Теги → finfet
Быстрый переход

В Китае Intel обвинили в нарушении патента FinFET

Технология производства транзисторов FinFET является основополагающей для процессоров Intel с 2011 года, она используется практически в каждом продаваемом компанией экземпляре. Однако с 2018 года Intel оказалась втянутой в судебное разбирательство в Китае о нарушении патентных прав. Одна из государственных научно-исследовательских лабораторий утверждает, что американский производитель нарушает её патент, связанный с FinFET.

 Источник: tomshardware.com

Источник: tomshardware.com

Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) подал иск против Intel в Верховный народный суд КНР в Пекине в 2018 году, требуя возмещения убытков в размере 200 миллионов юаней (примерно $31 млн), а также судебных издержек. Истец также требует запрета на продажу процессоров Intel серии Core, которые используются в потребительских продуктах — минимум до тех пор, пока не будет заключено лицензионное соглашение.

В защиту своей позиции Intel уже неоднократно пыталась добиться признания патента недействительным, однако уже шестое слушание в Комиссии по повторной экспертизе патентов Китая закончилось отказом. Этому предшествовала длинная череда попыток перенести рассмотрение дела из китайского органа в предположительно более дружественное для компании Бюро по патентам и товарным знакам США. Однако американское ведомство отказалось слушать дело, предоставив его китайским коллегам.

Intel начала использовать технологию FinFET с дебютом 22-нм процессоров семейства Ivy Bridge в 2011 году и не отказалась от данного решения по сей день. Институт IMECAS попытался усилить свои позиции, обвинив Intel в нарушении ещё двух патентов: первый затрагивает производство и продажу процессоров Core i3, второй связан с технологией полевых транзисторов. По этим делам также предполагаются судебные запреты и возмещение издержек.

Intel перепробует все возможности уладить дело, будучи опытным игроком в патентом праве, однако IMECAS обладает преимуществом, поскольку сражается на своей территории. Кроме того, институт зарегистрировал более 5000 патентов в Китае и 500 в других странах, причём 1505 патентов касаются технологий интегральных схем — организация также имеет большой опыт в области патентного права. Оспаривание действия патента является одним из первых шагов в досудебном урегулировании спора, но если все попытки будут исчерпаны, сторонам придётся встречаться в суде.

Юридический отдел Intel работает постоянно: компания оказалась втянутой в серию судебных процессов с VLSI, также выдвинувшей обвинения в нарушении патентов. Истец уже добился взыскания $2,18 млрд, но проиграл в другом деле. Вся же серия процессов может обойтись Intel в сумму до $11 млрд, если производитель проиграет во всех штатах. Кроме того, компании приходится реагировать на другие иски, в том числе связанные с уязвимостями Meltdown и Spectre, а также с задержкой при переходе на техпроцесс 7 нм.

Первое поколение 3-нм техпроцесса будет доступно только собственному подразделению Samsung

Компания TSMC не раз заявляла, что начнёт серийное производство 3-нм продукции во второй половине 2022 года, но при этом будет придерживаться традиционной структуры транзисторов FinFET. Конкурирующая Samsung готова предложить 3-нм техпроцесс в сопоставимые сроки, причём с новой структурой транзисторов с окружающим затвором. Эксперты считают, что первым клиентом Samsung на этом направлении станет сама корейская компания.

 Источник изображения: Weibo

Источник изображения: Weibo

На подобные мысли аналитиков наталкивает, как отмечает Business Korea, просочившийся в китайские социальные сети слайд с мероприятия Samsung для клиентов, которое состоялось в этом месяце. Перспективный план перехода на новые техпроцессы подразумевает использование техпроцесса 3GAP с более сложной структурой в 2023 году. Ранее считалось, что Samsung начнёт выпуск 3-нм продукции по более простой технологии 3GAE в 2022 году, и представителям AnandTech удалось подтвердить по официальным каналам, что данный план всё ещё в силе.

Исчезновение техпроцесса 3GAE со слайда Samsung для клиентов может объясняться решением компании использовать первое поколение технологии для своих собственных нужд. По словам представителей компании, переговоры с клиентами об использовании GAE тоже ведутся. За счёт перехода на 3-нм техпроцесс Samsung стремится добиться увеличения плотности размещения транзисторов на 35 %, их производительность увеличится на 15 %, либо удастся снизить энергопотребление на 30 %. Недавно компания объявила, что совместно с Synopsys уже получила первые цифровые проекты 3-нм изделий, использующих структуру транзисторов GAA с окружающим затвором.

Samsung собирается начать массовое производство 4-нм продуктов первого поколения в этом полугодии, до второго поколения данная технология дозреет уже в следующем году. TSMC освоит опытное производство 4-нм компонентов в этом квартале. Представители Qualcomm ранее выразили опасение, что серийные 3-нм процессоры в исполнении Samsung смогут появиться не ранее 2024 года.

Китайская SMIC запустила пробное производство 8-нм чипов на техпроцессе N+1

Шанхайская корпорация Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) сообщила о начале мелкосерийного пробного производства с использованием собственного техпроцесса N+1 FinFET второго поколения. Об этом представители компании сказали в ответ на вопрос инвестора о прогрессе, достигнутом компанией в исследованиях, разработке и производстве 7-нм продуктов.

SMIC первой в Китае освоила массовое 14-нм производство в последнем квартале 2019 года. Это был техпроцесс FinFET первого поколения. Однокристальная система Hisilicon Kirin 710A, которая использовалась в Honor Play 4T и ещё в паре других продуктов Huawei, производится с соблюдением этих норм.

Ещё в сентябре этого года, когда инвесторы попросили рассказать о массовом производстве микросхем новых поколений, SMIC ответила, что потенциальные клиенты уже знакомятся с техпроцессом FinFET второго поколения N+1. Компания тогда также намекнула, что к концу 2020 года ожидается запуск мелкосерийного пробного производства. Позднее в октябре китайская компания INNOSILICON объявила, что она достигла стадии tape out первого в мире чипа, который будет производиться с соблюдением FinFET N+1 от SMIC. Теперь, как видно, уже началось мелкосерийное производство.

Что касается самого техпроцесса N+1, то исполнительный директор SMIC Лян Мэнсонг (Liang Mengsong) ранее в этом году сообщил, что этот техпроцесс очень похож на 7-нм и не требует литографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Техпроцесс N+1 относится к 8-нм или 7-нм по геометрии транзисторов. Он ориентирован на чипы с низким энергопотреблением. По сравнению с 14-нм техпроцессом, техпроцесс SMIC N+1 обеспечивает прирост производительности на 20 % или снижение энергопотребления на 57 %, в то время как переход на 7-нм техпроцесс в среднем по отрасли даёт прирост производительности в районе 35 %.

Начало печати чипов N+1 является положительной новостью для Китая, но SMIC сильно отстаёт от TSMC, которая перешла на 5-нм техпроцесс и в настоящее время работает над своими 3-нм нормами следующего поколения. Вдобавок США ввели SMIC в санкционный список, так что теперь развиваться компании будет гораздо сложнее, если вообще возможно.

Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET

Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. При этом компания ставит цель к 2030 году стать производителем полупроводников номер один в мире. Сегодня Samsung является одним из лидеров 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

3-нм нормы производства основаны на технологии транзисторов с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором (Gate-All-Around Field-Effect Transistor — GAAFET), которая отличается от индустриального стандарта FinFET с вертикальным расположением каналов. Таким образом, вместо «плавника» (fin) теперь используется своего рода «нанопровод». Если прежде затвор окружал канал только с трёх из четырёх сторон, что приводило к избыточным утечкам тока, то теперь используется круговой затвор, полностью опоясывающий канал.

В затворе используется три нанолиста, проходящие между стоком и истоком, в результате достигается значительное снижение сложности формирования рисунка, а размеры затвора достаточно крупные, чтобы гарантировать надёжность и производительность. Благодаря такому подходу улучшается контроль над каналом, что принципиально важно при уменьшении размера узла. Более эффективная конструкция транзистора обеспечивает огромный скачок производительности на ватт по сравнению с 5-нм процессом FinFET.

Оптимизация технологии по сравнению с 5-нм процессом FinFET обещает уменьшить размер кристаллов на 35 % с одновременным сокращением энергопотребления вдвое. А при сохранении уровня рабочего напряжения производительность может быть повышена на треть.

В 2017 году Samsung заявляла, что будет использовать 4-нм техпроцесс GAAFET уже в 2020 году. Но скептически настроенные отраслевые аналитики, включая вице-президента Gartner Самуэля Вана (Samuel Wang), тогда сочли эту задачу чрезвычайно амбициозной и полагали, что наладить массовое производство чипов GAAFET компании удастся не раньше 2022 года. Однако недавно господин Ван признал, что Samsung, похоже, удастся приступить к использованию техпроцесса GAAFET раньше, чем можно было ожидать.

А если у Samsung уже есть рабочий прототип 3-нм техпроцесса, это может свидетельствовать, что компания стала ближе к своей цели. В начале этого года Samsung объявила о намерении начать массовое производство по 3-нм техпроцессу GAAFET уже в 2021 году. Технология позволит преодолеть имеющиеся ограничения в производительности и масштабируемости FinFET.

Imec представила идеальный транзистор для 2-нм техпроцесса

Как мы знаем, переход на техпроцесс с нормами 3 нм будет сопровождаться переходом на новую архитектуру транзистора. В терминах компании Samsung, например, это будут транзисторы MBCFET (Multi Bridge Channel FET), у которых транзисторный канал будет выглядеть как несколько расположенных друг над другом каналов в виде наностраниц, окружённых со всех сторон затвором (подробнее см. в архиве наших новостей за 14 марта).

 Структура 3-нм транзистора Samsung MBCFET

Структура 3-нм транзистора Samsung MBCFET

По мнению разработчиков из бельгийского центра Imec это прогрессивная, но не идеальная структура транзистора с использованием вертикальных затворов FinFET. Идеальной для техпроцессов с масштабом элементов менее 3 нм будет другая структура транзистора, которую предложили бельгийцы.

В Imec разработали транзистор с раздельными страницами или Forksheet. Это те же вертикальные наностраницы в качестве каналов транзисторов, но разделённые вертикальным диэлектриком. С одной стороны диэлектрика создаётся транзистор с n-каналом, с другой ― с p-каналом. И оба они окружены общим затвором в виде вертикального ребра.

 Imec предлагает транзистор с раздельными наностраницами

Imec предлагает транзистор с раздельными наностраницами (Forksheet)

Сократить расстояние на кристалле между транзисторами с разной проводимостью ― вот ещё один главный вызов для дальнейшего снижения масштаба технологического процесса. Моделирование TCAD подтвердило, что транзистор с раздельными страницами обеспечит 20-процентное уменьшение площади кристалла. В общем случае новая архитектура транзистора снизит стандартную высоту логической ячейки до 4,3 треков. Ячейка станет проще, что также относится к изготовлению ячейки памяти SRAM.

 Эволюция логической ячейки по мере совершенстования каналов с вертикальными затворами

Эволюция логической ячейки по мере совершенствования каналов с вертикальными затворами

Простой переход от наностраничного транзистора к транзистору с раздельными наностраницами обеспечит рост производительности на 10 % с сохранением потребления или сокращение потребления на 24 % без прироста производительности. Моделирование для 2-нм техпроцесса показало, что ячейка SRAM с использованием раздельных наностраниц обеспечит комбинированное уменьшение площади и повышение производительности до 30 % при разнесении переходов p- и n- до 8 нм.

Китайская SMIC начала рисковую 14-нм печать FinFET, а коммерческую запустит к концу года

Ожидалось, что SMIC, крупнейший контрактный производитель полупроводниковых чипов в Китае, приступит к массовому 14-нм производству чипов FinFET до середины текущего года. Но компания сообщила, что пока приступила только к рисковому производству и начнёт коммерческое на своих мощностях до конца года. Это будет первая производственная линия FinFET в Китае, что весьма важно для страны, в которой уже находится немало полупроводниковых предприятий: ведущие мировые производители никогда не развёртывали технологию FinFET в Китае по геополитическим причинам и соображениям охраны интеллектуальной собственности. SMIC, похоже, ожидает довольно быстрого наращивания производства, так как полагает, что новая линия внесёт заметный вклад в её доходы до конца года.

Согласно SMIC, их 14-нм нормы FinFET были разработаны полностью собственными силами и, как ожидается, позволят значительно увеличить плотность транзисторов, нарастить производительность и снизить энергопотребление по сравнению с кристаллами, выпускавшимися с соблюдением самых продвинутых 28-нм норм компании. Ожидалось, что SMIC начнёт производство 14-нм чипов уже в первой половине 2019 года, но компания несколько отстаёт от графика. Тем не менее, собственный техпроцесс FinFET является настоящим прорывом для относительно небольшого предприятия и вводит его в элитный клуб, где пока имеются лишь 5 компаний, выпускающих чипы с транзисторами FinFET.

Любопытно, что SMIC заявила, будто её 14-нм нормы FinFET внесут значительный вклад в общий объём доходов уже к концу текущего года. Однако в настоящее время SMIC имеет только две относительно небольшие 300-мм HVM-фабрики (в настоящее время используются для печати 28–65-нм чипов), которые загружены и приносят 40–49 % выручки компании. Поэтому трудно представить, что SMIC сможет начать массовые отгрузки 14-нм кристаллов в 2019 году.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

Мощности (пластин в месяц)

Место расположения

BJ

200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

SH

200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

SZ

200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

TJ

200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

LF

200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

В начале этого года компания завершила строительство своего завода SMIC South FinFET стоимостью $10 млрд, который будет использоваться для передовых производственных норм, и начала насыщать его оборудованием. Как только завод будет готов к коммерческим операциям, SMIC сможет значительно увеличить производство чипов с соблюдением 14-нм, а затем и 12-нм норм FinFET.

Долгосрочные планы SMIC включают освоение 10-нм и 7-нм норм. Ожидается, что последний потребует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне, поэтому в прошлом году SMIC приобрела сканер EUV у ASML за $120 млн и должна была получить это оборудование в 2019 году.

Кстати, SMIC — не единственная китайская компания, которая готовится к началу массового 14-нм производства с транзисторами FinFET. Шанхайская компания Huali Microelectronics (HLMC) станет второй в 2020 году — об этом на открытии выставки SEMICON China 2019 сообщил вице-президент HLMC по исследованиям и разработкам Шао Хуа (Shao Hua).

Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года

На этой неделе появились сообщения о том, что SMIC, крупнейший полупроводниковый производитель Китая, собирается в первой половине текущего этого года начать массовое производство чипов с использованием самостоятельно разработанной технологии производства 14 нм FinFET. Примечательно, что это происходит как минимум на пару кварталов раньше, чем первоначально предполагалось — другими словами, SMIC явно опережает график. Между тем компания уже работает над более тонкими по сравнению с 14 нм нормами: в настоящее время она осваивает 10-нм техпроцесс и 7-нм нормы с использованием литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Согласно различным сообщениям китайских и тайваньских технологических СМИ, выход годных кристаллов SMIC при 14-нм производстве достиг 95 %, чего более чем достаточно для пуска массового производства. Одним из первых чипов, которые будут печататься на 14-нм мощностях китайского производителя, станет однокристальная система для смартфонов. Хотя SMIC, естественно, не раскрывает имя своего первого 14-нм клиента, её ключевыми заказчиками выступают HiSilicon, Qualcomm и производящая датчики отпечатков пальцев Fingerprint Cards. Так что список потенциальных кандидатов довольно короткий.

Аналитики говорят, что 14-нм мощности SMIC будут относительно небольшими по сравнению с лидерами отрасли, каждый из которых имеет несколько таких заводов. SMIC в настоящее время имеет два завода, которые могут работать с 300-мм кремниевыми пластинами с использованием 28-нм и более крупных процессов. Те же самые заводы будут использоваться и для 14-нм проектов, но учитывая их возможности и очень высокий коэффициент загруженности SMIC (94,1 % во втором квартале 2018 года), вряд ли в обозримом будущем они будут целиком переведены на производство более совершенных решений. По той же причине наряду с подготовкой 14-нм норм для своих существующих фабрик компания возводит большое предприятие с объёмом инвестиций в $10 млрд, который будет использоваться для передового производства в будущем.

«SMIC получила $10 млрд на строительство производственных мощностей для 14-, 10- и 7-нм производства. К четвёртому кварталу 2021 года они будут иметь мощность 70 000 кремниевых пластин в месяц, — отметил исполнительный директор International Business Strategies (IBS) Гендель Джонс (Handel Jones). — Строительство будет масштабным. Они уже купили кое-какое оборудование, но пока ничего существенного».

Так что не стоит ожидать, что в обозримом будущем SMIC удастся производить однокристальные системы с использованием передовых технологических процессов FinFET в объёмах, сравнимых с лидерами отрасли. Но даже если компания сможет относительно быстро нарастить мощности, обеспечение спроса может оказаться более сложной задачей. 14-нм чипы дороги в проектировании и изготовлении для них масок, поэтому до сих пор так много кристаллов печатается по 28-нм и более старым нормам.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

Мощности (пластин в месяц)

Место расположения

BJ

200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

SH

200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

SZ

200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

TJ

200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

LF

200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

Так или иначе, последние достижения SMIC отлично укладываются в амбициозную программу китайского правительства «Сделано в Китае 2025». Согласно нему, государство хочет достичь через 6 лет уровня самообеспеченности чипами в 70 %, и передовые полупроводниковые заводы сыграют в этом важную роль. Однако среди аналитиков есть сомнения, что план осуществим. Большинство произведённых в Китае к 2025 году чипов будет печататься компаниями, базирующимися за пределами страны.

Как уже отмечалось, SMIC уже работает над 10- и 7-нм нормами, что сама компания подтвердила ещё в 2018 году. Оба техпроцесса чрезвычайно дороги в проектировании, но, поскольку полупроводниковая индустрия в целом растёт и имеется щедрое финансирование со стороны правительства Китая (и различных аффилированных сторон), у SMIC достаточно денег на необходимые исследования и разработки. Работая на достижение этой цели, в прошлом году SMIC приобрела систему Step and scan EUV у ASML за $120 млн — она, как ожидается, будет получена ​​в начале этого года, чтобы в будущем использоваться при разработке 7-нм техпроцесса и, в конечном итоге, применяться в массовом производстве.

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн

По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET).

 Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

По мнению жюри, Samsung незаконно и умышленно использовала разработки KAIST, за что должна выплатить институту $400 млн. Вместе с Samsung первоначально обвинения были выдвинуты против компаний GlobalFoundries и Qualcomm. Первая была виновна в лицензировании технологии производства с использованием FinFET у компании Samsung, а вторая заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового гиганта. По мнению жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в данном случае считаются невиновными.

Иск против Samsung был подан в декабре 2016 года. Представители института заявляли, что Samsung в своё время считала технологию FinFET пустой тратой времени и заинтересовалась ею только тогда, когда компания Intel запатентовала собственные разработки в этой области и начала распространять лицензии на использование вертикальных транзисторных структур.

 https://ru.wikipedia.org

https://ru.wikipedia.org

Нам всё это кажется высосанным из пальца, поскольку технологиями FinFET плотно занимались все производители ещё с начала «нулевых» годов. Так, одной из первых опытный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала компания AMD на базе центра Калифорнийского университета в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). В этом же году на конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер рассказала компания Intel, а IBM сделала доклад на тему вертикальных транзисторных каналов. Компания TSMC также с группой учёных в том же Калифорнийском университете создавала свои FinFET-структуры. Компания Samsung позже включилась в этот процесс, но она активно работала с исследователями IBM, и ей не нужны были разработки KAIST. Собственно, Samsung собирается подать апелляцию на судебное решение, принятое в Техасе.

Samsung объявила о готовности 8-нм LPP техпроцесса

Samsung Electronics объявила о том, что подготовка 8-нанометрового FinFET-техпроцесса под названием 8LPP (Low Power Plus — для энергоэффективных чипов) завершена, и компания готова к началу производства. По словам корейского производителя, 8LPP позволяет на 10 % сократить энергопотребление конечных кристаллов и уменьшить на 10 % их площадь.

Samsung отмечает, что 8LPP даст ощутимые преимущества для мобильного рынка, сектора криптовалют, серверного и сетевого оборудования и других передовых направлений электроники. Вдобавок речь идёт по сути о развитии 10-нм техпроцесса, что позволяет быстро добиться приемлемого уровня выхода годных кристаллов и начать массовое производство.

Вице-президент Samsung Electronics по маркетингу производства чипов Раян Ли (Ryan Lee) отметил, что процесс отладки техпроцесса 8LPP компании удалось осуществить на три месяца раньше запланированного срока. Он также добавил, что это предложение позволит клиентам Samsung добиться существенных конкурентных преимуществ и эффективнее удовлетворять нужды рынка.

Следующим шагом на пути к новому уровню производительности и энергоэффективности для южнокорейской компании станет освоение 7-нм FinFET норм EUV-литографии (на основе излучения света в диапазоне крайних ультрафиолетовых волн), которые требуют более существенных изменений в технологическом процессе производства микрочипов.

SoC Kirin 970 изготовят по 10-нм техпроцессу и дополнят передовой графикой ARM Heimdallr MP

Очередная информационная утечка, ставшая достоянием СМИ, поведала мировой общественности о вероятных характеристиках SoC Kirin 970. Следующее поколение мобильных процессоров разработки Huawei, если опираться на полученные сведения, сможет на равных конкурировать с передовой продукцией Qualcomm и не оставит шанса на равную борьбу чипам MediaTek.

 gr.gizchina.com

gr.gizchina.com

Процессор Kirin 970 — «сердце» будущего флагманского смартфона Huawei — будет изготавливаться в соответствии с нормами 10-нм технологического процесса FinFET на производственных мощностях TSMC. В основу новинки ляжет восемь ядер, которые смогут обеспечить недостижимый прежде уровень быстродействия. Разные источники свидетельствуют о различных вариантах компоновки Kirin 970, зато сходятся в едином мнении об использовании конфигурации big.LITTLE.

Так, по одной из версий, датированной концом прошлого года, Kirin 970 будет насчитывать четыре ядра ARM Cortex-A73 и четыре ARM Cortex-A53. Другой же авторитетный источник посредством социальной сети Weibo опубликовал вчера информацию, согласно которой всеми восемью ядрами окажутся Cortex-A73.

Чипсет HiSilicon Kirin выглядит примечательным и тем, что ему приписывают передовое графическое ядро ARM Heimdallr MP, которым он сможет похвастаться в числе первых. Вдобавок мобильный процессор обеспечит доступ в Сеть на максимальных скоростях благодаря LTE-модулю Cat.12.

Всё озвученное выше пока не подтверждено официально и может на деле оказаться как основанными на внутренней документации Huawei сведениями, так и простыми догадками. О сроках релиза первого смартфона на базе Kirin 970, роль которого эксперты отводят модели Huawei Mate 10, также не упоминалось представителями китайской компании.

Планы AMD по выпуску CPU: Zen 2, Zen 3, Rome, Milan и EUV

Во вторник корпорация Advanced Micro Devices раскрыла некоторые подробности о планах на ближайшие три–четыре года. Как и предполагалось, компания сконцентрируется на дальнейшем совершенствовании микроархитектуры Zen и полностью перейдёт на использование технологических процессов GlobalFoundries. Что стало неожиданностью, так это отсутствие в планах AMD ARMv8-совместимых процессоров K12, а также отказ компании от раскрытия временных рамок представления продуктов.

Ближайшие планы

В ближайшие кварталы AMD планирует расширить семейство Ryzen, причём как в сторону наиболее высокопроизводительных настольных ПК (процессоры AMD Ryzen Threadripper), так и в сторону настольных и мобильных систем со встроенным в процессор графическим ядром (процессоры, ранее известные как Raven Ridge). Выпуск APU на базе Zen не является сюрпризом и полностью ожидаем, тогда как выпуск конкурента Intel Core i7/i9 Extreme Edition до сих пор никогда не анонсировался.

 Планы по выпуску процессоров AMD Ryzen

Планы по выпуску процессоров AMD Ryzen

В данный момент AMD не стремится сообщать подробности о новой платформе Ryzen Threadripper, раскрывая только предельную ключевую характеристику CPU — до 16 ядер общего назначения (что может означать появление моделей с 12, 14 и 16 ядрами). Тем не менее, логично ожидать, что соответствующие процессоры будут нести на борту два соединённых между собой шиной Infinity Fabric кристалла Summit Ridge с 16 x86-ядрами Zen и до 32 Мбайт кеша третьего уровня, четырьмя каналами памяти типа DDR4, 40 линиями PCI Express 3.0 и т. д. AMD не сообщает ни тактовых частот, ни тепловыделения или других характеристик Ryzen Threadripper, но даёт понять, что речь идёт о процессоре для сверхдорогих настольных ПК, что подразумевает возможности разгона.

 AMD Ryzen Threadripper

AMD Ryzen Threadripper

AMD планирует объявить подробности о Ryzen Threadripper на Computex 2017 через пару недель, а это может указывать на то, что компания работает с производителями материнских плат и систем охлаждения над экосистемой для нового CPU. Если это правда, то процессоры Ryzen Threadripper появятся в относительно широкой продаже и не станут продукцией для избранных производителей ПК вроде Alienware, Origin, Maingear и других.

Другими интересными изделиями Advanced Micro Devices, которые должны быть выпущены в этом году, станут мобильные процессоры на базе микроархитектуры Zen — AMD Ryzen Mobile. Данное семейство будет рассчитано на широкий спектр мобильных ПК: от ультрапортативных и гибридных систем 2-в-1 до игровых. Учитывая, что требования к подобным ПК слишком сильно разнятся, следует ожидать, что представители семейства AMD Ryzen Mobile будут иметь различное количество x86-ядер и графических кластеров, что подразумевает по меньшей мере два типа кристаллов. Примечательно, что новые APU будут содержать в себе GPU на базе новейшей архитектуры Vega (GCN 1.5).

 Производительность AMD Ryzen Mobile

Производительность AMD Ryzen Mobile

Что касается производительности, то AMD говорит о 50-процентном росте скорости вычислений общего назначения и 40-процентном росте скорости обработки графических данных по сравнению с предшествующими APU (видимо, с примерно аналогичным TDP). Если же говорить об энергопотреблении, то AMD указывает на 50 % увеличения энергоэффективности, но опускает иные детали. Принимая во внимание тот факт, что выходящие вскоре APU будут производиться по улучшенному техпроцессу GlobalFoundries 14LPP (в AMD условно называют его «14 nm+») с трёхмерными транзисторами FinFET, в то время как текущие APU производятся по технологии 28 нм с планарными вентилями, существенное увеличение энергоэффективности Raven Ridge по сравнению с Bristol Ridge/Carrizo практически гарантировано.

 AMD Ryzen Mobile: что ожидать?

AMD Ryzen Mobile: что ожидать?

В настоящее время производители ПК работают над ноутбуками на базе AMD Ryzen Mobile, которые появятся в продаже во второй половине года. Пока AMD не смогла продемонстрировать одну из таких машин в действии, что говорит о том, что работы начались относительно недавно и сейчас показывать ещё нечего. Тем не менее, компания предъявила фото или рендер эталонного дизайна ноутбука на базе Ryzen Mobile, который выглядит довольно тонким (но без веб-камеры — нереалистично). Судя по всему, можно ожидать, что первые мобильные ПК на основе Ryzen Mobile появятся к католическому Рождеству с более широкой доступностью в 2018 году. Что касается настольных ПК на базе Raven Ridge, то компания не дала конкретных обещаний, но вряд ли они появятся на рынке сильно позже ноутбуков на основе мобильных кристаллов этого семейства.

Перспективы

С появлением ядер Zen компания AMD вернулась на рынок высокопроизводительных процессоров на базе микроархитектуры x86 и в ближайшие годы планирует представить ядра Zen второго и третьего поколений, а также различную продукцию на их основе. Примечательно, что в планах AMD более не значится разработка ARMv8-совместимых решений, будь то серверные системы на кристалле (system-on-chip, SoC) или же ядра K12. Неизвестно, была ли их разработка свёрнута окончательно, или же компания предпочитает не обнародовать информацию о них, но отсутствие каких-либо упоминаний об ARM в документах AMD налицо.

 Шина передачи данных Infinity Fabric

Шина передачи данных Infinity Fabric

Помимо микроархитектур для процессоров и графических процессоров, ключевым элементом будущих SoC разработки AMD ближайших лет станет масштабируемая шина передачи данных Infinity Fabric. Протокол Infinity Fabric будет использован как внутри кристаллов, так и для межкристальных соединений в рамках многочиповых модулей, а также и для связи между разными устройствами.

AMD ещё предстоит опубликовать детальные характеристики Infinity Fabric, сегодня же мы знаем о ней следующее:

  • Она базируется на когерентной шине HyperTransport c различными улучшениями;
  • Благодаря совместимости со стандартными интерфейсами она может быть использована для соединения блоков/микросхем от различных производителей;
  • Она обладает низкими задержками (латентностью);
  • Она поддерживает управление питанием (важно для мобильных SoC);
  • Она поддерживает передачу закодированных данных, в также различные QoS-возможности.
 Шина передачи данных Infinity Fabric: снаружи и внутри кристалла

Шина передачи данных Infinity Fabric: снаружи и внутри кристалла

Как уже известно, графические процессоры AMD Radeon RX Vega в полной мере поддерживают Infinity Fabric, а потому могут быть установлены в гнёзда для серверных процессоров AMD Epyc подобно процессорам Intel Xeon Phi (однако Vega не сможет запускать ОС). В дальнейшем AMD сможет строить серверные SoC с мощными встроенными GPU на кристалле, если такая концепция будет востребована, но в настоящий момент компания не заявляет о планах создания подобного изделия.

Rome и Milan

В перспективном плане AMD можно заметить серверный процессор Rome на базе архитектуры Zen 2 и произведённый по технологии 7 нм, а также процессор Milan аналогичного назначения на основе ядер Zen 3, произведённый по технологии «7 нм+». Принимая во внимание тот факт, что AMD будет использовать для изготовления Rome и Milan производственные мощности GlobalFoundries, очевидно, что речь идёт о первом и втором поколениях 7-нм техпроцесса GF. При этом стоит помнить, что если первое поколение техпроцесса должно использовать иммерсионную литографию и эксимерный лазер с длиной волны 193 нм (deep ultraviolet, DUV), то второе будет опираться на фотолитографию в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet, EUV) и лазеры с длиной волны 13,5 нм для критичных слоёв.

 Эволюция AMD Zen

Эволюция AMD Zen

Что касается технологии 7 нм DUV, то для неё GlobalFoundries обещает более чем двукратное увеличение плотности транзисторов, более чем 60-процентное снижение энергопотребления (при одинаковой тактовой частоте и сложности) или более чем 30-процентное увеличение производительности (при одинаковом энергопотреблении и сложности). Принимая во внимание улучшения технологического процесса, в идеальном случае AMD может удвоить количество транзисторов в микросхеме по сравнению с текущим поколением чипов без увеличения размера кристалла при одновременном повышении производительности на ватт. Как именно AMD воспользуется увеличившимся транзисторным бюджетом, покажет только время, но логично ожидать от компании как роста количества ядер общего назначения, так и их усложнения, что позволит поднять производительность на такт (instructions per clock), а также увеличить ширину и скорость работы блока с плавающей запятой.

 Эволюция AMD Epyc

Эволюция AMD Epyc

Учитывая задержки с внедрением EUV, исполнение планов AMD в значительной мере будет зависеть не только от способности самой компании вовремя подготовить SoC на основе будущих поколений Zen, но также и от способности GlobalFoundries освоить использование EUV-оборудования в срок. Судя по всему, это одна из главных причин, почему AMD не раскрывает планы выпуска новых процессоров хотя бы с точностью до года.

Если всё пойдёт по плану, то изделия на базе Zen 2 могут быть представлены уже во второй половине 2018 года, когда GF начнёт выпуск микросхем с использованием технологии 7 нм первого поколения. Что касается процессоров, производимых по технологии 7 нм с EUV на базе Zen 3, то логично ожидать их появления во второй половине 2019 года, однако учитывая различные проволочки с EUV, первая половина 2020 года кажется более реалистичным сроком.

Новая 12-нм технология TSMC будет доступной небольшим производителям микрочипов

В настоящее время компании-производители микроэлектроники, такие как Intel, Samsung и TSMC, уже освоили технологические процессы с размером транзистора менее 20 нм и не только вплотную подобрались к барьеру 10 нм, но и вовсю пытаются заглянуть за него. Тем не менее, использование продвинутых технологий класса 14/16-нм FinFET доступно только крупным производителям электроники, а заказчики с меньшим масштабом производства и хотели бы воспользоваться всеми достоинствами тонких техпроцессов, но не могут по причине высокой себестоимости разработки и производства таких чипов.

 Транзисторы FD-SOI проще обычных планарных

Транзисторы FD-SOI проще обычных планарных

Выход из тупика есть: это технология FD-SOI с размером элемента 12 нм. Разработка и производство с использованием техпроцессов класса FD-SOI существенно дешевле, но основные преимущества FinFET — низкое напряжение питания и высокая экономичность — данная технология сохраняет. Это хорошо понимает конкурент TSMC, компания GlobalFoundries, вложившая средства в разработку техпроцесса 12FDX (более продвинутая версия 22FDX). Данный вариант 12-нм FD-SOI уже используется такими компаниями, как Sony и NXP, и день ото дня список «поклонников» данного техпроцесса увеличивается, прирастая такими именами, как Everspin, QuickLogic и другими. Разумеется, TSMC не хочет терять потенциальных клиентов без боя, отдавая их GlobalFoundries.

 Сравнительные характеристики FD-SOI и FinFET

Сравнительные характеристики FD-SOI и FinFET

Согласно имеющимся на данный момент сведениям, компания работает над созданием альтернативы техпроцессу GlobalFoundries, 12-нанометрового процесса FinFET, который должен стать эволюцией уже освоенной технологии 16-нм FinFET. Разрабатываемый техпроцесс берёт своё начало в 16-нм версии FFC (FinFET Compact), а эта версия создавалась специально для производства микрочипов, востребованных производителями мобильных устройств. Она оптимизирована для снижения стоимости и увеличения экономичности конечных устройств. Техпроцесс FFC изначально должен был представлять собой четвёртое поколение 16-нм процессов TSMC, но было решено выпустить его в качестве отдельной технологии. 12-нанометровый вариант FFC должен стать доступным в 2018 году, на год позже классического 10-нм FinFET. Эта технология станет пропуском в мир FinFET для тех, кому такие чипы ранее были не по карману.

Samsung грозит судебное разбирательство в связи с технологией FinFET

Корейский институт передовых технологий (KAIST) обвиняет Samsung в незаконном использовании защищённых технологий при производстве микрочипов.

 Samsung

Samsung

Речь идёт о методике FinFET, которая предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. По заявлениям стороны обвинения, эта технология изначально была разработана специалистами KAIST в партнёрстве с профессором Ли Чен-Хо (Lee Jong-ho) из Сеульского университета.

Утверждается, что впоследствии компания Samsung пригласила господина Чен-Хо для проведения презентации на тему FinFET. Это якобы позволило инженерам южнокорейского гиганта в сжатые сроки и при меньших затратах внедрить названную методику на своих предприятиях.

 Samsung

Samsung

В KAIST заявляют, что Samsung использует защищённую технологию без разрешения и выплаты отчислений. На этом основании истцы намерены требовать от ответчиков выплаты компенсации.

Более того, под удар попала компания Global Foundries, использующая технологию на условиях лицензионного соглашения с Samsung. Разбирательство также грозит Qualcomm, которая пользуется услугами и Samsung, и Global Foundries. Наконец, говорится о возможности подачи иска против TSMC.

Samsung первой в отрасли начала выпуск «систем на чипе» по 10-нм технологии FinFET

Компания Samsung сегодня объявила о начале массового производства «систем на чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. Утверждается, что это первые подобные изделия в отрасли.

Отмечается, что производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40 процентов снизить энергопотребление.

По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30 процентов в расчёте на одну кремниевую пластину.

Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится о возможности увеличения производительности на 27 процентов по сравнению с 14-нанометровыми решениями.

Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Говорится о поддержке памяти LPDDR4X.

Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения.

По всей видимости, в перспективе новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung — чипов семейства Exynos.

Samsung представила 14-нм чип Exynos 7270

Ещё на выставке IFA 2016 мы видели первые устройства на базе нового двухъядерного процессора Samsung Exynos 7 Dual 7270. Теперь южнокорейская компания официально представила свою новинку и заявила о запуске массового производства. Как отмечается, это первый мобильный процессор приложений в отрасли, разработанный специально для носимой электроники и использующий 14-нм технологию FinFET.

 Samsung

Samsung

Компания Samsung взяла на вооружение новый 14-нм техпроцесс ещё в 2015 году. Но первыми с конвейера сошли процессоры для смартфонов. С выпуском Exynos 7270 14-нм технология стала доступной и для миниатюрных носимых устройств. Благодаря передовому техпроцессу новые чипы отличаются высокой энергоэффективностью (по этому показателю рост составил 20 % по сравнению с аналогичными моделями на базе 28-нм техпроцесса) и при компактных габаритах отличаются богатой функциональностью. Exynos 7270 включает 4G LTE-модем, модули беспроводной связи Wi-Fi, Bluetooth, FM-приёмник, навигационные функции. В одном чипе удалось разместить логику, оперативную память, NAND-память, схему управления питанием. Чип имеет такую же площадь, как и предшественник, но может похвастаться на 30 % меньшей высотой. Это позволит создавать ещё более тонкие гаджеты.

 Samsung

Samsung

 Samsung

Samsung

Среди особенностей новинки отмечаются два ядра Cortex-A53 с тактовой частотой 1 ГГц, графика Mali-T720, поддержка qHD-дисплеев, поддержка GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, LPDDR3-память, возможность работы с камерами разрешением до 5 Мп. Все компоненты упакованы в корпус SiP-ePoP площадью 10 × 10 мм. Ознакомительные образцы уже поставляются заказчикам.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Майнинговая компания Highwire планируют использовать попутный газ для добычи криптовалют в Австралии 2 ч.
Предзаказы на новый MacBook Air 2022 на базе Apple M2 стартуют 8 июля — поставки начнутся 15 июля 3 ч.
ТECNO представила серию смартфонов CAMON 19 — флагман Camon 19 PRO получил чип MediaTek Helio G96 3 ч.
На «Иннопроме» показали SSD на российском контроллере Kraftway 3 ч.
Германия опубликовала план по защите спутников от кибератак 3 ч.
PNY выпустила EliteX-PRO — карманный SSD с интерфейсом USB 3.2 Gen 2×2 и скоростью до 1600 Мбайт/с 4 ч.
Запуск обновлённого Большого адронного коллайдера на полную мощность в два раза ускорит научные исследования 5 ч.
Смартфон Oppo A97 5G получит 6,56" дисплей FHD+ и 48-Мп камеру 6 ч.
Intel сама протестировала неэталонную видеокарту Arc A380 и назвала её хорошим вариантом для мейнстримного гейминга 6 ч.
Плата Firefly ITX-3568JQ для коммерческих устройств оснащена чипом Rockchip RK3568 6 ч.