Теги → finfet
Быстрый переход

Samsung создала прототип 3-нм полупроводников GAAFET

Как сообщило корейское агентство Maeil Economy, Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. При этом компания ставит цель к 2030 году стать производителем полупроводников номер один в мире. Сегодня Samsung является одним из лидеров 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

3-нм нормы производства основаны на технологии транзисторов с горизонтальным расположением каналов и круговым затвором (Gate-All-Around Field-Effect Transistor — GAAFET), которая отличается от индустриального стандарта FinFET с вертикальным расположением каналов. Таким образом, вместо «плавника» (fin) теперь используется своего рода «нанопровод». Если прежде затвор окружал канал только с трёх из четырёх сторон, что приводило к избыточным утечкам тока, то теперь используется круговой затвор, полностью опоясывающий канал.

В затворе используется три нанолиста, проходящие между стоком и истоком, в результате достигается значительное снижение сложности формирования рисунка, а размеры затвора достаточно крупные, чтобы гарантировать надёжность и производительность. Благодаря такому подходу улучшается контроль над каналом, что принципиально важно при уменьшении размера узла. Более эффективная конструкция транзистора обеспечивает огромный скачок производительности на ватт по сравнению с 5-нм процессом FinFET.

Оптимизация технологии по сравнению с 5-нм процессом FinFET обещает уменьшить размер кристаллов на 35 % с одновременным сокращением энергопотребления вдвое. А при сохранении уровня рабочего напряжения производительность может быть повышена на треть.

В 2017 году Samsung заявляла, что будет использовать 4-нм техпроцесс GAAFET уже в 2020 году. Но скептически настроенные отраслевые аналитики, включая вице-президента Gartner Самуэля Вана (Samuel Wang), тогда сочли эту задачу чрезвычайно амбициозной и полагали, что наладить массовое производство чипов GAAFET компании удастся не раньше 2022 года. Однако недавно господин Ван признал, что Samsung, похоже, удастся приступить к использованию техпроцесса GAAFET раньше, чем можно было ожидать.

А если у Samsung уже есть рабочий прототип 3-нм техпроцесса, это может свидетельствовать, что компания стала ближе к своей цели. В начале этого года Samsung объявила о намерении начать массовое производство по 3-нм техпроцессу GAAFET уже в 2021 году. Технология позволит преодолеть имеющиеся ограничения в производительности и масштабируемости FinFET.

Imec представила идеальный транзистор для 2-нм техпроцесса

Как мы знаем, переход на техпроцесс с нормами 3 нм будет сопровождаться переходом на новую архитектуру транзистора. В терминах компании Samsung, например, это будут транзисторы MBCFET (Multi Bridge Channel FET), у которых транзисторный канал будет выглядеть как несколько расположенных друг над другом каналов в виде наностраниц, окружённых со всех сторон затвором (подробнее см. в архиве наших новостей за 14 марта).

Структура 3-нм транзистора Samsung MBCFET

Структура 3-нм транзистора Samsung MBCFET

По мнению разработчиков из бельгийского центра Imec это прогрессивная, но не идеальная структура транзистора с использованием вертикальных затворов FinFET. Идеальной для техпроцессов с масштабом элементов менее 3 нм будет другая структура транзистора, которую предложили бельгийцы.

В Imec разработали транзистор с раздельными страницами или Forksheet. Это те же вертикальные наностраницы в качестве каналов транзисторов, но разделённые вертикальным диэлектриком. С одной стороны диэлектрика создаётся транзистор с n-каналом, с другой ― с p-каналом. И оба они окружены общим затвором в виде вертикального ребра.

Imec предлагает транзистор с раздельными наностраницами

Imec предлагает транзистор с раздельными наностраницами (Forksheet)

Сократить расстояние на кристалле между транзисторами с разной проводимостью ― вот ещё один главный вызов для дальнейшего снижения масштаба технологического процесса. Моделирование TCAD подтвердило, что транзистор с раздельными страницами обеспечит 20-процентное уменьшение площади кристалла. В общем случае новая архитектура транзистора снизит стандартную высоту логической ячейки до 4,3 треков. Ячейка станет проще, что также относится к изготовлению ячейки памяти SRAM.

Эволюция логической ячейки по мере совершенстования каналов с вертикальными затворами

Эволюция логической ячейки по мере совершенствования каналов с вертикальными затворами

Простой переход от наностраничного транзистора к транзистору с раздельными наностраницами обеспечит рост производительности на 10 % с сохранением потребления или сокращение потребления на 24 % без прироста производительности. Моделирование для 2-нм техпроцесса показало, что ячейка SRAM с использованием раздельных наностраниц обеспечит комбинированное уменьшение площади и повышение производительности до 30 % при разнесении переходов p- и n- до 8 нм.

Китайская SMIC начала рисковую 14-нм печать FinFET, а коммерческую запустит к концу года

Ожидалось, что SMIC, крупнейший контрактный производитель полупроводниковых чипов в Китае, приступит к массовому 14-нм производству чипов FinFET до середины текущего года. Но компания сообщила, что пока приступила только к рисковому производству и начнёт коммерческое на своих мощностях до конца года. Это будет первая производственная линия FinFET в Китае, что весьма важно для страны, в которой уже находится немало полупроводниковых предприятий: ведущие мировые производители никогда не развёртывали технологию FinFET в Китае по геополитическим причинам и соображениям охраны интеллектуальной собственности. SMIC, похоже, ожидает довольно быстрого наращивания производства, так как полагает, что новая линия внесёт заметный вклад в её доходы до конца года.

Согласно SMIC, их 14-нм нормы FinFET были разработаны полностью собственными силами и, как ожидается, позволят значительно увеличить плотность транзисторов, нарастить производительность и снизить энергопотребление по сравнению с кристаллами, выпускавшимися с соблюдением самых продвинутых 28-нм норм компании. Ожидалось, что SMIC начнёт производство 14-нм чипов уже в первой половине 2019 года, но компания несколько отстаёт от графика. Тем не менее, собственный техпроцесс FinFET является настоящим прорывом для относительно небольшого предприятия и вводит его в элитный клуб, где пока имеются лишь 5 компаний, выпускающих чипы с транзисторами FinFET.

Любопытно, что SMIC заявила, будто её 14-нм нормы FinFET внесут значительный вклад в общий объём доходов уже к концу текущего года. Однако в настоящее время SMIC имеет только две относительно небольшие 300-мм HVM-фабрики (в настоящее время используются для печати 28–65-нм чипов), которые загружены и приносят 40–49 % выручки компании. Поэтому трудно представить, что SMIC сможет начать массовые отгрузки 14-нм кристаллов в 2019 году.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

 Мощности (пластин  в месяц)

Место расположения

 BJ

 200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

 SH

 200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

 SZ

 200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

 TJ

 200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

 LF

 200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

 

В начале этого года компания завершила строительство своего завода SMIC South FinFET стоимостью $10 млрд, который будет использоваться для передовых производственных норм, и начала насыщать его оборудованием. Как только завод будет готов к коммерческим операциям, SMIC сможет значительно увеличить производство чипов с соблюдением 14-нм, а затем и 12-нм норм FinFET.

Долгосрочные планы SMIC включают освоение 10-нм и 7-нм норм. Ожидается, что последний потребует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне, поэтому в прошлом году SMIC приобрела сканер EUV у ASML за $120 млн и должна была получить это оборудование в 2019 году.

Кстати, SMIC — не единственная китайская компания, которая готовится к началу массового 14-нм производства с транзисторами FinFET. Шанхайская компания Huali Microelectronics (HLMC) станет второй в 2020 году — об этом на открытии выставки SEMICON China 2019 сообщил вице-президент HLMC по исследованиям и разработкам Шао Хуа (Shao Hua).

Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года

На этой неделе появились сообщения о том, что SMIC, крупнейший полупроводниковый производитель Китая, собирается в первой половине текущего этого года начать массовое производство чипов с использованием самостоятельно разработанной технологии производства 14 нм FinFET. Примечательно, что это происходит как минимум на пару кварталов раньше, чем первоначально предполагалось — другими словами, SMIC явно опережает график. Между тем компания уже работает над более тонкими по сравнению с 14 нм нормами: в настоящее время она осваивает 10-нм техпроцесс и 7-нм нормы с использованием литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Согласно различным сообщениям китайских и тайваньских технологических СМИ, выход годных кристаллов SMIC при 14-нм производстве достиг 95 %, чего более чем достаточно для пуска массового производства. Одним из первых чипов, которые будут печататься на 14-нм мощностях китайского производителя, станет однокристальная система для смартфонов. Хотя SMIC, естественно, не раскрывает имя своего первого 14-нм клиента, её ключевыми заказчиками выступают HiSilicon, Qualcomm и производящая датчики отпечатков пальцев Fingerprint Cards. Так что список потенциальных кандидатов довольно короткий.

Аналитики говорят, что 14-нм мощности SMIC будут относительно небольшими по сравнению с лидерами отрасли, каждый из которых имеет несколько таких заводов. SMIC в настоящее время имеет два завода, которые могут работать с 300-мм кремниевыми пластинами с использованием 28-нм и более крупных процессов. Те же самые заводы будут использоваться и для 14-нм проектов, но учитывая их возможности и очень высокий коэффициент загруженности SMIC (94,1 % во втором квартале 2018 года), вряд ли в обозримом будущем они будут целиком переведены на производство более совершенных решений. По той же причине наряду с подготовкой 14-нм норм для своих существующих фабрик компания возводит большое предприятие с объёмом инвестиций в $10 млрд, который будет использоваться для передового производства в будущем.

«SMIC получила $10 млрд на строительство производственных мощностей для 14-, 10- и 7-нм производства. К четвёртому кварталу 2021 года они будут иметь мощность 70 000 кремниевых пластин в месяц, — отметил исполнительный директор International Business Strategies (IBS) Гендель Джонс (Handel Jones). — Строительство будет масштабным. Они уже купили кое-какое оборудование, но пока ничего существенного».

Так что не стоит ожидать, что в обозримом будущем SMIC удастся производить однокристальные системы с использованием передовых технологических процессов FinFET в объёмах, сравнимых с лидерами отрасли. Но даже если компания сможет относительно быстро нарастить мощности, обеспечение спроса может оказаться более сложной задачей. 14-нм чипы дороги в проектировании и изготовлении для них масок, поэтому до сих пор так много кристаллов печатается по 28-нм и более старым нормам.

Возможности пяти фабрик SMIC

Техпроцессы

 Мощности (пластин  в месяц)

Место расположения

 BJ

 200 мм

90 нм — 150 нм

50 000

Пекин, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

35 000

 SH

 200 мм

90 нм — 350 нм

120 000

Шанхай, Китай

 300 мм

28 нм — 65 нм

20 000

 SZ

 200 мм

90 нм — 350 нм

60 000

Шэньчжэнь, Китай

 TJ

 200 мм

90 нм — 350 нм

50 000

Тяньцзинь, Китай

 LF

 200 мм

90 нм — 180 нм

50 000

Авеццано, Италия

Так или иначе, последние достижения SMIC отлично укладываются в амбициозную программу китайского правительства «Сделано в Китае 2025». Согласно нему, государство хочет достичь через 6 лет уровня самообеспеченности чипами в 70 %, и передовые полупроводниковые заводы сыграют в этом важную роль. Однако среди аналитиков есть сомнения, что план осуществим. Большинство произведённых в Китае к 2025 году чипов будет печататься компаниями, базирующимися за пределами страны.

Как уже отмечалось, SMIC уже работает над 10- и 7-нм нормами, что сама компания подтвердила ещё в 2018 году. Оба техпроцесса чрезвычайно дороги в проектировании, но, поскольку полупроводниковая индустрия в целом растёт и имеется щедрое финансирование со стороны правительства Китая (и различных аффилированных сторон), у SMIC достаточно денег на необходимые исследования и разработки. Работая на достижение этой цели, в прошлом году SMIC приобрела систему Step and scan EUV у ASML за $120 млн — она, как ожидается, будет получена ​​в начале этого года, чтобы в будущем использоваться при разработке 7-нм техпроцесса и, в конечном итоге, применяться в массовом производстве.

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн

По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET).

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

По мнению жюри, Samsung незаконно и умышленно использовала разработки KAIST, за что должна выплатить институту $400 млн. Вместе с Samsung первоначально обвинения были выдвинуты против компаний GlobalFoundries и Qualcomm. Первая была виновна в лицензировании технологии производства с использованием FinFET у компании Samsung, а вторая заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового гиганта. По мнению жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в данном случае считаются невиновными.

Иск против Samsung был подан в декабре 2016 года. Представители института заявляли, что Samsung в своё время считала технологию FinFET пустой тратой времени и заинтересовалась ею только тогда, когда компания Intel запатентовала собственные разработки в этой области и начала распространять лицензии на использование вертикальных транзисторных структур.

https://ru.wikipedia.org

https://ru.wikipedia.org

Нам всё это кажется высосанным из пальца, поскольку технологиями FinFET плотно занимались все производители ещё с начала «нулевых» годов. Так, одной из первых опытный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала компания AMD на базе центра Калифорнийского университета в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). В этом же году на конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер рассказала компания Intel, а IBM сделала доклад на тему вертикальных транзисторных каналов. Компания TSMC также с группой учёных в том же Калифорнийском университете создавала свои FinFET-структуры. Компания Samsung позже включилась в этот процесс, но она активно работала с исследователями IBM, и ей не нужны были разработки KAIST. Собственно, Samsung собирается подать апелляцию на судебное решение, принятое в Техасе.

Samsung объявила о готовности 8-нм LPP техпроцесса

Samsung Electronics объявила о том, что подготовка 8-нанометрового FinFET-техпроцесса под названием 8LPP (Low Power Plus — для энергоэффективных чипов) завершена, и компания готова к началу производства. По словам корейского производителя, 8LPP позволяет на 10 % сократить энергопотребление конечных кристаллов и уменьшить на 10 % их площадь.

Samsung отмечает, что 8LPP даст ощутимые преимущества для мобильного рынка, сектора криптовалют, серверного и сетевого оборудования и других передовых направлений электроники. Вдобавок речь идёт по сути о развитии 10-нм техпроцесса, что позволяет быстро добиться приемлемого уровня выхода годных кристаллов и начать массовое производство.

Вице-президент Samsung Electronics по маркетингу производства чипов Раян Ли (Ryan Lee) отметил, что процесс отладки техпроцесса 8LPP компании удалось осуществить на три месяца раньше запланированного срока. Он также добавил, что это предложение позволит клиентам Samsung добиться существенных конкурентных преимуществ и эффективнее удовлетворять нужды рынка.

Следующим шагом на пути к новому уровню производительности и энергоэффективности для южнокорейской компании станет освоение 7-нм FinFET норм EUV-литографии (на основе излучения света в диапазоне крайних ультрафиолетовых волн), которые требуют более существенных изменений в технологическом процессе производства микрочипов.

SoC Kirin 970 изготовят по 10-нм техпроцессу и дополнят передовой графикой ARM Heimdallr MP

Очередная информационная утечка, ставшая достоянием СМИ, поведала мировой общественности о вероятных характеристиках SoC Kirin 970. Следующее поколение мобильных процессоров разработки Huawei, если опираться на полученные сведения, сможет на равных конкурировать с передовой продукцией Qualcomm и не оставит шанса на равную борьбу чипам MediaTek.

gr.gizchina.com

gr.gizchina.com

Процессор Kirin 970 — «сердце» будущего флагманского смартфона Huawei — будет изготавливаться в соответствии с нормами 10-нм технологического процесса FinFET на производственных мощностях TSMC. В основу новинки ляжет восемь ядер, которые смогут обеспечить недостижимый прежде уровень быстродействия. Разные источники свидетельствуют о различных вариантах компоновки Kirin 970, зато сходятся в едином мнении об использовании конфигурации big.LITTLE. 

Так, по одной из версий, датированной концом прошлого года, Kirin 970 будет насчитывать четыре ядра ARM Cortex-A73 и четыре ARM Cortex-A53. Другой же авторитетный источник посредством социальной сети Weibo опубликовал вчера информацию, согласно которой всеми восемью ядрами окажутся Cortex-A73. 

Чипсет HiSilicon Kirin выглядит примечательным и тем, что ему приписывают передовое графическое ядро ARM Heimdallr MP, которым он сможет похвастаться в числе первых. Вдобавок мобильный процессор обеспечит доступ в Сеть на максимальных скоростях благодаря LTE-модулю Cat.12.

Всё озвученное выше пока не подтверждено официально и может на деле оказаться как основанными на внутренней документации Huawei сведениями, так и простыми догадками. О сроках релиза первого смартфона на базе Kirin 970, роль которого эксперты отводят модели Huawei Mate 10, также не упоминалось представителями китайской компании.

Планы AMD по выпуску CPU: Zen 2, Zen 3, Rome, Milan и EUV

Во вторник корпорация Advanced Micro Devices раскрыла некоторые подробности о планах на ближайшие три–четыре года. Как и предполагалось, компания сконцентрируется на дальнейшем совершенствовании микроархитектуры Zen и полностью перейдёт на использование технологических процессов GlobalFoundries. Что стало неожиданностью, так это отсутствие в планах AMD ARMv8-совместимых процессоров K12, а также отказ компании от раскрытия временных рамок представления продуктов.

Ближайшие планы

В ближайшие кварталы AMD планирует расширить семейство Ryzen, причём как в сторону наиболее высокопроизводительных настольных ПК (процессоры AMD Ryzen Threadripper), так и в сторону настольных и мобильных систем со встроенным в процессор графическим ядром (процессоры, ранее известные как Raven Ridge). Выпуск APU на базе Zen не является сюрпризом и полностью ожидаем, тогда как выпуск конкурента Intel Core i7/i9 Extreme Edition до сих пор никогда не анонсировался.

Планы по выпуску процессоров AMD Ryzen

Планы по выпуску процессоров AMD Ryzen

В данный момент AMD не стремится сообщать подробности о новой платформе Ryzen Threadripper, раскрывая только предельную ключевую характеристику CPU — до 16 ядер общего назначения (что может означать появление моделей с 12, 14 и 16 ядрами). Тем не менее, логично ожидать, что соответствующие процессоры будут нести на борту два соединённых между собой шиной Infinity Fabric кристалла Summit Ridge с 16 x86-ядрами Zen и до 32 Мбайт кеша третьего уровня, четырьмя каналами памяти типа DDR4, 40 линиями PCI Express 3.0 и т. д. AMD не сообщает ни тактовых частот, ни тепловыделения или других характеристик Ryzen Threadripper, но даёт понять, что речь идёт о процессоре для сверхдорогих настольных ПК, что подразумевает возможности разгона.

AMD Ryzen Threadripper

AMD Ryzen Threadripper

AMD планирует объявить подробности о Ryzen Threadripper на Computex 2017 через пару недель, а это может указывать на то, что компания работает с производителями материнских плат и систем охлаждения над экосистемой для нового CPU. Если это правда, то процессоры Ryzen Threadripper появятся в относительно широкой продаже и не станут продукцией для избранных производителей ПК вроде Alienware, Origin, Maingear и других.

Другими интересными изделиями Advanced Micro Devices, которые должны быть выпущены в этом году, станут мобильные процессоры на базе микроархитектуры Zen — AMD Ryzen Mobile. Данное семейство будет рассчитано на широкий спектр мобильных ПК: от ультрапортативных и гибридных систем 2-в-1 до игровых. Учитывая, что требования к подобным ПК слишком сильно разнятся, следует ожидать, что представители семейства AMD Ryzen Mobile будут иметь различное количество x86-ядер и графических кластеров, что подразумевает по меньшей мере два типа кристаллов. Примечательно, что новые APU будут содержать в себе GPU на базе новейшей архитектуры Vega (GCN 1.5).

Производительность AMD Ryzen Mobile

Производительность AMD Ryzen Mobile

Что касается производительности, то AMD говорит о 50-процентном росте скорости вычислений общего назначения и 40-процентном росте скорости обработки графических данных по сравнению с предшествующими APU (видимо, с примерно аналогичным TDP). Если же говорить об энергопотреблении, то AMD указывает на 50 % увеличения энергоэффективности, но опускает иные детали. Принимая во внимание тот факт, что выходящие вскоре APU будут производиться по улучшенному техпроцессу GlobalFoundries 14LPP (в AMD условно называют его «14 nm+») с трёхмерными транзисторами FinFET, в то время как текущие APU производятся по технологии 28 нм с планарными вентилями, существенное увеличение энергоэффективности Raven Ridge по сравнению с Bristol Ridge/Carrizo практически гарантировано.

AMD Ryzen Mobile: что ожидать?

AMD Ryzen Mobile: что ожидать?

В настоящее время производители ПК работают над ноутбуками на базе AMD Ryzen Mobile, которые появятся в продаже во второй половине года. Пока AMD не смогла продемонстрировать одну из таких машин в действии, что говорит о том, что работы начались относительно недавно и сейчас показывать ещё нечего. Тем не менее, компания предъявила фото или рендер эталонного дизайна ноутбука на базе Ryzen Mobile, который выглядит довольно тонким (но без веб-камеры — нереалистично). Судя по всему, можно ожидать, что первые мобильные ПК на основе Ryzen Mobile появятся к католическому Рождеству с более широкой доступностью в 2018 году. Что касается настольных ПК на базе Raven Ridge, то компания не дала конкретных обещаний, но вряд ли они появятся на рынке сильно позже ноутбуков на основе мобильных кристаллов этого семейства.

Перспективы

С появлением ядер Zen компания AMD вернулась на рынок высокопроизводительных процессоров на базе микроархитектуры x86 и в ближайшие годы планирует представить ядра Zen второго и третьего поколений, а также различную продукцию на их основе. Примечательно, что в планах AMD более не значится разработка ARMv8-совместимых решений, будь то серверные системы на кристалле (system-on-chip, SoC) или же ядра K12. Неизвестно, была ли их разработка свёрнута окончательно, или же компания предпочитает не обнародовать информацию о них, но отсутствие каких-либо упоминаний об ARM в документах AMD налицо.

Шина передачи данных Infinity Fabric

Шина передачи данных Infinity Fabric

Помимо микроархитектур для процессоров и графических процессоров, ключевым элементом будущих SoC разработки AMD ближайших лет станет масштабируемая шина передачи данных Infinity Fabric. Протокол Infinity Fabric будет использован как внутри кристаллов, так и для межкристальных соединений в рамках многочиповых модулей, а также и для связи между разными устройствами.

AMD ещё предстоит опубликовать детальные характеристики Infinity Fabric, сегодня же мы знаем о ней следующее:

  • Она базируется на когерентной шине HyperTransport c различными улучшениями;
  • Благодаря совместимости со стандартными интерфейсами она может быть использована для соединения блоков/микросхем от различных производителей;
  • Она обладает низкими задержками (латентностью);
  • Она поддерживает управление питанием (важно для мобильных SoC);
  • Она поддерживает передачу закодированных данных, в также различные QoS-возможности.
Шина передачи данных Infinity Fabric: снаружи и внутри кристалла

Шина передачи данных Infinity Fabric: снаружи и внутри кристалла

Как уже известно, графические процессоры AMD Radeon RX Vega в полной мере поддерживают Infinity Fabric, а потому могут быть установлены в гнёзда для серверных процессоров AMD Epyc подобно процессорам Intel Xeon Phi (однако Vega не сможет запускать ОС). В дальнейшем AMD сможет строить серверные SoC с мощными встроенными GPU на кристалле, если такая концепция будет востребована, но в настоящий момент компания не заявляет о планах создания подобного изделия.

Rome и Milan

В перспективном плане AMD можно заметить серверный процессор Rome на базе архитектуры Zen 2 и произведённый по технологии 7 нм, а также процессор Milan аналогичного назначения на основе ядер Zen 3, произведённый по технологии «7 нм+». Принимая во внимание тот факт, что AMD будет использовать для изготовления Rome и Milan производственные мощности GlobalFoundries, очевидно, что речь идёт о первом и втором поколениях 7-нм техпроцесса GF. При этом стоит помнить, что если первое поколение техпроцесса должно использовать иммерсионную литографию и эксимерный лазер с длиной волны 193 нм (deep ultraviolet, DUV), то второе будет опираться на фотолитографию в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet, EUV) и лазеры с длиной волны 13,5 нм для критичных слоёв.

Эволюция AMD Zen

Эволюция AMD Zen

Что касается технологии 7 нм DUV, то для неё GlobalFoundries обещает более чем двукратное увеличение плотности транзисторов, более чем 60-процентное снижение энергопотребления (при одинаковой тактовой частоте и сложности) или более чем 30-процентное увеличение производительности (при одинаковом энергопотреблении и сложности). Принимая во внимание улучшения технологического процесса, в идеальном случае AMD может удвоить количество транзисторов в микросхеме по сравнению с текущим поколением чипов без увеличения размера кристалла при одновременном повышении производительности на ватт. Как именно AMD воспользуется увеличившимся транзисторным бюджетом, покажет только время, но логично ожидать от компании как роста количества ядер общего назначения, так и их усложнения, что позволит поднять производительность на такт (instructions per clock), а также увеличить ширину и скорость работы блока с плавающей запятой.

Эволюция AMD Epyc

Эволюция AMD Epyc

Учитывая задержки с внедрением EUV, исполнение планов AMD в значительной мере будет зависеть не только от способности самой компании вовремя подготовить SoC на основе будущих поколений Zen, но также и от способности GlobalFoundries освоить использование EUV-оборудования в срок. Судя по всему, это одна из главных причин, почему AMD не раскрывает планы выпуска новых процессоров хотя бы с точностью до года.

Если всё пойдёт по плану, то изделия на базе Zen 2 могут быть представлены уже во второй половине 2018 года, когда GF начнёт выпуск микросхем с использованием технологии 7 нм первого поколения. Что касается процессоров, производимых по технологии 7 нм с EUV на базе Zen 3, то логично ожидать их появления во второй половине 2019 года, однако учитывая различные проволочки с EUV, первая половина 2020 года кажется более реалистичным сроком.

Новая 12-нм технология TSMC будет доступной небольшим производителям микрочипов

В настоящее время компании-производители микроэлектроники, такие как Intel, Samsung и TSMC, уже освоили технологические процессы с размером транзистора менее 20 нм и не только вплотную подобрались к барьеру 10 нм, но и вовсю пытаются заглянуть за него. Тем не менее, использование продвинутых технологий класса 14/16-нм FinFET доступно только крупным производителям электроники, а заказчики с меньшим масштабом производства и хотели бы воспользоваться всеми достоинствами тонких техпроцессов, но не могут по причине высокой себестоимости разработки и производства таких чипов.

Транзисторы FD-SOI проще обычных планарных

Транзисторы FD-SOI проще обычных планарных

Выход из тупика есть: это технология FD-SOI с размером элемента 12 нм. Разработка и производство с использованием техпроцессов класса FD-SOI существенно дешевле, но основные преимущества FinFET — низкое напряжение питания и высокая экономичность — данная технология сохраняет. Это хорошо понимает конкурент TSMC, компания GlobalFoundries, вложившая средства в разработку техпроцесса 12FDX (более продвинутая версия 22FDX). Данный вариант 12-нм FD-SOI уже используется такими компаниями, как Sony и NXP, и день ото дня список «поклонников» данного техпроцесса увеличивается, прирастая такими именами, как Everspin, QuickLogic и другими. Разумеется, TSMC не хочет терять потенциальных клиентов без боя, отдавая их GlobalFoundries.

Сравнительные характеристики FD-SOI и FinFET

Сравнительные характеристики FD-SOI и FinFET

Согласно имеющимся на данный момент сведениям, компания работает над созданием альтернативы техпроцессу GlobalFoundries, 12-нанометрового процесса FinFET, который должен стать эволюцией уже освоенной технологии 16-нм FinFET. Разрабатываемый техпроцесс берёт своё начало в 16-нм версии FFC (FinFET Compact), а эта версия создавалась специально для производства микрочипов, востребованных производителями мобильных устройств. Она оптимизирована для снижения стоимости и увеличения экономичности конечных устройств. Техпроцесс FFC изначально должен был представлять собой четвёртое поколение 16-нм процессов TSMC, но было решено выпустить его в качестве отдельной технологии. 12-нанометровый вариант FFC должен стать доступным в 2018 году, на год позже классического 10-нм FinFET. Эта технология станет пропуском в мир FinFET для тех, кому такие чипы ранее были не по карману.

Samsung грозит судебное разбирательство в связи с технологией FinFET

Корейский институт передовых технологий (KAIST) обвиняет Samsung в незаконном использовании защищённых технологий при производстве микрочипов.

Samsung

Samsung

Речь идёт о методике FinFET, которая предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. По заявлениям стороны обвинения, эта технология изначально была разработана специалистами KAIST в партнёрстве с профессором Ли Чен-Хо (Lee Jong-ho) из Сеульского университета.

Утверждается, что впоследствии компания Samsung пригласила господина Чен-Хо для проведения презентации на тему FinFET. Это якобы позволило инженерам южнокорейского гиганта в сжатые сроки и при меньших затратах внедрить названную методику на своих предприятиях.

Samsung

Samsung

В KAIST заявляют, что Samsung использует защищённую технологию без разрешения и выплаты отчислений. На этом основании истцы намерены требовать от ответчиков выплаты компенсации.

Более того, под удар попала компания Global Foundries, использующая технологию на условиях лицензионного соглашения с Samsung. Разбирательство также грозит Qualcomm, которая пользуется услугами и Samsung, и Global Foundries. Наконец, говорится о возможности подачи иска против TSMC. 

Samsung первой в отрасли начала выпуск «систем на чипе» по 10-нм технологии FinFET

Компания Samsung сегодня объявила о начале массового производства «систем на чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. Утверждается, что это первые подобные изделия в отрасли.

Отмечается, что производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40 процентов снизить энергопотребление.

По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30 процентов в расчёте на одну кремниевую пластину.

Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится о возможности увеличения производительности на 27 процентов по сравнению с 14-нанометровыми решениями.

Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Говорится о поддержке памяти LPDDR4X.

Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения. 

По всей видимости, в перспективе новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung — чипов семейства Exynos.

Samsung представила 14-нм чип Exynos 7270

Ещё на выставке IFA 2016 мы видели первые устройства на базе нового двухъядерного процессора Samsung Exynos 7 Dual 7270. Теперь южнокорейская компания официально представила свою новинку и заявила о запуске массового производства. Как отмечается, это первый мобильный процессор приложений в отрасли, разработанный специально для носимой электроники и использующий 14-нм технологию FinFET.

Samsung

Samsung

Компания Samsung взяла на вооружение новый 14-нм техпроцесс ещё в 2015 году. Но первыми с конвейера сошли процессоры для смартфонов. С выпуском Exynos 7270 14-нм технология стала доступной и для миниатюрных носимых устройств. Благодаря передовому техпроцессу новые чипы отличаются высокой энергоэффективностью (по этому показателю рост составил 20 % по сравнению с аналогичными моделями на базе 28-нм техпроцесса) и при компактных габаритах отличаются богатой функциональностью. Exynos 7270 включает 4G LTE-модем, модули беспроводной связи Wi-Fi, Bluetooth, FM-приёмник, навигационные функции. В одном чипе удалось разместить логику, оперативную память, NAND-память, схему управления питанием. Чип имеет такую же площадь, как и предшественник, но может похвастаться на 30 % меньшей высотой. Это позволит создавать ещё более тонкие гаджеты.

Samsung

Samsung

Samsung

Samsung

Среди особенностей новинки отмечаются два ядра Cortex-A53 с тактовой частотой 1 ГГц, графика Mali-T720, поддержка qHD-дисплеев, поддержка GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, LPDDR3-память, возможность работы с камерами разрешением до 5 Мп. Все компоненты упакованы в корпус SiP-ePoP площадью 10 × 10 мм. Ознакомительные образцы уже поставляются заказчикам.

GlobalFoundries раскрывает планы на будущее: 7 нм в 2018 году

GlobalFoundries недавно обнародовала первые подробности о своём технологическом процессе следующего поколения — 7 нм, которое начнёт применяться в 2018 году. Первоначально GlobalFoundries продолжит использовать иммерсионную литографию и эксимерный лазер с длиной волны 193 нм (deep ultraviolet, DUV) для производства микросхем по технологии 7 нм, но после может начать применять фотолитографию в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet, EUV) и лазеры с длиной волны 13,5 нм для критичных слоёв, в случае, если соответствующее оборудование будет готово к коммерческому производству. Принимая во внимание тот факт, что ключевым клиентом GlobalFoundries является Advanced Micro Devices, планы данного контрактного производителя микросхем будут иметь большое значение для рынка персональных компьютеров (ПК). В дополнение к передовой технологии 7 нм GlobalFoundries продолжит совершенствовать свои техпроцессы на основе FD-SOI.

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Производственный комплекс GlobalFoundries Fab 8. Фото FinanceFeeds.net

Существенные улучшения по сравнению с 14LPP

GlobalFoundries будет использовать свой технологический процесс 7 нм для производства различных высокопроизводительных микросхем, таких как процессоры, графические процессоры и системы на кристалле (system-on-chip, SoC) для всевозможных областей применения (мобильные устройства, ПК, серверы и т. д. ). Таким образом, целый ряд будущих продуктов AMD будет выпускаться с использованием 7-нм технологий GlobalFoundries (что мы знали из соглашения о поставке подложек, которые компании подписали ранее в этом году). При этом, в отличие от других производителей микроэлектроники, GlobalFoundries пропустит техпроцесс 10 нм, мотивируя это его слабыми преимуществом по сравнению с технологией 14LPP (14 нм, low power plus). Что касается технологии 7 нм DUV, то для неё GlobalFoundries обещает более чем двукратное увеличение плотности транзисторов, более чем 60-% снижение энергопотребления (при одинаковой тактовой частоте и сложности) или же более чем 30-% увеличение производительности (при одинаковом энергопотреблении и сложности). На практике это означает, что в идеальном сценарии GlobalFoundries будет иметь возможность удвоить количество транзисторов в микросхеме без увеличения размера кристалла при одновременном повышении её производительности на ватт. GlobalFoundries планирует продолжить использование текущего оборудования в Fab 8 при производстве микросхем по технологии 7 нм. Тем не менее, следующий техпроцесс потребует новых инвестиций в производственный комплекс, которые составят несколько миллиардов долларов.

Кремниевая пластина. Фото ASML

Кремниевая пластина. Фото ASML

К настоящему времени GlobalFoundries уже начала изготовление тестовых пластин с различными разработками своих клиентов по технологии 7 нм в производственном комплексе Fab 8 около города Мальта (штат Нью-Йорк). Несмотря на то, что компания не сможет использовать свой опыт в освоении 10-нм техпроцесса для 7-нм технологии, в GlobalFoundries говорят, что компания приобрела большой опыт с FinFET-транзисторами при работе с нормами производства 14LPE и 14LPP. Контрактный производитель полупроводников рассчитывает утвердить спецификацию 7-нм техпроцесса во второй половине 2017 года, что может предполагать старт массового производства соответствующих микросхем во второй половине 2018-го. По понятным причинам GlobalFoundries не может определить точно, когда именно она начнёт использование EUV-фотолитографии, но можно с уверенностью сказать, что EUV будет применяться не ранее 2019 года.

Ожидаемые GlobalFoundries улучшения в области производительности, энергопотребления и плотности размещения транзисторов (power, performance, area, PPA) для 7-нм технологического процесса смотрятся весьма достойно. Однако следует отметить, что GlobalFoundries является второй компанией, которая официально подтвердила намерение использовать DUV-литографию для 7-нм техпроцесса. Samsung надеется использовать EUV-литографию для критичных слоёв в случае с 7 нм, чтобы избежать использования многократного экспонирования (multipatterning), которое значительно увеличивает стоимость проектирования и производства и длительность производственного цикла (впрочем, на официальном сайте компания подтверждает лишь факт «оценки перспектив» использования EUV). В Intel также рассматривают возможность использования EUV для технологического процесса с шириной транзисторного затвора 7 нм. Тем не менее, TSMC не боится использования многократного экспонирования и намерена производить полупроводники с использованием технологии 7 нм при помощи иммерсионной фотолитографии во второй половине 2018 года.

Инспектирование подложки с микросхемами

Инспектирование подложки с микросхемами

Как покажут себя 7-нм нормы производства GlobalFoundries и TSMC, будет ясно в ближайшие годы, но следует иметь в виду, что техпроцесс первой «совместим с EUV»: компания сможет начать использование сканеров ASML TWINSCAN NXE для критичных слоёв, как только указанное оборудование будет готово для коммерческого использования (мощность источников излучения составит 250 Ватт, а сами сканеры будут доступны более 80 % времени). Поскольку технология 7 нм с EUV будет использоваться для производства других микросхем, нежели технология 7 нм с DUV, GlobalFoundries не делает секрета, что 7 нм с DUV и 7 нм с EUV являются двумя поколениями одного техпроцесса. Более того, если EUV-сканеры будут готовы к массовому производству уже в 2019 году, то жизненный цикл технологии 7 нм с DUV будет весьма недолгим. К слову, уже сейчас GlobalFoundries использует TWINSCAN NXE и EUV для ускорения производства прототипов определённых интегральных схем для своих клиентов. Иными словами, компания постепенно набирается опыта в использовании EUV.

GlobaFoundries пропустит 10 нм

Анонсировав техпроцесс 7 нм, GlobalFoundries подтвердила слухи о том, что не будет предлагать технологию 10 нм. Судя по всему, тому есть две причины, обе из которых лежат в плоскости PPASC (power, performance, area, schedule, costs). C одной стороны, 10-нм нормы производства не дали бы желаемого технологического эффекта, с другой — график их появления и необходимые инвестиции не обеспечили бы желаемого экономического эффекта.

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

300-мм подложки, обработанные в производственном комплексе Fab 1 компании GlobalFoundries

Поскольку технологии производства полупроводников становятся всё более комплексными, обеспечивать постоянные улучшения по всем метрикам PPA становится всё более сложно. Как результат, некоторые технологические процессы используются лишь некоторыми разработчиками на протяжении пары лет, а другие — годами и десятками компаний. GlobalFoundries считает, что техпроцесс 10 нм не обеспечит ощутимого роста производительности, снижения энергопотребления и роста плотности транзисторов по сравнению с технологией 14LPP (которая использует межблочные соединения от 20-нм техпроцесса), а потому станет маловостребованной переходной технологией с коротким жизненным циклом (в последние годы таковыми стали 45-, 32- и 20-нм техпроцессы, которые были использованы единицами разработчиков). Если мы посмотрим на озвучиваемые PPA-улучшения для наиболее продвинутых техпроцессов компаний GF, Samsung Foundry и TSMC последних лет, то мы заметим, что новая технология не принесёт по-настоящему существенных улучшений ни в случае TSMC (мы видели нечто подобное в случае с CLN20SOC), ни в случае Samsung (при этом, следует помнить о том, что технология 14LPP была лицензирована именно у последней), что подтверждает опасения GlobalFoundries.

В какой-то мере ожидания GlobalFoundries, что техпроцесс 10 нм может стать переходной технологией с коротким жизненным циклом, оправданы. На сегодняшний день, менее чем за полгода до старта массового производства (конец 2016 — начало 2017), лишь три клиента TSMC завершили проектирование 10-нм микросхем и отправили их цифровые модели производителю. В случае с технологией 16 нм (CLN16FF) десятки компаний завершили проектирование своих чипов задолго до старта массового производства во второй половине 2015 года. Примечательно, что 10-нм техпроцесс TSMC будет использоваться в основном разработчиками мобильных SoC (читай: Apple, Qualcomm, MediaTek), которым требуется увеличивать количество транзисторов и производительность на ватт каждый год. Такие клиенты меньше обеспокоены производственными затратами и агрессивностью усовершенствований, им требуются новые технологии просто чтобы представлять новые SoC каждый год, как того требует рынок. В то же время, по словам руководства TSMC, технология производства 7 нм будет использоваться многими клиентами компании, в том числе для изготовления микросхем для высокопроизводительных вычислений (впрочем, это не значит, что никто с рынка решений для HPC не будет использовать 10-нм технологию). TSMC планирует начать массовое производство 7-нм чипов в первой половине 2018 года, на несколько месяцев раньше GlobalFoundries. Тем не менее, первый технологический процесс TSMC c EUV (5 нм) появится лишь в 2020 году, таким образом, компания может быть немного позади своего соперника, когда дело дойдёт до следующего поколения литографии.

Samsung продемонстрировала первые пластины, обработанные по технологии 10LPE (10 нм, low power early), в мае 2015 года и обозначила планы по использованию 10-нм техпроцесса для производства коммерческих чипов в конце 2016 года. Кроме того, в ближайшее время компания планирует начать производство микросхем с использованием улучшенной технологии 10LPP с увеличенным частотным потенциалом. Таким образом, за несколько месяцев до выпуска нового поколения смартфонов Samsung Galaxy S8 в первой половине 2017 года, у Samsung будет возможность производить для них 10-нм микросхемы (судя по всему, речь идёт о новых Samsung Exynos и Qualcomm Snapdragon). Поскольку Samsung требуются наиболее передовые SoC для своих смартфонов, неудивительно, что компания готовится развернуть 10-нм производство. Даже в случае, если она не получит множество клиентов на данный техпроцесс, она в любом случае будет нуждаться в продвинутой технологии изготовления микросхем, чтобы сохранять конкурентоспособность с Apple (или даже получить эту компанию в качестве клиента). Кроме того, если Samsung решит, что применение EUV необходимо для её технологического процесса с шириной транзисторного затвора 7 нм, то концерну придётся использовать 10LPP (или более совершенные нормы изготовления) до тех пор, пока сканеры ASML TWINSCAN NXE не будут готовы для массового производства. Отчасти поэтому Samsung не делает конкретных анонсов о времени появления 7-нм техпроцессов (всё, что мы знаем, это то, что они появятся в 2019 году, или позже), а также конкретных планов касательно EUV.

В то же время есть ещё одна причина, почему GlobalFoundries решила пропустить технологический процесс 10 нм. Два года назад компания приобрела активы IBM Microelectronics вместе с командой разработчиков. Естественно, что для интеграции сотрудников IBM в структуры GlobalFoundries потребовалось время, а потому, вместо создания 10-нм техпроцесса (который бы всё равно опоздал), компания решила сосредоточиться на технологическом процессе с шириной транзисторного затвора 7 нм. Последний станет первым техпроцессом, совместно разработанным специалистами их GlobalFoundries и IBM.

Плавный переход к EUV

В настоящее время как производители полупроводников, так и производители оборудования для изготовления микросхем согласны, что EUV потребуется при переходе на более тонкие техпроцессы. Вопрос в том, будет ли готова компания ASML поставлять соответствующие сканеры для норм производства 7 нм или 5 нм. Как следствие, каждый должен принимать решение о том, когда именно начинать использование EUV для критичных слоев.

Фотошаблон Zeiss для производства микросхем с использованием EUV

Фотошаблон Zeiss для производства микросхем с использованием EUV

ASML и Cymer последовательно улучшают свои сканеры и характеристики источников EUV-излучения, тогда как производители полупроводников учатся использовать эти инструменты. До сих пор только TSMC обозначила конкретные сроки начала использования EUV: 2020 год для технологического процесса 5 нм. Хотя Samsung и утверждает, что EUV потребуется для 7-нм производства, компания не раскрывает точного времени старта применения соответствующих инструментов. Аналогично поступает и GlobalFoundries, когда указывает на совместимость 7-нм техпроцесса с EUV оборудованием, но не указывает сроков старта применения TWINSCAN NXE. Intel также взвешивает возможности использования EUV для критичных слоёв в 7-нм микросхемах, но не делает формальных официальных заявлений. Что касается SMIC и UMC, то обе компании пока никак не обозначили планы использования фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Кроме того, обеим компания еще требуется догнать своих соперников с FinFET-транзисторами.

Разрабатывая технологический процесс с шириной транзисторного затвора в 7 нм, который «совместим с EUV на ключевых уровнях», что по сути означает два поколения техпроцессов, GlobalFoundries ведёт себя весьма мудро.

  • Во-первых, у компании будет новый 7-нм техпроцесс, готовый к массовому производству во второй половине 2018 года. Это позже, чем начало 7-нм производства у TSMC, но раньше, чем у Intel (которая не без оснований заявляет, что плотность транзисторов у её 10-нм технологии будет похожа на плотность транзисторов у конкурирующих 7-нм решений, а потому формальное отставание не имеет значения), что будет позитивно для AMD и других клиентов GlobalFoundries (впрочем, надо держать в уме, более длительный цикл производства и увеличенную себестоимость микросхем в случае 7 нм и DUV).
  • Во-вторых, как только EUV-оборудование будет готово к массовому производству, у GlobalFoundries будет уже разработанный техпроцесс, совместимый с EUV. При этом большинство слоёв всё равно будут экспонироваться при помощи привычных DUV-сканеров, а значит зрелость «DUV-составляющей» весьма важна.
  • В-третьих, даже если оборудование ASML не будет готово ко второй половине 2019 года (о чём её клиенты узнают задолго до этого срока), GlobalFoundries будет иметь конкурентоспособную технологию производства и время, чтобы разработать новую, с (или без) EUV.

Разумеется, при определенном стечении обстоятельствах GlobalFoundries придётся конкурировать с 5-нм технологией TSMC при помощи 7-нм норм производства в 2020 году. Однако компания сделает всё, чтобы этого избежать.

GlobalFoundries предложит как EUV, так и FD-SOI

GlobalFoundries не кладёт все яйца в одну корзину. Хотя компании Samsung и TSMC разрабатывают версии своих техпроцессов с FinFET-транзисторами с уменьшенной стоимостью производства и сниженным энергопотреблением в попытке привлечь создателей микросхем с небольшими бюджетами, GF планирует продолжать разработку новых технологий с планарными транзисторами с применением подложек FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator, полностью обеднённый кремний-на-изоляторе). Таким образом, для недорогих микросхем с низким энергопотреблением, беспроводными и аналоговыми интерфейсами, компания будет продолжать предлагать техпроцесс 22FDX (28 нм BEOL, 14 нм FEOL разработанные STMicroelectronics), а затем более совершенный 12FDX.

Дифферинцированный подход GlobalFoundries: FinFET, EUV и FD-SOI

Дифферинцированный подход GlobalFoundries: FinFET, EUV и FD-SOI

Поскольку проектирование микросхем на основе планарных транзисторов в разы дешевле проектирования чипов с трёхмерными FinFET-транзисторами, технологии на базе FD-SOI отлично подходят для небольших разработчиков чипов для целого ряда приложений (беспроводные устройства, IoT, 5G и т. д. ). GlobalFoundries позиционирует 22FDX как альтернативу 14/16 нм FinFET-техпроцессам, тогда как 12FDX будет конкурировать против 10-нм, а, возможно, и против суб-10 нм технологий в 2019 году и далее. Samsung, другой производитель микросхем с использованием FD-SOI, обозначил планы добавить поддержку eNVM (embedded non-volatile memory) в техпроцесс 28FDS в 2018 году, но не раскрыл, планирует ли совершенствовать свои FD-SOI предложения в дальнейшем.

Будут ли технологии GlobalFoundries на базе FD-SOI пользоваться спросом — покажет время. Тем не менее, GlobalFoundries и Samsung являются единственными контрактными производителями микросхем, кто планирует предлагать как передовые техпроцессы с FinFET-транзисторами, так и экономичные технологии производства с планарными вентилями и FD-SOI в 2020 году и далее. Кроме того, пока лишь GlobalFoundries обозначила планы по суб-20 нм нормам производства с применением FD-SOI.

ARM и TSMC объединяют усилия в области 7-нм технологии FinFET

Компании ARM и TSMC объявили о заключении нового многолетнего соглашения о сотрудничестве, предусматривающего совместные работы, связанные с внедрением и использованием 7-нанометровой технологии FinFET.

ARM и TSMC уже имеют богатый опыт совместных исследований. Компании, в частности, работали над методиками производства с нормами 16, а затем — 10 нанометров.

Новое соглашение, как сообщается, охватывает разработку ключевых конструкторских решений для однокристальных систем нового поколения, использующих 7-нанометровую технологию FinFET. Такие продукты будут обладать небольшим энергопотреблением и высокой производительностью.

Особо отмечается, что сотрудничество не ограничится одной лишь мобильной сферой. Партнёры намерены развивать направления микрочипов для сетевого оборудования и центров обработки данных. Иными словами, будущие 7-нанометровые процессоры с архитектурой ARM найдут применение в самом широком спектре устройств — от смартфонов и планшетов до операторских платформ и серверов. 

Флагман NVIDIA будет продемонстрирован на GTC 2016

Информации во всемирной Сети о новом поколении графических карт NVIDIA ходит, пожалуй, меньше, нежели о решениях её главного конкурента, Radeon Technologies Group, которая в последнее время активно работает со средствами массовой информации. Тем не менее существуют и довольно активно ходят слухи о том, что флагман семейства Pascal будет выпущен в июне этого года, а продемонстрирован публике в работе — на конференции GTC (GPU Technology Conference), которая пройдёт с 4 по 7 апреля этого года. Как сообщают источники слухов, демонстрация состоится 5 апреля.

Все планы NVIDIA, касающиеся выступлений на GTC, помечены кодом вида X6###, где X — одна или две буквы, цифра 6 постоянна, а ### — меняющееся число. Речь на открытии GTС (opening keynote), которую произнесёт глава NVIDIA Дженсен Хуанг (Jen-Hsun Huang), помечена кодом 699. Не так давно, три недели назад, в базе данных Zauba были замечены четыре различных варианта карт Pascal со следующими серийными номерами:

  • 699-2H403-0201-500
  • 699-1G411-0000-000
  • 699-1H400-0000-100
  • 699-12914-0071-100

Связано ли это как-то с кодами, принятыми на GTC, мы не знаем. Не знают и источники слухов. Вполне возможно, что это не простое совпадение и речь идёт о демонстрации различных моделей Pascal. Сама конференция обещает быть очень интересной: на ней компания впервые покажет графическую архитектуру нового поколения в действии. Напомним, на CES 2016, демонстрируя прототип автомобильного компьютера Drive PX2, NVIDIA установила на него чипы Maxwell, но не Pascal, как ожидалось. Из этого многие сделали выводы, что компания испытывает трудности с массовым производством новых чипов.

У Pascal много достоинств. К сожалению, пока только на бумаге

У Pascal много достоинств. К сожалению, пока только на бумаге

Что касается появления Pascal на рынке, то наши коллеги с ресурса sweclockers.com считают, что первые графические карты NVIDIA на базе новой архитектуры будут анонсированы на выставке Computex 2016, о чём мы сообщали ранее. Эта презентация будет посвящена, главным образом, мобильным решениям для игровых ноутбуков. Ни слова о том, когда мы увидим настольные решения Pascal, источники не говорят. Существует версия, что компания столкнулась с некими трудностями в адаптации Pascal к техпроцесссу TSMC 16-нм FinFET. Это предположение хорошо согласуется с планами запуска первыми именно мобильных, более простых чипов. По всей видимости, настольных Pascal мы не увидим ранее третьего или даже четвёртого квартала этого года. А пока остаётся лишь напомнить, что всё вышенаписанное следует воспринимать с известной долей скептицизма и ждать поступления новой, более точной информации.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥