Intel представила EMIB-T — технологию упаковки многокристальных чипов с поддержкой HBM4 и UCIe

На конференции IEEE ECTC 2025, прошедшей в конце мая в Далласе, Intel анонсировала EMIB-T — усовершенствованную версию своей технологии межкристальных соединений, предназначенную для поддержки высокоскоростной памяти HBM4 и интерфейса UCIe. EMIB-T сочетает в себе элементы 2.5D и 3D-упаковки, обеспечивая улучшенную подачу питания и увеличенную пропускную способность между кристаллами.

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»

Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия

Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа

Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой

Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты

Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь

Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ

Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты

Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro

Источник изображения: Intel

EMIB-T (Embedded Multi-die Interconnect Bridge с TSV) представляет собой развитие существующей технологии EMIB, в которую добавлены сквозные кремниевые переходы (TSV). Это позволяет подавать питание непосредственно через нижнюю часть упаковки, снижая сопротивление и устраняя проблемы с падением напряжения, характерные для предыдущих версий. В результате достигается более эффективная интеграция памяти HBM4 или HBM4e и поддержка интерфейса UCIe-A с пропускной способностью до 32 Гбит/с и выше.

Новая технология также позволяет создавать упаковки размером до 120 × 180 мм, содержащие более 38 мостов и более 12 кристаллов. Шаг соединений уменьшен с 55 до 45 микрон, с перспективой снижения до 35 и даже 25 микрон в будущем. EMIB-T совместима как с органическими, так и со стеклянными подложками, что открывает новые возможности для масштабирования и повышения плотности интеграции.

Помимо EMIB-T, Intel представила новую конструкцию теплового распределителя, разделённого на плоскую пластину и усиливающий элемент. Это улучшает контакт с теплопроводящим материалом и снижает вероятность образования пустот на 25%. Также была продемонстрирована новая технология термокомпрессионного соединения, повышающая надёжность и выход годных изделий при производстве крупных упаковок.

Intel активно сотрудничает с ведущими разработчиками программного обеспечения для проектирования электронных устройств (EDA, Electronic Design Automation), включая Cadence, Siemens и Synopsys, для создания стандартных решений, поддерживающих EMIB-T. Кроме того, компания Keysight объявила о партнёрстве с Intel Foundry для поддержки EMIB-T в своих решениях для проектирования чиплетов, включая поддержку стандартов UCIe 2.0 и BoW.

EMIB-T становится ключевым элементом стратегии Intel по объединению различных компонентов, таких как процессоры, графические ускорители и память, в одном корпусе. Это особенно важно в условиях растущих требований к производительности и энергоэффективности в сегментах искусственного интеллекта и центров обработки данных. Новая технология также открывает возможности для более гибкой интеграции компонентов от разных производителей, что соответствует тенденциям развития открытых стандартов в полупроводниковой отрасли.