Kioxia рассказала, когда создаст SSD с производительностью выше 10 миллионов IOPS

Японский производитель компьютерной памяти Kioxia представил свою программу среднесрочного и долгосрочного развития, в которой делает ставку на производство передовых SSD. Самый амбициозный проект компании — это прорывной твердотельный накопитель с производительностью 10 млн операций ввода-вывода в секунду (IOPS), который должен появиться уже во второй половине 2026 года.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображений: Kioxia

«Мы берём наши сверхбыстрые чипы памяти XL-Flash на основе одноуровневых ячеек и соединяем их с совершенно новым контроллером, — пояснил представитель компании. — Эта комбинация должна дать нам беспрецедентную производительность для операций с данными небольшого масштаба. Мы нацелены на более чем 10 миллионов операций ввода-вывода в секунду и планируем подготовить образцы ко второй половине 2026 года».

В настоящее время Kioxia выпускает твердотельные накопители, созданные на основе фирменной 218-слойной флеш-памяти BiCS FLASH 8-го поколения. Эта память использует технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array — CMOS, напрямую связанная с массивом) для достижения максимальной скорости и энергоэффективности. Kioxia последовательно наращивает производство этих чипов, которые используются как в высокопроизводительных SSD, так и в смартфонах с поддержкой ИИ.

Серия актуальных накопителей Kioxia CM9 нацелена на системы ИИ, которым требуется максимальная производительность и надёжность. Серия LC9 фокусируется на ёмкости накопителей для крупномасштабных баз данных, которая может достигать 122 Тбайт на устройство. Компания также тесно сотрудничает с основными производителями графических процессоров для оптимизации своих накопителей для графических и видеоприложений.

Kioxia использует два конкурентных подхода при разработке следующего поколения флэш-памяти. Первый (BiCS FLASH 10-го поколения) фокусируется на традиционном методе увеличения количества слоёв для повышения ёмкости. Второй (BiCS FLASH 9-го поколения) стремится максимально использовать преимущества технологии CBA, что обеспечивает высокую производительность и при этом позволяет сохранять затраты на разработку на приемлемом уровне.