Конечно, не стоит ожидать, что это случится совсем скоро и моментально, но постепенно цены должны прийти в норму.

Начался третий квартал 2018 года, который на своём завершении вернёт компьютерный рынок и рынок электроники к сезонному росту. Производители продукции должны готовиться к этому прямо сейчас, не дожидаясь начала активности покупателей. В частности, аналитики подразделения DRAMeXchange компании TrendForce сообщают, что между поставщиками памяти DRAM и производителями продукции на её основе начались переговоры о закупках в третьем квартале. В течение вялого для торговли первого полугодия склады оставались незаполненными, и пришло время завозить на них новую продукцию. Сначала закончатся отпуска, а потом придёт время праздников — рынок должен быть готов удовлетворить любой спрос.

Что касается спроса в третьем квартале, то он ожидается на двух направлениях. Во-первых, будут востребованы модули памяти для серверного рынка. Во-вторых, большей популярностью начнёт пользоваться память для смартфонов, благо объём оперативной памяти в составе мобильных устройств растёт год от года и уже подобрался к отметке 8 Гбайт на одно устройство. В то же время спрос на обе эти категории продуктов будет достаточно скромным, что не позволит производителям взвинтить цены на память.

Специалисты DRAMeXchange отмечают, что рост цен на массовую продукцию в виде модулей DRAM и памяти для смартфонов, включая модули eMMC, составит в третьем квартале от 1 % до 2 %. Это позволит производителям памяти установить новый рекорд по квартальной выручке, но окажется не таким сильным раздражителем, как раньше, когда память дорожала до 10 % за квартал. К тому же выпуск серверных модулей памяти почти восстановился в объёмах, которые были снижены на период сильного дефицита DRAM с середины 2016 года по первую половину 2018 года.

Динамика производства модулей памяти для серверного рынка (DRAMeXchange)

Также следует упомянуть о снижении цен на графическую память GDDRx. Падение интереса к добыче криптовалют снизило спрос на видеокарты и, как следствие, на графическую память. Впрочем, будет интересно послушать аналитиков DRAMeXchange, что они думают о потопе на криптофермах в провинции Сычуань?

Свой вклад в снижение темпов роста цен на память вносит переход на выпуск чипов DRAM с нормами класса 10 нм (1X и 1Y нм). В пересчёте на биты объёмы памяти выросли во втором квартале на 3,2 % и обещают вырасти в третьем квартале ещё на 4,8 %. Это приведёт к росту среднего ценника, что также положительно скажется на финансовом благополучии производителей. В то же время это позволит смягчить спрос и придержать рост цен на массовую память. Более того, если перевод производства DRAM на 10-нм техпроцессы окажется успешным и проблем с браком будет становиться всё меньше и меньше, то в четвёртом квартале, несмотря на предпраздничный ажиотаж, цены на DRAM могут прекратить рост с тенденцией к последующему снижению.

Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce доложили о ещё одном компетентном наблюдении. В течение второй половины 2018 года, уверены в DRAMeXchange, контрактные цены на микросхемы памяти типа NAND обещают стабилизироваться и даже начать снижаться. Иными словами, импульс для роста цен, обычно возникающий в период завершения сезона отпусков, в этом году будет слабым и не повлечёт за собой увеличение спроса и роста цен на энергонезависимую память.

В первой половине 2018 года контрактные цены на NAND-флеш снижались два квартала подряд, следуя как за сезонным снижением спроса на устройства, так и за наращиванием производства 64/72-слойных микросхем 3D NAND. В этот период поставщики памяти стремились предложить конкурентную цену на продукцию, чтобы поощрить производителей устройств увеличивать объём бортовой памяти в изделиях (смартфонах, планшетах и в ноутбуках). Расчёт был на то, что с началом сезона «назад в школу» спрос по инерции возрастёт. Также производители притормозили с планами расширить производство 3D NAND, чтобы предотвратить снижение оптовых цен на память на фоне угрозы возможного перепроизводства. В общем, делали всё от них зависящее, чтобы цены на NAND возобновили свой рост.

Пока специалисты DRAMeXchange оценивают планы производителей остановить падение цен на NAND как провалившиеся. В третьем квартале последовательный (квартальный) рост продаж смартфонов ожидается на уровне 0–1 %, планшетов — 0–1 %, и ноутбуков — 9–10 %. Для успешных контрактных поставок чипов NAND-флеш в таких условиях оптовые цены на микросхемы памяти снова придётся снижать. И если в четвёртом квартале снова не выстрелит новый iPhone, оптовые цены на NAND продолжат снижаться уже до самого конца текущего года.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND, что усложняет её производство

Что делать производителям NAND в таких условиях? Во-первых, ни в коем случае не расширять производство. Во-вторых, начать перевод части линий для выпуска 64/72-слойной 3D NAND под будущее производство 96-слойной 3D NAND, что на какое-то время равнозначно сворачиванию производства. На какое-то время это может помочь привести спрос и предложение в состояние баланса, но долго такое равновесие не просуществует, и цены на NAND снова начнут снижаться.

В четверг представители антимонопольного бюро Министерства торговли Китая провели встречу с руководством американской компании Micron Technology. По данным аналитической группы DRAMeXchange торговой площадки TrendForce, на встрече обсуждались вопросы продолжительного роста цен на память для персональных компьютеров. Китайские OEM-производители ПК и вычислительных систем предсказуемо испытывают сильнейшее ценовое давление, которое оказывает растущая на микросхемы и модули DRAM цена.

thestreet.com

Кроме того, компания Micron стала фигурантом дела о нарушении интеллектуальной собственности китайского производителя памяти компании JHICC. Поэтому высоким сторонам встречи было что обсудить. По результатам беседы, предсказывают в DRAMeXchange, цена на память вскоре может стабилизироваться и даже пойти вниз.

DRAMeXchange

По итогам первого квартала 2018 года компании Samsung, SK Hynix и Micron вместе удерживают 96 % рынка DRAM. Это настоящая олигополия, действия которой должны пристально изучаться антимонопольными органами. С компанией Samsung китайский регулятор в начале года уже провёл профилактическую беседу, и это имело результат, поскольку вскоре цены на память DRAM для смартфонов стабилизировались и местами даже начали снижаться. Источник не связывает встречу регулятора с Micron с прошлой встречей с Samsung (тем более, что в каждом случае это были разные регуляторы), но также очевидно, что Китай, который стал крупнейшим мировым потребителем DRAM и NAND, будет пристально следить за порядком на рынке памяти.

В то же время нельзя ожидать, что цены на память для ПК в одночасье рухнут. Дефицит сохранится, поскольку нет достаточно мощностей для его удовлетворения. Это означает, что спрос превысит предложение и цены ещё какое-то время будут идти вверх. Например, производственный цикл DRAM превышает восемь недель (примерно полтора месяца), а внедрение новых производственных линий при условии имеющихся промышленных площадок требует срок около года при немедленном финансировании. Остаётся надеяться, что китайский регулятор поможет тройке лидеров найти скрытые резервы для расширения выпуска DRAM. Иногда для этого достаточно просто побеседовать.

Это может быть незаметно, но цены на микросхемы флеш-памяти понемногу снижаются, отмечают аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce. Некоторое превышение предложения над спросом наметилось ещё в первом квартале текущего года. Во втором квартале промышленность обычно оживает, но весенний импульс обещает оказаться достаточно слабым, чтобы взвинтить спрос на чипы NAND-флеш. Поэтому, считают аналитики, небольшое перепроизводство памяти сохранится также во втором квартале 2018 года, что заставит поставщиков немного снизить цену на свою продукцию.

Микросхемы NAND-флеш и продукция на их основе (компания SK Hynix)

Пик спроса на NAND-флеш ожидается во втором полугодии 2018 года. Поскольку к этому времени цены на память немного упадут, в каналах продаж начнётся активная деятельность по восполнению складских запасов. К этим двум факторам добавится тенденция в среднем наращивать объём флеш-памяти в смартфонах. Всё это может привести либо к восстановлению баланса между предложением и спросом, либо к превышению спроса над предложением. Проще говоря, во втором квартале цены на NAND-чипы могут либо прекратить снижаться (пусть это и происходит довольно медленно), либо память немного вырастет в цене.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Качнуть цены на память вверх могут производители микросхем. Аналитики отмечают, что поставщики замедляют технологическую экспансию в отрасль. Например, выпуск 96-слойной 3D NAND в осязаемых объёмах вряд ли произойдёт раньше 2019 года. Также раньше 2019 года не ожидается значительных объёмов производства 32-слойной «китайской» 3D NAND со стороны компании Yangtze Memory Technologies Company (YMTC). В сухом остатке, резюмируют аналитики, в первой половине года стоимость продукции с использованием флеш-памяти будет понемногу снижаться, хотя вторая половина года, в лучшем случае, может порадовать заморозкой цен на SSD, eMMC и другую продукцию.